磷化銦基礎(chǔ)知識(shí)單選題100道及答案解析

磷化銦基礎(chǔ)知識(shí)單選題100道及答案解析1.磷化銦的化學(xué)式是（）A.InPB.In2PC.In3PD.In4P答案：A解析：磷化銦的化學(xué)式為InP。2.磷化銦屬于（）A.單質(zhì)B.化合物C.混合物D.氧化物答案：B解析：磷化銦由兩種元素組成，屬于化合物。3.磷化銦的晶體結(jié)構(gòu)是（）A.面心立方B.體心立方C.閃鋅礦型D.氯化鈉型答案：C解析：磷化銦具有閃鋅礦型晶體結(jié)構(gòu)。4.磷化銦是一種（）A.導(dǎo)體B.半導(dǎo)體C.絕緣體D.超導(dǎo)體答案：B解析：磷化銦是重要的半導(dǎo)體材料。5.下列不是磷化銦的應(yīng)用領(lǐng)域的是（）A.光通信B.集成電路C.航空航天D.石油化工答案：D解析：石油化工領(lǐng)域通常不使用磷化銦。6.磷化銦的禁帶寬度約為（）A.0.35eVB.1.35eVC.2.35eVD.3.35eV答案：B解析：磷化銦的禁帶寬度約為1.35eV。7.制備磷化銦薄膜常用的方法是（）A.物理氣相沉積B.化學(xué)氣相沉積C.溶膠-凝膠法D.水熱法答案：B解析：化學(xué)氣相沉積常用于制備磷化銦薄膜。8.磷化銦在常溫下的電阻率為（）A.10^(-3)Ω·cmB.10^(-6)Ω·cmC.10^3Ω·cmD.10^6Ω·cm答案：B解析：磷化銦在常溫下的電阻率通常在10^(-6)Ω·cm數(shù)量級(jí)。9.下列元素與磷化銦形成的固溶體穩(wěn)定性較好的是（）A.砷化銦B.磷化鎵C.氮化鎵D.氧化鋅答案：A解析：砷化銦與磷化銦的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)相似，形成的固溶體穩(wěn)定性較好。10.磷化銦的電子遷移率比硅的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：B解析：磷化銦的電子遷移率高于硅。11.磷化銦的光學(xué)性質(zhì)主要表現(xiàn)為（）A.高透光性B.強(qiáng)反射性C.發(fā)光特性D.吸收特性答案：C解析：磷化銦具有發(fā)光特性。12.下列關(guān)于磷化銦的說法錯(cuò)誤的是（）A.硬度較大B.脆性材料C.耐高溫D.化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定答案：A解析：磷化銦硬度不大，屬于脆性材料，耐高溫且化學(xué)性質(zhì)相對(duì)穩(wěn)定。13.磷化銦的熱導(dǎo)率比鍺的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：B解析：磷化銦的熱導(dǎo)率高于鍺。14.用于生長(zhǎng)磷化銦單晶的方法是（）A.直拉法B.區(qū)熔法C.布里奇曼法D.浮區(qū)法答案：C解析：布里奇曼法常用于生長(zhǎng)磷化銦單晶。15.磷化銦在微波領(lǐng)域的應(yīng)用主要是因?yàn)槠洌ǎ〢.低損耗B.高增益C.寬頻帶D.以上都是答案：D解析：磷化銦在微波領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，因其具有低損耗、高增益、寬頻帶等優(yōu)點(diǎn)。16.磷化銦的能隙類型是（）A.直接能隙B.間接能隙C.半直接能隙D.以上都不是答案：A解析：磷化銦具有直接能隙。17.下列哪種器件通常不用磷化銦制造（）A.激光二極管B.太陽能電池C.電阻器D.晶體管答案：C解析：電阻器通常不用磷化銦制造。18.磷化銦的晶格常數(shù)約為（）A.0.587nmB.0.608nmC.0.648nmD.0.708nm答案：A解析：磷化銦的晶格常數(shù)約為0.587nm。19.磷化銦的密度約為（）A.4.78g/cm3B.5.78g/cm3C.6.78g/cm3D.7.78g/cm3答案：B解析：磷化銦的密度約為5.78g/cm3。20.下列對(duì)磷化銦的蝕刻方法中，常用的是（）A.濕法蝕刻B.干法蝕刻C.激光蝕刻D.等離子體蝕刻答案：A解析：濕法蝕刻是對(duì)磷化銦常用的蝕刻方法。21.磷化銦的折射率約為（）A.3.0B.3.5C.4.0D.4.5答案：B解析：磷化銦的折射率約為3.5。22.磷化銦的導(dǎo)帶有效質(zhì)量比價(jià)帶有效質(zhì)量（）A.大B.小C.相等D.無法比較答案：B解析：磷化銦的導(dǎo)帶有效質(zhì)量小于價(jià)帶有效質(zhì)量。23.下列不屬于磷化銦的優(yōu)點(diǎn)的是（）A.