上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)知識點總結(jié)

第一章材料中的原子排列第一節(jié)原子的結(jié)合方式1原子結(jié)構(gòu)2原子結(jié)合鍵（1）離子鍵與離子晶體原子結(jié)合：電子轉(zhuǎn)移，結(jié)合力大，無方向性和飽和性；離子晶體；硬度高，脆性大，熔點高、導(dǎo)電性差。如氧化物陶瓷。（2）共價鍵與原子晶體原子結(jié)合：電子共用，結(jié)合力大，有方向性和飽和性；原子晶體：強度高、硬度高（金剛石）、熔點高、脆性大、導(dǎo)電性差。如高分子材料。（3）金屬鍵與金屬晶體原子結(jié)合：電子逸出共有，結(jié)合力較大，無方向性和飽和性；金屬晶體：導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性、延展性好，熔點較高。如金屬。金屬鍵：依靠正離子與構(gòu)成電子氣的自由電子之間的靜電引力而使諸原子結(jié)合到一起的方式。（3）分子鍵與分子晶體原子結(jié)合：電子云偏移，結(jié)合力很小，無方向性和飽和性。分子晶體：熔點低，硬度低。如高分子材料。氫鍵：（離子結(jié)合）X-H---Y（氫鍵結(jié)合），有方向性，如O-H—O（4）混合鍵。如復(fù)合材料。3結(jié)合鍵分類（1）一次鍵（化學(xué)鍵）：金屬鍵、共價鍵、離子鍵。（2）二次鍵（物理鍵）：分子鍵和氫鍵。4原子的排列方式（1）晶體：原子在三維空間內(nèi)的周期性規(guī)則排列。長程有序，各向異性。（2）非晶體：――――――――――不規(guī)則排列。長程無序，各向同性。第二節(jié)原子的規(guī)則排列一晶體學(xué)基礎(chǔ)1空間點陣與晶體結(jié)構(gòu)（1）空間點陣：由幾何點做周期性的規(guī)則排列所形成的三維陣列。圖1-5特征：a原子的理想排列；b有14種。其中：空間點陣中的點－陣點。它是純粹的幾何點，各點周圍環(huán)境相同。描述晶體中原子排列規(guī)律的空間格架稱之為晶格?？臻g點陣中最小的幾何單元稱之為晶胞。（2）晶體結(jié)構(gòu)：原子、離子或原子團按照空間點陣的實際排列。特征：a可能存在局部缺陷；b可有無限多種。2晶胞圖1－6（1）――－：構(gòu)成空間點陣的最基本單元。（2）選取原則：a能夠充分反映空間點陣的對稱性；b相等的棱和角的數(shù)目最多；c具有盡可能多的直角；d體積最小。（3）形狀和大小有三個棱邊的長度a,b,c及其夾角α,β,γ表示。（4）晶胞中點的位置表示（坐標(biāo)法）。3布拉菲點陣圖1－714種點陣分屬7個晶系。4晶向指數(shù)與晶面指數(shù)晶向：空間點陣中各陣點列的方向。晶面：通過空間點陣中任意一組陣點的平面。國際上通用米勒指數(shù)標(biāo)定晶向和晶面。（1）晶向指數(shù)的標(biāo)定a建立坐標(biāo)系。確定原點（陣點）、坐標(biāo)軸和度量單位（棱邊）。b求坐標(biāo)。u’,v’,w’。c化整數(shù)。u,v,w.d加[]。[uvw]。說明：a指數(shù)意義：代表相互平行、方向一致的所有晶向。b負(fù)值：標(biāo)于數(shù)字上方，表示同一晶向的相反方向。c晶向族：晶體中原子排列情況相同但空間位向不同的一組晶向。用<uvw>表示，數(shù)字相同，但排列順序不同或正負(fù)號不同的晶向?qū)儆谕痪蜃?。?）晶面指數(shù)的標(biāo)定a建立坐標(biāo)系：確定原點（非陣點）、坐標(biāo)軸和度量單位。b量截距：x,y,z。c取倒數(shù)：h’,k’,l’。d化整數(shù)：h,k,k。e加圓括號：(hkl)。說明：a指數(shù)意義：代表一組平行的晶面；b0的意義：面與對應(yīng)的軸平行；c平行晶面：指數(shù)相同，或數(shù)字相同但正負(fù)號相反；d晶面族：晶體中具有相同條件（原子排列和晶面間距完全相同），空間位向不同的各組晶面。用{hkl}表示。e若晶面與晶向同面，則hu+kv+lw=0;f若晶面與晶向垂直，則u=h,k=v,w=l。（3）六方系晶向指數(shù)和晶面指數(shù)a六方系指數(shù)標(biāo)定的特殊性：四軸坐標(biāo)系（等價晶面不具有等價指數(shù)）。b晶面指數(shù)的標(biāo)定標(biāo)法與立方系相同(四個截距)；用四個數(shù)字(hkil)表示；i=-(h+k)。c晶向指數(shù)的標(biāo)定標(biāo)法與立方系相同(四個坐標(biāo))；用四個數(shù)字(uvtw)表示；t=-(u+w)。依次平移法：適合于已知指數(shù)畫晶向（末點）。坐標(biāo)換算法：[UVW]~[uvtw]u=(2U-V)/3,v=(2V-U)/3,t=-(U+V)/3,w=W。（4）晶帶a――：平行于某一晶向直線所有晶面的組合。晶帶軸晶帶面b性質(zhì)：晶帶用晶帶軸的晶向指數(shù)表示；晶帶面//晶帶軸；hu+kv+lw=0c晶帶定律凡滿足上式的晶面都屬于以[uvw]為晶帶軸的晶帶。推論：(a)由兩晶面(h1k1l1)(h2k2l2)求其晶帶軸[uvw]：u=k1l2-k2l1;v=l1h2-l2h1;w=h1k2-h2k1。(b)由兩晶向[u1v1w1][u2v2w2]求其決定的晶面(hkl)。H=v1w1-v2w2;k=w1u2-w2u1;l=u1v2-u2v1。（5）晶面間距a――：一組平行晶面中，相鄰兩個平行晶面之間的距離。b計算公式（簡單立方）：d=a/(h2+k2+l2)1/2注意：只適用于簡單晶胞；對于面心立方hkl不全為偶、奇數(shù)、體心立方h+k+l=奇數(shù)時，d(hkl)=d/2。二典型晶體結(jié)構(gòu)及其幾何特征1三種常見晶體結(jié)構(gòu)面心立方（A1,FCC）體心立方（A1,BCC）密排六方（A3,HCP）晶胞原子數(shù)426點陣常數(shù)a=2/2ra=4/3/3ra=2r配位數(shù)128（8＋6）12致密度0.740.680.74堆垛方式ABCABC..ABABAB..ABABAB..結(jié)構(gòu)間隙正四面體正八面體四面體扁八面體四面體正八面體（個數(shù)）84126126（rB/rA）0.2250.4140.290.150.2250.414配位數(shù)（CN）：晶體結(jié)構(gòu)中任一原子周圍最近且等距離的原子數(shù)。致密度（K）：晶體結(jié)構(gòu)中原子體積占總體積的百分?jǐn)?shù)。K=nv/V。間隙半徑（rB）：間隙中所能容納的最大圓球半徑。2離子晶體的結(jié)構(gòu)（1）鮑林第一規(guī)則（負(fù)離子配位多面體規(guī)則）：在離子晶體中，正離子周圍形成一個負(fù)離子配位多面體，正負(fù)離子間的平衡距離取決于正負(fù)離子半徑之和，正離子的配位數(shù)取決于正負(fù)離子的半徑比。（2）鮑林第二規(guī)則（電價規(guī)則含義）：一個負(fù)離子必定同時被一定數(shù)量的負(fù)離子配位多面體所共有。（3）鮑林第三規(guī)則（棱與面規(guī)則）：在配位結(jié)構(gòu)中，共用棱特別是共用面的存在，會降低這個結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。3共價鍵晶體的結(jié)構(gòu)（1）飽和性：一個原子的共價鍵數(shù)為8-N。（2）方向性：各鍵之間有確定的方位（配位數(shù)小，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定）三多晶型性元素的晶體結(jié)構(gòu)隨外界條件的變化而發(fā)生轉(zhuǎn)變的性質(zhì)。