2025版《試吧大考卷》全程考評(píng)特訓(xùn)卷 化學(xué)科目 檢測(cè)特訓(xùn)卷+詳細(xì)解析課練16晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

課練16晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)練eq\a\vs4\al(基)eq\a\vs4\al(礎(chǔ))1．下列有關(guān)物質(zhì)特殊聚集狀態(tài)與結(jié)構(gòu)的說(shuō)法不正確的是()A．液晶中分子的長(zhǎng)軸取向一致，表現(xiàn)出類似晶體的各向異性B．等離子體是一種特殊的氣體，由陽(yáng)離子和電子兩部分構(gòu)成C．純物質(zhì)有固定的熔點(diǎn)，但其晶體顆粒尺寸在納米量級(jí)時(shí)也可能發(fā)生變化D．超分子內(nèi)部的分子間一般通過(guò)非共價(jià)鍵或分子間作用力結(jié)合成聚集體2．根據(jù)下表中給出的有關(guān)數(shù)據(jù)，判斷下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()AlCl3SiCl4晶體硼金剛石晶體硅熔點(diǎn)/℃190－682300＞35501415沸點(diǎn)/℃17857255048272355A.SiCl4是分子晶體B．晶體硼是共價(jià)晶體C．AlCl3是分子晶體，加熱能升華D．金剛石中的C—C比晶體硅中的Si—Si弱3．碳化硅(SiC)晶體具有多種結(jié)構(gòu)，其中一種晶體的晶胞(如圖所示)與金剛石的類似。下列判斷正確的是()A．該晶體屬于分子晶體B．該晶體中存在極性鍵和非極性鍵C．該晶體中Si的化合價(jià)為－4D．該晶體中C的雜化類型為sp3雜化4．石英晶體的平面示意圖如圖，它實(shí)際上是立體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(可以看作是晶體硅中的每個(gè)Si—Si中插入一個(gè)O)，其中硅、氧原子數(shù)比是m∶n，下列有關(guān)敘述正確的是()A.m∶n＝2∶1B．6g該晶體中含有0.1NA個(gè)分子C．原硅酸根離子(SiOeq\o\al(4－,4))的結(jié)構(gòu)為，則二聚原硅酸根離子Si2Oeq\o\al(6－,x)中的x＝7D．石英晶體中由硅、氧原子構(gòu)成的最小的環(huán)上含有的Si、O原子個(gè)數(shù)和為85．如圖為高溫超導(dǎo)領(lǐng)域里的一種化合物(鈣鈦礦)結(jié)構(gòu)中的最小重復(fù)單元。該化合物中，每個(gè)鈦離子周圍與它最接近且距離相等的鈦離子有a個(gè)，元素氧、鈦、鈣的原子個(gè)數(shù)比為b。則a、b是()A．6，3∶1∶1B．24，10∶8∶1C．12，5∶4∶1D．3，3∶2∶1練eq\a\vs4\al(高)eq\a\vs4\al(考)6．[2023·遼寧卷]晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對(duì)稱美同樣受關(guān)注。某富鋰超離子導(dǎo)體的晶胞是立方體(圖1)，進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后，可獲得高性能固體電解質(zhì)材料(圖2)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A．圖1晶體密度為eq\f(72.5,NA×a3×10－30)g·cm－3B．圖1中O原子的配位數(shù)為6C．圖2表示的化學(xué)式為L(zhǎng)iMg2OClxBr1－xD．Mg2＋取代產(chǎn)生的空位有利于Li＋傳導(dǎo)7．[2023·湖南卷]科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該立方晶胞參數(shù)為apm。阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6C6B．晶體中與K＋最近且距離相等的Ca2＋有8個(gè)C．晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個(gè)面D．晶體的密度為eq\f(2.17×1032,a3·NA)g·cm－38．[2023·湖北卷]鑭La和H可以形成一系列晶體材料LaHn，在儲(chǔ)氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。LaHn屬于立方晶系，晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下，LaH2中的每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu)，即得到晶體LaHx。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A．LaH2晶體中La的配位數(shù)為8B．晶體中H和H的最短距離：LaH2>LaHxC．在LaHx晶胞中，H形成一個(gè)頂點(diǎn)數(shù)為40的閉合多面體籠D．LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為eq\f(40,（4.84×10－8）3×6.02×1023)g·cm－39．(1)[2023·山東卷，節(jié)選]－40℃時(shí)，F(xiàn)2與冰反應(yīng)生成HOF和HF。常溫常壓下，HOF為無(wú)色氣體，固態(tài)HOF的晶體類型為_(kāi)_______。(2)[2023·全國(guó)乙卷，35(2)]已知一些物質(zhì)的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表：物質(zhì)NaClSiCl4GeCl4SnCl4熔點(diǎn)/℃800.7－68.8－51.5－34.1Na與Si均為第三周期元素，NaCl熔點(diǎn)明顯高于SiCl4，原因是______________________。分析同族元素的氯化物SiCl4、GeCl4、SnCl4熔點(diǎn)變化趨勢(shì)及其原因________________________。練eq\a\vs4\al(模)eq\a\vs4\al(擬)10．[2024·山東濰坊期末]硅和碳是重要的非金屬元素，有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下表所示：化學(xué)鍵C—CC—HC—OSi—SiSi—HSi—O鍵能/(kJ·mol－1)356413336226318452下列說(shuō)法正確的是()A．熱穩(wěn)定性：CH4＜SiH4B．金剛石的熔點(diǎn)低于晶體硅C．共價(jià)鍵的鍵能與成鍵原子的核間距一定成反比D．硅烷在種類和數(shù)量上都不如烷烴多11．[2024·遼寧名校聯(lián)盟開(kāi)學(xué)考]下列有關(guān)金剛石晶體和二氧化硅晶體(如圖所示)的敘述正確的是()A．金剛石晶體和二氧化硅晶體均屬于共價(jià)晶體B．金剛石晶胞中含有6個(gè)碳原子C．60gSiO2晶體中所含共價(jià)鍵數(shù)目為6NA(NA是阿伏加德羅常數(shù)的值)D．金剛石晶體熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵，二氧化硅晶體熔化時(shí)破壞分子間作用力12．[2024·河北張家口三模]氟元素可形成多種有工業(yè)價(jià)值和科研價(jià)值的化合物，如OF2、NF3、XeF2等。其中XeF2的四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，圖中M點(diǎn)原子坐標(biāo)參數(shù)為(eq\f(1,2)，eq\f(1,2)，eq\f(1,2))，Xe和F的最短距離為bnm，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A．OF2分子的鍵角小于NF3分子的鍵角B．XeF2中Xe的雜化方式為sp雜化C．基態(tài)N、F原子核外電子均有5種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)D．Q點(diǎn)原子坐標(biāo)參數(shù)為eq\b\lc\[\rc\](\a\vs4\al\co1(\f(1,2)，\f(1,2)，（\f(1,2)－\f(b,c)）))13．