光伏電池 第2部分：晶體硅光伏電池電致發(fā)光圖像 征求意見稿

1GB/TXXXXX—202X光伏電池第2部分：晶體硅光伏電池電致發(fā)光圖像本文件規(guī)定了利用正向偏壓下晶體硅(c-Si)太陽電池的電致發(fā)光(EL)圖像，以檢測電池片缺陷的方法。本方法為采集未封裝的c-Si太陽電池電致發(fā)光圖像提供了指南，并明確了EL圖像可以檢測出的各種缺陷，以及檢測并區(qū)分這些缺陷的不同方法。當單一的EL圖像不能對某一類型的缺陷提供結(jié)論性信息時，建議綜合使用其他方法。某些電池具有特有的EL特征，當采用這些電池制成組件時，可能會帶來一些潛在的風險，本文件為此提供了相關(guān)的信息。本文件適用于晶體硅太陽電池領(lǐng)域，也適用于其它晶片太陽電池。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1224-2016幾何光學術(shù)語、符號GB/T12604.9-2021無損檢測術(shù)語紅外熱成像GB/T13962-2009光學儀器術(shù)語IEC60050（所有部分）國際電工術(shù)語（InternationalElectrotechnicalVocabulary）IECTS60904-13：2018光伏器件第13部分：光伏組件的電致發(fā)光（Photovoltaicdevices-Part13:Electroluminescenceofphotovoltaicmodules）IECTS61836：2016太陽光伏能源系統(tǒng)術(shù)語、定義和符號（Solarphotovoltaicenergysystems-Terms,definitionsandsymbols）IECTS62446-3光伏系統(tǒng)-測試、文檔和維護要求第3部分:光伏組件和設(shè)備-戶外紅外熱像記錄法（Photovoltaic(PV)systems-Requirementsfortesting,documentationandmaintenance-Part3:Photovoltaicmodulesandplants-Outdoorinfraredthermography）3術(shù)語和定義GB/T1224-2016、GB/T12604.9-2021、GB/T13962-2009、IEC60050和IECTS61836界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1電致發(fā)光EL在半導體器件上施加正向偏壓，而引起的受激載流子的輻射復合導致的發(fā)光。3.2開路opencircuit在二端口電路中，端口之間未連接的電通路。注1：當電池有缺陷或損壞且連接到外部電路時，在電池和外部電路連接點上無電流通過，此時電池是“開路”狀2GB/TXXXXX—202X注2：當一個或者所有電池未連接到電氣終端，或者電流未按照IECTS61836：2016中第3.4.56條中規(guī)定的方式流3.3正向偏壓forwardbias提供電流的電源的“+”、“-”極通過導線各自連接到太陽電池具有相同極性的一端。3.4動態(tài)范圍dynamicrangeDR動態(tài)范圍是最大輸出信號水平與本底噪聲之比。注：本底噪聲是黑色圖像中的均方根噪聲水平。3.5銳度sharpnessSEL圖像上從最暗的黑色到比最亮的白色高出50%對比度的最小實際尺寸，單位為毫米。3.6灰度值gray-scalevalue用來定義最亮的白與最暗的黑之間的不同級別的數(shù)值。注：EL圖像會得出整個圖像灰度的加權(quán)平均值。3.7調(diào)制傳遞函數(shù)modulationtransferfunctionMTF輸入圖像與輸出圖像對比度之比。