
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材料物理性能智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年天津大學對反鐵磁性材料描述正確的是(
)。
答案:內(nèi)部具有磁疇;反鐵磁性為弱磁性以下說法中,描述正確的是(
)。
答案:選擇吸收:在光學材料中,石英對于波長范圍為3.5—5.0μm的紅外光卻是不透明的,且吸收系數(shù)隨波長劇烈變化,這種現(xiàn)象為選擇吸收;光生伏特效應:是指半導體在受到光照射時產(chǎn)生電動勢的現(xiàn)象;折射率的色散:材料的折射率隨入射光的頻率的減小而減小,這種現(xiàn)象稱為折射率的色散;一般吸收:在光學材料中,石英對所有可見光幾乎都透明的,在紫外波段也有很好的透光性能,且吸收系數(shù)不變,這種現(xiàn)象為一般吸收水霧不透光的原因是發(fā)生了散射。(
)
答案:對以下關(guān)于介質(zhì)對光的散射描述不正確的是(
)。
答案:對于相分布不均勻的材料,瑞利散射是非彈性散射;當光的波長大于散射質(zhì)點的直徑d時,出現(xiàn)散射的峰值;散射系數(shù)取決于散射質(zhì)點的折射率與基體的折射率,二者相差越小,將產(chǎn)生越嚴重的散射不同的材料熱震破壞的形式不同。(
)
答案:對極化強度值等于基板上的束縛電荷密度。(
)
答案:錯無論哪類超導體其零電阻特性及完全抗磁性都同時表現(xiàn)出來。(
)
答案:錯電介質(zhì)材料在被極化過程中,內(nèi)部電荷(
)。
答案:正負電荷中心彈性分離下面哪種器件利用了壓電材料的熱釋電功能(
)。
答案:紅外探測器不會造成電介質(zhì)的損耗的是(
)。
答案:介質(zhì)存在離子位移極化以下關(guān)于材料熱性能描述正確的是(
)。
答案:金屬熱容需要同時考慮晶格振動和自由電子二部分對熱容貢獻;陶瓷材料主要由離子鍵和共價鍵組成,熱容與溫度關(guān)系更符合德拜模型以下哪種應用不是利用了材料的阻尼特性(
)。
答案:沙發(fā)下的彈簧應變復合體中熱膨脹滯后現(xiàn)象產(chǎn)生的原因是(
)。
答案:產(chǎn)生很大的內(nèi)應力,使坯體產(chǎn)生微裂紋;不同相間或晶粒的不同方向上膨脹系數(shù)差別很大對鐵氧體材料描述正確的是(
)。
答案:鐵氧體一般為絕緣材料;鐵氧體可在微波頻段應用;鐵氧體具有強磁性電介質(zhì)材料在被極化過程中,對內(nèi)部電荷描述正確的是(
)。
答案:正負電荷中心交替沿外電場排列;正負電荷中心彈性分離下列說法中,對超導體描述正確的有(
)。
答案:第二類超導體存在兩個臨界磁場強度;從正常態(tài)進入超導態(tài)的轉(zhuǎn)變?yōu)槎壪嘧?第二類超導體更具有實用價值亞鐵磁性材料具有(
)等特征。
答案:一定是2種元素以上形成的化合物;自發(fā)磁化形成磁疇以下說法中,對復介電常數(shù)ε*描述不正確的有(
)。
答案:ε*的實部對應著電流的有功分量;ε*的虛部對應著電流的無功分量晶格熱振動的劇烈程度引起溫度的高低。(
)
答案:對以下對復介電常數(shù)ε*說法不正確的有(
)。
答案:ε*造成了漏導損耗;ε*的實部對應著電流的有功分量;ε*是由于快極化的存在造成的離子導電的電導率不如金屬導體的強。(
)
答案:對以下(
