區(qū)熔用多晶硅材料編制說明

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《區(qū)熔用多晶硅材料》編制說明（討論稿）工作簡況立項(xiàng)目的和意義區(qū)熔用多晶硅材料（以下簡稱“區(qū)熔硅”）屬于超高純硅材料，在《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2021年版）》“三、先進(jìn)半導(dǎo)體材料和新型顯示材料”中明確提及區(qū)熔硅，區(qū)熔硅是區(qū)熔硅單晶和8英寸及12英寸集成電路硅片的原材料，是國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)中的新能源和新一代信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原材料，屬于《國家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域》中新材料技術(shù)領(lǐng)域的半導(dǎo)體新材料。符合國家發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策》、《中國制造2025》等政策的精神。近年來，我國電子信息產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，特別是高科技領(lǐng)域?qū)^(qū)熔硅的需求量有所增加，目前陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司產(chǎn)能約200噸，洛陽中硅高科技有限公司產(chǎn)能約1000噸，青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司電產(chǎn)能約500噸，但是我國區(qū)熔硅主要依賴進(jìn)口，去年從國外進(jìn)口約400噸，并且逐年以30%的需求量在增長，而從美國進(jìn)口量約過70%，歸咎原因是國產(chǎn)化速度慢，目前陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司正在批量供應(yīng)國內(nèi)客戶。隨著中美大國博弈，美國對中國貿(mào)易戰(zhàn)逐步升級，中美貿(mào)易摩擦不斷，我國尖端電子科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展將受到極大制約，半導(dǎo)體整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控是唯一出路。區(qū)熔硅如有斷供風(fēng)險(xiǎn)，必將嚴(yán)重影響我國集成電路、高壓輸電、高鐵、新能源汽車以及國防安全等。在當(dāng)前國際環(huán)境下，本標(biāo)準(zhǔn)的起草具有重要的戰(zhàn)略意義，標(biāo)志著我國區(qū)熔硅取得重大突破，可以促進(jìn)國內(nèi)區(qū)熔硅的推廣使用和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，推進(jìn)先進(jìn)半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)替代，突破“卡脖子”關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展，實(shí)現(xiàn)制造業(yè)由大變強(qiáng)的歷史跨越。任務(wù)來源2.1計(jì)劃來源及要求根據(jù)2023年5月15日《工業(yè)和信息化部辦公廳關(guān)于印發(fā)2023年第一批行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制修訂和外文版項(xiàng)目計(jì)劃的通知》（工信廳科〔2023〕18號）的要求，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《區(qū)熔用多晶硅材料》項(xiàng)目由陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司牽頭起草，計(jì)劃編號為2023-0083T-YS，項(xiàng)目周期為24個(gè)月。主要參加單位和工作成員及其所做的工作3.1主要參加單位情況牽頭單位陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司，是一家集超純硅材料制造、銷售、服務(wù)和研發(fā)于一體的中外合資高新技術(shù)企業(yè)。公司由陜西有色金屬控股集團(tuán)有限責(zé)任公司的全資子公司陜西有色天宏新能源有限責(zé)任公司和全球領(lǐng)先的硅材料制造公司美國RECSilicon共同出資組建，于2014年7月正式成立，注冊資本4.98億美元，陜西有色天宏新能源有限公司和美國RECSilicon分別持有公司84.94%和15.06%的股份。