高頻性能好B.噪聲低C.成本低D.工作溫度范圍寬答案：C解析：磷化銦成本相對(duì)較高，不是其優(yōu)點(diǎn)。24.磷化銦的熔點(diǎn)約為（）A.1060℃B.1160℃C.1260℃D.1360℃答案：A解析：磷化銦的熔點(diǎn)約為1060℃。25.下列哪種材料與磷化銦的晶格匹配度較好（）A.砷化鎵B.磷化鋁C.氮化硅D.二氧化硅答案：A解析：砷化鎵與磷化銦的晶格匹配度較好。26.磷化銦在紅外波段的吸收系數(shù)（）A.較大B.較小C.為零D.不確定答案：A解析：磷化銦在紅外波段的吸收系數(shù)較大。27.磷化銦的熱膨脹系數(shù)比硅的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：B解析：磷化銦的熱膨脹系數(shù)高于硅。28.下列哪種摻雜劑常用于n型磷化銦（）A.鋅B.硫C.鎂D.鈹答案：B解析：硫常用于n型磷化銦的摻雜。29.磷化銦的霍爾系數(shù)（）A.為正B.為負(fù)C.為零D.不確定答案：B解析：磷化銦通常表現(xiàn)為n型半導(dǎo)體，霍爾系數(shù)為負(fù)。30.下列關(guān)于磷化銦的能帶結(jié)構(gòu)的描述，正確的是（）A.簡(jiǎn)單B.復(fù)雜C.與硅相似D.與鍺相似答案：B解析：磷化銦的能帶結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜。31.磷化銦的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度比砷化鎵的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：B解析：磷化銦的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高于砷化鎵。32.下列哪種工藝常用于改善磷化銦的表面質(zhì)量（）A.拋光B.氧化C.氮化D.氟化答案：A解析：拋光常用于改善磷化銦的表面質(zhì)量。33.磷化銦的飽和電子漂移速度比硅的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：B解析：磷化銦的飽和電子漂移速度高于硅。34.下列哪種化合物與磷化銦的化學(xué)性質(zhì)相似（）A.砷化銦B.磷化鋁C.氮化鎵D.氧化鋅答案：A解析：砷化銦與磷化銦的化學(xué)性質(zhì)較為相似。35.磷化銦的介電常數(shù)比二氧化硅的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：A解析：磷化銦的介電常數(shù)低于二氧化硅。36.下列哪種測(cè)試方法常用于測(cè)量磷化銦的電學(xué)性能（）A.四探針法B.光學(xué)顯微鏡法C.掃描電子顯微鏡法D.原子力顯微鏡法答案：A解析：四探針法常用于測(cè)量磷化銦的電學(xué)性能。37.磷化銦的本征載流子濃度比硅的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：A解析：磷化銦的本征載流子濃度低于硅。38.下列哪種元素的摻入可以提高磷化銦的發(fā)光效率（）A.鐵B.銅C.錳D.鈰答案：C解析：錳的摻入可以提高磷化銦的發(fā)光效率。39.磷化銦的晶體生長(zhǎng)速度比砷化鎵的（）A.慢B.快C.相等D.無法比較答案：A解析：磷化銦的晶體生長(zhǎng)速度比砷化鎵慢。40.下列哪種器件中磷化銦的應(yīng)用可以提高性能（）A.發(fā)光二極管B.電容器C.電感器D.變壓器答案：A解析：在發(fā)光二極管中應(yīng)用磷化銦可以提高性能。41.磷化銦的功函數(shù)比硅的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：A解析：磷化銦的功函數(shù)低于硅。42.下列哪種方法可以降低磷化銦的缺陷密度（）A.高溫退火B(yǎng).低溫冷卻C.增加摻雜D.減少摻雜答案：A解析：高溫退火可以降低磷化銦的缺陷密度。43.磷化銦的電子親和能比砷化鎵的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：A解析：磷化銦的電子親和能低于砷化鎵。44.下列哪種材料與磷化銦形成的異質(zhì)結(jié)性能較好（）A.砷化鋁B.磷化鎵C.氮化硼D.碳化硅答案：B解析：磷化鎵與磷化銦形成的異質(zhì)結(jié)性能較好。45.磷化銦的擴(kuò)散系數(shù)比硅的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：A解析：磷化銦的擴(kuò)散系數(shù)低于硅。