[2024·山東濰坊一模]硫化鋅是一種優(yōu)良的寬帶隙半導(dǎo)體鋰離子電池負(fù)極材料，具有在充電的同時(shí)合金化反應(yīng)的特點(diǎn)。在充電過(guò)程中負(fù)極材料晶胞的組成變化如圖所示。下列說(shuō)法正確的是()A．當(dāng)1molZnmS完全轉(zhuǎn)化為ZnnS時(shí)，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為2molB．在ZnmS體對(duì)角線的一維空間上會(huì)出現(xiàn)“”的排布規(guī)律C．當(dāng)ZnmS完全轉(zhuǎn)化為L(zhǎng)ixZnyS時(shí)，每轉(zhuǎn)移6mol電子，生成3molLiZn(合金相)D．若Li2S的晶胞參數(shù)為anm，則EF間的距離為eq\f(\r(15),4)anm一、選擇題：本題共10小題，每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意。1．下列關(guān)于物質(zhì)聚集狀態(tài)的敘述錯(cuò)誤的是()A．在電場(chǎng)存在的情況下，液晶分子沿著電場(chǎng)方向有序排列B．非晶體的內(nèi)部原子或分子的排列雜亂無(wú)章C．物質(zhì)的聚集狀態(tài)除了晶態(tài)、非晶態(tài)還有塑晶態(tài)、液晶態(tài)等D．等離子體是指由電子、陽(yáng)離子組成的帶有一定電荷的物質(zhì)聚集體2．下列變化需克服相同類型作用力的是()A．氯化氫和氯化鉀的溶解B．碳化硅(SiC，俗稱金剛砂)和C60的熔化C．碘和干冰的升華D．溴和汞的汽化3．[2024·湖北安陸聯(lián)考]下列物質(zhì)的熔沸點(diǎn)比較中，不正確的是()A．沸點(diǎn)：N2＜COB．沸點(diǎn)：CH4＜H2S＜H2OC．熔點(diǎn)：Al＜Mg＜NaD．熔點(diǎn)：晶體硅＜碳化硅＜金剛石4．下列關(guān)于不同晶體的描述中正確的是()A．在金剛石晶體中，每個(gè)C原子被12個(gè)六元碳環(huán)共用B．在NaCl晶體中，每個(gè)Na＋周圍有8個(gè)距離最近且相等的Na＋C．含1molH2O的冰中形成氫鍵的數(shù)目為4NA個(gè)D．在石墨晶體中，碳原子數(shù)與C—C鍵數(shù)之比為1∶35．[2024·長(zhǎng)春南關(guān)區(qū)聯(lián)考]下列說(shuō)法正確的是()A．基態(tài)鈣原子核外有2個(gè)未成對(duì)電子B．CaTiO3晶體中與每個(gè)Ti4＋最鄰近的O2－有12個(gè)(如圖是其晶胞結(jié)構(gòu)模型)C．分子晶體中都存在共價(jià)鍵D．金屬晶體的熔點(diǎn)都比分子晶體的熔點(diǎn)高6．科學(xué)家新近合成的納米立方氮化硼，其硬度超過(guò)鉆石，是目前世界上最硬的物質(zhì)。立方氮化硼結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法正確的是()A.納米立方氮化硼屬于離子晶體B．B和N之間可形成非極性共價(jià)鍵C．納米立方氮化硼可用于鉆探、切削工具D．25.0g納米立方氮化硼中含6.02×1023個(gè)原子7．某立方鹵化物可用于制作光電材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.Ca2＋的配位數(shù)為6B．與F－距離最近的是K＋C．該物質(zhì)的化學(xué)式為KCaF3D．若F－換為Cl－，則晶胞棱長(zhǎng)將改變8．科學(xué)家研究利用CaF2晶體釋放出的Ca2＋和F－脫除硅烷，拓展了金屬氟化物材料的生物醫(yī)學(xué)功能。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A.F、Si和Ca電負(fù)性依次減小，原子半徑依次增大B．OF2與SiO2中含有化學(xué)鍵類型和氧原子雜化方式均相同C．