第04講 碳、硅及無機非金屬材料（練習）（學生版） 2025年高考化學一輪復習講練測（新教材新高考）

第04講碳、硅及無機非金屬材料目錄01模擬基礎練【題型一】碳及其重要化合物【題型二】硅的及其重要化合物【題型三】硅的工業(yè)制法【題型四】硅及其化合物的綜合利用【題型五】硅酸鹽材料02重難創(chuàng)新練03真題實戰(zhàn)練題型一碳及其重要化合物1．“碳中和”是指CO2的排放總量和減少總量相當。下列措施中促進碳中和最直接有效的是()A．將重質油裂解為輕質油作為燃料 B．大規(guī)模開采可燃冰作為新能源C．通過清潔煤技術減少煤燃燒污染 D．研發(fā)新型催化劑促使CO2轉化為甲醇2．中國力爭在2030年前實現(xiàn)碳達峰、2060年前實現(xiàn)碳中和，關于碳及其化合物，下列說法不正確的是()A．金剛石和石墨是碳的兩種不同的單質，二者互稱同素異形體B．在100KPa時，1mol石墨轉變?yōu)榻饎偸?.895kJ的熱量，故金剛石比石墨穩(wěn)定C．考古時常用于測定文物年代的是碳元素的一種核素146C中，中子數(shù)為8D．引起溫室效應的氣體之一CO2中含極性共價鍵3．第十三屆全國人民代表大會第四次會議政府工作報告指出“要扎實做好碳達峰、碳中和各項工作”，綠色氫能和液態(tài)陽光甲醇可助力完成碳中和目標。下列說法正確的是()A．CH3OH屬于電解質B．用焦炭與H2O反應是未來較好獲取氫能的方法C．H2與CO2反應，每生成1molCH3OH時轉移4mol電子D．植樹造林、節(jié)能減排等有利于實現(xiàn)碳中和4．部分含碳物質的分類與相應碳元素的化合價關系如圖所示。下列說法錯誤的是()A．固態(tài)p可做制冷劑用于人工降雨B．p轉化為r可通過化合反應來實現(xiàn)C．m轉化為n或o的反應均釋放能量D．n的一種同素異形體中既存在共價鍵也存在范德華力5．中國努力爭取2060年前實現(xiàn)碳中和。利用NaOH溶液噴淋捕捉空氣中的CO2，反應過程如圖所示。下列說法錯誤的是()A．捕捉室中NaOH溶液噴成霧狀有利于吸收CO2B．環(huán)節(jié)a中物質分離的基本操作是蒸發(fā)結晶C．反應過程中CaO和NaOH是可循環(huán)的物質D．可用Na2CO3溶液代替NaOH溶液捕捉CO2題型二硅的及其重要化合物6．(2024?江蘇省無錫市江陰市聯(lián)考)下列有關物質的用途的說法不正確的是()A．SiO2可用于制造光導纖維，Si可用于制造計算機芯片B．天然水晶屬于硅酸鹽產(chǎn)品C．石英砂、純堿和石灰石可用于制造普通玻璃D．濃溶液可用于刻蝕玻璃7．我國具有獨立知識產(chǎn)權的電腦芯片“龍芯一號”的問世，填補了我國計算機制造史上的一項空白。下列對晶體硅的有關敘述正確的是()A．晶體硅的結構與金剛石類似B．晶體硅的化學性質不活潑，常溫下不與任何物質發(fā)生反應C．晶體硅是一種良好的半導體材料，但是它提煉工藝復雜，價格昂貴D．晶體硅具有金屬光澤，故它屬于金屬材料，可以導電8．(2024·湖北黃岡市三模)ChatGPT是史上月活用戶增長最快的消費者應用。下列說法中不正確的是()A．硅晶片是生產(chǎn)芯片的基礎材料B．芯片制造中的“光刻技術”是利用光敏樹脂在曝光條件下成像，該過程涉及化學變化C．硅在自然界中主要以單質形式存在D．硅是應用最廣泛的半導體材料9．硅膠吸附劑的結構如圖所示，硅膠常用作干燥劑，在其中添加CoCl2可使其指示吸水量，這可用于判斷硅膠是否失效，原理如下：CoCl2(藍色)CoCl2·6H2O(粉紅色)，失效的硅膠可加熱再生。下列說法錯誤的是()。A．當硅膠變粉紅色說明硅膠失效了B．SiO2是酸性氧化物，硅膠可干燥HFC．