T-NXCL 28-2024 半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長用合成石英坩堝

NXCLSyntheticquartzcrucibleforsemiconductorgraI本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的夏大學(xué)、寧夏高創(chuàng)特能源科技有限公司、寧夏旭櫻新能源科技有限1半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長用合成石英坩堝GB/T2828.1—2012計(jì)數(shù)抽樣檢測(cè)程序第一部分：按接受質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃JC/T2205界定的以及下列術(shù)語及定義適用于本3.1坩堝內(nèi)壁本體的白色斑點(diǎn)，是粘附于坩堝內(nèi)表面部分熔融的砂粉塊或坩堝夾層未融化的石英3.2透明層厚度bubbledepletionlayerthick4規(guī)格尺寸21——石英坩堝透明層；2——石英坩堝不透明層；d——石英坩堝外徑；h——石英坩堝高度；r——石英坩堝彎弧半徑；R——石英坩堝半徑；t1——石英坩堝直壁厚度；t2——石英坩堝彎弧厚度；t3——石英坩堝底部厚度。按石英坩堝外徑不同分為三類：d≤610mm、610mm＜d≤710mm、d＞710mm。制作合成石英坩堝的外層原料主要為純度大于99.99%的天然石英砂，內(nèi)層原料為純度大于rR223石英坩堝的透明層厚度應(yīng)大于等于對(duì)應(yīng)部位壁厚的五分之一，小于等于對(duì)應(yīng)部位壁厚的百分之七5.4外觀質(zhì)量?>13.0mm6.0mm<?≤13.0mm?>3.0mm2.5mm<?≤3.0mm2.0mm<?≤2.5mm1.5mm<?≤2.0mm1.0mm<?≤1.5mm0.5mm<?≤1.0mm寬度≤1.4mm；3mm＜長度≤8mm的細(xì)長雜質(zhì)點(diǎn)≤1個(gè)；長度＞8mm的雜質(zhì)點(diǎn)不允許?>5.0mm3.5mm<?≤5.0mm2.5mm<?≤3.5mm≤3個(gè)≤3個(gè)1.5mm<?≤2.5mm1.0mm<?≤1.5mm0.5mm<?≤1.0mm兩個(gè)或兩個(gè)以上直徑小于0.5mm的NaKNi內(nèi)層合成(≤)外層天然(≤)5.6抗析晶性45.7耐熱性采用分度值不大于0.02mm的游標(biāo)卡尺等同精度的測(cè)量器具測(cè)量石英坩堝端口的外少于3個(gè)且均勻分布。外徑最大值減去標(biāo)稱外徑所得代數(shù)差為外徑上偏差，最小值減去標(biāo)稱外徑所得采用精度不低于0.01mm的超聲波測(cè)厚儀等同精度的測(cè)量器具，測(cè)量石英坩堝距端口約10mm最小值減去標(biāo)稱直壁壁厚所得代數(shù)差為直壁壁厚下偏差。直壁壁厚最大值減去最小值所得差值為偏壁采用精度值不低于0.01mm的超聲波測(cè)厚儀等同精度的測(cè)量器具，測(cè)量石英坩堝彎弧處的壁厚，測(cè)量點(diǎn)不少于4個(gè)且分布均勻。最大值減去標(biāo)定彎弧壁厚所得代數(shù)差為彎弧壁厚上偏差，最小值減去采用精度不低于0.01mm的超聲波測(cè)厚儀等同精度的測(cè)量器具，測(cè)量石英坩堝底部點(diǎn)不少于4個(gè)。最大值減去標(biāo)定底部壁厚所得的代數(shù)差為底部壁厚上偏差，最小值減去標(biāo)定底部壁厚的平臺(tái)上，測(cè)量石英坩堝底部最高點(diǎn)到平臺(tái)的距離，測(cè)量點(diǎn)不少于3個(gè)且分布均勻。高度最大值減去標(biāo)稱高度所得代數(shù)差為高度上偏差，最小值減去標(biāo)稱高度所得代數(shù)差為高度下偏6.2透明層厚度弧中心點(diǎn)透明層厚度，各部位測(cè)量點(diǎn)不少于4個(gè)，所得4個(gè)測(cè)量值誤差不大于0.5m6.3外觀質(zhì)量石英坩堝的外觀以目視檢測(cè)，照明光源與石英坩堝距離不超過600mm，石英處照度不低于100056.5抗析晶性6.7等效試驗(yàn)7.3型式檢驗(yàn)a)新產(chǎn)品或老產(chǎn)品轉(zhuǎn)廠生產(chǎn)試制的定型鑒c)原材料、工藝有重大改變并可能影響到產(chǎn)品性能6c)完成糾正措施后，重新進(jìn)行型式檢