圖中A處原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0，0，0)、C處原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1，1，0)，則B處原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(eq\f(3,4)，eq\f(3,4)，eq\f(3,4))D．脫除硅烷反應(yīng)速率依賴于晶體提供自由氟離子的能力，脫除硅烷的速率：BaF2＜CaF2＜MgF29．螢石(CaF2)晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞邊長(zhǎng)為apm，Ca2＋和F－半徑大小分別為r1和r2。下列說(shuō)法正確的是()A．該晶胞中Ca2＋的配位數(shù)為4B．半徑大小關(guān)系：r1>r2C．該晶胞中含有的Ca2＋數(shù)目為12D．該晶胞中Ca2＋和F－的最近距離為eq\f(\r(3),4)apm10．[2024·遼寧東北育才學(xué)校摸底]Li2S屬立方晶體，晶胞邊長(zhǎng)為dpm，晶胞截面圖如圖所示。則下列關(guān)于該晶胞的描述正確的是()A．每個(gè)晶胞中含有的S2－數(shù)目為8B．與Li＋最近且等距離的S2－有8個(gè)C．該晶胞中兩個(gè)距離最近的Li＋和S2－的核間距的計(jì)算表達(dá)式為eq\f(\r(3),4)dpmD．Li2S晶體的密度為eq\f(184,d3NA)×1021g·cm－3二、非選擇題：本題共1小題。11．目前我國(guó)研制的稀土催化劑催化轉(zhuǎn)化汽車尾氣示意圖如圖1所示。(1)Zr原子序數(shù)為40，價(jià)電子排布式為_(kāi)_____________。圖1中屬于非極性分子的氣體是______________。(2)①氟化硼(BF3)是石油化工的重要催化劑。BF3中B—F比BFeq\o\al(－,4)中B—F的鍵長(zhǎng)短，原因是________________________________________________________________________________________________________________________________________________。②乙硼烷(B2H6)是用作火箭和導(dǎo)彈的高能燃料；氨硼烷(H3NBH3)是最具潛力的儲(chǔ)氫材料之一。B2H6的分子結(jié)構(gòu)如圖2所示，其中B原子的雜化方式為_(kāi)___________________。③H3NBH3的相對(duì)分子質(zhì)量與B2H6相差不大，但是H3NBH3的沸點(diǎn)卻比B2H6高得多，原因是________________________________________________________________________________________________________________________________________________。④硼酸鹽是重要的防火材料。圖3是硼酸鈉晶體中陰離子(含B、O、H三種元素)的結(jié)構(gòu)，該晶體中含有的化學(xué)鍵有________。A．離子鍵B．極性鍵C．非極性鍵D．配位鍵E．金屬鍵(3)CO與Ni可生成羰基鎳[Ni(CO)4]，已知其中鎳的化合價(jià)為0，[Ni(CO)4]的配體中配位原子是________________。(4)為了節(jié)省貴金屬并降低成本，也常用鈣鈦礦型復(fù)合氧化物作為催化劑。一種復(fù)合氧化物結(jié)構(gòu)如圖4所示，則與每個(gè)Sr2＋緊鄰的O2－有________個(gè)。