失效的硅膠再生時加熱的溫度不宜過高D．當硅膠遇到大量的水分子時，硅膠中的羥基形成了過多氫鍵從而失去吸附力10．下列關于二氧化硅的說法正確的是()A．二氧化硅是酸性氧化物，因此能與水反應生成硅酸B．二氧化硅制成的光導纖維，由于導電能力強而被用于制造光纜C．二氧化硅不能與碳酸鈉溶液反應，但能與碳酸鈉固體在高溫時發(fā)生反應D．用二氧化硅制取單質硅時，當生成2.24L氣體(標準狀況)時，得到2.8g硅11．(2024?廣東省東莞市開學考試)部分含物質的分類與相應化合價關系如圖所示。下列說法不正確的是A．化合物是現(xiàn)代信息技術的基礎材料B．工業(yè)制取單質時同時產(chǎn)生氧化產(chǎn)物C．向溶液中通入CO2，可以實現(xiàn)的轉化D．化合物的熱穩(wěn)定性大于甲烷題型三硅的工業(yè)制法12．(2024?·河南省濮陽市質檢)工業(yè)制備高純硅的流程如圖所示。下列說法正確的是()A．反應①的化學方程式為SiO2+CSi+CO2↑B．標準狀況下，2.24LSiHCl3(l)所含分子數(shù)約為C．反應②、③均須在無氧環(huán)境中進行D．生成的高純硅可用做光導纖維13．(2024?山西省部分學校期中調研測試)高純硅是信息革命的“催化劑”．工業(yè)上制備高純硅的流程如下：下列敘述錯誤的是()A．氣體X常作滅火劑，但不能作鈉、鎂等金屬火災的滅火劑B．反應2主要作用是除去難熔性雜質C．用水吸收反應3的尾氣時要采用防倒吸裝置D．氣體Y是反應2的還原產(chǎn)物，反應3的還原劑14．(2024·河北省邯鄲市二模)工業(yè)上制備高純硅，一般需要先制得98％左右的粗硅，再以粗硅為原料制備高純硅，工藝流程如下；工業(yè)上還以粗硅為原料采用熔融鹽電解法制取甲硅烷(SiH4)，電解裝置如圖所示：下列有關說法正確的是A．制備粗硅的化學方程式：SiO2+CSi+CO2↑B．制備高純硅的工藝中可循環(huán)使用的物質只有HClC．陰極發(fā)生的電極反應：H2+2e-=2H-D．SiO2、Si、SiH都屬于共價晶體15．(2024·北京市西城區(qū)一模)硅是電子工業(yè)的重要材料。利用石英砂(主要成分為SiO2)和鎂粉模擬工業(yè)制硅的流程示意圖如下。已知：電負性：SiH下列說法不正確的是()A．I中引燃時用鎂條，利用了鎂條燃燒放出大量的熱B．Ⅱ中主要反應有：MgO+2HCl=2MgCl2+H2O、Mg2Si+4HCl=2MgCl2+SiH4↑C．為防止SiH4自燃，Ⅱ需隔絕空氣D．過程中含硅元素的物質只體現(xiàn)氧化性16．近日，清華大學等重點高校為解決中國“芯”——半導體芯片，成立了“芯片學院”。某小組擬在實驗室制造硅，其流程如圖：制造原理：2M+SiO22M+Si除雜原理：M2Si+4H=2M2+SiH4↑，M2H=M2+H2O下列說法中正確的是()A．操作1、操作2均為過濾B．均含有共價鍵，等質量的二者分子數(shù)之比為8：15C．點燃石英砂和鎂粉的混合物發(fā)生的副反應為2M+SiM2SiD．當有2mol電子轉移時，能生成14gSi17．制造芯片用到高純硅，用SiHCl3(沸點：31.85℃，SiHCl3遇水會劇烈反應)與過量H2在1100～1200℃反應制備高純硅的裝置如下圖所示(夾持裝置和尾氣處理裝置略去)，下列說法錯誤的是()A．I裝置可用于二氧化錳固體與濃鹽酸反應制備氯氣B．裝置II中盛裝的是濃H2SO4、裝置Ⅲ燒杯盛裝的是溫度高于32℃的溫水C．實驗時，先打開裝有稀硫酸儀器的活塞，收集尾氣驗純，再預熱裝置Ⅳ石英管D．IV中發(fā)生反應的化學方程式：SiHCl3+H2Si+3HCl18．