四影響原子半徑的因素（1）溫度與應(yīng)力（2）結(jié)合鍵的影響（3）配位數(shù)的影響（高配位結(jié)構(gòu)向低配位結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變時，體積膨脹，原子半徑減小減緩體積變化。（4）核外電子分布的影響（一周期內(nèi)，隨核外電子數(shù)增加至填滿，原子半徑減小至一最小值。第三節(jié)原子的不規(guī)則排列原子的不規(guī)則排列產(chǎn)生晶體缺陷。晶體缺陷在材料組織控制（如擴散、相變）和性能控制（如材料強化）中具有重要作用。晶體缺陷：實際晶體中與理想點陣結(jié)構(gòu)發(fā)生偏差的區(qū)域。（晶體缺陷可分為以下三類。）點缺陷：在三維空間各方向上尺寸都很小的缺陷。如空位、間隙原子、異類原子等。線缺陷：在兩個方向上尺寸很小，而另一個方向上尺寸較大的缺陷。主要是位錯。面缺陷：在一個方向上尺寸很小，在另外兩個方向上尺寸較大的缺陷。如晶界、相界、表面等。一點缺陷1點缺陷的類型圖1－31（1）空位：肖脫基空位－離位原子進入其它空位或遷移至晶界或表面。弗蘭克爾空位－離位原子進入晶體間隙。（2）間隙原子：位于晶體點陣間隙的原子。（3）置換原子：位于晶體點陣位置的異類原子。2點缺陷的平衡濃度（1）點缺陷是熱力學(xué)平衡的缺陷－在一定溫度下，晶體中總是存在著一定數(shù)量的點缺陷（空位），這時體系的能量最低－具有平衡點缺陷的晶體比理想晶體在熱力學(xué)上更為穩(wěn)定。（原因：晶體中形成點缺陷時，體系內(nèi)能的增加將使自由能升高，但體系熵值也增加了，這一因素又使自由能降低。其結(jié)果是在G-n曲線上出現(xiàn)了最低值，對應(yīng)的n值即為平衡空位數(shù)。）（2）點缺陷的平衡濃度C=Aexp(-?Ev/kT)3點缺陷的產(chǎn)生及其運動（1）點缺陷的產(chǎn)生平衡點缺陷：熱振動中的能力起伏。過飽和點缺陷：外來作用，如高溫淬火、輻照、冷加工等。（2）點缺陷的運動（遷移、復(fù)合－濃度降低；聚集－濃度升高－塌陷）4點缺陷與材料行為（1）結(jié)構(gòu)變化：晶格畸變（如空位引起晶格收縮，間隙原子引起晶格膨脹，置換原子可引起收縮或膨脹。）（2）性能變化：物理性能（如電阻率增大，密度減小。）力學(xué)性能（屈服強度提高。）二線缺陷（位錯）位錯：晶體中某處一列或若干列原子有規(guī)律的錯排。意義：（對材料的力學(xué)行為如塑性變形、強度、斷裂等起著決定性的作用，對材料的擴散、相變過程有較大影響。）位錯的提出：1926年，弗蘭克爾發(fā)現(xiàn)理論晶體模型剛性切變強度與與實測臨界切應(yīng)力的巨大差異（2～4個數(shù)量級）。1934年，泰勒、波朗依、奧羅萬幾乎同時提出位錯的概念。1939年，柏格斯提出用柏氏矢量表征位錯。1947年，柯垂耳提出溶質(zhì)原子與位錯的交互作用。1950年，弗蘭克和瑞德同時提出位錯增殖機制。之后，用TEM直接觀察到了晶體中的位錯。1位錯的基本類型（1）刃型位錯模型：滑移面/半原子面/位錯線（位錯線┻晶體滑移方向，位錯線┻位錯運動方向，晶體滑移方向//位錯運動方向。）分類：正刃型位錯（┻）；負(fù)刃型位錯（┳）。（2）螺型位錯模型：滑移面/位錯線。（位錯線//晶體滑移方向，位錯線┻位錯運動方向，晶體滑移方向┻位錯運動方向。）分類：左螺型位錯；右螺型位錯。（3）混合位錯模型：滑移面/位錯線。2位錯的性質(zhì)（1）形狀：不一定是直線，位錯及其畸變區(qū)是一條管道。（2）是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界。（3）不能中斷于晶體內(nèi)部?？稍诒砻媛额^，或終止于晶界和相界，或與其它位錯相交，或自行封閉成環(huán)。3柏氏矢量（1）確定方法(避開嚴(yán)重畸變區(qū))a在位錯周圍沿著點陣結(jié)點形成封閉回路。b在理想晶體中按同樣順序作同樣大小的回路。c在理想晶體中從終點到起點的矢量即為――。（2）柏氏矢量的物理意義a代表位錯，并表示其特征（強度、畸變量）。b表示晶體滑移的方向和大小。c柏氏矢量的守恒性（唯一性）：一條位錯線具有唯一的柏氏矢量。d判斷位錯的類型。（3）柏氏矢量的表示方法a表示:b=a/n[uvw]（可以用矢量加法進行運算）。b求模：/b/=a/n[u2+v2+w2]1/2。4位錯密度（1）表示方法：ρ＝K/Vρ＝n/A（2）晶體強度與位錯密度的關(guān)系（τ-ρ圖）。（3）位錯觀察：浸蝕法、電境法。5位錯的運動（1）位錯的易動性。（2）位錯運動的方式a滑移：位錯沿著滑移面的移動。刃型位錯的滑移：具有唯一的滑移面螺型位錯的滑移：具有多個滑移面。位錯環(huán)的滑移：注重柏氏矢量的應(yīng)用。b攀移：刃型位錯在垂直于滑移面方向上的運動。機制：原子面下端原子的擴散――位錯隨半原子面的上下移動而上下運動。分類：正攀移（原子面上移、空位加入）/負(fù)攀移（原子面下移、原子加入）。應(yīng)力的作用：（半原子面?zhèn)龋簯?yīng)力有利于正攀移，拉應(yīng)力有利于負(fù)攀移。（3）作用在位錯上的力（單位距離上）滑移：f=τb；攀移：f=σb。6位錯的應(yīng)變能與線張力（1）單位長度位錯的應(yīng)變能：W=αGb2。（α＝0.5~1.0,螺位錯取下限，刃位錯取上限。）（2）位錯是不平衡的缺陷。（商增不能抵銷應(yīng)變能的增加。）（3）位錯的線張力：T=αGb2。（4）保持位錯彎曲所需的切應(yīng)力：τ＝Gb/2r。7位錯的應(yīng)力場及其與其它缺陷的作用（1）應(yīng)力場螺位錯：τ＝Gb/2πr。（只有切應(yīng)力分量。）刃位錯：表達(dá)式（式1－9）晶體中：滑移面以上受壓應(yīng)力，滑移面以下受拉應(yīng)力?；泼妫褐挥星袘?yīng)力。（2）位錯與位錯的交互作用f=τb，f=－σb（刃位錯）。同號相互排斥，異號相互吸引。（達(dá)到能量最低狀態(tài)。）（3）位錯與溶質(zhì)原子的相互作用間隙原子聚集于位錯中心，使體系處于低能態(tài)。柯氏氣團：溶質(zhì)原子在位錯線附近偏聚的現(xiàn)象。（4）位錯與空位的交互作用導(dǎo)致位錯攀移。8位錯的增殖、塞積與交割（1）位錯的增殖：F-R源。（2）位錯的塞積分布：逐步分散。位錯受力：切應(yīng)力作用在位錯上的力、位錯間的排斥力、障礙物的阻力。（3）位錯的交割位錯交割后結(jié)果：按照對方位錯柏氏矢量（變化方向和大?。?。割階：位錯交割后的臺階不位于它原來的滑移面上。扭折：――――――――位于―――――――――。對性能影響：增加位錯長度，產(chǎn)生固定割階。9位錯反應(yīng)（1）位錯反應(yīng)：位錯的分解與合并。（2）反應(yīng)條件幾何條件：∑b前=∑b后；反應(yīng)前后位錯的柏氏矢量之和相等。能量條件：∑b2前>∑b2后;反應(yīng)后位錯的總能量小于反應(yīng)前位錯的總能量。10實際晶體中的位錯（1）全位錯：通常把柏氏矢量等于點陣矢量的位錯稱為全位錯或單位位錯。（實際晶體中的典型全位錯如表1－7所示）（2）不全位錯：柏氏矢量小于點陣矢量的位錯。（實際晶體中的典型不全位錯如表1－7所示）（3）肖克萊和弗蘭克不全位錯。肖克萊不全位錯的形成：原子運動導(dǎo)致局部錯排，錯排區(qū)與完整晶格區(qū)的邊界線即為肖克萊不全位錯。（結(jié)合位錯反應(yīng)理解?？蔀槿行?、螺型或混合型位錯。）弗蘭克不全位錯的形成：在完整晶體中局部抽出或插入一層原子所形成。（只能攀移，不能滑移。）