三極管的高頻等效模型

§4.7.2晶體管的高頻等效模型三極管在高頻運用時的物理過程與低頻運用時不同。例如，在高頻時，三極管極間電容的作用及接線電容的影響不可忽略。

一、晶體管的混合模型

二、晶體管電流放大倍數(shù)的頻率響應1一、晶體管的混合模型1、完整的混合模型

2、簡化的混合模型

3、混合模型的主要參數(shù)2一、晶體管的混合模型1、完整的混合模型我們在計算h參數(shù)的

h11(rbe)時，曾用到了晶

體管的物理模型，當時

沒有考慮極間電容，考

慮到極間電容后的物理

模型如圖所示：3一、晶體管的混合模型與此相對應的混合模型如下：

圖中g(shù)m為跨導：4一、晶體管的混合模型2、簡化的混合模型通常，rce遠大于負載電阻，而也遠大于C

的容抗，認為二者開路，如圖：5一、晶體管的混合模型

由于C

跨接在輸入與輸出回路之間，使電路分析變復雜。因此，為簡單起見，將C

等效在輸入回路和輸出回路，稱為單向化。如圖所示：6一、晶體管的混合模型

等效變換過程如下，變換前，從左往右看流過C

的電流為：7一、晶體管的混合模型

為保證等效變換，要求流過C′

的電流不變，端電壓為，其容抗為：8一、晶體管的混合模型近似計算時，取中頻時的值，即因此：同理，從C

的右端看進去，可得出：9一、晶體管的混合模型一般情況下，的容抗遠大于集電極的總負載，可以忽略，由此可得出簡化的混合模型如下：10一、晶體管的混合模型3、混合模型的主要參數(shù)

簡化的混合模型有四個電路參數(shù)：

⑴：半導體器件手冊中給出；⑵

：

11一、晶體管的混合模型⑶gm：與h參數(shù)模型相比，受控電流源的表達方

式不同，但表述的是同一物理量，即：12一、晶體管的混合模型⑷C′

：

C

的求解過程下面分析。13二、晶體管電流放大倍數(shù)的頻率響應

在高頻段，由于極間電容的存在，使晶體管的電流放大倍數(shù)不再象低頻時保持常數(shù)，而是頻率的函數(shù)。根據(jù)定義：因此14二、晶體管電流放大倍數(shù)的頻率響應

如圖所示：15二、晶體管電流放大倍數(shù)的頻率響應

16二、晶體管電流放大倍數(shù)的頻率響應可見的頻率響應與低通電路相似，令：

?

稱為共射截止頻率。17二、晶體管電流放大倍數(shù)的頻率響應其對數(shù)幅頻特性與對數(shù)相頻特性為：18二、晶體管電流放大倍數(shù)的頻率響應由此畫出波特圖：

圖中?T是使下降到1（0dB）時的頻率。

19二、晶體管電流放大倍數(shù)的頻率響應令對數(shù)幅頻特性等于零可以求出?T：20二、晶體管電流放大倍數(shù)的頻率響應因為?T>>?

，所以21二、晶體管電流放大倍數(shù)的頻率響應在半導體手冊可以查出?T和C

(Cob)，這樣就可以計算出C

，而：至此，我們已得到混合模型的所有四個參數(shù)。22二、晶體管電流放大倍數(shù)的頻率響應利用的表達式，可以求出