工業(yè)上制備高純硅有多種方法，其中的一種工藝流程如下：已知：流化床反應器中的產(chǎn)物除SiCl4外，還有SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、FeCl3等。下列說法正確的是()A．電弧爐中發(fā)生的反應為C＋SiO2eq\o(=,\s\up7(高溫))CO2↑＋SiB．SiCl4進入還原爐之前需要經(jīng)過蒸餾提純C．每生產(chǎn)1mol高純硅，需要44.8LCl2(標準狀況)D．該工藝Si的產(chǎn)率高，符合綠色化學要求題型四硅及其化合物的綜合利用19．(2024?福建省南平市芝華中學檢測)硅是帶來人類文明的重要元素之一，從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過程中創(chuàng)造了一個又一個奇跡。(1)分別向Na2SiO3溶液中加入下列物質，能生成不溶于NaOH溶液的白色沉淀的是。①K

②稀鹽酸

③CaCl2溶液

④KNO3溶液(2)胃舒平的主要成分是氫氧化鋁，同時含有三硅酸鎂(Mg2Si3O8·4H2O)等化合物。寫出三硅酸鎂的氧化物形式為。(3)為什么實驗室中盛放NaOH溶液的試劑瓶不能用玻璃塞(用離子方程式表示)：。(4)當前制備高純硅的主要生產(chǎn)過程示意圖如下：①寫出制備粗硅的化學反應方程式：。②高純硅的用途：。(寫出一種)③整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。H2還原SiHCl3過程中若混有O2，可能引起的后果是。20．(2024?湖南省常德市第一中學月考)硅是地殼中含量第二大的元素，其單質是一種重要的半導體材料。(1)是硅的一種同位素，該Si原子的中子數(shù)為。(2)硅元素在自然界中通常以石英石(SiO2)和硅酸鹽的形式存在。已知SiO2是一種酸性氧化物，請寫出其與氫氧化鈉溶液反應的離子方程式。(3)關于硅及其相關化合物的敘述正確的是_______(填字母)。A．自然界中存在天然游離的硅單質B．已知C與的最高正價都是正四價，由于CO2+H2O=H2CO3，用類比法得知，SiO2+H2O=H2SiO3C．Na[AlSi3O8]用氧化物形式表示為Na2O·Al2O3·6SiO2D．SiO2既能和NaOH溶液反應，又能和氫氟酸反應，所以是兩性氧化物(4)高純硅單質可由石英砂(主要成分是SiO2)制得，制備高純硅的主要工藝流程如圖所示：?。柙赜袩o定形硅和晶體硅兩種單質，它們互為；ⅱ．流程④的化學反應為置換反應，寫出其化學方程式：。21．(2024?四川省內(nèi)江市威遠中學期中)“中國芯”的發(fā)展離不開單晶硅，工業(yè)上制高純硅，先制得粗硅，再制高純硅。Ⅰ.請回答：(1)工業(yè)制粗硅反應的化學方程式為。Ⅱ.某小組擬在實驗室用如圖所示裝置模擬探究四氯化硅的制備和應用(夾持裝置已省略)。已知有關信息：①，；②遇水劇烈水解，SiCl4的熔點、沸點分別為、。請回答下列問題：(2)裝無水氯化鈣的儀器名稱是。(3)若拆去B裝置，可能的后果是(寫出一個即可)。(4)有同學最初將E、F、G裝置設計成圖甲所示裝置，圖甲裝置的主要缺點是(寫出一個即可)。(5)已知NH4Cl在高溫條件下易分解生成NH3和HCl。利用SiCl4和NH3制備新型無機非金屬材料(Si3N4)的裝置如圖乙，寫出該反應的化學方程式：。利用尾氣制備鹽酸，宜選擇下列裝置中的(填序號)。22．硅是帶來人類文明的重要元素之一，從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過程中創(chuàng)造了一個又一個奇跡。(1)新型陶瓷Si3N4的熔點高、硬度大、化學性質穩(wěn)定。