4成像4.1裝置4.1.1概述圖1為EL成像系統(tǒng)的典型配置。此系統(tǒng)包括具有合適透鏡或濾光片的相機，連接被測樣品的電源，暗房和計算機。相機用于接收被測樣品發(fā)出的EL信息，電源用于被測樣品的電流注入，暗室用于減少環(huán)境光的影響，計算機用于控制整個EL成像系統(tǒng)。常規(guī)測試時，被測樣品在暗室中以正向偏置注入電流，電流大小與AM1.5G下短路電流相似。由此產(chǎn)生的輻射復合激發(fā)出被測樣品的光信號，此光信號可被相機捕獲。3GB/TXXXXX—202X圖1EL成像系統(tǒng)的典型配置4.1.2EL成像相機4.1.2.1相機相機通常是由電荷耦合器件(CCD)或互補金屬氧化物半導體器件(CMOS)組成的光傳感像素，它們排列在一個焦平面陣列中?！獮榱双@得更好的信噪比(SNR)，可以通過減少由熱產(chǎn)生的電荷導致的器件暗電流，實現(xiàn)對器件進行冷卻，通常使用熱電冷卻方法；——相機中的半導體吸光材料應對被測樣品的EL信息敏感；——對于晶體硅，相機應在900nm和1100nm的波長范圍內(nèi)敏感，并能夠達到45或更好的SNR50，具體參照IECTS60904-13中4.3中的詳細方法；——SNR50低于45的圖像不應進行定性解釋；——所獲得圖像的確定信噪比SNR應按第6章的規(guī)定進行報告。圖2多晶硅太陽電池SNR50為45的圖像4.1.2.2透鏡透鏡應符合但不限于以下要求：——透鏡不能設(shè)有被測半導體材料帶隙附近對應紅外光波段的吸收濾光片或吸收涂層；對于晶體硅而言，900nm到1100nm波長的光不應被濾光片或涂層吸收而衰減；——光學玻璃一般適用于硅基太陽電池的測試；——鏡頭的焦距從長焦到廣角不等，應根據(jù)捕獲圖像時的特定應用和幾何因素進行選擇。短焦距的廣角鏡頭與更高分辨率的相機結(jié)合使用，可以獲得更大的視場；——當空間有限時，相機宜放置在更靠近被測電池的位置；——當廣角鏡頭導致圖像桶形畸變時應通過后期處理進行圖像校正；——長焦距的透鏡通常有較少的筒形畸變，可以更準確地對電池進行拍照，在這種情況下圖像可能不需要通過后期處理校正；——鏡頭可以具有校正可見光和紅外波長差異的部件，該部件有利于聚焦。注：鏡頭通常有可調(diào)節(jié)的光圈，通常用f值表示。忽略光傳輸效率的差關(guān)；一種是由于鏡頭導致的像差效應；另一種是由于光的波動特性導致的衍射效應。使用較小的f值時，廣角4GB/TXXXXX—202X4.1.2.3過濾器相機鏡頭上的濾光片可用來過濾多余波長的光。對于接近硅帶隙的材料的EL成像，可以使用850nm以上的長通濾光片。4.1.3暗室成像環(huán)境暗室成像環(huán)境應符合以下要求：——暗室環(huán)境有利于高質(zhì)量的成像，測試宜在暗室環(huán)境中進行；——暗室內(nèi)應采用硬墻、窗簾、擋板等避免雜散光進入，也可以用黑色吸光性材料密封縫隙；——若在相機上使用了濾光片，則允許使用LED照明，發(fā)出能被濾光片過濾的光；——若存在雜散光，應進行圖像相減程序處理，詳見4.1.5.2。4.1.4電源在被測電池的標準測試條件(STC)下，應有一個能施加等于短路電流(Isc)的直流電源。精度應優(yōu)于±2%。電池端引線的電壓降應小于2%。4.1.5圖像處理和顯示軟件4.1.5.1圖像色彩分配圖像中最低的EL信號用黑色表示，最高的EL信號用白色表示。但是，除不可避免的情況(見4.2.3.4)外，有效電池區(qū)域的圖像數(shù)據(jù)不應存在上限，以避免探測器過飽和。若使用偽色標度，應選擇合適的偽色標度范圍，以使每個級別顏色都被指定一個特有的偽色，避免產(chǎn)生圖像特征的誤解。4.1.5.2軟件功能4.1.5.2.1軟件應該生成計數(shù)與EL信號水平的直方圖，以定量地解釋觀察到的特征圖像。