半導(dǎo)體器件物理知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋無

半導(dǎo)體器件物理知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋無第一章單元測(cè)試

對(duì)于離子注入或在輕摻雜的原始晶片上進(jìn)行淺結(jié)擴(kuò)散的情況，突變結(jié)是一個(gè)可接受的近似。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)理想PN結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)小于禁帶寬度的電壓值。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)線性緩變結(jié)的耗盡層寬度正比于（）

A:B:C:其中，為輕摻雜一側(cè)的雜質(zhì)濃度D:

答案:下面哪個(gè)圖代表線性緩變PN結(jié)熱平衡的電場(chǎng)分布：（）

A:B:C:D:

答案:PN結(jié)的p型和n型間的勢(shì)壘隨正向偏壓的增加而升高。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)在反向偏置下，靠近PN結(jié)耗盡區(qū)邊界的準(zhǔn)中性區(qū)內(nèi)載流子會(huì)發(fā)生什么過程？（）

A:產(chǎn)生和擴(kuò)散B:產(chǎn)生和漂移C:擴(kuò)散和復(fù)合D:漂移和擴(kuò)散

答案:產(chǎn)生和擴(kuò)散下面那個(gè)圖正確表示了PN結(jié)正偏的少子濃度分布圖：（）

A:B:C:

答案:在推導(dǎo)理想二極管方程中，下面哪一個(gè)假定沒有使用？（）

A:不存在“其他”過程，也就是說沒有光子產(chǎn)生，也沒有雪崩和隧穿發(fā)生，等等。B:窄基區(qū)二極管，即n和p的準(zhǔn)中性寬度遠(yuǎn)小于各自的少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度。C:小注入水平D:在耗盡區(qū)中沒有復(fù)合-產(chǎn)生

答案:窄基區(qū)二極管，即n和p的準(zhǔn)中性寬度遠(yuǎn)小于各自的少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度。在理想pn結(jié)中，正偏穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散時(shí)，單位時(shí)間、單位體積內(nèi)擴(kuò)散和漂移積累的少子數(shù)量等于復(fù)合損失的少子的數(shù)量。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)正偏穩(wěn)態(tài)理想pn結(jié)中，載流子的連續(xù)性方程為。（>0，>0）（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)PN結(jié)正偏時(shí)，擴(kuò)散區(qū)中非平衡少子濃度隨擴(kuò)散距離的增大而指數(shù)增大，逐漸趨向熱平衡值。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)以下哪個(gè)選項(xiàng)是理想二極管電壓-電流公式中的與外加偏壓無關(guān)的參數(shù)J0：（）

A:B:C:D:

答案:反偏PN結(jié)空間電荷區(qū)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)以下哪個(gè)不屬于PN結(jié)伏安特性非理想效應(yīng)（）

A:載流子大注入（正偏）B:耗盡區(qū)擴(kuò)散電流（正偏）C:耗盡區(qū)產(chǎn)生電流（反偏）D:結(jié)擊穿（反偏）

答案:耗盡區(qū)擴(kuò)散電流（正偏）下面哪一種說法是不正確的？（）

A:如果要在PN結(jié)二極管中發(fā)生齊納過程，要求耗盡區(qū)寬度必須非常窄（<10-6cm）B:在保持于室溫下的硅二極管中，如果，那么齊納是造成擊穿的主要原因。C:雪崩擊穿電壓近似地隨p+-n和n+-p結(jié)中輕摻雜一側(cè)的摻雜濃度成反比變化。D:PN結(jié)雪崩和齊納擊穿都是可恢復(fù)的過程

答案:在保持于室溫下的硅二極管中，如果，那么齊納是造成擊穿的主要原因。PN結(jié)在較低正偏壓下，隨正向電壓的增加，擴(kuò)散電流變的越來越不占主導(dǎo)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)相同正偏壓下，相同摻雜濃度分布的硅PN結(jié)比鍺PN結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合電（）流大。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)下圖表示了PN結(jié)正偏電流隨正向偏壓的變化曲線，c區(qū)域中：（）

A:B:C:D:

答案:PN結(jié)的勢(shì)壘電容隨反偏電壓的增大而增大。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)下面關(guān)于PN結(jié)的勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容的說法哪個(gè)是正確的？（）

A:這兩個(gè)電容都是因?yàn)閯?shì)壘區(qū)中的電荷隨外偏壓變化而引起的B:勢(shì)壘電容只存在于反偏壓下，擴(kuò)散電容只存在于正偏壓下C:這兩個(gè)電容的正負(fù)電荷在空間上都是重疊的；D:減少PN結(jié)結(jié)面積可以減少這兩個(gè)電容

答案:減少PN結(jié)結(jié)面積可以減少這兩個(gè)電容關(guān)于PN結(jié)的擴(kuò)散電容的描述，以下哪一個(gè)是不正確的（）

A:擴(kuò)散電容在高頻電路中特別重要，而在低頻時(shí)擴(kuò)散電容很小。B:減少少子壽命可以減小擴(kuò)散電容C:正向偏壓越大，擴(kuò)散電容越大D:工作電流越大，擴(kuò)散電容越大