課練16晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)狂刷小題夯基礎(chǔ)1．答案：B解析：液晶分子沿分子長(zhǎng)軸方向有序排列，從而表現(xiàn)出類似晶體的各向異性，故A正確；等離子體是由陽(yáng)離子、電子和電中性粒子組成的整體上呈電中性的物質(zhì)聚集體，故B錯(cuò)誤；純物質(zhì)有固定的熔點(diǎn)，但其晶體顆粒尺寸在納米量級(jí)時(shí)也可能發(fā)生變化，熔點(diǎn)可能下降，故C正確；超分子內(nèi)部的多個(gè)分子間一般通過(guò)非共價(jià)鍵或分子間作用力結(jié)合成聚集體，故D正確。2．答案：D解析：SiCl4、AlCl3的熔、沸點(diǎn)低，都是分子晶體，AlCl3的沸點(diǎn)低于其熔點(diǎn)，即在低于熔化的溫度下就能汽化，故AlCl3加熱能升華，A、C正確；晶體硼的熔、沸點(diǎn)很高，所以晶體硼是共價(jià)晶體，B正確；由金剛石與晶體硅的熔、沸點(diǎn)相對(duì)高低可知，金剛石中的C—C比晶體硅中的Si—Si強(qiáng)，D錯(cuò)誤。3．答案：D解析：與金剛石類似，該晶體屬于共價(jià)晶體，A錯(cuò)誤；根據(jù)該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，該晶體只存在Si—C極性共價(jià)鍵，B錯(cuò)誤；Si—C中，C的電負(fù)性更強(qiáng)，共用電子對(duì)偏向C原子，所以Si的化合價(jià)為＋4，C錯(cuò)誤；每個(gè)C原子與4個(gè)Si原子形成4個(gè)σ鍵，C原子沒(méi)有孤電子對(duì)，所以C的雜化類型為sp3雜化，D正確。4．答案：C解析：每個(gè)Si原子占有O原子個(gè)數(shù)為4×eq\f(1,2)＝2；該晶體是共價(jià)晶體，不存在分子；原硅酸（H4SiO4）的結(jié)構(gòu)可表示為，兩個(gè)原硅酸分子可發(fā)生分子間脫水生成二聚原硅酸：，二聚原硅酸電離出6個(gè)H＋后，形成帶6個(gè)負(fù)電荷的二聚原硅酸根離子；在SiO2晶體中，由Si、O構(gòu)成的最小單元環(huán)中共有12個(gè)原子。5．答案：A解析：由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞頂角上相鄰的鈦離子相距最近，則鈦離子周圍與它最接近且距離相等的鈦離子有6個(gè)，a＝6；晶胞中鈦原子個(gè)數(shù)為8×eq\f(1,8)＝1，氧原子個(gè)數(shù)為12×eq\f(1,4)＝3，鈣原子個(gè)數(shù)為1，則氧、鈦、鈣的原子個(gè)數(shù)比為3∶1∶1，故選A。6．答案：C解析：根據(jù)均攤法，題圖1的晶胞中含Li：8×eq\f(1,4)＋1＝3，O：2×eq\f(1,2)＝1，Cl：4×eq\f(1,4)＝1，1個(gè)晶胞的質(zhì)量為eq\f(3×7＋16＋35.5,NA)g＝eq\f(72.5,NA)g，晶胞的體積為（a×10－10cm）3＝a3×10－30cm3，則晶體的密度為eq\f(72.5,NA)g÷（a3×10－30cm3）＝eq\f(72.5,NA×a3×10－30)g·cm－3，A項(xiàng)正確；題圖1晶胞中，O位于面心，與O等距離最近的Li有6個(gè)，O原子的配位數(shù)為6，B項(xiàng)正確；根據(jù)均攤法，題圖2中Li：1，Mg或空位為8×eq\f(1,4)＝2，O：2×eq\f(1,2)＝1，Cl或Br：4×eq\f(1,4)＝1，Mg的個(gè)數(shù)小于2，根據(jù)正負(fù)化合價(jià)的代數(shù)和為0，題圖2的化學(xué)式為L(zhǎng)iMgOClxBr1－x，C項(xiàng)錯(cuò)誤；進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后，可獲得高性能固體電解質(zhì)材料，說(shuō)明Mg2＋取代產(chǎn)生的空位有利于Li＋的傳導(dǎo)，D項(xiàng)正確。7．答案：C解析：由題圖可知，晶胞中K處于頂點(diǎn)，數(shù)目為eq\f(1,8)×8＝1，Ca在晶胞的體心，數(shù)目為1，B在晶胞的面上，數(shù)目為eq\f(1,2)×2×6＝6，C也在晶胞的面上，數(shù)目為eq\f(1,2)×2×6＝6，故晶體的最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6C6，A項(xiàng)正確；由晶胞圖可知，與Ca2＋最近且距離相等的K＋有8個(gè)，而晶胞中Ca2＋、K＋數(shù)目之比為1∶1，故與K＋最近且距離相等的Ca2＋有8個(gè)，B項(xiàng)正確；結(jié)合圖示可知，B、C原子圍成的多面體，有6個(gè)面位于晶胞的六個(gè)面上，上半部分和下半部分還各有4個(gè)面，故該多面體中共有14個(gè)面，C項(xiàng)錯(cuò)誤；該晶胞的摩爾質(zhì)量為217g·mol－1，晶胞體積為（a×10－10）3cm3，故晶體密度為eq\f(2.17×1032,a3·NA)g·cm－3，D項(xiàng)正確。