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Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part11:Responsetime中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布ISJ/T2658.11—2015——第2部分:正向電壓;——第3部分:反向電壓和反向電流;——第6部分:輻射功率——第7部分:輻射通量——第8部分;輻射強(qiáng)度——第9部分:輻時(shí)強(qiáng)度空間分布和半強(qiáng)度角;——第10部分,調(diào)制帶寬——第12部分:峰值發(fā)射波長(zhǎng)和光譜輻射帶寬;——第13部分:輻射功率溫度系數(shù)本部分為SJT2658的第11部分。本部分按照GBT1—2009《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫》給出的規(guī)則起草?!憫?yīng)時(shí)間的定義中補(bǔ)充了半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管的響應(yīng)過程圖(見圖1);——修改了響應(yīng)時(shí)間的測(cè)量原理圖(見圖2);——修改了響應(yīng)時(shí)間的測(cè)量步驟(見5.2)——補(bǔ)充了響應(yīng)時(shí)間測(cè)量方法的規(guī)定條件(見531SJ/T2658.11—2015第11部分:響應(yīng)時(shí)間本部分規(guī)定了半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管(以下簡(jiǎn)稱器件)響應(yīng)時(shí)間的測(cè)量原理圖、測(cè)量步驟以及規(guī)定本部分適用于半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管。2規(guī)范性引用文件凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。SJ/T2658.半導(dǎo)體紅外發(fā)射二極管測(cè)量方法第1部分:總則3術(shù)語(yǔ)和定義響應(yīng)時(shí)間responsetime在規(guī)定的正向矩形脈沖電流作用下,被測(cè)器件輻射的光脈沖對(duì)作用的矩形電流脈沖的響應(yīng)時(shí)間。其中,從電脈沖幅度的10%到光脈沖幅度的10%所需的時(shí)間間隔為開通延遲時(shí)間d(on);從光脈沖幅度的間t?之和;從電脈沖幅度的90%到光脈沖幅度的90%所需的時(shí)間間隔為關(guān)斷延遲時(shí)間ta(orm,從光脈沖之和(見圖1)。2相對(duì)輸入脈沖電流(%)相對(duì)輸出輻射功率(%)ton開通時(shí)間(開通延遲時(shí)間taon)與上升時(shí)間t之和);ofr關(guān)斷時(shí)間(關(guān)斷延遲時(shí)間tum與下降時(shí)間tr之和)注:圖中0%對(duì)應(yīng)的輻射功率是在直流偏置電流下的輸出功率,100%對(duì)應(yīng)的輻射功率是輻射脈沖頂端獲得的平均3SJ/T2658.11—2015+++RaMRLA說明:G?——高阻電流脈沖發(fā)生器b;PD——光電二極管。被測(cè)器件的上升時(shí)間和下降時(shí)間都應(yīng)至少為輸入電流脈沖的5倍;被測(cè)器件的上升時(shí)間應(yīng)至少為測(cè)量?jī)x器(如示波器)的5倍。b輸入電流脈沖應(yīng)選擇適宜的脈寬,脈沖過沖應(yīng)小于10%,占空比應(yīng)小于1/100。e光電二極管的頻率響應(yīng)應(yīng)比被測(cè)器件至少高5倍。圖2響應(yīng)時(shí)間測(cè)量原理圖5.2測(cè)量步驟a)給被測(cè)器件施加規(guī)定的直流p和脈沖電流,給光電二極管施加規(guī)定的反向偏壓VR,并把被測(cè)器件輸出的脈沖光對(duì)準(zhǔn)在探測(cè)用光電二極管的光敏區(qū)內(nèi);b)用測(cè)量?jī)x器M觀察輸入的電脈沖信號(hào)和經(jīng)光電轉(zhuǎn)換的輸出光脈沖信號(hào)(見圖1),按圖1所有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)采用本方法時(shí),應(yīng)規(guī)定以下條件:a)環(huán)境或管殼溫
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