公司位于陜西省榆林市榆佳工業(yè)園區(qū)，充分利用榆林當(dāng)?shù)貎?yōu)勢資源，以貫徹落實(shí)中央關(guān)于科學(xué)發(fā)展和省委省政府加快陜北能源化工基地建設(shè)精神為指導(dǎo)，以“煤-電-硅”產(chǎn)業(yè)鏈為依托，引進(jìn)美國RECSilicon全球領(lǐng)先的電子級多晶硅、電子級硅烷氣和粒狀多晶硅生產(chǎn)技術(shù)，建設(shè)年產(chǎn)500噸高純硅烷氣、1000噸電子級多晶硅、18000噸粒狀多晶硅的硅材料生產(chǎn)線。公司秉承綠色低碳，合作共贏、回饋社會的生產(chǎn)經(jīng)營理念，生產(chǎn)粒狀硅所采用的硅烷流化床(FBR)技術(shù)，在大幅降低多晶硅生產(chǎn)成本，為下游企業(yè)提供優(yōu)質(zhì)、低價(jià)原材料的同時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)下游企業(yè)單晶連續(xù)拉制并有效增加鑄錠單爐產(chǎn)量，提高生產(chǎn)率，增強(qiáng)市場競爭優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)互惠共贏，公司生產(chǎn)的電子級多晶硅、電子級硅烷氣和粒狀多晶硅質(zhì)量達(dá)到國際領(lǐng)先水平，品質(zhì)完全滿足主流市場單多晶硅料需求，并已通過下游客戶的實(shí)際驗(yàn)證。面對激烈的市場競爭環(huán)境和經(jīng)濟(jì)發(fā)展新常態(tài)，公司將依托中外合資新平臺，打造科學(xué)管理新模式，做到高起點(diǎn)、高標(biāo)準(zhǔn)、高質(zhì)量、高效益，突出創(chuàng)新驅(qū)動，優(yōu)化生產(chǎn)經(jīng)營，實(shí)現(xiàn)企業(yè)健康可持續(xù)發(fā)展，建立、提升和鞏固公司在中國硅材料行業(yè)的領(lǐng)先地位，打造具有國際競爭力的大型硅材料公司。陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司作為牽頭單位開展大量的現(xiàn)場調(diào)研、資料查閱、取樣、各項(xiàng)試驗(yàn)和數(shù)據(jù)的收集工作，為標(biāo)準(zhǔn)編寫提供了真實(shí)有效的實(shí)測數(shù)據(jù)，并組織標(biāo)準(zhǔn)編寫，最終帶領(lǐng)編制組完成標(biāo)準(zhǔn)編制工作。xxx限公司，xxx股份有限公司，xxx積極參加標(biāo)準(zhǔn)調(diào)研工作和意見反饋工作，針對標(biāo)準(zhǔn)的討論稿的技術(shù)指標(biāo)提出反饋意見。主要工作過程4.1起草階段2023年5月15日，工業(yè)和信息化部辦公廳下達(dá)了制訂《區(qū)熔用多晶硅材料》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的任務(wù)。在下達(dá)計(jì)劃之日起，標(biāo)準(zhǔn)編制組內(nèi)部召開了關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)起草的工作會議，布置了標(biāo)準(zhǔn)起草的相關(guān)工作。根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)的起草原則，編制組對我國目前生產(chǎn)和使用區(qū)熔硅的相關(guān)企業(yè)進(jìn)行調(diào)研和統(tǒng)計(jì)，參考國內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)結(jié)合相關(guān)企業(yè)的一些技術(shù)指標(biāo)和檢驗(yàn)數(shù)據(jù)起草了本標(biāo)準(zhǔn)討論稿初稿。標(biāo)準(zhǔn)編制原則本標(biāo)準(zhǔn)起草單位自接受起草任務(wù)后，成立了標(biāo)準(zhǔn)編制組負(fù)責(zé)收集生產(chǎn)統(tǒng)計(jì)、檢驗(yàn)數(shù)據(jù)、市場需求及客戶要求等信息，確定了《區(qū)熔用多晶硅材料》標(biāo)準(zhǔn)起草所遵循的基本原則和編制依據(jù)：確定區(qū)熔硅產(chǎn)品牌號、類別、等級劃分及技術(shù)要求、尺寸、結(jié)構(gòu)、外觀質(zhì)量的產(chǎn)品要求。結(jié)合相關(guān)企業(yè)的生產(chǎn)和使用需求，明確區(qū)熔硅產(chǎn)品試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲存、隨行文件和訂貨單（或合同）內(nèi)容。