8．答案：C解析：由LaH2的晶胞結(jié)構(gòu)可知，La位于頂點(diǎn)和面心，晶胞內(nèi)8個(gè)小立方體的中心各有1個(gè)H原子，若以頂點(diǎn)La研究，與之最近的H原子有8個(gè)，則La的配位數(shù)為8，故A正確；由LaHx晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu)，H和H之間的最短距離變小，則晶體中H和H的最短距離：LaH2>LaHx，故B正確；由題干信息可知，在LaHx晶胞中，每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)有8個(gè)，頂點(diǎn)數(shù)為4×8＝32，且不是閉合的結(jié)構(gòu)，故C錯(cuò)誤；1個(gè)LaHx晶胞中含有5×8＝40個(gè)H原子，含H質(zhì)量為eq\f(40,NA)g，晶胞的體積為（484.0×10－10cm）3＝（4.84×10－8）3cm3，則LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為eq\f(40,（4.84×10－8）3×6.02×1023)g·cm－3，故D正確。9．答案：（1）分子晶體（2）鈉的電負(fù)性小于硅，氯化鈉為離子晶體，而SiCl4為分子晶體隨著同族元素的電子層數(shù)的增多，其熔點(diǎn)依次升高，其原因是：SiCl4、GeCl4、SnCl4均形成分子晶體，分子晶體的熔點(diǎn)由分子間作用力決定，相對(duì)分子質(zhì)量增大，其分子間作用力依次增大，分子間作用力越大則其熔點(diǎn)越高10．答案：D解析：鍵能：C—H鍵＞Si—H鍵，所以熱穩(wěn)定性：CH4＞SiH4，A錯(cuò)誤；金剛石與晶體硅都是共價(jià)晶體，共價(jià)晶體的熔沸點(diǎn)與共價(jià)鍵強(qiáng)度有關(guān)，由表可知，C—C鍵的鍵能大于Si—Si鍵，則金剛石的熔點(diǎn)比晶體硅高，B錯(cuò)誤；共價(jià)鍵的鍵能與成鍵原子的核間距及成鍵原子的種類均有關(guān)，C錯(cuò)誤；由表可知，C—C鍵和C—H鍵更穩(wěn)定，因而所成的烷烴更穩(wěn)定，種類和數(shù)量也更多，而Si—Si鍵與Si—H鍵鍵能小，易斷裂，導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成，限制了硅烷的種類和數(shù)量，D正確。11．答案：A解析：金剛石晶體和二氧化硅晶體均屬于共價(jià)晶體，A項(xiàng)符合題意；金剛石晶胞中含有碳原子數(shù)為8×eq\f(1,8)＋6×eq\f(1,2)＋4＝8，B項(xiàng)不符合題意；60gSiO2的物質(zhì)的量為1mol，1molSi原子與4molO原子形成4molSi—O鍵，即共價(jià)鍵數(shù)為4NA，C項(xiàng)不符合題意；二氧化硅晶體屬于共價(jià)晶體，熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵，D項(xiàng)不符合題意。12．答案：B解析：OF2中O原子有兩對(duì)孤電子對(duì)，NF3中N原子有一對(duì)孤電子對(duì)，孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥力大于成鍵電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥力，故OF2分子的鍵角小于NF3分子的鍵角，A正確；XeF2中Xe的價(jià)層電子對(duì)數(shù)目為5，不可能為sp雜化，B錯(cuò)誤；基態(tài)N、F原子核外電子均占據(jù)5個(gè)原子軌道，故均有5種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，C正確；由題中信息，Q點(diǎn)原子坐標(biāo)參數(shù)為[eq\f(1,2)，eq\f(1,2)，（eq\f(1,2)－eq\f(b,c)）]，D正確。