)材料能表現(xiàn)出離子電導。
答案:陶瓷;玻璃;高分子金屬鐵磁材料產(chǎn)生阻尼的原因有(
)。
答案:塑性變形;滯彈性;磁彈效應光在不同物質(zhì)中傳播時速度改變。(
)
答案:對熱應力的產(chǎn)生是由于熱能釋放造成的。(
)
答案:錯氣泡是造成陶瓷介質(zhì)被擊穿的主要因素。(
)
答案:對金屬之所以導電是因為存在著不滿帶。(
)
答案:對導熱系數(shù)的大小順序:金屬>玻璃>晶體。(
)
答案:錯本征半導體的能帶與導體的一致。(
)
答案:錯鐵氧體材料一般都是黑色的。(
)
答案:對以下對原子磁矩沒有貢獻的行為是(
)。
答案:最外層s軌道電子的運動溫度提高不會改變材料內(nèi)載流子的(
)。
答案:載流子電荷量熱量通過物質(zhì)時沒有損耗只有傳導。(
)
答案:錯從低溫區(qū)開始,隨著溫度的上升,N型半導體的電阻率隨溫度的變化規(guī)律是(
)。
答案:一直減小對超導體描述不正確的有(
)。
答案:金屬單質(zhì)的臨界溫度高于合金的發(fā)光材料的發(fā)射光譜是(
)。
答案:發(fā)光光強的分布以下(
)材料不能表現(xiàn)出離子電導。
答案:金屬溫度提高對材料電導率的提高是不是通過影響(
)來實現(xiàn)的。
答案:載流子質(zhì)量半導體的禁帶寬度(
)絕緣體的禁帶寬度。
答案:小于關(guān)于熱應力的主要來源,下列說法中不正確的是(
)。
答案:在溫度升高的過程中,物質(zhì)因受到外力作用而產(chǎn)生熱應力下面列舉的磁性中屬于強磁性的是(
)。
答案:亞鐵磁性如何提高陶瓷材料的抗熱沖擊斷裂性能?以下措施中錯誤的是(
)。
答案:提高材料的熱膨脹系數(shù)從微觀上看,光和固體相互作用對應固體中電子產(chǎn)生兩個重要的結(jié)果是(
)。
答案:激發(fā)態(tài)返回基態(tài)發(fā)射光子;吸收光子產(chǎn)生能量躍遷材料受力之所以產(chǎn)生彈性變形是由于(
)。
答案:外力增加了材料的內(nèi)能;外力增加了材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)的有序性對磁性材料描述不正確的有(
)。
答案:具有自發(fā)磁化的磁性有2種;順磁性材料不一定具有原子磁矩提高陶瓷材料抗熱沖擊斷裂性能的措施有(
)。
答案:提高材料的熱導率;減小表面熱傳遞系數(shù)h;提高材料的強度f,減小彈性模量E;減小材料的熱膨脹系數(shù)以下關(guān)于發(fā)射光譜描述正確的是(
)。
答案:其形狀與材料的能量結(jié)構(gòu)有關(guān);指在一定的激發(fā)條件下發(fā)射光強按波長的分布;反映材料中從高能級始發(fā)的向下躍遷過程表示介質(zhì)材料儲存電荷能力的物理量有(
)。
答案:極化強度;介電常數(shù)以下描述正確的是(
)。
答案:考慮散熱的影響,材料允許承受的最大溫度差可用第二熱應力因子表示;格波間相互作用力愈強,也就是聲子間碰撞幾率愈大,相應的平均自由程愈小,熱導率也就愈低;固體材料的熱膨脹本質(zhì)是點陣結(jié)構(gòu)中質(zhì)點間平均距離隨溫度升高而增大微波介質(zhì)材料應具有(
)特征。
答案:是多晶體材料;材料不同應用頻率也不同;極低的電導率;介電常數(shù)由我位移極化貢獻溫度提高對材料電導率的提高,是通過影響(
)來實現(xiàn)的。