（4）堆垛層錯與擴展位錯堆垛層錯：晶體中原子堆垛次序中出現(xiàn)的層狀錯排。擴展位錯：一對不全位錯及中間夾的層錯稱之。三面缺陷面缺陷主要包括晶界、相界和表面，它們對材料的力學(xué)和物理化學(xué)性能具有重要影響。1晶界（1）晶界：兩個空間位向不同的相鄰晶粒之間的界面。（2）分類大角度晶界：晶粒位向差大于10度的晶界。其結(jié)構(gòu)為幾個原子范圍內(nèi)的原子的混亂排列，可視為一個過渡區(qū)。小角度晶界：晶粒位向差小于10度的晶界。其結(jié)構(gòu)為位錯列，又分為對稱傾側(cè)晶界和扭轉(zhuǎn)晶界。亞晶界：位向差小于1度的亞晶粒之間的邊界。為位錯結(jié)構(gòu)。孿晶界：兩塊相鄰孿晶的共晶面。分為共格孿晶界和非共格孿晶界。2相界（1）相界：相鄰兩個相之間的界面。（2）分類：共格、半共格和非共格相界。3表面（1）表面吸附：外來原子或氣體分子在表面上富集的現(xiàn)象。（2）分類物理吸附：由分子鍵力引起，無選擇性，吸附熱小，結(jié)合力小。化學(xué)吸附：由化學(xué)鍵力引起，有選擇性，吸附熱大，結(jié)合力大。4界面特性（1）界面能會引起界面吸附。（2）界面上原子擴散速度較快。（3）對位錯運動有阻礙作用。（4）易被氧化和腐蝕。（5）原子的混亂排列利于固態(tài)相變的形核。第二章固體中的相結(jié)構(gòu)合金與相1合金（1）合金：兩種或兩種以上的金屬，或金屬與非金屬經(jīng)一定方法合成的具有金屬特性的物質(zhì)。（2）組元：組成合金最基本的物質(zhì)。（如一元、二元、三元合金〕（3）合金系：給定合金以不同的比例而合成的一系列不同成分合金的總稱。2相（1）相：材料中結(jié)構(gòu)相同、成分和性能均一的組成部分。（如單相、兩相、多相合金。）（2）相的分類固溶體：晶體結(jié)構(gòu)與其某一組元相同的相。含溶劑和溶質(zhì)。中間相（金屬化合物）：組成原子有固定比例，其結(jié)構(gòu)與組成組元均不相同的相。第一節(jié)固溶體按溶質(zhì)原子位置不同，可分為置換固溶體和間隙固溶體。按固溶度不同，可分為有限固溶體和無限固溶體。按溶質(zhì)原子分布不同，可分為無序固溶體和有序固溶體。1置換固溶體（1）置換固溶體：溶質(zhì)原子位于晶格點陣位置的固溶體。（2）影響置換固溶體溶解度的因素a原子尺寸因素原子尺寸差越小，越易形成置換固溶體，且溶解度越大?！鱮=(rA-rB)/rA當(dāng)△r<15%時，有利于大量互溶。b晶體結(jié)構(gòu)因素結(jié)構(gòu)相同，溶解度大，有可能形成無限固溶體。c電負(fù)性因素電負(fù)性差越小，越易形成固溶體，溶解度越大。d電子濃度因素電子濃度e/a越大，溶解度越小。e/a有一極限值，與溶劑晶體結(jié)構(gòu)有關(guān)。一價面心立方金屬為1.36，一價體心立方金屬為1.48。（上述四個因素并非相互獨立，其統(tǒng)一的理論的是金屬與合金的電子理論。）2間隙固溶體（1）影響因素：原子半徑和溶劑結(jié)構(gòu)。（2）溶解度：一般都很小，只能形成有限固溶體。3固溶體的結(jié)構(gòu)（1）晶格畸變。（2）偏聚與有序：完全無序、偏聚、部分有序、完全有序。4固溶體的性能固溶體的強度和硬度高于純組元，塑性則較低。（1）固溶強化：由于溶質(zhì)原子的溶入而引起的強化效應(yīng)。（2）柯氏氣團（3）有序強化第二節(jié)金屬間化合物中間相是由金屬與金屬，或金屬與類金屬元素之間形成的化合物，也稱為金屬間化合物。1正常價化合物（1）形成：電負(fù)性差起主要作用，符合原子價規(guī)則。（2）鍵型：隨電負(fù)性差的減小，分別形成離子鍵、共價鍵、金屬鍵。（3）組成：AB或AB2。2電子化合物（電子相）（1）形成：電子濃度起主要作用，不符合原子價規(guī)則。（2）鍵型：金屬鍵（金屬－金屬）。（3）組成：電子濃度對應(yīng)晶體結(jié)構(gòu)，可用化學(xué)式表示，可形成以化合物為基的固溶體。3間隙化合物（1）形成：尺寸因素起主要作用。（2）結(jié)構(gòu)簡單間隙化合物（間隙相）：金屬原子呈現(xiàn)新結(jié)構(gòu)，非金屬原子位于其間隙，結(jié)構(gòu)簡單。復(fù)雜間隙化合物：主要是鐵、鈷、鉻、錳的化合物，結(jié)構(gòu)復(fù)雜。（3）組成：可用化學(xué)式表示，可形成固溶體，復(fù)雜間隙化合物的金屬元素可被置換。4拓?fù)涿芏严啵?）形成：由大小原子的適當(dāng)配合而形成的高密排結(jié)構(gòu)。（2）組成：AB2。5金屬化合物的特性（1）力學(xué)性能：高硬度、高硬度、低塑性。（2）物化性能：具有電學(xué)、磁學(xué)、聲學(xué)性質(zhì)等，可用于半導(dǎo)體材料、形狀記憶材料、儲氫材料等。第三節(jié)陶瓷晶體相1陶瓷材料簡介（1）分類：結(jié)構(gòu)陶瓷（利用其力學(xué)性能）：強度（葉片、活塞）、韌性（切削刀具）、硬度（研磨材料）。功能陶瓷（利用其物理性能）精細(xì)功能陶瓷：導(dǎo)電、氣敏、濕敏、生物、超導(dǎo)陶瓷等。功能轉(zhuǎn)換陶瓷：壓電、光電、熱電、磁光、聲光陶瓷等。結(jié)合鍵：離子鍵、共價鍵。硅酸鹽陶瓷：主要是離子鍵結(jié)合，含一定比例的共價鍵?？捎梅肿邮奖硎酒浣M成。2硅酸鹽陶瓷的結(jié)構(gòu)特點與分類（1）結(jié)構(gòu)特點a結(jié)合鍵與結(jié)構(gòu)：主要是離子鍵結(jié)合，含一定比例的共價鍵。硅位于氧四面體的間隙。b每個氧最多被兩個多面體共有。氧在兩個四面體之間充當(dāng)橋梁作用，稱為氧橋。（2）結(jié)構(gòu)分類a含有限Si-O團的硅酸鹽，包括含孤立Si-O團和含成對或環(huán)狀Si-O團兩類。b鏈狀硅酸鹽：Si-O團共頂連接成一維結(jié)構(gòu)，又含單鏈和雙鏈兩類。c層狀硅酸鹽：Si-O團底面共頂連接成二維結(jié)構(gòu)。d骨架狀硅酸鹽：Si-O團共頂連接成三維結(jié)構(gòu)。第四節(jié)分子相1基本概念（1）高分子化合物：由一種或多種化合物聚合而成的相對分子質(zhì)量很大的化合物。又稱聚合物或高聚物。（2）分類按相對分子質(zhì)量：分為低分子聚合物（<5000）和高分子聚合物（>5000）。按組成物質(zhì)：分為有機聚合物和無機聚合物。2化學(xué)組成（以氯乙烯聚合成聚氯乙烯為例）（1）單體：組成高分子化合物的低分子化合物。（2）鏈節(jié)：組成大分子的結(jié)構(gòu)單元。（3）聚合度n：大分子鏈中鏈節(jié)的重復(fù)次數(shù)。3高分子化合物的合成（1）加聚反應(yīng)a概念：由一種或多種單體相互加成而連接成聚合物的反應(yīng)。（其產(chǎn)物為聚合物）b組成：與單體相同。反應(yīng)過程中沒有副產(chǎn)物。c分類均聚反應(yīng)：由一種單體參與的加聚反應(yīng)。共聚反應(yīng)：由兩種或兩種以上單體參與的加聚反應(yīng)。（2）縮聚反應(yīng)a概念：由一種或多種單體相互混合而連接成聚合物，同時析出某種低分子化合物的反應(yīng)。b分類均縮聚反應(yīng)：由一種單體參加的縮聚反應(yīng)。共縮聚反應(yīng)：由兩種或兩種以上單體參加的縮聚反應(yīng)。4高分子化合物的分類（1）按性能與用途：塑料、橡膠、纖維、膠黏劑、涂料等。（2）按生成反應(yīng)類型：加聚物、縮聚物。（3）按物質(zhì)的熱行為：熱塑性塑料和熱固性塑料。