答案:擴(kuò)散電容在高頻電路中特別重要，而在低頻時(shí)擴(kuò)散電容很小。PN結(jié)小信號(hào)模型中的準(zhǔn)靜態(tài)是指信號(hào)變化速率低于器件內(nèi)載流子弛豫到穩(wěn)態(tài)的速率，即器件內(nèi)部的載流子分布的變化跟得上信號(hào)的變化。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)PN結(jié)由正偏突變成反偏時(shí)，電流與電壓存在延遲現(xiàn)象，這是因?yàn)檎€(wěn)態(tài)存儲(chǔ)的電荷不能立刻消失。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)PN結(jié)由正偏突變成反偏時(shí)，立刻出現(xiàn)少子抽取。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)下圖給出了硅PN結(jié)關(guān)斷過程的電流隨時(shí)間的變化曲線，判斷下面說法正確的是：（）

A:若I1提高兩倍，則相應(yīng)的增大兩倍B:總的關(guān)斷時(shí)間為C:減小I2或摻金有助于提高關(guān)斷速度D:為存儲(chǔ)時(shí)間，即空間電荷區(qū)邊緣少子濃度達(dá)到熱平衡值所經(jīng)歷的時(shí)間

答案:為存儲(chǔ)時(shí)間，即空間電荷區(qū)邊緣少子濃度達(dá)到熱平衡值所經(jīng)歷的時(shí)間

第二章單元測(cè)試

晶體管是一種無源器件。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)雙極型晶體管是通過調(diào)控結(jié)勢(shì)壘高度來控制電流大小，場(chǎng)效應(yīng)晶體管是通過調(diào)節(jié)導(dǎo)電溝道的電導(dǎo)來控制電流。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)關(guān)于理想MOS結(jié)構(gòu)的描述，下面不正確的是（）

A:金屬與半導(dǎo)體之間存在一個(gè)電勢(shì)差B:氧化層不導(dǎo)電，也不荷電C:金屬柵足夠厚，在交流和直流偏置條件下可以看作為一個(gè)等電勢(shì)區(qū)D:半導(dǎo)體足夠厚，不管加什么柵電壓，在達(dá)到背接觸之前總有一個(gè)零電場(chǎng)區(qū)域(即所謂硅體區(qū))

答案:金屬與半導(dǎo)體之間存在一個(gè)電勢(shì)差理想n型MOS電容的不同靜態(tài)偏置下的能帶圖如下所示，其中對(duì)應(yīng)載流子反型程度最強(qiáng)的是（），表示所施加的柵極的電壓（）

A:B:C:D:

答案:下面關(guān)于MOS電容表面勢(shì)與費(fèi)米勢(shì)的說法錯(cuò)誤的是：（）

A:是半導(dǎo)體發(fā)生反型的臨界條件B:的大小與摻雜濃度有關(guān)C:表面勢(shì)是體內(nèi)與表面之間的勢(shì)壘高度D:費(fèi)米勢(shì)的符號(hào)可以反映摻雜類型，如果半導(dǎo)體為P型，則；如果為n型，則

答案:費(fèi)米勢(shì)的符號(hào)可以反映摻雜類型，如果半導(dǎo)體為P型，則；如果為n型，則半導(dǎo)體的電子親和勢(shì)是真空能級(jí)與半導(dǎo)體表面的導(dǎo)帶能級(jí)Ec之差。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)在測(cè)量MOS電容低頻C-V特性時(shí)采用“準(zhǔn)靜態(tài)技術(shù)”。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)下圖是p型襯底的MOS電容隨柵壓的變化關(guān)系圖，下列說法不正確的是：（）

A:當(dāng)信號(hào)頻率比較高，耗盡層中電子—空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合跟不上信號(hào)的變化，反型層中的電子電荷Qn來不及改變，在高頻情況下C維持極小值，如DG段所示B:CD段處于耗盡區(qū)C:AB段總電容由絕緣層電容決定（類同于平行電容器）D:EF段發(fā)生在高頻強(qiáng)反型區(qū)

答案:EF段發(fā)生在高頻強(qiáng)反型區(qū)下圖中表示氧化層正的陷阱電荷引起的N型MOS電容C-V曲線平移的是（）

A:B:C:D:

答案:“場(chǎng)效應(yīng)”是指載流子被平行于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)加速的現(xiàn)象。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)下列對(duì)MOSFET閾值電壓襯底偏置效應(yīng)（反向偏置）描述正確的是：（）

A:襯偏效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致閾值電壓增大B:襯偏效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致閾值電壓減小C:對(duì)于nMOS，為了保證不發(fā)生襯偏效應(yīng)，需要保證源到襯底的PN結(jié)必須為零或反偏D:對(duì)于pMOS，為了保證不發(fā)生襯偏效應(yīng)，需要保證源到襯底PN結(jié)必須為零或反偏