答案:載流子類型;載流子數(shù)量;載流子遷移率半導體的應用領(lǐng)域不如導體的應用領(lǐng)域廣。(
)
答案:錯超導體高溫下具有很低的電阻率,低溫下電阻率為0。(
)
答案:錯阻尼材料可用于環(huán)境降噪。(
)
答案:對自發(fā)磁化需要在外磁場作用下完成。(
)
答案:錯以下描述不正確的是(
)。
答案:一般而言,無機非金屬材料、金屬材料和高分子材料的熱容的數(shù)值大小順序為依次減小;描述熱容的數(shù)學模型中,愛因斯坦模型比德拜模型更接近實際情況;無機非金屬材料的熱容更符合德拜模型,當T>>θD時,Cv=AT3,當T<θD時,Cv≈3R任何物質(zhì)的熱容低溫下都與T3成正比。(
)
答案:錯物質(zhì)熱膨脹的原因是晶格支點的位能曲線在平衡位置左右不對稱。(
)
答案:對自發(fā)極化屬于慢極化。(
)
答案:對光的產(chǎn)生是電子釋放能量的結(jié)果。(
)
答案:對磁感應強度是物質(zhì)磁性的體現(xiàn),與外磁場強度大小無關(guān)。(
)
答案:錯定態(tài)薛定諤方程是描述靜止不動的量子的存在狀態(tài)的。(
)
答案:錯極化的過程中沒有電荷的移動。(
)
答案:錯鐵磁性、亞鐵磁性及反鐵磁性是強磁性。(
)
答案:錯材料的彈性變形來源于自由能的增加。(
)
答案:對德拜方程是用于計算包括漏導損耗在內(nèi)的介質(zhì)損耗的計算方程。(
)
答案:錯全反射現(xiàn)象發(fā)生在光疏介質(zhì)內(nèi)。(
)
答案:錯對材料的磁性分類說法正確的是(
)。
答案:順磁性材料都具有原子磁矩晶體結(jié)構(gòu)致密會降低離子電導的遷移率。(
)
答案:對不考慮過渡族金屬的反常情況,在徳拜溫度以上,金屬的電阻率隨溫度的上升而(
)。
答案:增大對鐵氧體材料描述不正確的是(
)。
答案:鐵氧體內(nèi)部原子間交換作用積分J>0關(guān)于材料熱容的影響因素,下列說法中不正確的是(
)。
答案:德拜熱容模型能夠精確描述材料熱容隨溫度的變化介質(zhì)的極化損耗由離子的位移極化和松弛極化貢獻。(
)
答案:錯聲子是熱能的最小單位。(
)
答案:對下關(guān)于鐵磁性和鐵電性,下面說法中不正確的是(
)。
答案:都以存在疇結(jié)構(gòu)為充分條件原子磁矩是原子運動過程中產(chǎn)生的。(
)
答案:錯材料具有鐵磁性的充分條件是交換積分J≠0。(
)
答案:錯關(guān)于溫度對磁化率
χ
的影響,下列說法中不正確的是(
)。
答案:居里溫度Tc以上,鐵磁體磁化率
χ變?yōu)?,鐵磁性消失關(guān)于影響材料導電性的因素,下列說法中正確的是(
)。
答案:一般情況下,固溶體的電阻率高于組元的電阻率非穩(wěn)態(tài)法測量材料的熱導率是根據(jù)
(
)來測量材料熱傳導性能的方法。
答案:試樣溫度場隨時間變化的情況關(guān)于材料的導熱能力,以下說法正確的是(
)。
答案:陶瓷的導熱>玻璃的導熱表示介質(zhì)材料承受外電場能力的物理量有(
)。
答案:電場強度下面對復介電常數(shù)ε*說法正確的有(
)。
答案:ε*的實部對應著電流的無功分量在金屬和本征半導體中摻入雜質(zhì)時,電阻率的變化情況,以下表述正確的是(
)。
答案:金屬摻入雜質(zhì)后,電阻率增大;本征半導體摻入雜質(zhì)后,電阻率減小以下對鐵電體描述正確的是(
)。