工業(yè)上可以采用化學氣相沉積法，在H2的保護下，使SiCl4與N2反應生成Si3N4沉積在石墨表面，寫出該反應的化學方程式：_______________________。(2)一種工業(yè)用硅(含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物)，已知硅的熔點是1420℃，高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅。一種合成氮化硅的主要工藝流程如下：①凈化N2和H2時，銅屑的作用是______________________，硅膠的作用是________________________。②在氮化爐中發(fā)生反應：3SiO2(s)＋2N2(g)=Si3N4(s)＋3O2(g)ΔH＝－727.5kJ·mol－1，開始時，嚴格控制氮氣的流速以控制溫度的原因是____________________________________________；體系中要通入適量的氫氣是為了___________________________________________________。③X可能是________(填“鹽酸”“硝酸”“硫酸”或“氫氟酸”)。(3)工業(yè)上可以通過如圖所示的流程制取純硅：①整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應，寫出該反應的化學方程式：__________________________________________________________________________。②假設每一輪次制備1mol純硅，且生產(chǎn)過程中硅元素沒有損失，反應Ⅰ中HCl的利用率為90%，反應Ⅱ中H2的利用率為93.75%。則在第二輪次的生產(chǎn)中，補充HCl和H2的物質的量之比是________。23．我國能夠造出幾百萬一顆的衛(wèi)星芯片，但是在智能手機芯片上卻屢屢遭到美國壟斷。制造手機芯片需要高純硅，工業(yè)上制取高純硅的流程如圖。請根據(jù)所學知識回答下列問題。(1)石英砂的主要成分為____________(填化學式)，實驗室不能用石英坩堝熔融氫氧化鈉的原因是________________________。(2)整個過程中可以循環(huán)利用的物質為____________(填化學式)。(3)晶體硅為灰黑色固體，溶于氫氟酸可生成氫氣。寫出晶體硅與氫氟酸反應的化學方程式：__________________。(4)某科研團隊設計了一種以硅作為基底的微型直接氫氣酸性燃料電池，其工作原理如圖所示：①電池工作時，電子由______(填“A”或“B”，下同)電極流向______電極。②電池工作時，B電極上的電極反應式為__________________。③每轉移，A電極消耗標準狀況下的O2的體積為______L。題型五硅酸鹽材料24．(2024·黑龍江省哈爾濱市三模)龍是中華民族精神的象征，以下與龍有關文物的敘述錯誤的是()A．“月白地云龍紋緙絲單朝袍”所使用絲的主要材質為纖維素B．“東漢瑪瑙龍頭雕刻品”的主要成分為二氧化硅C．“戰(zhàn)國青銅雙翼神龍”的主要材質為銅合金D．“龍首人身陶生肖俑”是以黏土為主要原料，經(jīng)高溫燒結而成25．(2023·廣東省韶關市二模)中國文物具有鮮明的時代特征。下列源自廣東韶關的文物的主要成分不屬于硅酸鹽的是()A．清綠地素三彩花卉撇口碗B．明代三彩孩童騎牛陶俑C．南朝弦紋三足銅鐺D．東晉咸和二年醬褐釉陶牛車模型26．(2023·浙江省紹興高三選考模擬)龍泉窯是中國歷史上的一個名窯，是中國制瓷史上延續(xù)歷史最長的一個瓷窯系，龍泉窯以燒制青瓷而聞名，下列有關說法錯誤的是()A．