答案:對(duì)于nMOS，為了保證不發(fā)生襯偏效應(yīng)，需要保證源到襯底的PN結(jié)必須為零或反偏下面關(guān)于影響MOSFET閾值電壓大小的因素不包括：（）

A:功函數(shù)差B:氧化層厚度C:界面固定電荷D:所施加的柵電壓大小

答案:所施加的柵電壓大小理想MOSFET采用的緩變溝道近似是指沿垂直于溝道方向電場(chǎng)變化很小。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)MOSFET的亞閾值電流正比于表面勢(shì)的指數(shù).（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)下列減小MOSFET亞閾值擺幅的途徑不包括（）

A:減小氧化層電容COXB:器件工作溫度不能過高C:減小界面充放電電荷密度NssD:減小勢(shì)壘電容Cd

答案:減小氧化層電容COXMOSFET中會(huì)有哪些寄生電容（）

A:柵極溝道和襯底之間也存在柵襯電容，表示為CGBB:都是C:源極、漏極和襯底之間的寄生PN結(jié)電容，分別寫成CGS和CGDD:柵極和源之間的交疊部分有交疊MOS電容，分別寫成CGSO和CGDOE:柵極和源之間不交疊的部分則存在分布電容，分別寫成CGS和CGD

答案:都是下列對(duì)于MOSFET的柵源、柵漏之間的分布電容描述不正確的是：（）

A:柵源分布電容CGS等于柵氧化層存儲(chǔ)電荷QG隨柵源電壓VGS的變化率，柵漏分布電容CGD的定義同理B:當(dāng)器件進(jìn)入飽和區(qū)，柵源之間的分布電容CGS等于總氧化層電容CG的二分之三C:當(dāng)器件進(jìn)入飽和區(qū)，漏端附近的溝道夾斷，反型層消失，柵極電荷將不隨漏極電壓變化而變化，此時(shí)柵漏之間的分布電容CGD為零D:考慮到線性區(qū)中漏極電壓很小，柵源電壓與柵漏電壓近似相等，柵源、柵漏分布電容均等于

答案:當(dāng)器件進(jìn)入飽和區(qū)，柵源之間的分布電容CGS等于總氧化層電容CG的二分之三實(shí)際MOSFET高頻等效電路相比理想MOSFET高頻等效電容多考慮了哪些因素？（）

A:都是B:源極與襯底、漏極與襯底之間存在寄生PN結(jié)DS和DD以及相應(yīng)的結(jié)電容Cjs和CjdC:在實(shí)際電路連接中，源極和漏極與外部端口之間存在一定的體電阻Rs和RdD:柵源和柵漏交疊電容CGSO和CGDO

答案:都是MOSFET器件截止頻率fT，定義為跨導(dǎo)衰減到低頻跨導(dǎo)gm的的時(shí)（也就是功率跨導(dǎo)減小到低頻時(shí)的2分之1時(shí)）。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)MOSFET器件的跨導(dǎo)截止頻率和器件截止頻率均越高越好。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)提升MOSFET截止頻率的方法錯(cuò)誤的是（）

A:減小半導(dǎo)體表面態(tài)和界面態(tài)，削弱載流子在表面或界面上的散射B:選用高遷移率材料，例如NMOS、應(yīng)變硅、高遷移率化合物半導(dǎo)體C:增大溝道長(zhǎng)度，減少短溝道效應(yīng)D:讓器件工作在飽和區(qū)，讓柵漏之間斷路，避免柵漏分布電容的影響

答案:增大溝道長(zhǎng)度，減少短溝道效應(yīng)

第三章單元測(cè)試

雙極晶體管的“雙極”代表兩種載流子共同參與導(dǎo)電。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)下面選項(xiàng)是同一類雙極晶體管的是：（）

A:化合物晶體管、平面管、低噪聲管B:點(diǎn)接觸型晶體管、面接觸型晶體管C:高頻管、微波管、臺(tái)面管、開關(guān)管D:合金管、合金擴(kuò)散管、Si晶體管

答案:點(diǎn)接觸型晶體管、面接觸型晶體管下列關(guān)于BJT中淺埋層的描述錯(cuò)誤的是：（）

A:淺埋層同時(shí)起到了隔離器件的作用B:淺埋層是為了解決器件微小化過程中出現(xiàn)的表面復(fù)合增大的問題C:淺埋層的加入可以使得發(fā)射結(jié)的厚度變淺，增大晶體管的電流增益D:淺埋層是利用多晶硅工藝制作形成發(fā)射結(jié)接觸

