半導體器件熱阻測量結構函數(shù)法優(yōu)化及數(shù)據(jù)處理技術研究的任務書

半導體器件熱阻測量結構函數(shù)法優(yōu)化及數(shù)據(jù)處理技術研究的任務書任務書論文題目：半導體器件熱阻測量結構函數(shù)法優(yōu)化及數(shù)據(jù)處理技術研究委托單位：學?？蒲修k公室任務目的：本次任務旨在研究半導體器件的熱阻測量結構函數(shù)法優(yōu)化及數(shù)據(jù)處理技術，為提高半導體器件的熱管理能力和熱穩(wěn)定性，提供可靠的數(shù)據(jù)支持。研究內容：1.對結構函數(shù)法的熱阻測量原理、方法、流程等進行總結和歸納，討論其優(yōu)點和不足之處。2.針對結構函數(shù)法在實際應用中可能存在的問題，提出相應的優(yōu)化方案和改進措施，包括但不限于改進測量裝置、改進熱源控制、改進數(shù)據(jù)處理算法等。3.設計實驗方案，開展相關的實驗工作，對優(yōu)化后的結構函數(shù)法進行驗證和評估，探究其在不同情況下的應用效果和適用性。4.對實驗所得數(shù)據(jù)進行分析和處理，總結得到合理的技術參數(shù)和評價指標，對結構函數(shù)法的相關技術進行歸納總結。任務要求：1.在研究過程中，必須嚴格按照學校管理規(guī)定和倫理要求，保證實驗安全和數(shù)據(jù)可信度。2.對實驗室擺放設備、試劑等物品，需進行正確的標識和分類存儲，并做好衛(wèi)生消毒工作。3.研究過程中，需認真記錄實驗數(shù)據(jù)和情況，并組織成規(guī)范的實驗報告和技術文獻資料。4.在研究所得數(shù)據(jù)和成果方面，應按照學校學術道德規(guī)范，認真處理，禁止造假、抄襲等行為。5.所得成果需經(jīng)過學?？蒲修k公室和專家評審認定后，方可結題報告。任務進度安排：1.研究時間：兩個學期。2.第1-4周：文獻查閱和調研。3.第5-8周：制定實驗方案，安排實驗室操作和數(shù)據(jù)采集。4.第9-12周：實驗數(shù)據(jù)處理和分析，形成初步結果。5.第13-16周：討論分析實驗成果，優(yōu)化結構函數(shù)法及數(shù)據(jù)處理技術；確定論文的寫作框架。6.第17-20周：撰寫論文初稿，評審修改。7.第21-24周：完善論文寫作，進行匯報答辯。參考資料：1.S.L.Icemanetal.(2007).Investigationofthermalresistanceinadvancedpackagingstructures.IEEETransactionsonComponentsandPackagingTechnologies,30(4):807–816.2.A.Januszetal.(2014).Advancedmethodsformeasurementofthermalresistanceinmodernelectronicdevices.ReviewofScientificInstruments,85(3):031101.3.H.L.Yuetal.(2012).AccuratedeterminationofthermalresistanceofGaN-on-diamondepi-structuresbytheelectricalmethod.JournalofAppliedPhysics,111(6):063526.4.Y.Mukunokietal.(2016).MeasurementofthermalresistanceofSiCpowerdevicesbyusingatransientd