5高分子化合物的結(jié)構(gòu)（1）高分子鏈結(jié)構(gòu)（鏈內(nèi)結(jié)構(gòu)，分子內(nèi)結(jié)構(gòu)）a化學(xué)組成b單體的連接方式均聚物中單體的連接方式：頭－尾連接、頭－頭或尾－尾相連、無軌連接。共聚物中單體的連接方式：無軌共聚：ABBABBABA交替共聚：ABABABAB嵌段共聚：AAAABBAAAABB接枝共聚：AAAAAAAAAAABBBBBBc高分子鏈的構(gòu)型（按取代基的位置與排列規(guī)律）全同立構(gòu)：取代基R全部處于主鏈一側(cè)。間同立構(gòu)：取代基R相間分布在主鏈兩側(cè)。無軌立構(gòu)；取代基R在主鏈兩側(cè)不規(guī)則分布。d高分子鏈的幾何形狀：線型、支化型、體型。（2）高分子的聚集態(tài)結(jié)構(gòu)（鏈間結(jié)構(gòu)、分子間結(jié)構(gòu)）無定形結(jié)構(gòu)、部分結(jié)晶結(jié)構(gòu)、結(jié)晶型結(jié)構(gòu)（示意圖）6高分子材料的結(jié)構(gòu)與性能特點（1）易呈非晶態(tài)。（2）彈性模量和強度低。（3）容易老化。（4）密度小。（5）化學(xué)穩(wěn)定性好。第五節(jié)玻璃相1結(jié)構(gòu)：長程無序、短程有序（1）連續(xù)無軌網(wǎng)絡(luò)模型。（2）無規(guī)密堆模型。（3）無軌則線團模型。2性能（1）各向同性。（2）無固定熔點。（3）高強度、高耐蝕性、高導(dǎo)磁率（金屬）。第三章凝固與結(jié)晶凝固：物質(zhì)從液態(tài)到固態(tài)的轉(zhuǎn)變過程。若凝固后的物質(zhì)為晶體，則稱之為結(jié)晶。凝固過程影響后續(xù)工藝性能、使用性能和壽命。凝固是相變過程，可為其它相變的研究提供基礎(chǔ)。第一節(jié)材料結(jié)晶的基本規(guī)律1液態(tài)材料的結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)：長程有序而短程有序。特點（與固態(tài)相比）：原子間距較大、原子配位數(shù)較小、原子排列較混亂。2過冷現(xiàn)象（1）過冷：液態(tài)材料在理論結(jié)晶溫度以下仍保持液態(tài)的現(xiàn)象。（見熱分析實驗圖）（2）過冷度：液體材料的理論結(jié)晶溫度(Tm)與其實際溫度之差?！鱐=Tm-T(見冷卻曲線)注：過冷是凝固的必要條件（凝固過程總是在一定的過冷度下進行）。3結(jié)晶過程（1）結(jié)晶的基本過程：形核－長大。（見示意圖）（2）描述結(jié)晶進程的兩個參數(shù)形核率：單位時間、單位體積液體中形成的晶核數(shù)量。用N表示。長大速度：晶核生長過程中，液固界面在垂直界面方向上單位時間內(nèi)遷移的距離。用G表示。第二節(jié)材料結(jié)晶的基本條件1熱力學(xué)條件（1）G-T曲線（圖3－4）a是下降曲線：由G-T函數(shù)的一次導(dǎo)數(shù)（負(fù)）確定。dG/dT=-Sb是上凸曲線：由二次導(dǎo)數(shù)（負(fù)）確定。d2G/d2T=-Cp/Tc液相曲線斜率大于固相：由一次導(dǎo)數(shù)大小確定。二曲線相交于一點，即材料的熔點。（2）熱力學(xué)條件△Gv=－Lm△T/Tma△T>0,△Gv<0－過冷是結(jié)晶的必要條件（之一）。b△T越大,△Gv越?。^冷度越大，越有利于結(jié)晶。c△Gv的絕對值為凝固過程的驅(qū)動力。2結(jié)構(gòu)條件結(jié)構(gòu)起伏（相起伏）：液態(tài)材料中出現(xiàn)的短程有序原子集團的時隱時現(xiàn)現(xiàn)象。是結(jié)晶的必要條件（之二）。第三節(jié)晶核的形成均勻形核：新相晶核在遍及母相的整個體積內(nèi)無軌則均勻形成。非均勻形核：新相晶核依附于其它物質(zhì)擇優(yōu)形成。1均勻形核（1）晶胚形成時的能量變化△G＝V△Gv+σS=(4/3)πr3△Gv+4πr2σ(圖3－8)〔2〕臨界晶核d△G/dr=0rk=-2σ/△Gv臨界晶核：半徑為rk的晶胚。（3〕臨界過冷度rk=-2σTm/Lm△T臨界過冷度：形成臨界晶核時的過冷度?！鱐k.△T≥△Tk是結(jié)晶的必要條件。（4）形核功與能量起伏△Gk＝Skσ/3臨界形核功：形成臨界晶核時需額外對形核所做的功。能量起伏：系統(tǒng)中微小區(qū)域的能量偏離平均能量水平而高低不一的現(xiàn)象。（是結(jié)晶的必要條件之三）。（5）形核率與過冷度的關(guān)系N=N1.N2(圖3－11，12)由于N受N1.N2兩個因素控制，形核率與過冷度之間是呈拋物線的關(guān)系。2非均勻形核（1）模型：外來物質(zhì)為一平面，固相晶胚為一球冠。（2）自由能變化：表達(dá)式與均勻形核相同。（3）臨界形核功計算時利用球冠體積、表面積表達(dá)式，結(jié)合平衡關(guān)系σlw=σsw+σslcosθ計算能量變化和臨界形核功?！鱃k非/△Gk=(2-3cosθ+cos3θ)/4aθ=0時，△Gk非＝0，雜質(zhì)本身即為晶核；b180>θ>0時,△Gk非<△Gk,雜質(zhì)促進形核；cθ=180時，△Gk非＝△Gk，雜質(zhì)不起作用。（4）影響非均勻形核的因素a過冷度：（N-△T曲線有一下降過程）。（圖3－16）b外來物質(zhì)表面結(jié)構(gòu)：θ越小越有利。點陣匹配原理：結(jié)構(gòu)相似，點陣常數(shù)相近。c外來物質(zhì)表面形貌：表面下凹有利。（圖3－17）第四節(jié)晶核的長大1晶核長大的條件（1）動態(tài)過冷動態(tài)過冷度：晶核長大所需的界面過冷度。（是材料凝固的必要條件）（2）足夠的溫度（3）合適的晶核表面結(jié)構(gòu)。2液固界面微結(jié)構(gòu)與晶體長大機制粗糙界面（微觀粗糙、宏觀平整－金屬或合金從來可的界面）：垂直長大。光滑界面（微觀光滑、宏觀粗糙－無機化合物或亞金屬材料的界面）：二維晶核長大、依靠缺陷長大。3液體中溫度梯度與晶體的長大形態(tài)（1）正溫度梯度（液體中距液固界面越遠(yuǎn)，溫度越高）粗糙界面：平面狀。光滑界面：臺階狀。（2）負(fù)溫度梯度（液體中距液固界面越遠(yuǎn)，溫度越低）粗糙界面：樹枝狀。光滑界面：樹枝狀－臺階狀。第五節(jié)凝固理論的應(yīng)用1材料鑄態(tài)晶粒度的控制Zv=0.9(N/G)3/4（1）提高過冷度。降低澆鑄溫度，提高散熱導(dǎo)熱能力，適用于小件。（2）化學(xué)變質(zhì)處理。促進異質(zhì)形核，阻礙晶粒長大。（3）振動和攪拌。輸入能力，破碎枝晶。2單晶體到額制備（1）基本原理：保證一個晶核形成并長大。（2）制備方法：尖端形核法和垂直提拉法。3定向凝固技術(shù)（1）原理：單一方向散熱獲得柱狀晶。（2）制備方法。4急冷凝固技術(shù)（1）非晶金屬與合金（2）微晶合金。（3）準(zhǔn)晶合金。第四章二元相圖相：（概念回顧）相圖：描述系統(tǒng)的狀態(tài)、溫度、壓力及成分之間關(guān)系的圖解。二元相圖：第一節(jié)相圖的基本知識1相律（1）相律：熱力學(xué)平衡條件下，系統(tǒng)的組元數(shù)、相數(shù)和自由度數(shù)之間的關(guān)系。（2）表達(dá)式：f=c-p+2;壓力一定時，f=c-p+1。（3）應(yīng)用可確定系統(tǒng)中可能存在的最多平衡相數(shù)。如單元系2個，二元系3個。可以解釋純金屬與二元合金的結(jié)晶差別。純金屬結(jié)晶恒溫進行，二元合金變溫進行。2相圖的表示與建立（1）狀態(tài)與成分表示法狀態(tài)表示：溫度－成分坐標(biāo)系。