答案:淺埋層同時(shí)起到了隔離器件的作用下圖給出了一個(gè)雙極晶體管的簡(jiǎn)單電路，回答以下問題：該雙極晶體管是哪種電路接法（）

A:共集電極B:共基極C:共射極

答案:共射極下圖給出了一個(gè)雙極晶體管的簡(jiǎn)單電路，回答以下問題：以下哪種簡(jiǎn)化電路圖對(duì)應(yīng)題目所給的雙極晶體管電路（）

A:B:C:D:

答案:下圖給出了一個(gè)雙極晶體管的簡(jiǎn)單電路，回答以下問題：該電路的直流放大系數(shù)怎么表示：（）

A:D.B:C:D:

答案:下圖給出了共射極組態(tài)的npn晶體管的電路圖，請(qǐng)回答以下問題：下面對(duì)于三股電流的描述正確的是：（）

A:B:C:D:

答案:下圖給出了共射極組態(tài)的npn晶體管的電路圖，請(qǐng)回答以下問題：下面關(guān)于該BJT晶體管發(fā)射效率與基區(qū)輸運(yùn)描不正確的是：（）

A:發(fā)射效率，其中為發(fā)射區(qū)空穴電流，為發(fā)射區(qū)電子電流B:發(fā)射效率是表示有效注入電流占總發(fā)射電流的比例C:基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)，其中為基區(qū)復(fù)合電流，為發(fā)射區(qū)電子電流D:基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)表示注入集電區(qū)電流占輸入集電區(qū)有效電流的比例，它代表了基區(qū)對(duì)載流子輸運(yùn)性能的強(qiáng)弱

答案:發(fā)射效率，其中為發(fā)射區(qū)空穴電流，為發(fā)射區(qū)電子電流以下哪個(gè)選項(xiàng)不屬于均勻基區(qū)晶體管的前提條件：（）

A:發(fā)射結(jié)勢(shì)壘區(qū)的寬度遠(yuǎn)小于少子的擴(kuò)散長(zhǎng)度B:發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的PN結(jié)都是突變pn結(jié)C:外加電壓全部降落在發(fā)射結(jié)的勢(shì)壘區(qū)D:發(fā)射區(qū)、集電區(qū)、基區(qū)的雜質(zhì)分布性質(zhì)都是均勻分布

答案:外加電壓全部降落在發(fā)射結(jié)的勢(shì)壘區(qū)下列對(duì)于BJT的放大作用描述錯(cuò)誤的是：（）

A:當(dāng)基區(qū)寬度遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度時(shí)，絕大多數(shù)少子通過擴(kuò)散到達(dá)集電結(jié)耗盡區(qū)B:晶體管的電流放大過程主要是發(fā)射結(jié)的注入和基區(qū)的輸運(yùn)C:在發(fā)射結(jié)中擴(kuò)散流小于漂移流，集電結(jié)中漂移流小于擴(kuò)散流D:正向有源工作模式，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏

答案:在發(fā)射結(jié)中擴(kuò)散流小于漂移流，集電結(jié)中漂移流小于擴(kuò)散流假設(shè)BJT晶體管參數(shù)如下：，，，，以及，則該晶體管的發(fā)射極注入效率（）

A:1.9934B:0.9934C:0.0066D:1

答案:0.9934下面對(duì)于緩變基區(qū)晶體管的描述不正確的是：（）

A:基區(qū)出現(xiàn)自建電場(chǎng)且自建電場(chǎng)的方向與擴(kuò)散場(chǎng)方向一致B:多子在基區(qū)中存在凈電流流動(dòng)C:基區(qū)自建電場(chǎng)增強(qiáng)少子的擴(kuò)散D:發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都是緩變結(jié)，基區(qū)雜質(zhì)分布存在一定梯度

答案:多子在基區(qū)中存在凈電流流動(dòng)已知一個(gè)雙極晶體管的參數(shù)為：，Wb=2μm，，，（1）若該晶體管是緩變基區(qū)晶體管，則它的基區(qū)復(fù)合電流大小是多少：（）

A:B:D.C:D:

答案:已知一個(gè)雙極晶體管的參數(shù)為：，Wb=2μm，，，（2）若該晶體管是均勻基區(qū)晶體管，則它的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是多少：（）

A:D.1.999B:B.1.001C:D:A.0.0006

答案:已知一個(gè)雙極晶體管的參數(shù)為：，Wb=2μm，，，（3）若該晶體管是緩變基區(qū)晶體管，則它的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是多少：（）

A:D.0.99968B:B.0.00032C:A.1.0003D:C.1.9997

答案:D.0.99968已知一個(gè)雙極晶體管的參數(shù)為：，Wb=2μm，，，（4）比較（2）和（3）的結(jié)果，兩種晶體管誰的電流增益更大？（）

A:均勻基區(qū)晶體管B:一樣大C:緩變基區(qū)晶體管

答案:緩變基區(qū)晶體管以下提高雙極晶體管直流電流增益的方法不正確的是：（）

A:改善器件的表面狀況來減小表面復(fù)合B:減小基區(qū)寬度的數(shù)值，來增大基區(qū)少子濃度梯度，增大漂移電流，減小基區(qū)復(fù)合C:增大基區(qū)少子壽命和少子遷移率來來減小復(fù)合損失D:增大發(fā)射區(qū)的雜質(zhì)濃度與基區(qū)的雜質(zhì)濃度之比，來提高發(fā)射效率

