1.4.1 半導(dǎo)體器件 二極管、三極管

1.4.1電子產(chǎn)品中常用的元器件（半導(dǎo)體器件）

1教學(xué)目標1．掌握半導(dǎo)體器件的種類2．掌握半導(dǎo)體器件的命名3．根據(jù)用途進行元器件的選用2本次課主要內(nèi)容3半導(dǎo)體器件1.半導(dǎo)體器件的種類2.半導(dǎo)體器件的命名方式3.半導(dǎo)體器件的選用?半導(dǎo)體二極管(DIODE)?雙極型晶體管(TRANSISTOR)?晶閘管?場效應(yīng)晶體管(FET,FieldEffectTransistor)1.常用半導(dǎo)體分立器件及其分類4普通二極管齊納二極管(穩(wěn)壓二極管ZENERDIODE)整流二極管5三極管6場效應(yīng)管（MOSFET)7晶閘管8晶閘管9普通二極管：整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、恒流二極管、開關(guān)二極管等；特殊二極管：微波二極管、變?nèi)荻O管、雪崩二極管、SBD、TD、PIN、TVP管等；敏感二極管：光敏二極管、熱敏二極管、壓敏二極管、磁敏二極管；發(fā)光二極管1.半導(dǎo)體二極管的種類10鍺管：高頻小功率管（合金型、擴散型），低頻大功率管（合金型、臺面型）；硅管：低頻大功率管、高頻大功率管、微波功率管、大功率高壓管、高頻小功率管、超高頻小功率管、高速開關(guān)管、低噪聲管、微波低噪聲管、超β管。專用器件：單結(jié)晶體管、可編程單結(jié)晶體管。1.雙極型晶體管的種類11按照結(jié)構(gòu)工藝分類，有PNP和NPN型。按照制造材料分類，有鍺管和硅管。按照工作頻率分類，有低頻管（3MHz以下）和高頻管（幾百MHz以上）。按照集電極耗散的功率分類，有小功率管（1W以下）和大功率管（幾十W以上）。1.雙極型晶體管的種類12場效應(yīng)管是電壓控制器件,在數(shù)字電路中起開關(guān)作用；柵極的輸入電阻非常高，一般可達幾百MΩ甚至幾千MΩ；場效應(yīng)管還具有噪聲低、動態(tài)范圍大等優(yōu)點。場效應(yīng)晶體管特點：晶閘管的種類普通晶閘管：高頻快速晶閘管；雙向晶閘管：可關(guān)斷晶閘管（GTO）；特殊晶閘管：正反向阻斷管、逆導(dǎo)管等。132.半導(dǎo)體分立器件的型號命名國產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件的型號命名（GB249-64）14第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用數(shù)字表示器件電極數(shù)目用漢語拼音字母表示器件的材料和極性用漢語拼音字母表示器件的類型用數(shù)字表示器件序號用漢語拼音字母表示規(guī)格號序號意義符號意義符號意義2二極管AN型鍺材料P普通管BP型鍺材料V微波管CN型硅材料W穩(wěn)壓管DP型硅材料C參量管2.半導(dǎo)體分立器件的型號命名153三極管APNP型鍺材料U光電器件BNPN型鍺材料K開關(guān)管CPNP型硅材料N阻尼管DNPN型硅材料X低頻小功率管fT≤3MHz,Po<1WE其它材料G高頻小功率管fT≥3MHz，Po<1WD低頻大功率管,fT≤3MHz,Po≥1WA高頻大功率管fT≥3MHz,Po≥1W3AX31D3DG6C2.半導(dǎo)體分立器件的型號命名162.半導(dǎo)體分立器件的型號命名17注：場效應(yīng)管、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管和激光器件的型號命名只有三、四、五部分。例如：三極管NPN型硅材料高頻小功率管產(chǎn)品序號規(guī)格號3DG6C2.半導(dǎo)體分立器件的型號命名183.選用半導(dǎo)體分立器件的注意事項⑴二極管①切勿使電壓、電流超過器件手冊中規(guī)定的極限值，并應(yīng)根據(jù)設(shè)計原則選取一定的裕量。②允許使用小功率電烙鐵進行焊接，焊接時間應(yīng)該小于3~5秒。③玻璃封裝的二極管引線的彎曲處距離管體不能太小，一般至少2mm。④安裝二極管的位置盡可能不要靠近電路中的發(fā)熱元件。⑤接入電路時要注意二極管的極性。19②大功率管的散熱器與管殼的接觸面應(yīng)該平整光滑，中間應(yīng)該涂抹導(dǎo)熱硅脂以便減小熱阻并減少腐蝕；要保證固定三極管的螺絲釘松緊一致。③對于大功率管，特別是外延型高頻功率管，在使用中要防止二次擊穿。⑵三極管①安裝時要分清不同電極的管腳位置，焊點距離管殼不要太近，一般三極管應(yīng)該距離印制板2~3mm以上。3.選用半導(dǎo)體分立器件的注意事項20⑶場效應(yīng)管①結(jié)型場效應(yīng)管和一般晶體三極管的使用注意事項相仿。②對于絕緣柵型場效應(yīng)管，應(yīng)該特別注意避免柵極懸空，即柵、源