13．答案：B解析：由圖可知，ZnmS晶胞中，Zn2＋和S2－均為4個(gè)，m＝1，ZnnS晶胞中，Zn2＋和S2－均為2個(gè)，n＝1，兩者化學(xué)式相同，化合價(jià)沒(méi)有發(fā)生變化，沒(méi)有電子轉(zhuǎn)移，A錯(cuò)誤；根據(jù)ZnmS結(jié)構(gòu)，體對(duì)角線的一維空間上會(huì)出現(xiàn)“”的排布規(guī)律，B正確；當(dāng)ZnmS完全轉(zhuǎn)化為L(zhǎng)ixZnyS時(shí)，Li＋、Zn2＋轉(zhuǎn)化為L(zhǎng)iZn合金，生成1molLiZn轉(zhuǎn)移3mol電子，每轉(zhuǎn)移6mol電子，生成2molLiZn（合金相），C錯(cuò)誤；若Li2S的晶胞參數(shù)為anm，將晶胞切三刀分為8個(gè)小立方體，則E在左后上立方體體心，則EF間的距離為eq\r(\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(3a,4)))\s\up12(2)＋\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(a,4)))\s\up12(2)＋\b\lc\(\rc\)(\a\vs4\al\co1(\f(a,4)))\s\up12(2))nm＝eq\f(\r(11),4)anm，D錯(cuò)誤。綜合測(cè)評(píng)提能力1．答案：D解析：液晶分子間的相互作用容易受溫度、壓力、電場(chǎng)的影響，在電場(chǎng)存在的情況下，液晶分子沿著電場(chǎng)方向有序排列，A正確；內(nèi)部原子或分子的排列呈現(xiàn)雜亂無(wú)章的分布狀態(tài)的固體物質(zhì)稱為非晶體，B正確；物質(zhì)的聚集狀態(tài)有晶態(tài)、非晶態(tài)還有塑晶態(tài)、液晶態(tài)等，C正確；等離子體由電子、陽(yáng)離子和中性粒子組成，正、負(fù)電荷大致相等，整體上呈電中性，D錯(cuò)誤。2．答案：C解析：HCl和KCl溶解克服的作用力分別為共價(jià)鍵、離子鍵，故A錯(cuò)誤；碳化硅和C60熔化時(shí)克服作用力分別為共價(jià)鍵和分子間作用力，B錯(cuò)誤；碘與干冰的升華，克服的作用力均為分子間作用力，故C正確；溴與汞的汽化克服的作用力分別為分子間作用力、金屬鍵，故D錯(cuò)誤。3．答案：C解析：相對(duì)分子質(zhì)量相近的分子，極性越強(qiáng)，范德華力越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高，CO是極性分子，N2是非極性分子，因此沸點(diǎn)：N2＜CO，故A正確；水存在分子間氫鍵，熔沸點(diǎn)高，H2S相對(duì)分子質(zhì)量比CH4相對(duì)分子質(zhì)量大，范德華力越大，熔沸點(diǎn)越高，因此沸點(diǎn)：CH4＜H2S＜H2O，故B正確；原子半徑Al＜Mg＜Na，半徑越大，金屬鍵越弱，金屬熔沸點(diǎn)越低，因此熔點(diǎn)：Na＜Mg＜Al，故C錯(cuò)誤；原子半徑C＜Si，鍵長(zhǎng)：C—C＜Si—C＜Si—Si，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，熔沸點(diǎn)越高，因此熔點(diǎn)：晶體硅＜碳化硅＜金剛石，故D正確。4．答案：A解析：在金剛石的晶體結(jié)構(gòu)中每個(gè)碳原子與周圍的4個(gè)碳原子形成四個(gè)碳碳單鍵，最小的環(huán)為6元環(huán)，每個(gè)單鍵為3個(gè)環(huán)共有，則每個(gè)C原子連接4×3＝12個(gè)六元環(huán)，A正確；氯化鈉晶胞如圖：，所以在氯化鈉晶體中，距Na＋最近且等距的Cl－是6個(gè)，即鈉離子的配位數(shù)是6，距Na＋最近且相等的Na＋位于面心處，共有3×8/2＝12個(gè)，B錯(cuò)誤；1molH2O可以和4molH2O形成氫鍵，兩分子共用一個(gè)氫鍵，所以含1molH2O的冰中形成氫鍵的數(shù)目為2NA個(gè)，C錯(cuò)誤；在石墨晶體中，一個(gè)碳原子與其他三個(gè)碳原子形成3根C—C鍵，每個(gè)碳原子占有1.5個(gè)C—C鍵，所以碳原子數(shù)與C—C鍵數(shù)之比為2∶3，D錯(cuò)誤。