答案:減小基區(qū)寬度的數(shù)值，來增大基區(qū)少子濃度梯度，增大漂移電流，減小基區(qū)復(fù)合下面對(duì)于BJT發(fā)射結(jié)對(duì)電流增益的影響說法錯(cuò)誤的是（）

A:重?fù)桨l(fā)射結(jié)會(huì)導(dǎo)致雜質(zhì)能級(jí)交疊，在禁帶中出現(xiàn)能帶，使得發(fā)射區(qū)禁帶變窄，從而導(dǎo)致發(fā)射區(qū)的復(fù)合效應(yīng)增大，降低了直流電流增益B:發(fā)射結(jié)的摻雜濃度應(yīng)該控制在C:重?fù)降陌l(fā)射結(jié)的復(fù)合效應(yīng)主要來源于俄歇復(fù)合和SHR復(fù)合D:發(fā)射結(jié)勢(shì)壘區(qū)的復(fù)合電流會(huì)降低直流電流增益

答案:發(fā)射結(jié)的摻雜濃度應(yīng)該控制在下面關(guān)于BJT發(fā)射結(jié)的復(fù)合效應(yīng)說法正確的是：（）

A:發(fā)射結(jié)結(jié)深較大時(shí)，主要以SHR復(fù)合為主，可以忽略禁帶窄化效應(yīng)B:SHR復(fù)合是指一種三粒子復(fù)合過程，是帶間的直接復(fù)合，是碰撞電離的逆過程C:俄歇復(fù)合是一種借助禁帶中央的缺陷作為復(fù)合中心的復(fù)合過程D:發(fā)射結(jié)電流較小時(shí)，主要以俄歇復(fù)合為主。

答案:發(fā)射結(jié)結(jié)深較大時(shí)，主要以SHR復(fù)合為主，可以忽略禁帶窄化效應(yīng)下列對(duì)于雙極晶體管的反向直流參數(shù)的描述不正確的是（）

A:實(shí)際中晶體管的反向電流還包括表面漏電流B:反向截止電流越小越好C:擊穿電壓越小越好D:反向截止電流按照電極接法的不同可以分為三類，且大小關(guān)系是：

答案:擊穿電壓越小越好下面有關(guān)BJT擊穿電壓的描述正確的是：（）

A:對(duì)于緩變基區(qū)晶體管，擊穿電壓與雜質(zhì)濃度梯度無關(guān)B:發(fā)射結(jié)的擊穿電壓由基區(qū)的摻雜濃度決定，基區(qū)雜質(zhì)濃度越大，發(fā)射結(jié)的擊穿電壓越大C:雙極晶體管相比于PN結(jié)更難發(fā)生雪崩擊穿D:共射極連接時(shí)，基極懸空會(huì)使得雪崩擊穿更容易發(fā)生

答案:共射極連接時(shí)，基極懸空會(huì)使得雪崩擊穿更容易發(fā)生下面關(guān)于BJT基極電阻描述不正確的是：（）

A:基極電阻又稱基極擴(kuò)展電阻B:基極電阻的分布不均勻是由于不同位置的平均壓降與電流的比值不同C:梳妝管芯的基極電阻由n+1個(gè)發(fā)射條和n個(gè)基極條組成D:基區(qū)的電流流向會(huì)影響基極電阻

答案:梳妝管芯的基極電阻由n+1個(gè)發(fā)射條和n個(gè)基極條組成以下減少BJT基極電阻的措施不正確的是：（）

A:減少并聯(lián)單元的個(gè)數(shù)B:減小發(fā)射區(qū)條寬和基區(qū)條寬，增大發(fā)射區(qū)條長(zhǎng)C:降低基區(qū)的方塊電阻D:增大發(fā)射極的條數(shù)

答案:減少并聯(lián)單元的個(gè)數(shù)上圖給出了pnp晶體管的測(cè)試電路，請(qǐng)回答問題：這個(gè)晶體管的連接方式是：（）

A:共集電極B:共基極C:共射極

答案:共射極上圖給出了pnp晶體管的測(cè)試電路，請(qǐng)回答問題：以下哪個(gè)圖能正確反映該晶體管的輸入特性曲線：（）

A:B:C:

答案:上圖給出了pnp晶體管的測(cè)試電路，請(qǐng)問：以下哪個(gè)圖能正確反映該晶體管的輸出特性曲線：（）

A:B:

答案:EM模型通過將BJT看成兩個(gè)背靠背的PN結(jié)來建立模型。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第四章單元測(cè)試