4.1.5.2.2圖像后處理的基本軟件功能宜包括以下內(nèi)容:——信號值范圍調(diào)整:應避免非線性對比度優(yōu)化(例如伽馬校正)；——將圖像裁剪到感興趣的區(qū)域(見4.2.2.2)；——在圖像上任何給定點的EL信號值的確定；——幀減:從暗電流或雜散光中均勻地消除噪聲信號，例如在電池無電時消除信號。IECTS60904-13的4.1.5.2章節(jié)中的軟件功能給出了一個如何消除背景噪聲的示例；——無用像素去除；——單時間效應；——桶形畸變；——漸暈；——平行度校正(通常對以非正交入射角拍攝的圖像進行整形)。4.2測試過程4.2.1測試條件4.2.1.1為確保前后測試的一致性，應在晶體硅光伏電池溫度為23℃~27℃的條件下進行測試。4.2.1.2溫度測量應使用精度為±1℃和重復性為±0.5℃的紅外測溫儀。5GB/TXXXXX—202X4.2.1.3在同一溫度范圍內(nèi)拍攝的圖像才可以進行定量對比分析，以確定電池的衰減或電池間的差異(見4.2.2.5)。的溫升情況可以從施加的電源總功率和電池體積4.2.2相機設(shè)置與定位4.2.2.1入射角相機相對于待成像電池表面的入射角宜為法線(0°)，并應小于50°,若角度大于50°,應調(diào)整發(fā)射率。入射角一般應在電池向光面進行成像。對于雙面電池，也可以在非向光面成像。4.2.2.2清晰度測定清晰度依賴于像素尺寸，為了識別缺陷，應使獲取圖形的清晰度小于0.5mm，但較小的電池缺陷，比如電池副柵線或局部缺陷，可能需要更高的清晰度才能獲得清晰成像。IECTS60904-13：2018中4.2.3條款規(guī)定了一種確定圖像清晰度的方法。4.2.3相機設(shè)置4.2.3.1通用要求常規(guī)測量時，正向偏置電壓下的相機圖像強度，可以通過如下方式進行優(yōu)化：——調(diào)整總曝光時間；——調(diào)整光圈(增益，f值)；——在對被測電池類型進行調(diào)查后通過增益調(diào)整保持一致。4.2.3.2相機推薦設(shè)置(焦距,增益,f值)4.2.3.2.1相機應在可見光下進行粗略聚焦，精細聚焦應對成像紅外信號的波長進行優(yōu)化，可通過使用紅外校正鏡片來簡化實現(xiàn)精細聚焦。在此情況下，紅外圖像和可見圖像的焦距設(shè)置是相同的。4.2.3.2.2焦距應根據(jù)所需的清晰度水平調(diào)整，詳見4.2.1.2。IECTS60904-13給出了一種可用于計算透鏡最佳焦距的算法。4.2.3.2.3其它推薦設(shè)置如下：——增益設(shè)置應設(shè)置為獲得待成像電池的最佳像素深度分辨率；——在進行圖像比較時，f值不能改變；——如果有可調(diào)節(jié)的f值，當成像樣品位于相機前面的中心位置，且光軸通過電池的中心時，則選擇默認的最低f值；——當調(diào)整f值可以達到更優(yōu)的結(jié)果，例如減少光暈、增加清晰度、增加電池面斜視成像時的景深，則可以選擇并設(shè)定不同的f值。4.2.3.3視場相機應具有優(yōu)化的視場，至少大于電池及其不產(chǎn)生發(fā)光的周邊區(qū)域。電池區(qū)域外視場的非發(fā)光部分是必要的，以便清楚識別電池邊緣。建議發(fā)光/非發(fā)光視場為80%/20%（正負偏差5%）的比例。6GB/TXXXXX—202X4.2.3.4圖像強度為達到最大的信噪比，曝光應進行優(yōu)化(增加)。曝光應有一定限制，以滿足圖像中的像素不飽和(見4.1.4.1)。在像素飽和度分析中，應不考慮單一時間效應和隨機噪聲。4.2.3.5電池比較不同類型電池和衰減過程在不同的測量條件下可能表現(xiàn)出不同的EL行為。