高溫燒結過程包含復雜的化學變化 B．瓷器具有耐酸堿腐蝕、不易變形的優(yōu)點C．制作瓷器所用的黏土原料是人工合成的 D．瓷器屬于硅酸鹽產(chǎn)品，含有多種金屬元素27．《天工開物》記載：“凡埏泥造瓦，掘地二尺余，擇取無砂粘土而為之”，“凡坯既成，干燥之后，則堆積窖中燃薪舉火”，“澆水轉釉(主要為青色)，與造磚同法”。下列說法錯誤的是()A．粘土是制作磚瓦和陶瓷的主要原料B．“燃薪舉火”使粘土發(fā)生復雜的物理化學變化C．沙子和粘土的主要成分均為硅酸鹽D．燒制后自然冷卻成紅瓦，澆水冷卻成青瓦28．“九秋風露越窯開，奪得千峰翠色來”是贊譽越窯秘色青瓷的詩句，描繪我國古代精美的青瓷工藝品。玻璃、水泥和陶瓷均為硅酸鹽制品，下列有關說法中正確的是()A．玻璃是人類最早使用的硅酸鹽制品B．制水泥的原料為純堿、石灰石和石英C．硅酸鹽制品的性質穩(wěn)定、熔點較高D．沙子和黏土的主要成分均為硅酸鹽29．宋代五大名窯分別為：鈞窯、汝窯、官窯、定窯、哥窯。其中鈞窯以“入窯一色，出窯萬彩”的神奇窯變著稱。下列關于陶瓷的說法不正確的是()A．窯變是高溫下釉料中的金屬化合物發(fā)生氧化還原反應導致的顏色變化B．氧化鋁陶瓷屬于新型無機非金屬材料C．高品質的瓷器晶瑩剔透，屬于純凈物D．陶瓷屬于硅酸鹽材料，耐酸堿腐蝕，但是不能用來盛裝氫氟酸30．水泥是重要的建筑材料，硅酸鹽水泥主要為硅酸二鈣(2CaO·SiO2)、硅酸三鈣(3CaO·SiO2)、鋁酸三鈣(3CaO·Al2O3)。鐵鋁酸四鈣(4CaO·Al2O3·Fe2O3)和氧化鎂等的混合物?！端嗷瘜W分析方法》中用EDTA(一種常用作滴定金屬離子含量的有機物)滴定法測定水泥樣品中鈣、鎂的含量。其過程如圖所示：已知：相關金屬離子濃度為0.1mol/L時，形成氫氧化物沉淀的pH范圍如表：金屬離子Mg2+Ca2+Al3+Fe3+開始沉淀的pH1113.53.52完全沉淀的pH13>144.53.5回答下列問題：(1)工業(yè)制水泥的主要原料是黏土和______(填名稱)。(2)步驟①中選擇用銀坩堝而不用瓷坩堝，其理由是_____.濾渣的主要成分為_____。(填化學式)。(3)步驟③中加入的酒石酸鈉和三乙醇胺作為掩蔽劑，可掩蔽雜質離子的干擾，在該過程中，主要掩蔽的離子有_____。掩蔽劑需要在調pH前加入，若在堿性溶液中則起不到掩蔽作用，試從要掩蔽的離子性質分析原因：_______。(4)步驟④和⑤中，調pH時，最好選用試劑_____(填序號)。A．氨水B．MgOC．CaCO3(5)水泥樣品中的鈣的含量通過步驟④滴定結果可計算得出；而步驟⑤滴定的是鈣、鎂總量，所以測定鎂的含量準確性還依賴于步驟④。當溶液pH大于12時，會生成硅酸鈣沉淀，所以若滴定前，溶液中還有少量的硅酸，則需加入適量氟化鉀，以消除硅酸的干擾。若未加氟化鉀，殘留的硅酸會使鎂含量測定結果______(填“偏高”“偏低”或“無影響”)。(6)鎂含量的測定還受水泥試樣中一氧化錳含量的影響，當一氧化錳含量小于0.5%時，干擾不明顯，可忽略不計；但大于0.5%時，還需要再測出一氧化錳含量。一氧化錳的測定是在硫酸介質中，用高碘酸鉀將其氧化為高錳酸根離子，進行測量。寫出該過程中反應的離子方程式：______(該反應中的一種產(chǎn)物可以作為食鹽的添加劑)。1．(2024·甘肅省二模)化學與社會發(fā)展和人類進步息息相關。下列說法不正確的是()A．華為Mate60pro系列“爭氣機”的芯片材料主要為晶體硅B．用機械剝離法從石墨中分離出的石墨烯能導電，石墨烯與金剛石互為同素異形體C．國產(chǎn)飛機C919用到的氨化硅陶瓷是新型無機非金屬材料D．