下列對(duì)于小信號(hào)模型下雙極晶體管各區(qū)域的變化描述錯(cuò)誤的是：（）

A:發(fā)射結(jié)的擴(kuò)散電容會(huì)導(dǎo)致基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)增大B:處于放大狀態(tài)下的BJT基區(qū)的集電結(jié)的擴(kuò)散電容很小，一般忽略不計(jì)C:集電結(jié)的擴(kuò)散電容是由于基區(qū)寬化效應(yīng)造成的基區(qū)電荷積累的變化引起的D:發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都會(huì)出現(xiàn)勢(shì)壘電容，它的形成與PN結(jié)的勢(shì)壘電容相似

答案:發(fā)射結(jié)的擴(kuò)散電容會(huì)導(dǎo)致基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)增大交流小信號(hào)條件下的BJT集電結(jié)勢(shì)壘區(qū)兩側(cè)的電流不相等，是因?yàn)榧妳^(qū)勢(shì)壘區(qū)有一定寬度，載流子存在時(shí)間延遲，導(dǎo)致兩側(cè)的載流子濃度不一樣，因此電流不相等。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)下列對(duì)混合π模型求出的BJT器件參數(shù)描述或公式正確的是：（）

A:輸出電導(dǎo)是輸出電流隨集電結(jié)電壓的變化率，他的大小為B:跨導(dǎo)gm是晶體管放大功能強(qiáng)弱的標(biāo)志，它的大小C:反饋電導(dǎo)是輸入電流隨發(fā)射結(jié)電壓的變化率，它的大小D:輸入電導(dǎo)是輸入電流隨輸出電壓的變化率，它的大小

答案:輸出電導(dǎo)是輸出電流隨集電結(jié)電壓的變化率，他的大小為下列對(duì)混合π模型的意義描述正確的是：（）

A:引入了結(jié)構(gòu)參數(shù)相關(guān)的模型參數(shù)B:模型中不包含溫度參數(shù)TC:主要考慮的是交流下的勢(shì)壘電容，擴(kuò)散電容很小忽略不計(jì)D:建立了由有源元件組成的簡(jiǎn)單電路

答案:引入了結(jié)構(gòu)參數(shù)相關(guān)的模型參數(shù)交流小信號(hào)下正常工作狀態(tài)的BJT的集電結(jié)延遲時(shí)間主要是因?yàn)榧娊Y(jié)勢(shì)壘電容的充放電時(shí)間。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)延遲時(shí)間越短，則BJT的電流增益會(huì)越大。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)下列關(guān)于共基極組態(tài)下BJT的基區(qū)小信號(hào)特性參數(shù)描述正確的是：（）

A:交流小信號(hào)下基區(qū)的輸運(yùn)系數(shù)大于靜態(tài)工作下的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)B:小信號(hào)下基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是一個(gè)復(fù)數(shù)C:基區(qū)渡越截止頻率是指當(dāng)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)為靜態(tài)工作下的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)的D:基區(qū)的渡越時(shí)間主要是由于集電結(jié)擴(kuò)散電容的充放電時(shí)間構(gòu)成的

答案:小信號(hào)下基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是一個(gè)復(fù)數(shù)下列關(guān)于共BJT的集電區(qū)小信號(hào)特性參數(shù)描述錯(cuò)誤的是（）

A:信號(hào)頻率增大，集電區(qū)衰減因子減小B:延遲時(shí)間包括集電結(jié)勢(shì)壘區(qū)的渡越時(shí)間和集電結(jié)勢(shì)壘電容的延遲時(shí)間C:集電區(qū)衰減因子與集電極延遲時(shí)間無關(guān)D:集電結(jié)勢(shì)壘區(qū)渡越時(shí)間越大，集電結(jié)勢(shì)壘區(qū)輸運(yùn)系數(shù)越小

答案:集電區(qū)衰減因子與集電極延遲時(shí)間無關(guān)硅NPN晶體管在300K時(shí)具有如下參數(shù)：求（1）發(fā)射結(jié)電容充電時(shí)間：（）

A:23psB:24psC:26psD:22ps

答案:26ps硅NPN晶體管在300K時(shí)具有如下參數(shù)：求（2）基區(qū)渡越時(shí)間:（）

A:40psB:60psC:50psD:30ps

答案:50ps硅NPN晶體管在300K時(shí)具有如下參數(shù)：求（3）集電結(jié)耗盡區(qū)渡越時(shí)間:（）

A:24psB:23psC:22psD:21ps

答案:24ps硅NPN晶體管在300K時(shí)具有如下參數(shù)：求（4）集電結(jié)電容充電時(shí)間：（）

A:4psB:6psC:7psD:5ps

答案:4ps硅NPN晶體管在300K時(shí)具有如下參數(shù)：求（5）發(fā)射區(qū)-集電區(qū)渡越時(shí)間：（）

A:110psB:104psC:108psD:100ps

答案:104ps頻率大于一定值的雙極晶體管的電流增益會(huì)隨信號(hào)頻率的增益而增大。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)下列對(duì)于BJT的頻率特性描述正確的是：（）

