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文檔簡介

量子阱中束縛激子相對(duì)雜質(zhì)相對(duì)吸收譜較寬,并且產(chǎn)生紅移.發(fā)光來自于

擴(kuò)展態(tài)激子、局域態(tài)激子以及

束縛激子，雙激子有關(guān)的復(fù)合.束縛激子可以產(chǎn)生強(qiáng)非均勻加寬.量子阱中束縛激子相對(duì)雜質(zhì)的束縛能與雜質(zhì)相對(duì)勢壘的空間位置有關(guān).若雜質(zhì)不在勢阱中間,接近勢壘,束縛激子的能量通常會(huì)減小,這是因?yàn)榧ぷ硬ê瘮?shù)遠(yuǎn)離雜質(zhì).●III-V化合物③發(fā)光譜ＦＥBＥC真空態(tài)勢阱中心摻入Be受主,增加阱寬,局域本征激子ＦＥ和束縛激子頻率減小,線寬減?。p激子局域本征激子在高質(zhì)量樣品中,上述低能端局域激子ＦＥ和束縛激子發(fā)光不重要，線寬和斯托克斯頻移都減小，這兩個(gè)量彼此相關(guān)．由于III-V化合物中載流子和激子與光學(xué)聲子耦合比II-VI化合物弱，故LO聲子伴線幾乎觀察不到.●II-VI化合物:存在LO聲子伴線.PLE：橫坐標(biāo)是激發(fā)光能量。反映激子與LO聲子強(qiáng)耦合上圖中PL譜表明：電子空穴對(duì)首先形成激子，然后輻射LO聲子.這與GaAs情況不同：連續(xù)態(tài)激子首先輻射LO聲子

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