答案:居里溫度是相轉(zhuǎn)變溫度關(guān)于熱膨脹,下列說法中不正確的是(
)。
答案:熱膨脹的微觀機理是由于溫度升高,點缺陷密度增高引起晶格膨脹下面說法中描述正確的是(
)。
答案:杜隆珀替定律認為固體熱容是一定值金屬材料材料的塑性來源與外力有關(guān),在低應力條件下,局部的塑性應變是產(chǎn)生阻尼的主要原因,而高應力條件下,滯彈性是主要原因。
答案:錯產(chǎn)生彈性的鐵磁性反?,F(xiàn)象的物理本質(zhì)是由于鐵磁體中磁致伸縮的存在引起附加應變所造成的。
答案:對原子半徑越小,原子價越高的物質(zhì),其彈性模量越小。
答案:錯當應力作用于實際固體時,固體形變的產(chǎn)生與消除需要一定的時間,這種與時間有關(guān)的彈性稱為滯彈性。
答案:對高分子材料的阻尼特性主要源于其高彈性本質(zhì)。
答案:錯關(guān)于固體熱容的簡化模型理論,愛因斯坦模型假設晶體中原子的相互作用,存在最大振動頻率;德拜模型假設晶體中原子孤立振動,振動頻率相同。
答案:錯第一抗熱震斷裂因子可以反映材料能承受熱沖擊的最大允許溫差。
答案:對熱容體現(xiàn)了材料從周圍環(huán)境中吸收熱量的能力。晶態(tài)固體熱容的有關(guān)定律中,愛因斯坦模型和德拜模型都可以描述低溫下熱容隨溫度的降低而減小,且在接近絕對零度時,熱容按T的三次方趨近與零的試驗結(jié)果。
答案:錯晶格熱振動形成的光頻支格波是電磁波。
答案:錯多晶絕緣體材料導熱系數(shù)隨溫度變化先增減后減小。
答案:對雙折射存在兩條折射光線,一條稱為非常光,其折射率ne為一常數(shù),是材料的特性。另一條稱為尋常光,其折射率隨入射線方向的改變而變化,不遵守折射定律。
答案:錯光纖中包層為光的傳輸提供反射面和光隔離,并起一定的機械保護作用。設包層和纖芯的折射率分別為n1和n2,光能量在光纖中傳輸(全反射)的必要條件是n1>n2。
答案:錯在紫外光區(qū),金屬和半導體的吸收系數(shù)都是很大的;但是電介質(zhì)材料在這個波譜區(qū)內(nèi)都有良好的透過性,吸收系數(shù)很小。
答案:錯電子從激發(fā)單線態(tài)(S1)經(jīng)輻射衰減,回到基態(tài)(S0),發(fā)射磷光;電子從激發(fā)三線態(tài)(T1)經(jīng)輻射衰減,回到基態(tài)(S0),發(fā)射熒光。熒光壽命長、磷光壽命短。
答案:錯由于嚴格的對應關(guān)系,材料的發(fā)射光譜等于其吸收光譜。
答案:錯所有的物質(zhì)都具有抗磁性特征。
答案:對金屬鐵具有強磁性的原因是其原子磁矩之間具有正的交換作用。
答案:對沒有原子磁矩的材料是順磁性材料。
答案:錯亞鐵磁性材料具有磁滯回線的特征。
答案:對鐵氧體的絕緣性是其在微波領(lǐng)域難以應用。
答案:錯微波介質(zhì)的損耗是由于離子位移極化造成的。
答案:錯在電場作用下,介質(zhì)的內(nèi)電離就是介質(zhì)的擊穿。
答案:錯德拜方程說明了介質(zhì)在恒定電場作用下的介電損耗的成因。
答案:錯極化的微觀本質(zhì)是位移極化和松弛極化。
答案:錯介質(zhì)材料具有高介電常數(shù)的根源在于其內(nèi)部離子具有大的離子極化率。
答案:錯隨著溫度上升,本征半導體與金
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