46.下列哪種因素會(huì)影響磷化銦的電學(xué)性能（）A.晶體取向B.表面粗糙度C.溫度D.以上都是答案：D解析：晶體取向、表面粗糙度和溫度等都會(huì)影響磷化銦的電學(xué)性能。47.磷化銦的熱穩(wěn)定性比磷化鎵的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：B解析：磷化銦的熱穩(wěn)定性高于磷化鎵。48.下列哪種摻雜劑常用于p型磷化銦（）A.硒B.碲C.鋅D.鎘答案：C解析：鋅常用于p型磷化銦的摻雜。49.磷化銦的晶格失配度與砷化鎵相比（）A.小B.大C.相等D.無法比較答案：A解析：磷化銦與砷化鎵的晶格失配度較小。50.下列哪種測(cè)試手段可以分析磷化銦的晶體結(jié)構(gòu)（）A.X射線衍射B.紅外光譜C.拉曼光譜D.紫外-可見光譜答案：A解析：X射線衍射可以用于分析磷化銦的晶體結(jié)構(gòu)。51.磷化銦的光學(xué)帶隙隨溫度的變化（）A.增大B.減小C.不變D.不確定答案：B解析：磷化銦的光學(xué)帶隙隨溫度升高而減小。52.下列哪種工藝可以提高磷化銦的晶體質(zhì)量（）A.外延生長(zhǎng)B.離子注入C.化學(xué)鍍D.電鍍答案：A解析：外延生長(zhǎng)可以提高磷化銦的晶體質(zhì)量。53.磷化銦的光電轉(zhuǎn)換效率比硅的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：B解析：在某些條件下，磷化銦的光電轉(zhuǎn)換效率高于硅。54.下列哪種元素的摻入會(huì)降低磷化銦的導(dǎo)電性（）A.錫B.銻C.鐵D.鋁答案：C解析：鐵的摻入可能會(huì)降低磷化銦的導(dǎo)電性。55.磷化銦的霍爾遷移率比鍺的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：B解析：磷化銦的霍爾遷移率高于鍺。56.下列哪種因素會(huì)導(dǎo)致磷化銦的發(fā)光波長(zhǎng)發(fā)生變化（）A.摻雜濃度B.工作電流C.溫度D.以上都是答案：D解析：摻雜濃度、工作電流和溫度等都會(huì)導(dǎo)致磷化銦的發(fā)光波長(zhǎng)發(fā)生變化。57.磷化銦的介電損耗比二氧化硅的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：B解析：磷化銦的介電損耗高于二氧化硅。58.下列哪種測(cè)試方法可以測(cè)量磷化銦的光學(xué)吸收系數(shù)（）A.分光光度法B.橢偏法C.光致發(fā)光法D.以上都是答案：D解析：分光光度法、橢偏法和光致發(fā)光法等都可以測(cè)量磷化銦的光學(xué)吸收系數(shù)。59.磷化銦的晶格振動(dòng)頻率比砷化鎵的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：A解析：磷化銦的晶格振動(dòng)頻率低于砷化鎵。60.下列哪種工藝可以在磷化銦表面形成絕緣層（）A.氧化B.氮化C.硫化D.氟化答案：B解析：氮化可以在磷化銦表面形成絕緣層。61.磷化銦的熱擴(kuò)散系數(shù)比硅的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：A解析：磷化銦的熱擴(kuò)散系數(shù)低于硅。62.下列哪種化合物與磷化銦的晶格常數(shù)相近（）A.砷化鎵B.磷化鋁C.氮化鎵D.氧化鋅答案：A解析：砷化鎵與磷化銦的晶格常數(shù)相近。63.磷化銦的折射率隨波長(zhǎng)的變化（）A.增大B.減小C.不變D.不確定答案：B解析：磷化銦的折射率通常隨波長(zhǎng)增大而減小。64.下列哪種摻雜劑可以增加磷化銦的禁帶寬度（）A.鋁B.銦C.磷D.砷答案：A解析：鋁的摻雜可以增加磷化銦的禁帶寬度。65.磷化銦的禁帶寬度隨壓力的變化（）A.增大B.減小C.不變D.不確定答案：A解析：磷化銦的禁帶寬度通常隨壓力增大而增大。66.下列哪種因素會(huì)影響磷化銦的發(fā)光強(qiáng)度（）A.晶體缺陷B.外加電場(chǎng)C.環(huán)境濕度D.以上都是答案：D解析：晶體缺陷、外加電場(chǎng)和環(huán)境濕度等都會(huì)影響磷化銦的發(fā)光強(qiáng)度。67.磷化銦的電導(dǎo)率隨溫度升高（）A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小答案：A解析：一般情況下，磷化銦的電導(dǎo)率隨溫度升高而增大。