更好的指導(dǎo)區(qū)熔硅的生產(chǎn)、銷售和使用。（3）為促進(jìn)區(qū)熔硅的發(fā)展，結(jié)合我國實(shí)際生產(chǎn)水平，同時(shí)根據(jù)產(chǎn)品用戶的意見反饋，正確兼顧好彼此之間的關(guān)系，追求技術(shù)的先進(jìn)性、指標(biāo)的合理性和嚴(yán)謹(jǐn)性的統(tǒng)一，規(guī)范產(chǎn)品的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，便于生產(chǎn)和用戶的應(yīng)用。（4）標(biāo)準(zhǔn)制訂的程序和格式嚴(yán)格按GB/T1.1、GB/T1.2、GB/T20001.4和《有色金屬冶煉產(chǎn)品、加工產(chǎn)品、化學(xué)分析方法國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)編寫示例》的要求進(jìn)行。標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的確定依據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合我國區(qū)熔硅的實(shí)際生產(chǎn)和使用情況，考慮區(qū)熔硅的發(fā)展和行業(yè)現(xiàn)狀制定而成。主要內(nèi)容的確定依據(jù)詳述如下：1、范圍為有利于激活區(qū)熔硅廠家對標(biāo)生產(chǎn)，促進(jìn)產(chǎn)品在下游企業(yè)進(jìn)行推廣使用，加速先進(jìn)半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)替代。本標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合相關(guān)企業(yè)的生產(chǎn)和使用需求對區(qū)熔硅產(chǎn)品要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲存、隨行文件和訂貨單（或合同）內(nèi)容做出了規(guī)定。為明確本標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍，規(guī)定了本標(biāo)準(zhǔn)適用于以氯硅烷、硅烷為原料生長的區(qū)熔硅。2、規(guī)范性引用文件區(qū)熔硅與電子級多晶硅對于多晶硅材料的質(zhì)量要求有所區(qū)別，但是對于部分技術(shù)指標(biāo)對應(yīng)的檢測方法都可引用單晶硅和多晶硅相關(guān)檢測標(biāo)準(zhǔn)的條款和內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)中的術(shù)語與定義都符合GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語。本標(biāo)準(zhǔn)引用相關(guān)文件如下：GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1551硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法GB/T1553硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T4059硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法GB/T4060硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法GB/T4061硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法GB/T13389摻硼摻磷砷硅單晶電阻率與摻雜劑含量換算規(guī)程GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T14844半導(dǎo)體材料牌號表示方法GB/T17737.301同軸通信電纜第1-301部分：機(jī)械試驗(yàn)方法橢圓度試驗(yàn)GB/T24574硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法GB/T24581硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法GB/T29057用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價(jià)區(qū)熔硅棒的規(guī)程GB/T35306硅單晶中碳、氧含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法GB/T37049電子級區(qū)熔硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定XXXX區(qū)熔多晶硅生長缺陷的測定數(shù)碼顯微鏡法3、術(shù)語和定義GB/T14264界定的術(shù)語和定義適用于本文件。