坐標(biāo)系中的點－表象點。成分表示：質(zhì)量分?jǐn)?shù)或摩爾分?jǐn)?shù)。（2）相圖的建立方法：實驗法和計算法。過程：配制合金－測冷卻曲線－確定轉(zhuǎn)變溫度－填入坐標(biāo)－繪出曲線。相圖結(jié)構(gòu)：兩點、兩線、三區(qū)。3杠桿定律（1）平衡相成分的確定（根據(jù)相率，若溫度一定，則自由度為0，平衡相成分隨之確定。）（2）數(shù)值確定：直接測量計算或投影到成分軸測量計算。（3）注意：只適用于兩相區(qū)；三點（支點和端點）要選準(zhǔn)。第二節(jié)二元勻晶相圖1勻晶相同及其分析（1）勻晶轉(zhuǎn)變：由液相直接結(jié)晶出單相固溶體的轉(zhuǎn)變。（2）勻晶相圖：具有勻晶轉(zhuǎn)變特征的相圖。（3）相圖分析（以Cu-Ni相圖為例）兩點：純組元的熔點；兩線：L,S相線；三區(qū)：L,α,L+α。2固溶體合金的平衡結(jié)晶（1）平衡結(jié)晶：每個時刻都能達(dá)到平衡的結(jié)晶過程。（2）平衡結(jié)晶過程分析①冷卻曲線：溫度－時間曲線；②相（組織）與相變（各溫區(qū)相的類型、相變反應(yīng)式，杠桿定律應(yīng)用。）；③組織示意圖；④成分均勻化：每時刻結(jié)晶出的固溶體的成分不同。（3）與純金屬結(jié)晶的比較①相同點：基本過程：形核－長大；熱力學(xué)條件：⊿T>0；能量條件：能量起伏；結(jié)構(gòu)條件：結(jié)構(gòu)起伏。②不同點：合金在一個溫度范圍內(nèi)結(jié)晶（可能性：相率分析，必要性：成分均勻化。）合金結(jié)晶是選分結(jié)晶：需成分起伏。3固溶體的不平衡結(jié)晶（1）原因：冷速快（假設(shè)液相成分均勻、固相成分不均勻）。（2）結(jié)晶過程特點：固相成分按平均成分線變化（但每一時刻符合相圖）；結(jié)晶的溫度范圍增大；組織多為樹枝狀。（3）成分偏析：晶內(nèi)偏析：一個晶粒內(nèi)部化學(xué)成分不均勻現(xiàn)象。枝晶偏析：樹枝晶的枝干和枝間化學(xué)成分不均勻的現(xiàn)象。（消除：擴散退火，在低于固相線溫度長時間保溫。）4穩(wěn)態(tài)凝固時的溶質(zhì)分布（1）穩(wěn)態(tài)凝固：從液固界面輸出溶質(zhì)速度等于溶質(zhì)從邊界層擴散出去速度的凝固過程。（2）平衡分配系數(shù)：在一定溫度下，固、液兩平衡相中溶質(zhì)濃度的比值。k0=Cs/Cl（3）溶質(zhì)分布：液、固相內(nèi)溶質(zhì)完全混合（平衡凝固）－a;固相不混合、液相完全混合－b;固相不混合、液相完全不混合－c；固相不混合、液相部分混合－d。（4）區(qū)域熔煉（上述溶質(zhì)分布規(guī)律的應(yīng)用）5成分過冷及其對晶體生長形態(tài)的影響（1）成分過冷：由成分變化與實際溫度分布共同決定的過冷。（2）形成：界面溶質(zhì)濃度從高到低－液相線溫度從低到高。（圖示：溶質(zhì)分布曲線－勻晶相圖－液相線溫度分布曲線－實際溫度分布曲線－成分過冷區(qū)。）（3）成分過冷形成的條件和影響因素條件：G/R<mC0(1-k0)/Dk0合金固有參數(shù)：m,k0;實驗可控參數(shù)：G,R。（4）成分過冷對生長形態(tài)的影響（正溫度梯度下）G越大，成分過冷越大－生長形態(tài)：平面狀－胞狀－樹枝狀。第三節(jié)二元共晶相圖及合金凝固共晶轉(zhuǎn)變：由一定成分的液相同時結(jié)晶出兩個一定成分固相的轉(zhuǎn)變。共晶相圖：具有共晶轉(zhuǎn)變特征的相圖。（液態(tài)無限互溶、固態(tài)有限互溶或完全不溶，且發(fā)生共晶反應(yīng)。共晶組織：共晶轉(zhuǎn)變產(chǎn)物。（是兩相混合物）1相圖分析（相圖三要素）（1）點：純組元熔點；最大溶解度點；共晶點（是亞共晶、過共晶成分分界點）等。（2）線：結(jié)晶開始、結(jié)束線；溶解度曲線；共晶線等。（3）區(qū)：3個單相區(qū)；3個兩相區(qū)；1個三相區(qū)。2合金的平衡結(jié)晶及其組織（以Pb-Sn相圖為例）（1）Wsn<19％的合金①凝固過程（冷卻曲線、相變、組織示意圖）。②二次相（次生相）的生成：脫溶轉(zhuǎn)變（二次析出或二次再結(jié)晶）。③室溫組織（α＋βⅡ）及其相對量計算。（2）共晶合金①凝固過程（冷卻曲線、相變、組織示意圖）。②共晶線上兩相的相對量計算。③室溫組織（α＋β＋αⅡ＋βⅡ）及其相對量計算。（3）亞共晶合金①凝固過程（冷卻曲線、相變、組織示意圖）。②共晶線上兩相的相對量計算。③室溫組織（α＋βⅡ＋（α＋β））及其相對量計算。④組織組成物與組織圖組織組成物：組成材料顯微組織的各個不同本質(zhì)和形態(tài)的部分。組織圖：用組織組成物填寫的相圖。3不平衡結(jié)晶及其組織（1）偽共晶①偽共晶：由非共晶成分的合金所得到的完全共晶組織。②形成原因：不平衡結(jié)晶。成分位于共晶點附近。③不平衡組織由非共晶成分的合金得到的完全共晶組織。共晶成分的合金得到的亞、過共晶組織。（偽共晶區(qū)偏移）（2）不平衡共晶①不平衡共晶：位于共晶線以外成分的合金發(fā)生共晶反應(yīng)而形成的組織。②原因：不平衡結(jié)晶。成分位于共晶線以外端點附件。（3）離異共晶①離異共晶：兩相分離的共晶組織。②形成原因平衡條件下，成分位于共晶線上兩端點附近。不平衡條件下，成分位于共晶線外兩端點附。③消除：擴散退火。4共晶組織的形成（1）共晶體的形成成分互惠－交替形核片間搭橋－促進生長兩相交替分布共晶組織（2）共晶體的形態(tài)粗糙－粗糙界面：層片狀（一般情況）、棒狀、纖維狀（一相數(shù)量明顯少于另一相）粗糙－平滑界面：具有不規(guī)則或復(fù)雜組織形態(tài)（由于兩相微觀結(jié)構(gòu)不同）所需動態(tài)過冷度不同，金屬相任意長大，另一相在其間隙長大?？傻玫角驙睢⑨槧?、花朵狀、樹枝狀共晶體。非金屬相與液相成分差別大。形成較大成分過冷，率先長大，形成針狀、骨骼狀、螺旋狀、蜘蛛網(wǎng)狀的共晶體。（3）初生晶的形態(tài)：金屬固溶體：粗糙界面－樹枝狀；非金屬相：平滑界面－規(guī)則多面體。第四節(jié)二元包晶相圖包晶轉(zhuǎn)變：由一個特定成分的固相和液相生成另一個特點成分固相的轉(zhuǎn)變。包晶相圖：具有包晶轉(zhuǎn)變特征的相圖。1相圖分析點、線、區(qū)。2平衡結(jié)晶過程及其組織（1）包晶合金的結(jié)晶結(jié)晶過程：包晶線以下，L,α對β過飽和－界面生成β－三相間存在濃度梯度－擴散－β長大－全部轉(zhuǎn)變?yōu)棣?。室溫組織：β或β＋αⅡ。（2）成分在C-D之間合金的結(jié)晶結(jié)晶過程：α剩余；室溫組織：α＋β＋αⅡ＋βⅡ。3不平衡結(jié)晶及其組織異常α相導(dǎo)致包晶偏析〔包晶轉(zhuǎn)變要經(jīng)β擴散。包晶偏析：因包晶轉(zhuǎn)變不能充分進行而導(dǎo)致的成分不均勻現(xiàn)象?！钞惓＆孪嘤刹黄胶獍мD(zhuǎn)變引起。成分在靠近固相、包晶線以外端點附件。4包晶轉(zhuǎn)變的應(yīng)用（1）組織設(shè)計：如軸承合金需要的軟基體上分布硬質(zhì)點的組織。（2）晶粒細(xì)化。第五節(jié)其它類型的二元相圖自學(xué)內(nèi)容第六節(jié)鐵碳合金相圖一二元相圖的分析和使用（1）二元相圖中的幾何規(guī)律①相鄰相區(qū)的相數(shù)差1（點接觸除外）－相區(qū)接觸法則；②三相區(qū)的形狀是一條水平線，其上三點是平衡相的成分點。③若兩個三相區(qū)中有2個相同的相，則兩水平線之間必是由這兩相組成的兩相區(qū)。