為了便于比較衰減和非衰減的電池，可以在原始條件和可選條件下對衰減電池拍照，并針對衰減條件重新優(yōu)化設(shè)置，以這種方式比較未衰減電池和已衰減電池時，只能利用曝光時間進行調(diào)整，電流不能改變。——根據(jù)4.1.3成像暗室或環(huán)境的要求，在電池的初始和衰減后狀態(tài)下，器件溫度應盡可能接近；——被測量太陽電池在初始和衰減狀態(tài)下的電氣連接應相同；——如需要使用幀差法，可應用IECTS60904-13中的第4.1.5.2中軟件功能程序；——當需要對不同曝光時間成像的電池進行比較時，可在后處理中通過像素強度與曝光時間成反比來縮放像素強度。對比中最亮的圖像強度應按照4.1.5.1和4.2.3.4的規(guī)定進行設(shè)置。4.2.4成像4.2.4.1電路連接將直流電源的引線連接到電池測試平臺(+)和(-)，將電源的(+)引線與測試樣品的(+)相匹配。探針的分布應與電池主柵圖形相匹配，以獲得均勻的電流輸出。建議在電池的每條主柵上連接多個電流探針，以保證電流的均勻分布。對于無主柵或背接觸的電池，應采用適用的傳導系統(tǒng)，確保電流均勻分布。4.2.4.2偏置和成像4.2.4.2.1對于可以獲得的附加信息，主要是分離串聯(lián)電阻缺陷和電荷載流子壽命變化引起的缺陷，建議在兩個偏置電流下依次成像，一個用大電流注入，另一個用小電流注入。4.2.4.2.2由于同種類型的電池的短路電流可能會發(fā)生變化，施加的偏置電流應滿足精度要求(見4.1.4)。曝光時間可根據(jù)4.2.3.4的規(guī)定進行優(yōu)化。出于可比性的考慮，建議在以下電流注入設(shè)定值下對EL圖像進行采樣:——高電流注入：Isc；——低電流注入：0.1×Isc。4.2.5圖像校正在圖像采集后，需要對圖像進行校正，以達到表征和優(yōu)化所需的圖像質(zhì)量。當對圖像進行定量分析時，圖像校正是必要的。圖像校正方式有幀減和漸暈校正。：：5EL圖像評估5.1電致發(fā)光原理EL是半導體器件對電流注入的發(fā)光響應現(xiàn)象。光的發(fā)射歸因于主要發(fā)生在帶隙區(qū)的自由載流子的輻射復合。局部缺陷的存在影響了每個區(qū)域記錄的EL信號強度，因此電致發(fā)光可以提供豐富的被測太陽電池信息及其缺陷拓撲結(jié)構(gòu)信息。更多電致發(fā)光原理信息見IECTS60904-13：2018中5.1的規(guī)定。7GB/TXXXXX—202X5.2圖像說明5.2.1串聯(lián)電阻電流被串聯(lián)電阻限制的區(qū)域?qū)@示降低的EL信號強度，因為這些區(qū)域缺乏注入的載流子。相反，對于給定凈電流的器件，降低串聯(lián)電阻的區(qū)域?qū)⒂懈叩妮d流子注入量，并產(chǎn)生更高強度的EL信號。通常，EL信號強度會隨貫穿電池兩端的電勢V而改變。假定電池上少子壽命等參數(shù)不變，那么與EL圖像中對應位置的串聯(lián)電阻相關(guān)的電池上兩點（x1和x2）之間的電勢差ΔV與EL強度K(x1)和K(x2)相關(guān)，關(guān)系式見公式（1）。式中：K——玻爾茲曼常數(shù)；T——開爾文溫度；e——電位電荷量。EL強度K(x)存在如下正比例關(guān)系式：K(x)～exp[V(x)/(kT/e)]與串聯(lián)電阻有關(guān)的缺陷在高偏置電流(如Isc)下會出現(xiàn)，而在低偏置電流(如0.1倍Isc)時產(chǎn)生低對比度圖像信息。比較在高、低注入水平下EL圖像上的缺陷對比度信息，有助于區(qū)分分別由串聯(lián)電阻和少數(shù)載流子壽命所導致的缺陷。5.2.2少數(shù)載流子壽命與擴散長度EL發(fā)射強度與有效擴散長度緊密相關(guān)，是擴散率和少子壽命的函數(shù)。