4、要求4.1產(chǎn)品牌號及類別區(qū)熔硅的產(chǎn)品牌號根據(jù)《GB/T14844半導(dǎo)體材料牌號表示方法》中的要求分為五部分，第一部分PSi是為了表明產(chǎn)品為多晶硅；第二部分表明區(qū)熔硅的生產(chǎn)方法，T表示為三氯氫硅法生產(chǎn)，S表示為硅烷法生產(chǎn)；第三部分表明區(qū)熔硅的形態(tài)，AI表示區(qū)熔硅為原生未精磨的原生棒，MI表示區(qū)熔硅為原生棒精磨后的精磨棒；第四部分根據(jù)區(qū)熔硅技術(shù)指標(biāo)要求分為3級，1表示區(qū)熔硅滿足1級的全部技術(shù)指標(biāo)要求，2表示區(qū)熔硅滿足2級的全部技術(shù)指標(biāo)要求，3表示區(qū)熔硅滿足3級的全部技術(shù)指標(biāo)要求；第五部分用FZ表示用途為用于區(qū)熔。例：產(chǎn)品牌號為“PSi-S-MI-1-FZ”的區(qū)熔硅表示為“使用硅烷法生產(chǎn)用于區(qū)熔的區(qū)熔1級精磨多晶硅棒”。明確了區(qū)熔硅的兩種分類方式，一種是根據(jù)導(dǎo)電類型可以分為N型和P型，另一種是根據(jù)區(qū)熔硅技術(shù)指標(biāo)要求可分為3級，分別為“區(qū)熔1級”、“區(qū)熔2級”、“區(qū)熔3級”。4.2等級隨著區(qū)熔硅生產(chǎn)企業(yè)大量資金、技術(shù)、設(shè)備以及人才的投入，目前國內(nèi)區(qū)熔硅質(zhì)量有了穩(wěn)步提升。根據(jù)區(qū)熔硅生產(chǎn)企業(yè)實(shí)際產(chǎn)品質(zhì)量、廠家需求及參照多晶硅相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，對區(qū)熔硅的等級及技術(shù)指標(biāo)做出了如下規(guī)定：表2區(qū)熔硅材料等級及技術(shù)要求項(xiàng)目技術(shù)指標(biāo)要求1級2級3級受主雜質(zhì)含量ppba≤0.03≤0.03≤0.03施主雜質(zhì)含量ppba≤0.10≤0.10≤0.10總碳含量atoms/cm3＜5.0×1015＜5.0×1015＜5.0×1015總氧含量atoms/cm3＜5.0×1015＜5.0×1015＜5.0×1015硅芯樣芯碳含量atoms/cm3≤2.0×1016≤2.0×1016≤2.0×1016硅芯樣芯氧含量atoms/cm3≤3.0×1016≤3.0×1016≤3.0×1016電阻率（ohm-cm）≥4000ohm-cm≥4000ohm-cm≥1000ohm-cm少數(shù)載流子壽命μs≥1000≥1000≥1000基體金屬雜質(zhì)含量ppbw（Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na）≤1.0≤1.0≤1.0直徑mm[150,190)[120,150)[90,120)明確規(guī)定了區(qū)熔硅3個(gè)等級用于區(qū)熔法生長不同尺寸的硅單晶產(chǎn)品質(zhì)量影響較大的施受主雜質(zhì)含量、總碳含量、總氧含量、硅芯樣芯碳氧含量、電阻率、少數(shù)載流子壽命、基體金屬雜質(zhì)含量（Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na）、直徑，其中除區(qū)熔硅直徑參數(shù)外其余參數(shù)要求均保持一致，確保區(qū)熔生長的硅單晶產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠。4.3尺寸及允許偏差區(qū)熔硅在使用時(shí)，因各使用方區(qū)熔設(shè)備情況和拉制硅單晶成品的尺寸需求各有不同，因此結(jié)合目前我國區(qū)熔硅的實(shí)際生產(chǎn)和使用情況對區(qū)熔硅的長度和偏差也提出了相應(yīng)的要求，區(qū)熔硅的長度應(yīng)在1000mm至2100mm之間，精磨硅棒的直徑偏差應(yīng)≤2mm，源生區(qū)熔硅的直徑及長度也可由供需雙方根據(jù)各自實(shí)際生產(chǎn)和使用情況協(xié)商確定。4.4結(jié)構(gòu)若區(qū)熔硅存在氧化夾層和溫度夾層，夾層沉積硅體內(nèi)部難以去除，用區(qū)熔硅拉制單晶硅時(shí)可能會產(chǎn)生“硅跳”，因此確保區(qū)熔硅應(yīng)無氧化夾層和溫度夾層。