④單相區(qū)邊界線的延長線應(yīng)進入相鄰的兩相區(qū)。（2）相圖分析步驟①以穩(wěn)定的化合物分割相圖；②確定各點、線、區(qū)的意義；③分析具體合金的結(jié)晶過程及其組織變化注：虛線、點劃線的意義－尚未準(zhǔn)確確定的數(shù)據(jù)、磁學(xué)轉(zhuǎn)變線、有序－無序轉(zhuǎn)變線。（3）相圖與合金性能的關(guān)系①根據(jù)相圖判斷材料的力學(xué)和物理性能②根據(jù)相圖判斷材料的工藝性能鑄造性能：根據(jù)液固相線之間的距離XX越大，成分偏析越嚴(yán)重（因為液固相成分差別大）；X越大，流動性越差（因為枝晶發(fā)達(dá)）；X越大，熱裂傾向越大（因為液固兩相共存的溫區(qū)大）。塑性加工性能：選擇具有單相固溶體區(qū)的合金。熱處理性能：選擇具有固態(tài)相變或固溶度變化的合金。二鐵－碳合金相圖1組元和相（1）組元：鐵－石墨相圖：Fe,C;鐵－滲碳體相圖：Fe-Fe3C。相：L,δ,A(γ),F(α),Fe3C(K)。（其定義）2相圖分析點：16個。線：兩條磁性轉(zhuǎn)變線；三條等溫轉(zhuǎn)變線；其余三條線：GS,ES,PQ。區(qū)：5個單相區(qū)，7個兩相區(qū)，3個三相區(qū)。相圖標(biāo)注：相組成物標(biāo)注的相圖。組織組成物標(biāo)注的相圖。3合金分類：工業(yè)純鈦（C%<0.0218%）、碳鋼（0.0218<C%<2.11%）、鑄鐵（C%>2.11%）4平衡結(jié)晶過程及其組織（1）典型合金（7種）的平衡結(jié)晶過程、組織變化、室溫組織及其相對量計算。（2）重要問題：Fe3CⅠ,Fe3CⅡ,Fe3CⅢ的意義及其最大含量計算。Ld-Ld`轉(zhuǎn)變。二次杠桿的應(yīng)用。5含碳量對平衡組織和性能的影響（1）對平衡組織的影響（隨C%提高）組織：α＋Fe3CⅢLd`＋Fe3CⅠ；相：α減少，F(xiàn)e3C增多；Fe3C形態(tài)：Fe3CⅢ（薄網(wǎng)狀、點狀）共析Fe3C（層片狀）Fe3CⅡ（網(wǎng)狀）共晶Fe3C（基體）Fe3CⅠ（粗大片狀）。（2）對力學(xué)性能的影響強度、硬度升高，塑韌性下降。（3）對工藝性能的影響適合鍛造：C%<2.11%，可得到單相組織。適合鑄造：C%～4.3%。，流動性好。適合冷塑變：C%<0.25%，變形阻力小。適合熱處理：0.0218~2.11，有固態(tài)相變。第七節(jié)相圖的熱力學(xué)解釋圖示講解第八節(jié)鑄錠組織及其控制1鑄錠組織（1）鑄錠三區(qū)：表層細(xì)晶區(qū)、柱狀晶區(qū)、中心等軸晶區(qū)。（2）組織控制：受澆鑄溫度、冷卻速度、化學(xué)成分、變質(zhì)處理、機械振動與攪拌等因素影響。2鑄錠缺陷（1）微觀偏析（2）宏觀偏析正偏析反偏析比重偏析（3）夾雜與氣孔夾雜：外來夾雜和內(nèi)生夾雜。氣孔：析出型和反應(yīng)型。（4）縮孔和疏松形成：凝固時體積縮?。a縮不足－形成縮孔。分類：集中縮孔（縮孔、縮管）和分散縮孔（疏松，枝晶骨架相遇，封閉液體，造成補縮困難形成。）第五章三元相圖第一節(jié)總論1三元相圖的主要特點（1）是立體圖形，主要由曲面構(gòu)成；（2）可發(fā)生四相平衡轉(zhuǎn)變；（3）一、二、三相區(qū)為一空間。2成分表示法－成分三角形（等邊、等腰、直角三角形）（1）已知點確定成分；（2）已知成分確定點。3成分三角形中特殊的點和線（1）三個頂點：代表三個純組元；（2）三個邊上的點：二元系合金的成分點；（3）平行于某條邊的直線：其上合金所含由此邊對應(yīng)頂點所代表的組元的含量一定。（4）通過某一頂點的直線：其上合金所含由另兩個頂點所代表的兩組元的比值恒定。4平衡轉(zhuǎn)變的類型（1）共晶轉(zhuǎn)變：L0Tαa+βb+γc;（2）包晶轉(zhuǎn)變：L0＋αa+βbTγc;（3）包共晶轉(zhuǎn)變：L0＋αaTβb+γc;還有偏共晶、共析、包析、包共析轉(zhuǎn)變等。5共線法則與杠桿定律（1）共線法則：在一定溫度下，三元合金兩相平衡時，合金的成分點和兩個平衡相的成分點必然位于成分三角形的同一條直線上。（由相率可知，此時系統(tǒng)有一個自由度，表示一個相的成分可以獨立改變，另一相的成分隨之改變。）（2）杠桿定律：用法與二元相同。兩條推論（1）給定合金在一定溫度下處于兩相平衡時，若其中一個相的成分給定，另一個相的成分點必然位于已知成分點連線的延長線上。（2）若兩個平衡相的成分點已知，合金的成分點必然位于兩個已知成分點的連線上。6重心定律在一定溫度下，三元合金三相平衡時，合金的成分點為三個平衡相的成分點組成的三角形的質(zhì)量重心。（由相率可知，此時系統(tǒng)有一個自由度，溫度一定時，三個平衡相的成分是確定的。）平衡相含量的計算：所計算相的成分點、合金成分點和二者連線的延長線與對邊的交點組成一個杠桿。合金成分點為支點。計算方法同杠桿定律。第二節(jié)三元勻晶相圖1相圖分析點：Ta,Tb,Tc-三個純組元的熔點；面：液相面、固相面；區(qū)：L,α,L+α。2三元固溶體合金的結(jié)晶規(guī)律液相成分沿液相面、固相成分沿固相面，呈蝶形規(guī)律變化。（立體圖不實用）3等溫界面（水平截面）（1）做法：某一溫度下的水平面與相圖中各面的交線。（2）截面圖分析3個相區(qū)：L,α,L+α;2條相線：L1L2,S1S2（共軛曲線）;若干連接線：可作為計算相對量的杠桿（偏向低熔點組元；可用合金成分點與頂點的連線近似代替）。4變溫截面（垂直截面）（1）做法：某一垂直平面與相圖中各面的交線。（2）二種常用變溫截面經(jīng)平行于某條邊的直線做垂直面獲得；經(jīng)通過某一頂點的直線做垂直面獲得。（3）結(jié)晶過程分析成分軸的兩端不一定是純組元；注意液、固相線不一定相交；不能運用杠桿定律（液、固相線不是成分變化線）。5投影圖（1）等溫線投影圖：可確定合金結(jié)晶開始、結(jié)束溫度。（2）全方位投影圖：勻晶相圖不必要。第三節(jié)三元共晶相圖一組元在固態(tài)互不相溶的共晶相圖（1）相圖分析點：熔點；二元共晶點；三元共晶點。兩相共晶線液相面交線線：EnE兩相共晶面交線液相單變量線液相區(qū)與兩相共晶面交線液相面固相面面：兩相共晶面三元共晶面兩相區(qū)：3個區(qū)：單相區(qū)：4個三相區(qū)：4個四相區(qū)：1個（2）等溫截面應(yīng)用：可確定平衡相及其成分；可運用杠桿定律和重心定律。是直邊三角形三相平衡區(qū)兩相區(qū)與之線接（水平截面與棱柱面交線）單相區(qū)與之點接（水平截面與棱邊的交點，表示三個平衡相成分。）（3）變溫截面應(yīng)用：分析合金結(jié)晶過程，確定組織變化局限性：不能分析成分變化。（成分在單變量線上，不在垂直截面上）合金結(jié)晶過程分析；（4）投影圖相組成物相對量計算（杠桿定律、重心定律）組織組成物相對量計算（杠桿定律、重心定律）二組元在固態(tài)有限溶解的共晶相圖（1）相圖分析點：熔點；二元共晶點；三元共晶點。兩相共晶線液相面交線線：EnE兩相共晶面交線液相單變量線液相區(qū)與兩相共晶面交線固相單變量線液相面固相面：由勻晶轉(zhuǎn)變結(jié)束面、兩相共晶結(jié)束面、三相共晶結(jié)束面組成。面：兩相共晶面三元共晶面溶解度曲面：6個兩相區(qū)：6個區(qū)：單相區(qū)：4個三相區(qū)：4個四相區(qū)：1個（2）等溫截面應(yīng)用：可確定平衡相及其成分；可運用杠桿定律和重心定律。是直邊三角形三相平衡區(qū)兩相區(qū)與之線接（水平截面與棱柱面交線）單相區(qū)與之點接（水平截面與棱邊的交點，表示三個平衡相成分。）