A:截止頻率下的共基極晶體管的放大功能仍然存在B:截止頻率下的共射極晶體管的放大功能基本消失C:低頻下，晶體管的電流增益基本不變D:特征頻率下共射極晶體管的電流放大功能仍然很大

答案:低頻下，晶體管的電流增益基本不變下列改善雙極晶體管頻率特性的途徑不正確的是：（）

A:減小晶體管高頻下的延遲時(shí)間B:減小基區(qū)寬度、提高場(chǎng)因子大小、增大基區(qū)少子的擴(kuò)散系數(shù)C:減低管殼寄生電容和延伸電極電容D:減小晶體管發(fā)射結(jié)面積、增大和集電結(jié)的面積，提高集電結(jié)的收集能力

答案:減小晶體管發(fā)射結(jié)面積、增大和集電結(jié)的面積，提高集電結(jié)的收集能力下列對(duì)于增大BJT功率增益有效的途徑是：（）

A:增大集電結(jié)的面積B:降低特征頻率C:高頻率管選擇PNP晶體管D:降低基區(qū)電阻

答案:降低基區(qū)電阻雙極晶體管的開關(guān)可以分為飽和型開關(guān)和截止型開關(guān)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)過驅(qū)動(dòng)狀態(tài)是指BJT基極電流大于臨界飽和基極電流的狀態(tài)，此時(shí)晶體管處于飽和狀態(tài)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)下列對(duì)共射極組態(tài)雙極晶體管描述錯(cuò)誤的是：（）

A:增大飽和深度可以降低飽和壓降和正向壓降B:飽和狀態(tài)下的輸入壓降是指基極和發(fā)射極之間的壓降C:飽和狀態(tài)下的輸出壓降是指集電極和發(fā)射極之間的壓降D:減小集電極厚度可以增大飽和壓降和正向壓降

答案:減小集電極厚度可以增大飽和壓降和正向壓降共射組態(tài)雙極晶體管的開關(guān)過程的波形圖如下圖所示，回答以下問題：t1-t2時(shí)間段對(duì)應(yīng)的哪個(gè)過程？（）

A:延遲過程B:上升過程C:儲(chǔ)存過程D:下降過程

答案:上升過程共射組態(tài)雙極晶體管的開關(guān)過程的波形圖如下圖所示，回答以下問題：t=t1時(shí)下列正確的是：（）

A:基區(qū)內(nèi)少子密度大于反向偏置時(shí)的情況B:勢(shì)壘寬度變大，相當(dāng)于給集電結(jié)和發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容充電C:發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏D:晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)

答案:基區(qū)內(nèi)少子密度大于反向偏置時(shí)的情況共射組態(tài)雙極晶體管的開關(guān)過程的波形圖如下圖所示，回答以下問題：下面對(duì)于下降過程描述不正確的是：（）

A:是指t4時(shí)IC＝0.9ICS到t5時(shí)IC＝0.1ICS的過程B:發(fā)射結(jié)和集電結(jié)勢(shì)壘區(qū)寬度進(jìn)一步增大，CTE和CTC繼續(xù)放電C:整個(gè)過程晶體管從放大狀態(tài)過度到截止?fàn)顟B(tài)D:基區(qū)電荷濃度下降，積累電荷快速減少，即CDE繼續(xù)放電；

答案:整個(gè)過程晶體管從放大狀態(tài)過度到截止?fàn)顟B(tài)雙極晶體管的開關(guān)時(shí)間由開啟時(shí)間和下降時(shí)間構(gòu)成。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)BJT的關(guān)斷時(shí)間是決定器件開關(guān)頻率上限的主要因素。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)下面對(duì)于BJT電荷控制模型描述錯(cuò)誤的是：（）

A:該模型將晶體管端電流和各區(qū)域的電荷關(guān)系建立函數(shù)關(guān)系B:該模型是基于晶體管的開關(guān)過程為高度的非線性過程作為物理依據(jù)的C:該模型不考慮非平衡少子的分布梯度，只關(guān)心各個(gè)時(shí)間段電荷總量的變化D:它是針對(duì)大信號(hào)問題提出來的

答案:該模型將晶體管端電流和各區(qū)域的電荷關(guān)系建立函數(shù)關(guān)系下面對(duì)于BJT電荷控制模型的時(shí)間常數(shù)描述不正確的是：（）

A:發(fā)射極時(shí)間常數(shù)與基區(qū)渡越時(shí)間近似相等B:基極時(shí)間常數(shù)表明基極電流全部用來補(bǔ)充基區(qū)內(nèi)部非平衡少子的復(fù)合C:集電極時(shí)間常數(shù)大小等于基區(qū)總電荷量除以集電極電流D:三個(gè)時(shí)間參數(shù)大小關(guān)系：