4.5外觀質(zhì)量原生區(qū)熔硅可用精磨等方法除去表面污漬與污染，因此對區(qū)熔硅的原生表面允許出現(xiàn)機(jī)加過程中產(chǎn)生的污漬，但是精磨后應(yīng)表面潔凈無碎渣。對于區(qū)熔硅的端面必須垂直于硅棒軸線切割，應(yīng)在底端刻有批次號和硅棒編號便于追溯。區(qū)熔硅的彎曲度和橢圓度會影響拉制過程中熔區(qū)的穩(wěn)定，對于區(qū)熔硅的彎曲度和橢圓度做出了規(guī)定，原生硅棒屬性允許向外彎曲≤7mm，橢圓度≤5mm。精磨硅棒屬性較原生棒更為嚴(yán)格，允許向外彎曲≤2mm，橢圓度≤2mm。檢驗(yàn)方法為滿足本文件中“4、要求”中規(guī)定的技術(shù)指標(biāo)、尺寸、結(jié)構(gòu)、外觀質(zhì)量項(xiàng)目的測試，對測試項(xiàng)目進(jìn)行了多方試驗(yàn)與探討，最終確定了如下國家檢測標(biāo)準(zhǔn)可適用于區(qū)熔硅的測試，也可由供需雙方協(xié)商確定更為合適的檢測方法。5.1 區(qū)熔硅進(jìn)行施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量、碳含量、氧含量、導(dǎo)電類型、電阻率、少數(shù)載流子壽命、檢驗(yàn)前按照GB/T4059、GB/T4060或GB/T29057的方法制成單晶試樣。5.2 區(qū)熔硅導(dǎo)電類型檢驗(yàn)按GB/T1550的規(guī)定進(jìn)行。5.3 區(qū)熔硅中的施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量的測試按GB/T24574或GB/T24581規(guī)定進(jìn)行。仲裁檢驗(yàn)按照GB/T24581的規(guī)定進(jìn)行。5.4 區(qū)熔硅中的硅芯樣芯碳和硅芯樣芯氧含量按照碳、氧含量規(guī)定的方法進(jìn)行檢測。5.5 區(qū)熔硅少數(shù)載流子壽命測試按GB/T1553的規(guī)定進(jìn)行。5.6 區(qū)熔硅中碳含量測試按GB/T1558、GB/T35306的規(guī)定進(jìn)行。仲裁檢驗(yàn)按照GB/T35306的規(guī)定進(jìn)行。5.7 區(qū)熔硅中氧含量測試按GB/T1557、GB/T35306的的規(guī)定進(jìn)行。仲裁檢驗(yàn)按照GB/T35306的規(guī)定進(jìn)行。5.8 區(qū)熔硅基體金屬雜質(zhì)含量測試的測試方法由供需雙方協(xié)商確定。5.9 區(qū)熔硅基磷電阻率檢驗(yàn)按GB/T4059的規(guī)定進(jìn)行。5.10區(qū)熔硅基硼電阻率檢驗(yàn)按GB/T4060的規(guī)定進(jìn)行。5.11區(qū)熔硅的尺寸用相應(yīng)精度的量具測量，其中源生硅棒測量去除兩端后的有效長度，精磨硅棒測量整根長度；硅棒的直徑按照長度平均分三段，分別每段的兩個(gè)點(diǎn)進(jìn)行測量，并選取最大值和最小值作為最大直徑和最小直徑，直徑偏差則為最大直徑與最小直徑之差；或尺寸由供需雙方商定的方法檢驗(yàn)。5.12區(qū)熔硅結(jié)構(gòu)（氧化夾層、溫度夾層）的檢驗(yàn)按GB/T4061的規(guī)定進(jìn)行。5.13區(qū)熔硅的外觀質(zhì)量用相應(yīng)精度的量具測量，其中區(qū)熔硅的橢圓度可參照GB/T17737.301的規(guī)定執(zhí)行，按照長度平均分三段，分別取兩端的兩個(gè)點(diǎn)進(jìn)行測量，并選取最大值作為結(jié)果；彎曲度的測量將直的平尺平行放置在硅棒表面，使用塞尺測量平尺與硅棒之間的距離；或由供需雙方商定的方法檢驗(yàn)。5.14電阻率可按照GB/T13389的規(guī)定進(jìn)行，或由供需雙方商定的方法檢驗(yàn)。6、檢驗(yàn)規(guī)則為更好的指導(dǎo)區(qū)熔硅的生產(chǎn)和使用，對供方和需方做出如下明確要求：產(chǎn)品應(yīng)由供方質(zhì)量監(jiān)督部門進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本文件及合同的規(guī)定，并填寫產(chǎn)品隨行文件。需方可對收到的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)。若檢驗(yàn)結(jié)果與本文件或合同的規(guī)定不符時(shí)，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起3個(gè)月內(nèi)向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。產(chǎn)品應(yīng)成批提交驗(yàn)收，每批應(yīng)有同一牌號、具有相同純度等級和特性，以類似工藝生產(chǎn)并可追溯生產(chǎn)條件的同一反應(yīng)爐次的多晶硅組成。