相率相區(qū)的相數(shù)差1；相區(qū)接觸法則：單相區(qū)/兩相區(qū)曲線相接；兩相區(qū)/三相區(qū)直線相接。（3）變溫截面3個三相區(qū)共晶相圖特征：水平線1個三相區(qū)三相共晶區(qū)特征：曲邊三角形。應(yīng)用：分析合金結(jié)晶過程，確定組織變化局限性：不能分析成分變化。（成分在單變量線上，不在垂直截面上）合金結(jié)晶過程分析；（4）投影圖相組成物相對量計算（杠桿定律、重心定律）組織組成物相對量計算（杠桿定律、重心定律）第四節(jié)三元相圖總結(jié)立體圖：共軛曲面。1兩相平衡等溫圖：兩條曲線。立體圖：三棱柱，棱邊是三個平衡相單變量線。2三相平衡等溫圖：直邊三角形，頂點是平衡相成分點。垂直截面：曲邊三角形，頂點不代表成分根據(jù)參加反應(yīng)相：后生成。包、共晶轉(zhuǎn)變判斷根據(jù)居中單相區(qū)：上共下包。3四相平衡（1）立體圖中的四相平衡共晶轉(zhuǎn)變類型：包共晶轉(zhuǎn)變包晶轉(zhuǎn)變與4個單相區(qū)點接觸；相區(qū)鄰接（四相平衡面）與6個兩相區(qū)線接觸；與4個三相區(qū)面接觸。共晶轉(zhuǎn)變：上3下1（三相區(qū)）；反應(yīng)類型判斷（以四相平衡面為界）包共晶轉(zhuǎn)變：上2下2；包晶轉(zhuǎn)變：上1下3。（2）變溫截面中的四相平衡四相平衡區(qū)：上下都有三相區(qū)鄰接。條件：鄰接三相區(qū)達(dá)4時；判斷轉(zhuǎn)變類型類型：共晶、包共晶、包晶。（3）投影圖中的四相平衡根據(jù)12根單變量判斷；根據(jù)液相單變量判斷共晶轉(zhuǎn)變包共晶轉(zhuǎn)變包晶轉(zhuǎn)變4相區(qū)接觸法則相鄰相區(qū)的相數(shù)差1（各種截面圖適用）。5應(yīng)用舉例第六章固體中的擴散第一節(jié)概述1擴散的現(xiàn)象與本質(zhì)（1）擴散：熱激活的原子通過自身的熱振動克服束縛而遷移它處的過程。（2）現(xiàn)象：柯肯達(dá)爾效應(yīng)。（3）本質(zhì)：原子無序躍遷的統(tǒng)計結(jié)果。（不是原子的定向移動）。2擴散的分類（1）根據(jù)有無濃度變化自擴散：原子經(jīng)由自己元素的晶體點陣而遷移的擴散。（如純金屬或固溶體的晶粒長大。無濃度變化。）互擴散：原子通過進入對方元素晶體點陣而導(dǎo)致的擴散。（有濃度變化）（2）根據(jù)擴散方向下坡擴散：原子由高濃度處向低濃度處進行的擴散。上坡擴散：原子由低濃度處向高濃度處進行的擴散。（3）根據(jù)是否出現(xiàn)新相原子擴散：擴散過程中不出現(xiàn)新相。反應(yīng)擴散：由之導(dǎo)致形成一種新相的擴散。3固態(tài)擴散的條件（1）溫度足夠高；（2）時間足夠長；（3）擴散原子能固溶；（4）具有驅(qū)動力：化學(xué)位梯度。第二節(jié)擴散定律1菲克第一定律（1）第一定律描述：單位時間內(nèi)通過垂直于擴散方向的某一單位面積截面的擴散物質(zhì)流量（擴散通量J）與濃度梯度成正比。（2）表達(dá)式：J=-D(dc/dx)。（C－溶質(zhì)原子濃度；D-擴散系數(shù)。）（3）適用條件：穩(wěn)態(tài)擴散，dc/dt=0。濃度及濃度梯度不隨時間改變。2菲克第二定律一般：C/t=(DC/x)/x二維：（1）表達(dá)式特殊：C/t=D2C/x2三維：C/t=D(2/x2+2/y2+2/z2)C穩(wěn)態(tài)擴散：C/t=0，J/x=0。（2）適用條件：非穩(wěn)態(tài)擴散：C/t≠0，J/x≠0（C/t=－J/x）。3擴散第二定律的應(yīng)用（1）誤差函數(shù)解適用條件：無限長棒和半無限長棒。表達(dá)式：C=C1－(C1-C2)erf(x/2√Dt)(半無限長棒)。在滲碳條件下：C:x,t處的濃度；C1:表面含碳量;C2:鋼的原始含碳量。（2）正弦解Cx=Cp-A0sin(πx/λ)Cp:平均成分；A0：振幅Cmax-Cp；λ:枝晶間距的一半。對于均勻化退火，若要求枝晶中心成分偏析振幅降低到1/100,則：[C(λ/2,t)-Cp]/(Cmax-Cp)=exp(-π2Dt/λ2)=1/100。第三節(jié)擴散的微觀機理與現(xiàn)象1擴散機制間隙－間隙；（1）間隙機制平衡位置－間隙－間隙：較困難；間隙－篡位－結(jié)點位置。（間隙固溶體中間隙原子的擴散機制。）方式：原子躍遷到與之相鄰的空位；（2）空位機制條件：原子近旁存在空位。（金屬和置換固溶體中原子的擴散。）直接換位（3）換位機制環(huán)形換位（所需能量較高。）2擴散程度的描述（1）原子躍遷的距離R=√ГtrR:擴散距離；Г：原子躍遷的頻率（在一定溫度下恒定）；r:原子一次躍遷距離（如一個原子間距）。（2）擴散系數(shù)D=α2PГ對于立方結(jié)構(gòu)晶體P=1/6,上式可寫為D=α2Г/6P為躍遷方向幾率；α是常數(shù)，對于簡單立方結(jié)構(gòu)α＝a;對于面向立方結(jié)構(gòu)α＝√2a/2;α＝√3a/2。（3）擴散激活能擴散激活能Q：原子躍遷時所需克服周圍原子對其束縛的勢壘。間隙擴散擴散激活能與擴散系數(shù)的關(guān)系D=D0exp(-Q/RT)D0：擴散常數(shù)?？瘴粩U散激活能與擴散系數(shù)的關(guān)系D=D0exp(-△E/kT)△E=△Ef(空位形成功)+△Em（空位遷移激活能）。3擴散的驅(qū)動力與上坡擴散（1）擴散的驅(qū)動力對于多元體系，設(shè)n為組元i的原子數(shù)，則在等溫等壓條件下，組元i原子的自由能可用化學(xué)位表示：μi=G/ni擴散的驅(qū)動力為化學(xué)位梯度，即F=-μi/x負(fù)號表示擴散驅(qū)動力指向化學(xué)位降低的方向。（2）擴散的熱力學(xué)因子組元i的擴散系數(shù)可表示為Di=KTBi(1+lni/lnxi)其中，(1+lni/lnxi)稱為熱力學(xué)因子。當(dāng)(1+lni/lnxi)<0時，DI<0,發(fā)生上坡擴散。（3）上坡擴散概念：原子由低濃度處向高濃度處遷移的擴散。驅(qū)動力：化學(xué)位梯度。其它引起上坡擴散的因素：彈性應(yīng)力的作用－大直徑原子跑向點陣的受拉部分，小直徑原子跑向點陣的受壓部分。晶界的內(nèi)吸附：某些原子易富集在晶界上。電場作用：大電場作用可使原子按一定方向擴散。4反應(yīng)擴散（1）反應(yīng)擴散：有新相生成的擴散過程。（2）相分布規(guī)律：二元擴散偶中不存在兩相區(qū)，只能形成不同的單相區(qū)；三元擴散偶中可以存在兩相區(qū)，不能形成三相區(qū)。第四節(jié)影響擴散的主要因素1溫度D=D0exp(-Q/RT)可以看出，溫度越高，擴散系數(shù)越大。2原子鍵力和晶體結(jié)構(gòu)原子鍵力越強，擴散激活能越高；致密度低的結(jié)構(gòu)中擴散系數(shù)大（舉例：滲碳選擇在奧氏體區(qū)進行）；在對稱性低的結(jié)構(gòu)中，可出現(xiàn)明顯的擴散各向異性。3固溶體類型和組元濃度的影響間隙擴散機制的擴散激活能低于置換型擴散；提高組元濃度可提高擴散系數(shù)。4晶體缺陷的影響（缺陷能量較高，擴散激活能?。┛瘴皇强瘴粩U散機制的必要條件；位錯是空隙管道，低溫下對擴散起重要促進作用；界面擴散－（短路擴散）：原子界面處的快速擴散。如對銀：Q表面=Q晶界/2=Q晶內(nèi)/35第三組元的影響如在鋼中加入合金元素對碳在中擴散的影響。