“神舟十七號”飛船返回艙表層材料中的玻璃纖維屬于天然有機高分子2．(2024?湖南省常德市月考)2023年是我國實施新型基礎設施建設的重要時期，在包括5G基站建設、城際高速鐵路和城市軌道交通等領域都取得矚目成就，其中涉及各種化學材料。下列相關說法錯誤的是()A．中國自主研發(fā)的首個5G微基站射頻芯片的主要材料是SiB．高鐵動車的車廂廂體由不銹鋼和鋁合金制成，不銹鋼和鋁合金均屬于金屬材料C．國產(chǎn)飛機C919用到的氮化硅陶瓷是新型無機非金屬材料D．石英玻璃、碳化硅陶瓷、水泥、石墨烯都是硅酸鹽材料3．(2024?高三下·河北省石家莊市第十七中學月考)2024年央視春晚首次應用5G-A技術，Al含量高，硬科技霸屏，下列有關說法錯誤的是()A．舞蹈《瓷影》所詮釋的青花瓷，其主要原材料為含水的鋁硅酸鹽B．晚會采用的LED屏，其發(fā)光材料通常是以Si3N4為基礎，用Al取代部分Si，用O取代部分N后所得的陶瓷制作而成C．5G-A技術所需高頻通訊材料之一的LCP(液晶高分子)在一定加熱狀態(tài)下一般會變成液晶，液晶既具有液體的流動性，又表現(xiàn)出類似晶體的各向異性D．芯片中二氧化硅優(yōu)異的半導體性能。使得晚會上各種AI技術得以完美體現(xiàn)4．(2024·江西省宜春市高三模擬)某研究小組用鋁土礦為原料制備絮凝劑聚合氯化鋁{，}按如圖流程開展實驗。已知：①鋁土礦主要成分為Al2O3，含少量Fe2O3和SiO2。用溶液溶解鋁土礦過程中SiO2轉變?yōu)殡y溶性的硅酸鹽。②的絮凝效果可用鹽基度衡量，鹽基度。當鹽基度為0.60~0.85時，絮凝效果較好。下列說法正確的是()A．步驟I所得濾液中主要溶質的化學式是NaAlO2、NaOH和Na2SiO3B．步驟Ⅱ，可以用代替CO2C．步驟Ⅲ，為減少Al(OH)3吸附的雜質，洗滌時需對漏斗中的沉淀充分攪拌D．步驟V采用蒸汽浴加熱。若用酒精燈直接加熱受熱不均勻，會導致產(chǎn)品鹽基度不均勻5．(2024?湖北省部分省示范高中期中測試)如今，半導體“硅”已經(jīng)成為信息時代高科技的代名詞，高純硅是現(xiàn)代信息、半導體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)的基礎材料。制備高純硅的主要工藝流程如圖所示：已知：SiHCl3極易水解，反應過程中會產(chǎn)生氫氣。回答下列問題：(1)二氧化硅和硅酸鹽是構成地殼中大部分巖石、沙子和土壤的主要微粒，SiO2的晶體類型為。(2)寫出④的化學方程式為。(3)以上①~⑤的流程中，包含置換反應的是(填序號)。整個操作流程都需隔絕空氣，原因是(答出兩條即可)。(4)氮化硼陶瓷基復合材料電推進系統(tǒng)及以SiC單晶制作器件，在航空航天特殊環(huán)境下具有廣泛的應用前景?？茖W家用金屬鈉、四氯化碳和四氯化硅制得了SiC納米棒，反應的化學方程式為。(5)在硅酸鹽中，SiO44-四面體［如下圖(a)］通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大結構型式。圖(b)為一種鏈狀結構的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為，其化學式為。6．(2024?江蘇省南京市期中)地球上既有遼闊的海洋也有浩瀚的沙漠。(1)“從沙灘到用戶”的關鍵第一步反應是利用石英砂可以制備粗硅，其反應的方程式為；(2)下圖的實驗裝置中，在試管C中觀察到凝膠狀的白色沉淀。反應的化學方程式為。裝置A中發(fā)生反應的離子方程式。有同學依據(jù)以上實驗得出以下一些結論，其中正確的是(填序號)。A．物質的酸性：B．