每批產(chǎn)品應(yīng)進(jìn)行施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量、總碳含量、總氧含量、硅芯樣芯碳含量、硅芯樣芯氧含量、尺寸及允許偏差、結(jié)構(gòu)、外觀質(zhì)量。導(dǎo)電類型、少數(shù)載流子壽命、電阻率、基體金屬雜質(zhì)含量的檢驗(yàn)由供需雙方協(xié)商。供方取樣、制樣時(shí)，基磷電阻率、基硼電阻率的取樣、制樣按照GB/T4059、GB/T4060或者GB/T29057進(jìn)行，斷面氧化夾層取樣、制樣按GB/T4061進(jìn)行。仲裁抽樣方案由供需雙方協(xié)商。導(dǎo)電類型、施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量、少數(shù)載流子壽命、總碳含量、總氧含量、硅芯樣芯碳含量、硅芯樣芯氧含量、尺寸及允許偏差、外觀質(zhì)量、基體金屬雜質(zhì)含量的取樣由供需雙方協(xié)商確定。區(qū)熔硅的等級由施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量、碳含量、氧含量、硅芯樣芯碳含量、硅芯樣芯氧含量判定。在判定項(xiàng)目中若檢驗(yàn)結(jié)果有一項(xiàng)不合格，則加倍取樣對該不合適的項(xiàng)目進(jìn)行重復(fù)試驗(yàn)。對重復(fù)試驗(yàn)結(jié)果仍不合格的產(chǎn)品，則判該產(chǎn)品不合格。導(dǎo)電類型、少數(shù)載流子壽命、基體金屬雜質(zhì)含量、電阻率、尺寸及允許偏差、結(jié)構(gòu)、外觀質(zhì)量的檢驗(yàn)結(jié)果的判定由供需雙方協(xié)商確定。標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲存及隨行文件產(chǎn)品的標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲存及隨行文件對于產(chǎn)品至關(guān)重要，結(jié)合國內(nèi)區(qū)熔硅的生產(chǎn)和使用情況，為更好的指導(dǎo)國內(nèi)區(qū)熔硅行業(yè)的發(fā)展，對供方和需方做出如下明確要求：區(qū)熔硅在發(fā)貨時(shí)應(yīng)在包裝箱上說明產(chǎn)品名稱、牌號、發(fā)貨數(shù)量、凈重、供方名稱，便于需方驗(yàn)收以及產(chǎn)品的溯源。區(qū)熔硅為超高純材料，應(yīng)用高純潔凈的聚乙烯膜包裝。每根硅棒都應(yīng)有標(biāo)簽注明批次號、產(chǎn)品編號、凈重、硅棒編號、最小直徑、最大直徑和長度，標(biāo)簽有條形碼可追溯至反應(yīng)器運(yùn)行批次。每箱產(chǎn)品都應(yīng)有產(chǎn)品報(bào)表，包括生產(chǎn)商名稱和地址、硅棒的編號、質(zhì)量及數(shù)量。多晶硅棒的包裝也可由供需雙方協(xié)商確定。區(qū)熔硅易受外力破損，產(chǎn)品在運(yùn)輸過程中應(yīng)輕裝輕卸，勿壓勿擠，并采取防震措施。在貯存時(shí)應(yīng)選擇清潔、干燥的環(huán)境。每批產(chǎn)品的隨行文件應(yīng)注明供方名稱、產(chǎn)品名稱及牌號、批號、凈重、產(chǎn)品獲得質(zhì)量認(rèn)證或供方技術(shù)監(jiān)督部門檢驗(yàn)的各項(xiàng)分析結(jié)果、本標(biāo)準(zhǔn)編號及檢驗(yàn)日期等必要信息，便于需方進(jìn)行查閱、檢驗(yàn)比對以及驗(yàn)收。8、訂貨單內(nèi)容在需方向供方訂貨時(shí)，應(yīng)在訂貨單中明確產(chǎn)品名稱、牌號、產(chǎn)品技術(shù)要求、本標(biāo)準(zhǔn)編號、產(chǎn)品數(shù)量、本標(biāo)準(zhǔn)中需由供需雙方協(xié)商的內(nèi)容以及其他需方要求的信息，供方應(yīng)嚴(yán)格按照訂貨單要求的內(nèi)容為需方備貨和供貨。標(biāo)準(zhǔn)中涉及專利的情況本標(biāo)準(zhǔn)不涉及專利問題。標(biāo)準(zhǔn)水平分析本標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了區(qū)熔硅產(chǎn)品要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲存、隨行文件和訂貨單（或合同）內(nèi)容等，滿足我國區(qū)熔硅行業(yè)發(fā)展的客觀要求，既體現(xiàn)了我國區(qū)熔硅技術(shù)的先進(jìn)水平，又兼顧現(xiàn)階段的具體實(shí)際。在標(biāo)準(zhǔn)的制訂過程中，調(diào)研了區(qū)熔硅生產(chǎn)目前的質(zhì)量水平