答案:基極時(shí)間常數(shù)表明基極電流全部用來補(bǔ)充基區(qū)內(nèi)部非平衡少子的復(fù)合下面對(duì)于不同工作狀態(tài)的BJT的電荷控制方程的描述不正確的是：（）

A:截止?fàn)顟B(tài)下，基區(qū)對(duì)集電區(qū)無注入電荷，基極電流所提供的載流子主要用于空間電荷區(qū)的電荷積累B:飽和工作狀態(tài)下，發(fā)射極和集電極電壓保持不變，沒有電容的充放電C:飽和工作狀態(tài)下，基極電流由三部分構(gòu)成，用于抽取超量?jī)?chǔ)存電荷D:放大工作狀態(tài)下，基極電流一部分用于空間電荷區(qū)的電荷積累，另一部分全部用于補(bǔ)充復(fù)合損失的電荷

答案:放大工作狀態(tài)下，基極電流一部分用于空間電荷區(qū)的電荷積累，另一部分全部用于補(bǔ)充復(fù)合損失的電荷下列影響B(tài)JT開關(guān)過程中上升時(shí)間的因素錯(cuò)誤的是：（）

A:基極電流越大，上升時(shí)間越小B:基區(qū)少子壽命越大，上升時(shí)間越大C:基區(qū)的寬度越大，上升時(shí)間越大D:兩結(jié)的結(jié)電壓，結(jié)電壓越大，上升時(shí)間越大

答案:兩結(jié)的結(jié)電壓，結(jié)電壓越大，上升時(shí)間越大下列影響B(tài)JT開關(guān)過程中儲(chǔ)存時(shí)間和下降時(shí)間的因素中正確的是：（）

A:超量存儲(chǔ)電荷越大，儲(chǔ)存時(shí)間越小B:基區(qū)寬度和集電區(qū)寬度不會(huì)影響儲(chǔ)存時(shí)間的大小C:集電區(qū)少子壽命越大，超量存儲(chǔ)電荷小時(shí)越慢，儲(chǔ)存時(shí)間越短D:基區(qū)少子壽命越大，下降時(shí)間越小

答案:集電區(qū)少子壽命越大，超量存儲(chǔ)電荷小時(shí)越慢，儲(chǔ)存時(shí)間越短當(dāng)BJT由發(fā)射極注入基區(qū)的少子濃度大于或約等于基區(qū)多子濃度時(shí)，則發(fā)生大注入。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)下面對(duì)于NPN管的基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)說法錯(cuò)誤的是：（）

A:發(fā)射結(jié)結(jié)電壓增大有可能導(dǎo)致基區(qū)發(fā)生大注入B:大注入下，基區(qū)電阻率可表示為：C:是由于基區(qū)中發(fā)生電子的大注入，為了滿足電中性條件，基區(qū)中空穴濃度減小從而導(dǎo)致基區(qū)電阻率顯著下降。D:是基區(qū)電導(dǎo)隨非平衡少子的變化而變化的效應(yīng)

答案:是由于基區(qū)中發(fā)生電子的大注入，為了滿足電中性條件，基區(qū)中空穴濃度減小從而導(dǎo)致基區(qū)電阻率顯著下降。下列對(duì)于強(qiáng)場(chǎng)下BJT基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)描述不正確的是：（）

A:強(qiáng)場(chǎng)下，載流子將以飽和漂移速度通過集電結(jié)勢(shì)壘區(qū)B:強(qiáng)場(chǎng)指的是勢(shì)壘區(qū)的電場(chǎng)強(qiáng)度大于C:高頻下，基區(qū)擴(kuò)展會(huì)導(dǎo)致器件更容易失去放大功能D:強(qiáng)場(chǎng)大電流注入，有效基區(qū)寬度增大，電流增益增大

答案:強(qiáng)場(chǎng)大電流注入，有效基區(qū)寬度增大，電流增益增大下列對(duì)于弱場(chǎng)下BJT基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)描述正確的是：（）

A:晶體管處于飽和工作狀態(tài)B:集電區(qū)中電阻率增大，出現(xiàn)感應(yīng)基區(qū)C:發(fā)生條件是飽和狀態(tài)下外電壓基本都降落在高阻的集電區(qū)D:有效基區(qū)寬度與集電極電流有關(guān)

答案:集電區(qū)中電阻率增大，出現(xiàn)感應(yīng)基區(qū)下列對(duì)NPN管的發(fā)射極電流集邊效應(yīng)描述錯(cuò)誤的是：（）

A:發(fā)射極電流實(shí)際流過的發(fā)射結(jié)面積比發(fā)射結(jié)面積小很多B:他是發(fā)射極電流主要集中在發(fā)射結(jié)邊緣流過的現(xiàn)象C:他又稱為基極電阻自偏壓效應(yīng)D:大電流下，要考慮發(fā)射極電極上產(chǎn)生的壓降會(huì)導(dǎo)致實(shí)際輸出電壓減小，增大電流增益

答案:大電流下，要考慮發(fā)射