當環(huán)境溫度可控時，擴散率可以假定為恒量，EL發(fā)射強度的范圍由少子壽命決定。通常在正向偏置條件下記錄的EL圖像上，與少子壽命有關(guān)的效應是可見的。在電池上，具有較高少子壽命的區(qū)域也會具有更長的擴散長度，圖像會顯得更加明亮。而更低少子壽命和更短擴散長度則會在圖像上顯得更暗。少子壽命缺陷通常在高、低注入條件下都會明顯體現(xiàn)出來。5.2.3并聯(lián)電阻由于靠近能帶邊緣的復合路徑會影響EL信號強度，而貫穿電池p-n結(jié)的旁路即是一種替代的復合路徑，導致EL信號強度降低。高電流注入可能會使旁路漏電電流飽和，因此除漏電處電池會變暗外，電池其他位置可能會顯得較亮。低電流注入時，未飽和的漏電流會減少器件整體少子密度和整個電池的EL強度。旁路或非發(fā)光復合區(qū)域，特別是電池邊緣將在局部受到較高的偏置電流，而在較低的偏置電流下，整個電池將顯得較暗。通常在EL成像中歐姆分流的可見性取決于將旁路與電池的其余部分連接起來的串聯(lián)電阻。EL成像不是一種合適的用于旁路定量空間解析的方法，在反向偏置條件下的熱成像方法是這種問題所需的方法。5.2.4根本原因排查雖然隱裂等可見缺陷在EL圖像中有易于識別的特征，但使用在特定的正向偏置電流和溫度下拍攝的EL圖像，并不總是能夠指定特定的物理現(xiàn)象。兩個偏置電流下獲取的信號結(jié)合紅外熱成像(IECTS62446-3)、光致發(fā)光或激光束誘生電流方法可用于進一步確定電池表面EL信號變化的各種根本原因。5.2.5圖像定性說明8GB/TXXXXX—202X5.2.5.1概述下列描述呈現(xiàn)了可通過EL成像識別的特征，并描述了導致這些特征的物理機制，并提供所識別特征對由這種太陽電池制成的光伏組件的電性能穩(wěn)定性的影響的建議。5.2.5.2柵線缺失、斷柵柵線缺失或斷柵(可通過外觀檢查確認)會影響電池效率。圖3中的這種缺陷通常會增加太陽電池局部的串聯(lián)電阻，降低相應位置的EL強度。在低偏置電流下，由于串聯(lián)電阻的差異引起的EL強度對比度差異會比較小，但在高偏置電流下，對比度會增加。圖3（a）、（b）、（c）、（d）為太陽電池柵線缺失或斷柵示例。斷柵缺陷的嚴重程度取決于其發(fā)生的頻率和斷柵延展的尺寸。這種斷柵的常見來源是絲網(wǎng)印刷堵網(wǎng)，這種缺陷通常是穩(wěn)定的。單一的缺陷不太可能引起明顯的效率降低，大面積的多重柵線缺陷會降低太陽電池的效率。對于其他原因的斷柵，柵線粘附力會隨著時間的推移而繼續(xù)降低，這會降低電池性能。由于這些缺陷可能是穩(wěn)定的，也可能是不穩(wěn)定的，在使用缺陷電池進行光伏組件封裝前，建議通過加速老化測試進一步研究其熱機械穩(wěn)定性。圖3斷柵太陽電池的EL圖像（a,b,c和d）5.2.5.3低載流子壽命較高的缺陷和雜質(zhì)濃度可能存在于硅片特定的晶?；騾^(qū)域里。具有同心圓的P型電池不推薦用于組件組裝。這樣的圖案表明存在高氧含量，這可能導致這些區(qū)域出現(xiàn)加速光致衰減，引起電池的不均勻衰減?？赡苡绊戨姵睾徒M件效率的長期穩(wěn)定性，因此建議進一步開展可靠性研究。圖4(a)、(b)、(c)展示了表現(xiàn)出同心圓的硅太陽電池的例子。在多晶硅片中，特別是冶金硅硅片中，高位錯密度區(qū)域經(jīng)常存在。它們的形成源于多晶硅錠生長后的冷卻過程中的熱應力殘留，通常捕獲大量雜質(zhì)。這樣的缺陷影響少子壽命，并導致電池內(nèi)的該片區(qū)域看起來較暗。通常，高缺陷和雜質(zhì)濃度會隨時間而穩(wěn)定下來。他們只影響電池的初始效率，不會造成其他性能穩(wěn)定性或衰減問題。