5．答案：B解析：基態(tài)鈣原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p64s2，均為成對(duì)電子，故A錯(cuò)誤；由該晶胞可知，每個(gè)Ti4＋最鄰近的O2－有12個(gè)，故B正確；分子晶體中不一定都存在共價(jià)鍵，如稀有氣體為單原子分子，其分子晶體中只有分子間作用力，故C錯(cuò)誤。6．答案：C解析：納米立方氮化硼的硬度超過(guò)鉆石，是目前世界上最硬的物質(zhì)，原子之間以共價(jià)鍵結(jié)合形成立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，該物質(zhì)屬于共價(jià)晶體，A錯(cuò)誤；B、N是兩種不同的非金屬元素，所以B和N原子之間形成的共價(jià)鍵是極性共價(jià)鍵，B錯(cuò)誤；納米立方氮化硼硬度大，是目前世界上最硬的物質(zhì)，因此可用于鉆探、切削工具等，C正確；在納米立方氮化硼中含B原子數(shù)目為8×eq\f(1,8)＋6×eq\f(1,2)＝4個(gè)，4個(gè)N原子全部在晶胞內(nèi)，故該晶胞中含有N原子數(shù)目為4，則1個(gè)晶胞中含有4個(gè)B原子，4個(gè)N原子，其所含原子總數(shù)是8個(gè)，質(zhì)量為eq\f(4×（11＋14）g·mol－1,NAmol－1)＝eq\f(4×25,NA)g，故25.0g納米立方氮化硼中含原子的物質(zhì)的量為n＝eq\f(25.0g,\f(4×25,NA)g)×8＝2NA，可近似表示為2×6.02×1023個(gè)原子，D錯(cuò)誤。7．答案：B解析：Ca2＋配位數(shù)為與其距離最近且等距離的F－的個(gè)數(shù)，如題圖所示，Ca2＋位于體心，F(xiàn)－位于面心，所以Ca2＋配位數(shù)為6，A正確；F－與K＋的最近距離為棱長(zhǎng)的eq\f(\r(2),2)，F(xiàn)－與Ca2＋的最近距離為棱長(zhǎng)的eq\f(1,2)，所以與F－距離最近的是Ca2＋，B錯(cuò)誤；K＋位于頂點(diǎn)，所以K＋個(gè)數(shù)＝eq\f(1,8)×8＝1，F(xiàn)－位于面心，F(xiàn)－個(gè)數(shù)＝eq\f(1,2)×6＝3，Ca2＋位于體心，所以Ca2＋個(gè)數(shù)＝1，綜上，該物質(zhì)的化學(xué)式為KCaF3，C正確；F－與Cl－半徑不同，替換后晶胞棱長(zhǎng)將改變，D正確。8．答案：D解析：元素的非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，則F、Si和Ca電負(fù)性依次減小，同周期主族元素從左到右原子半徑依次減小，同主族元素從上到下原子半徑依次增大，則F、Si和Ca原子半徑依次增大，A正確；OF2與SiO2都是含有極性共價(jià)鍵的共價(jià)化合物，化合物中氧原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)都為4，雜化方式都為sp3雜化，B正確；由晶胞結(jié)構(gòu)可知，A處到B處的距離為體對(duì)角線長(zhǎng)的eq\f(3,4)，若A處原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0，0），則B處原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（eq\f(3,4)，eq\f(3,4)，eq\f(3,4)），C正確；三種金屬氟化物都為離子晶體，陰、陽(yáng)離子間形成的離子鍵越弱，晶體提供自由氟離子的能力越強(qiáng)，鋇離子、鈣離子和鎂離子的電荷數(shù)相同，離子半徑依次減小，則氟化鋇、氟化鈣、氟化鎂三種晶體中的離子鍵依次增強(qiáng)，晶體提供自由氟離子的能力依次減弱，D錯(cuò)誤。9．答案：D解析：黑球位于晶胞的頂