68.下列哪種材料與磷化銦形成的異質(zhì)結(jié)具有較高的電子遷移率（）A.砷化鋁B.磷化鎵C.氮化鎵D.氧化鋅答案：B解析：磷化鎵與磷化銦形成的異質(zhì)結(jié)通常具有較高的電子遷移率。69.磷化銦的介電強(qiáng)度比硅的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：B解析：磷化銦的介電強(qiáng)度高于硅。70.下列哪種方法可以改善磷化銦的光學(xué)性能（）A.表面鈍化B.離子交換C.化學(xué)腐蝕D.機(jī)械打磨答案：A解析：表面鈍化可以改善磷化銦的光學(xué)性能。71.磷化銦的霍爾效應(yīng)比鍺的（）A.明顯B.不明顯C.相同D.無法比較答案：A解析：磷化銦的霍爾效應(yīng)比鍺明顯。72.下列哪種元素的摻入可以使磷化銦的發(fā)光顏色發(fā)生變化（）A.鉻B.鈷C.鎳D.銅答案：D解析：銅的摻入可以使磷化銦的發(fā)光顏色發(fā)生變化。73.磷化銦的熱導(dǎo)率隨溫度的變化（）A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小答案：B解析：磷化銦的熱導(dǎo)率通常隨溫度升高而減小。74.下列哪種工藝可以制備高質(zhì)量的磷化銦量子點(diǎn)（）A.溶膠-凝膠法B.水熱法C.分子束外延D.化學(xué)氣相沉積答案：C解析：分子束外延可以制備高質(zhì)量的磷化銦量子點(diǎn)。75.磷化銦的電阻率隨摻雜濃度的增加（）A.增大B.減小C.不變D.先減小后增大答案：B解析：通常，磷化銦的電阻率隨摻雜濃度增加而減小。76.下列哪種化合物與磷化銦的能帶結(jié)構(gòu)差異較大（）A.砷化鎵B.磷化鋁C.氮化鎵D.氧化鋅答案：D解析：氧化鋅與磷化銦的能帶結(jié)構(gòu)差異較大。77.磷化銦的發(fā)光壽命比砷化鎵的（）A.長(zhǎng)B.短C.相等D.無法比較答案：A解析：一般來說，磷化銦的發(fā)光壽命比砷化鎵長(zhǎng)。78.下列哪種因素會(huì)影響磷化銦的量子效率（）A.表面態(tài)B.晶體質(zhì)量C.激發(fā)光強(qiáng)度D.以上都是答案：D解析：表面態(tài)、晶體質(zhì)量和激發(fā)光強(qiáng)度等都會(huì)影響磷化銦的量子效率。79.磷化銦的光學(xué)吸收邊隨摻雜的變化（）A.藍(lán)移B.紅移C.不變D.不確定答案：A解析：磷化銦的光學(xué)吸收邊通常隨摻雜而藍(lán)移。80.下列哪種材料與磷化銦的熱膨脹系數(shù)匹配較好（）A.砷化鎵B.磷化鋁C.氮化鎵D.二氧化硅答案：A解析：砷化鎵與磷化銦的熱膨脹系數(shù)匹配較好。81.磷化銦的載流子濃度隨溫度的升高（）A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小答案：A解析：一般情況下，磷化銦的載流子濃度隨溫度升高而增大。82.下列哪種元素的摻入可以提高磷化銦的折射率（）A.鈦B.鋯C.鉿D.鈮答案：C解析：鉿的摻入可以提高磷化銦的折射率。83.磷化銦的電致發(fā)光效率比硅的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：B解析：磷化銦的電致發(fā)光效率通常高于硅。84.下列哪種工藝可以制備磷化銦納米線（）A.模板法B.氣相沉積法C.電化學(xué)沉積法D.以上都是答案：D解析：模板法、氣相沉積法和電化學(xué)沉積法等都可以制備磷化銦納米線。85.磷化銦的光生伏特效應(yīng)比鍺的（）A.明顯B.不明顯C.相同D.無法比較答案：A解析：磷化銦的光生伏特效應(yīng)比鍺明顯。86.下列哪種化合物與磷化銦的晶格失配度較小（）A.砷化鋁B.磷化鋁C.氮化鎵D.氧化鋅答案：A解析：砷化鋁與磷化銦的晶格失配度較小。87.磷化銦的熒光壽命比砷化鎵的（）A.長(zhǎng)B.短C.相等D.無法比較答案：A解析：通常磷化銦的熒光壽命比砷化鎵長(zhǎng)。88.下列哪種因素會(huì)影響磷化銦的發(fā)光峰位（）A.晶體尺寸B.摻雜濃度C.外加磁場(chǎng)D.以上都是答案：D解析：晶體尺寸、摻雜濃度和外加磁場(chǎng)等都會(huì)影響磷化銦的發(fā)光峰位。89.磷化銦的光學(xué)非線性系數(shù)比硅的（）A.低B.高C.相等D.無法比較答案：B解析：磷化銦的光學(xué)非線性系數(shù)高于硅。90.下列哪種材料與磷化銦的熱導(dǎo)率相近（）A.砷化鎵B.磷化鋁C.氮化鎵D.氧化鋅答案：A解析：砷化鎵與磷化銦