大綜合課件微機原理基礎ram - rom

半導體存儲器及其接口半導體存儲器只讀存儲器（ROM）隨機存取存儲器（RAM）靜態(tài)RAM（SRAM）動態(tài)RAM（DRAM）非易失RAM（NVRAM）掩膜式ROM一次性可編程ROM（PROM）紫外線擦除可編程ROM（EPROM）電擦除可編程ROM（EEPROM）5.2.2半導體存儲器芯片的結構地址寄存地址譯碼存儲體控制電路AB數據寄存讀寫電路DBOEWECS①存儲體存儲器芯片的主要部分，用來存儲信息②地址譯碼電路根據輸入的地址編碼來選中芯片內某個特定的存儲單元③

片選和讀寫控制邏輯選中存儲芯片，控制讀寫操作③片選和讀寫控制邏輯片選端CS*或CE*有效時，可以對該芯片進行讀寫操作輸出OE*控制讀操作。有效時，芯片內數據輸出該控制端對應系統的讀控制線寫WE*控制寫操作。有效時，數據進入芯片中該控制端對應系統的寫控制線SRAM芯片6264存儲容量為8K×828個引腳：13根地址線A12～A08根數據線D7～D0片選CS1*、CS2讀寫WE*、OE*功能+5VWE*CS2A8A9A11OE*A10CS1*D7D6D5D4D3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND123456789101112131428272625242322212019181716155.2.4只讀存儲器EPROMEPROM2716EPROM2764EEPROMEEPROM2717AEEPROM2864AEPROM芯片2716存儲容量為2K×824個引腳：11根地址線A10～A08根數據線DO7～DO0片選/編程CE*/PGM讀OE*編程電壓VPP功能VDDA8A9VPPOE*A10CE*/PGMDO7DO6DO5DO4DO3123456789101112242322212019181716151413A7A6A5A4A3A2A1A0DO0DO1DO2VssEPROM芯片2764存儲容量為8K×828個引腳：13根地址線A12～A08根數據線D7～D0片選CE*編程PGM*讀OE*編程電壓VPP功能VppA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDVccPGM*NCA8A9A11OE*A10CE*D7D6D5D4D312345678910111213142827262524232221201918171615EPROM芯片2725612345678910111213141516171819202122232425262728VppA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDD3D4D5D6D7CEA10OEA11A9A8A13A14Vcc27256引腳圖A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0CEOED7D6D5D4D3D2D1D027256邏輯圖2EEPROM用加電方法，進行在線（無需拔下，直接在電路中）擦寫（擦除和編程一次完成）有字節(jié)擦寫、塊擦寫和整片擦寫方法并行EEPROM：多位同時進行串行EEPROM：只有一位數據線EEPROM芯片2817A存儲容量為2K×828個引腳：11根地址線A10～A08根數據線I/O7～I/O0片選CE*讀寫OE*、WE*狀態(tài)輸出RDY/BUSY*功能NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GNDVccWE*NCA8A9NCOE*A10CE*I/O7I/O6I/O5I/O4I/O312345678910111213142827262524232221201918171615EEPROM芯片2864A存儲容量為8K×828個引腳：13根地址線A12～A08根數據線I/O7～I/O0片選CE*讀寫OE*、WE*功能VccWE*NCA8A9A11OE*A10CE*I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GND123456789101112131428272625242322212019181716155.3.1存儲芯片與CPU的連接存儲芯片的數據線存儲芯片的地址線存儲芯片的片選端存儲芯片的讀寫控制線2.存儲芯片地址線的連接芯片的地址線通常應全部與系統的低位地址總線相連尋址時，這部分地址的譯碼是在存儲芯片內完成的，我們稱為“片內譯碼”3.存儲芯片片選端的譯碼存儲系統常需利用多個存儲芯片擴充容量也就是擴充了存儲器地址范圍進行“地址擴充”，需要利用存儲芯片的片選端對多個存儲芯片（組）進行尋址這個尋址方法，主要通過將存儲芯片的片選端與系統的高位地址線相關聯來實現這種擴充簡稱為“地址擴充”或“字擴充”⑵全譯碼所有的系統地址線均參與對存儲單元的譯碼尋址包括低位地址線對芯片內各存儲單元的譯碼尋址（片內譯碼），高位地址線對存儲芯片的譯碼尋址（片選譯碼）采用全譯碼，每個存儲單元的地址都是唯一的，不存在地址重復譯碼電路可能比較復雜、連線也較多示例⑶部分譯碼只有部分（高位）地址線參與對存儲芯片的譯碼每個存儲單元將對應多個地址（地址重復），需要選取一個可用地址可簡化譯碼電路的設計但系統的部分地址空間將被浪費示例⑷線選譯碼只用少數幾根高位地址線進行芯片的譯碼，且每根負責選中一個芯片（組）雖構成簡單，但地址空間嚴重浪費必然會出現地址重復一個存儲地址會對應多個存儲單元多個存儲單元共用的存儲地址不應使用示例4.存儲芯片的讀寫控制芯片OE*與系統的讀命令線相連當芯片被選中、且讀命令有效時，存儲芯片將開放并驅動數據到總線芯片WE*與系統的寫命令線相連當芯片被選中、且寫命令有效時，允許總線數據寫入存儲芯片5.3.2舉例例1.用譯碼法連接容量為64K*8的存儲器，若用8K*8的存儲器芯片，共需多少片?共需多少根地址線?其中幾根作字選線?幾根作片選線?試用74LSl38畫出譯碼電路，并標出其輸出線的選址范圍。若改用線選法能夠組成多大容量的存儲器?試寫出各線選線的選址范圍。

A15—A13其3根地址線各選一片8K*8的存儲器芯片，故僅能組成容量為24K*8的存儲器，A15、A14和A13所選芯片的地址范圍分別為：6000H~7FFFH、A000H~BFFFH和C000H~DFFFH。

A15A14A13A12A11

A10A9A8A7A6

A5A4A3

A2

A1A01010000000000000

1

01.............

1

011111111111111地址范圍：A000H~BFFFH

5.3.2舉例（續(xù)）例2.8K的EPROM和4K靜態(tài)RAM的連接。方法1：譯碼器按大容量芯片連結

地址范圍是：EPROM2732為8000H～8FFFH和9000H～9FFFH。靜態(tài)RAM6116為A000H～A7FFH和A800H～AFFFH。

方法2：譯碼器按小容量芯片連結方法3：線選法地址范圍是：EPROM2732為F000H～FFFFH和C000H～CFFFH。靜態(tài)RAM