元素的非金屬性：Cl>C>SiC．試管B中飽和NaHCO3溶液的主要作用是除去CO2氣體中溫有的HClD．在試管B中發(fā)生反應的離子方程式為：HCO3-+H+=H2O+CO2↑(3)硅酸鈉溶液是一種粘稠的液體，這與硅酸根離子的長鍵結構有關：在硅酸根離子中每個Si原子都與四個O原子相連形成四面體，人們常稱之為“硅氧四面體”，硅氧四面體通過共用O原子可以彼此相連形成長鏈。俯視為簡化為連成長鏈用激光筆照射Na2SiO3溶液，發(fā)現(xiàn)有丁達爾現(xiàn)象。依據(jù)膠體微粒大小對其中所含原子數(shù)的估算，膠體微粒中大約會含有個原子。假設硅酸鈉溶液中硅酸根離子含有1000個原子，那么在硅酸根離子的長鏈中，包含有個硅氧四面體的結構單元。7．(2024?天津市軍糧城中學質檢)明礬是生活中常見的凈水劑，用鋁土礦含30%SiO2、40.8%Al2O3和和少量等制取明礬的工藝如下：(1)焙燒除鐵反應：(少部分發(fā)生類似反應)，氣體的化學式為。(2)操作①的名稱是，操作①后，需洗滌固體表面吸附的離子，判斷固體是否洗滌干凈的實驗方法是：取最后一次洗滌后的浸出液于試管中，滴加溶液，觀察到，說明已洗滌干凈。(3)固體加稀硫酸反應的離子方程式為。(4)固體與固體焙燒可制備防火材料，下列裝置適合的是填字母編號。(5)不計過程中的損失，投入鋁土礦，理論上可制得明礬明礬的相對分子質量為474)。8．芯片是國家科技的心臟。在硅及其化合物上進行蝕刻是芯片制造中非常重要的環(huán)節(jié)。三氟化氮(NF3)、四氟化碳(CF4)是常見的蝕刻劑。(1)高純?nèi)獙Χ趸杈哂袃?yōu)異的蝕刻速率和選擇性。①二氧化硅的晶胞結構如圖所示，二氧化硅晶體中硅原子周圍最近的硅原子有_______個。②工業(yè)上常采用F2直接氟化尿素［CO(NH2)2]的方法生產(chǎn)NF3。得到的NF3中常含有少量CF4。常溫下，三種物質在水中的溶解性大小順序為：CF4<NF3<NH3，原因是_______。(2)四氟化碳的一種蝕刻機理是：CF4在等離子體的條件下產(chǎn)生活性自由基(?F)，該自由基易與硅及其化合物中的硅原子結合生成SiF4氣體從而達到蝕刻目的。用CF4(g)進行蝕刻時常與氧氣混合，當混合氣體的流速分別為80mL·min-1和100mL·min-1時，蝕刻速率隨混合氣體中O2和CF4體積之比［V(O2)/V(CF4)]的變化如圖所示。①a點蝕刻速率比b點快的原因是_______。②蝕刻速率隨V(O2)/V(CF4)先升高后降低的原因是_______。(3)NF3是一種強溫室氣體，消除大氣中的NF3對于環(huán)境保護具有重要意義。國內(nèi)某科研團隊研究了利用氫自由基(·H)的脫氟反應實現(xiàn)NF3的降解。降解生成·NF2和HF的兩種反應歷程如圖所示。其中直接抽提反應是降解的主要歷程，原因是_______。

1．(2023?湖南卷，1)中華文化源遠流長，化學與文化傳承密不可分。下列說法錯誤的是()A．青銅器“四羊方尊”的主要材質為合金B(yǎng)．長沙走馬樓出土的竹木簡牘主要成分是纖維素C．蔡倫采用堿液蒸煮制漿法造紙，該過程不涉及化學變化D．銅官窯彩瓷是以黏土為主要原料，經(jīng)高溫燒結而成2．(2022·浙江省1月選考，10)關于反應4CO2+SiH44CO+2H2O+SiO2，下列說法正確的是()A．CO是氧化產(chǎn)物 B．SiH4發(fā)生還原反應C．氧化劑與還原劑的物質的量之比為1∶4 D．生成1molSiO2時，轉移8mol電子3．(2022?福建卷，1)福建多個科研機構經(jīng)過長期聯(lián)合研究發(fā)現(xiàn)，使用C60和改性的Cu基催化劑，可打