強碳化物形成元素，如W,Mo,Cr,與碳親和力大，能顯著組織碳的擴散；弱碳化物形成元素，如Mn，對碳的擴散影響不大；固溶元素，如Co,Ni,提高碳的擴散系數(shù)；Si降低碳的擴散系數(shù)。第七章塑性變形第一節(jié)單晶體的塑性變形常溫下塑性變形的主要方式：滑移和孿生。一滑移1滑移：在切應(yīng)力作用下，晶體的一部分相對于另一部分沿著一定的晶面（滑移面）和晶向（滑移方向）產(chǎn)生相對位移，且不破壞晶體內(nèi)部原子排列規(guī)律性的塑變方式。光鏡下：滑移帶（無重現(xiàn)性）。2滑移的表象學(xué)電境下：滑移線。3滑移的晶體學(xué)滑移面（密排面）（1）幾何要素滑移方向（密排方向）（2）滑移系滑移系：一個滑移面和該面上一個滑移方向的組合?；葡档膫€數(shù):(滑移面?zhèn)€數(shù)）×（每個面上所具有的滑移方向的個數(shù)）典型滑移系晶體結(jié)構(gòu) 滑移面 滑移方向 滑移系數(shù)目 常見金屬面心立方 {111}×4 <110>×3 12 Cu,Al,Ni,Au {110}×6 ×2 12 Fe,W,Mo體心立方 {121}×12 <111>×1 12 Fe,W {123}×24 ×1 24 Fe {0001}×1 ×3 3 Mg,Zn,Ti密排六方 {1010} <1120> 3 Mg,Zr,Ti {1011} 6 Mg,Ti一般滑移系越多，塑性越好；滑移系數(shù)目與材料塑性的關(guān)系：與滑移面密排程度和滑移方向個數(shù)有關(guān)；與同時開動滑移系數(shù)目有關(guān)（c）。（3）滑移的臨界分切應(yīng)力（c）c：在滑移面上沿滑移方面開始滑移的最小分切應(yīng)力。外力在滑移方向上的分解。c取決于金屬的本性，不受，的影響；或＝90時，s；c＝scoscoss的取值，＝45時，s最小，晶體易滑移；軟取向：值大；取向因子：coscos硬取向：值小。（4）位錯運動的阻力派－納力：P-N=[2G/(1-v)]exp{-2a/[(1-v)b]}主要取決于位錯寬度、結(jié)合鍵本性和晶體結(jié)構(gòu)。4滑移時晶體的轉(zhuǎn)動（1）位向和晶面的變化拉伸時,滑移面和滑移方向趨于平行于力軸方向（力軸方向不變）壓縮時，晶面逐漸趨于垂直于壓力軸線。幾何硬化：，遠(yuǎn)離45，滑移變得困難；（2）取向因子的變化幾何軟化；，接近45，滑移變得容易。5多滑移多滑移：在多個（>2）滑移系上同時或交替進行的滑移。（1）滑移的分類雙滑移：單滑移：（2）等效滑移系：各滑移系的滑移面和滑移方向與力軸夾角分別相等的一組滑移系。6交滑移（1）交滑移：晶體在兩個或多個不同滑移面上沿同一滑移方向進行的滑移。螺位錯的交滑移：螺位錯從一個滑移面轉(zhuǎn)移到與之相交的另一滑移面的過程；（2）機制螺位錯的雙交滑移：交滑移后的螺位錯再轉(zhuǎn)回到原滑移面的過程。單滑移：單一方向的滑移帶；（3）滑移的表面痕跡多滑移：相互交叉的滑移帶；交滑移：波紋狀的滑移帶。二孿生（1）孿生：在切應(yīng)力作用下，晶體的一部分相對于另一部分沿一定的晶面和晶向發(fā)生均勻切變并形成晶體取向的鏡面對稱關(guān)系。孿生面A1{111},A2{112},A3{1012}（2）孿生的晶體學(xué)孿生方向A1<112>,A2<111>,A3<1011>孿晶區(qū)（3）孿生變形的特點 滑移 孿生相同點 1均勻切變；2沿一定的晶面、晶向進行；不改變結(jié)構(gòu)。不同點 晶體位向 不改變（對拋光面觀察無重現(xiàn)性）。 改變，形成鏡面對稱關(guān)系（對拋光面觀察有重現(xiàn)性） 位移量 滑移方向上原子間距的整數(shù)倍，較大。 小于孿生方向上的原子間距，較小。 對塑變的貢獻 很大，總變形量大。 有限，總變形量小。 變形應(yīng)力 有一定的臨界分切壓力 所需臨界分切應(yīng)力遠(yuǎn)高于滑移 變形條件 一般先發(fā)生滑移 滑移困難時發(fā)生 變形機制 全位錯運動的結(jié)果 分位錯運動的結(jié)果第二節(jié)多晶體的塑性變形1晶粒之間變形的傳播位錯在晶界塞積應(yīng)力集中相鄰晶粒位錯源開動相鄰晶粒變形塑變2晶粒之間變形的協(xié)調(diào)性（1）原因：各晶粒之間變形具有非同時性。（2）要求：各晶粒之間變形相互協(xié)調(diào)。（獨立變形會導(dǎo)致晶體分裂）（3）條件：獨立滑移系5個。（保證晶粒形狀的自由變化）3晶界對變形的阻礙作用（1）晶界的特點：原子排列不規(guī)則；分布有大量缺陷。（2）晶界對變形的影響：滑移、孿生多終止于晶界，極少穿過。（3）晶粒大小與性能的關(guān)系a晶粒越細(xì)，強度越高(細(xì)晶強化：由下列霍爾－配奇公式可知)s=0+kd-1/2原因：晶粒越細(xì)，晶界越多，位錯運動的阻力越大。（有尺寸限制）晶粒越多，變形均勻性提高由應(yīng)力集中導(dǎo)致的開裂機會減少，可承受更大的變形量，表現(xiàn)出高塑性。b晶粒越細(xì)，塑韌性提高細(xì)晶粒材料中，應(yīng)力集中小，裂紋不易萌生；晶界多，裂紋不易傳播，在斷裂過程中可吸收較多能量,表現(xiàn)出高韌性。第三節(jié)合金的塑性變形一固溶體的塑性變形1固溶體的結(jié)構(gòu)2固溶強化（1）固溶強化：固溶體材料隨溶質(zhì)含量提高其強度、硬度提高而塑性、韌性下降的現(xiàn)象。晶格畸變，阻礙位錯運動；（2）強化機制柯氏氣團強化。（3）屈服和應(yīng)變時效現(xiàn)象：上下屈服點、屈服延伸（呂德斯帶擴展）。預(yù)變形和時效的影響：去載后立即加載不出現(xiàn)屈服現(xiàn)象；去載后放置一段時間或200℃加熱后再加載出現(xiàn)屈服。原因：柯氏氣團的存在、破壞和重新形成。（4）固溶強化的影響因素溶質(zhì)原子含量越多，強化效果越好；溶劑與溶質(zhì)原子半徑差越大，強化效果越好；…價電子數(shù)差越大，強化效果越好；間隙式溶質(zhì)原子的強化效果高于置換式溶質(zhì)原子。二多相合金的塑性變形1結(jié)構(gòu)：基體＋第二相。2性能（1）兩相性能接近：按強度分?jǐn)?shù)相加計算。（2）軟基體＋硬第二相第二相網(wǎng)狀分布于晶界（二次滲碳體）；a結(jié)構(gòu)兩相呈層片狀分布（珠光體）；第二相呈顆粒狀分布（三次滲碳體）。彌散強化：位錯繞過第二相粒子(粒子、位錯環(huán)阻礙位錯運動)b強化沉淀強化：位錯切過第二相粒子（表面能、錯排能、粒子阻礙位錯運動）第四節(jié)塑性變形對材料組織和性能的影響一對組織結(jié)構(gòu)的影響晶粒拉長;1形成纖維組織雜質(zhì)呈細(xì)帶狀或鏈狀分布。2形成形變織構(gòu)（1）形變織構(gòu)：多晶體材料由塑性變形導(dǎo)致的各晶粒呈擇優(yōu)取向的組織。絲織構(gòu)：某一晶向趨于與拔絲方向平行。（拉拔時形成）（2）常見類型板織構(gòu)：某晶面趨于平行于軋制面，某晶向趨于平行于主變形方向。（軋制時形成）力學(xué)性能：利：深沖板材變形控制；弊：制耳。（3）對性能的影響：各向異性物理性能：硅鋼片<100>織構(gòu)可減少鐵損。3形成位錯胞變形量位錯纏結(jié)位錯胞（大量位錯纏結(jié)在胞壁，胞內(nèi)位錯密度低。）二對性能的影響1對力學(xué)性能的影響（加工硬化）（1）加工硬化（形變強化、冷作強化）：隨變形量的增加，材料的強度、硬度升高而塑韌性下降的現(xiàn)象。強化金屬的重要途徑；利提高材料使用安全性；（2）利弊材料加工成型的保證。弊變形阻力提高，動力消耗增大；脆斷危險性提高。2對物理、化學(xué)性能的影響導(dǎo)電率、導(dǎo)磁率下降，比重、熱導(dǎo)率下降；結(jié)構(gòu)缺陷增多，擴散加快；化學(xué)活性提高，腐蝕加快。三殘