在圖4(d)、(e)、(f)、(g)和(h)中，展示了此類缺陷的硅片電池。降低載流子壽命的缺陷通常在高電流注入和低電流注入下都很明顯。EL成像并不總是能提供這些缺陷準確的來源信息。因此，采用載流子壽命測試來量化評估載流子壽命的降低幅度，以及IV測試評估對電池效率的影響，是合適的方法。9GB/TXXXXX—202X（e)（e)圖4單晶硅中不同等級的同心圓EL圖片(a,b和c)。位錯(d),暗片(e),團簇位錯(f),多晶硅電池暗邊(g)單晶硅電池暗邊(h)5.2.5.4局部漏電缺陷局部p-n結(jié)短路常被歸因于制造缺陷。這些缺陷可能會進一步惡化或發(fā)展成熱斑，在電池工作過程中通常是不良的。這些缺陷降低了并聯(lián)電阻，并為形成光生電流的電荷載流子提供了替代路徑。這樣的變向分流減少了結(jié)中電流的流量。因此，在EL成像中，旁路區(qū)域呈現(xiàn)黑色。短路或非發(fā)光復合區(qū)域的局部偏置電流較高，而整個電池會因低偏置電流而顯得更暗。EL成像中非旁路區(qū)域的暗區(qū)的其他來源是串聯(lián)電阻相關(guān)缺陷(見5.2.5.2)，或局部減少的體壽命(見第5.2.5.3)。圖5(a)和(b)展示了硅片太陽電池中漏電缺陷的例子。不建議在光伏組件的封裝中使用旁路漏電電池。然而,單獨EL圖像并不總是能揭示局部漏電缺陷存在的準確信息。因此建議使用其他技術(shù)，如紅外熱成像和IV測試進行識別。圖5局部漏電的光伏電池EL圖(a)(b)5.2.5.5硅片或電池加工污染和劃痕局部區(qū)域的低EL信號強度可能是由于硅片/電池的工藝過程導致的，如硅片劃痕傳輸設(shè)備引起的污染、劃痕、擦傷。這類缺陷通常在電池產(chǎn)品中是系統(tǒng)性的，導致較高的局部串聯(lián)電阻或較低的少子壽命，導致在高電流偏置下EL強度較低。單晶和多晶硅電池的這些缺陷的示例分別在圖6和圖7中展示。許多由生產(chǎn)步驟引起的缺陷類型一般會隨時間而穩(wěn)定。它們的影響體現(xiàn)在初始效率上，然而也存在著各種各樣的缺陷，其中一些可能會導致進一步的衰減。因此，通常好的行業(yè)慣例是用這類電池封裝成組件前，用加速老化的方法驗證這些缺陷的電穩(wěn)定性。GB/TXXXXX—202X圖6存在劃痕(a)、吸盤印(b)、吸筆印(c)、石墨框印(d)、皮帶印(e)、黑點(f)和污染(g和h)的單晶硅電池EL圖片圖7存在劃痕(a)蝕刻面放反(b)，嚴重污染(c)，石墨框印(d)，皮帶或水印(e)，背鈍化不良(f)多晶硅電池EL圖像5.2.5.6電池隱裂若隱裂由于熱應力等外部應力擴展，電池的裂紋很容易進一步惡化。裂紋可能擴大并最終使電池的電學部分局部電隔離。位于電池四周邊緣的裂縫，如圖8(c)所示，若產(chǎn)生裂紋延伸，可能使電池的發(fā)電活性區(qū)電學隔離。由于小裂紋在層壓或?qū)訅汉箅A段可能發(fā)展成大裂紋，不建議將有裂紋的電池封裝成組件。并且層壓前的裂縫應與層壓過程中和層壓后發(fā)生的裂紋區(qū)分開來，層壓過程中和層壓后發(fā)生的裂紋不一定會擴展或影響光伏組件的電穩(wěn)定性。GB/TXXXXX—202X圖8具有交叉裂紋(a)、45°裂紋(b)和邊緣裂紋（c）的光伏電池EL圖像6報告測試機構(gòu)或?qū)嶒炇覒敎蕚湟环輬蟾?，包括測試性能描述和有可能出錯并需要重新測試的詳細信息，報告還應包含電池的詳細規(guī)格。每一份測試報告至少都應包含如下信息：a)題目；b)測試機構(gòu)的名稱地址和進行測試的地點；c)報告每一頁都要帶有特別標識；d)客戶的姓名和地址（如適用）；e)測試項目的描述、表征、條件和標識；f)收到測試項目的日期和測試日期（適用時）；g)測量設(shè)備的標識，包括相機、探測器、鏡頭和類型；h)通過參考本文檔中的條款