【MOOC】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-華中科技大學(xué) 中國(guó)大學(xué)慕課MOOC答案

【MOOC】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-華中科技大學(xué)中國(guó)大學(xué)慕課MOOC答案知識(shí)點(diǎn)1-3摩爾定律隨堂測(cè)試1、【單選題】摩爾定律之后，集成電路發(fā)展有三條主線，以下不是集成電路發(fā)展主線的是：。本題答案：【SoC】2、【單選題】摩爾定律是指集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔：個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。本題答案：【18】第一部分第一次測(cè)驗(yàn)1、【單選題】題1-1-1中國(guó)高端芯片聯(lián)盟正式成立時(shí)間是：。本題答案：【2016年7月】2、【單選題】題1-1-2如下不是集成電路產(chǎn)業(yè)特性的是：。本題答案：【低風(fēng)險(xiǎn)】3、【單選題】題1-1-3摩爾定律是指集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔：個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。本題答案：【18】4、【單選題】題1-1-4摩爾定律之后，集成電路發(fā)展有三條主線，以下不是集成電路發(fā)展主線的是：。本題答案：【SoC】5、【單選題】題1-1-5單個(gè)芯片上集成約50萬(wàn)個(gè)器件，按照規(guī)模劃分，該芯片為：。本題答案：【VLSI】6、【單選題】題1-1-6年發(fā)明了世界上第一個(gè)點(diǎn)接觸型晶體管。本題答案：【1947】7、【單選題】題1-1-7年發(fā)明了世界上第一塊集成電路。本題答案：【1958】8、【單選題】題1-1-8FinFET等多種新結(jié)構(gòu)器件的發(fā)明人是：。本題答案：【胡正明】9、【單選題】題1-1-9集成電路代工產(chǎn)業(yè)的締造者：。本題答案：【張忠謀】10、【單選題】題1-1-10世界第一塊集成電路發(fā)明者：。本題答案：【基爾比】第二部分第一次測(cè)驗(yàn)1、【單選題】MOS管一旦出現(xiàn)現(xiàn)象，此時(shí)的MOS管將進(jìn)入飽和區(qū)。本題答案：【夾斷】2、【單選題】MOS管從不導(dǎo)通到導(dǎo)通過(guò)程中，最先出現(xiàn)的是。本題答案：【耗盡】3、【單選題】在CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)中，我們一般讓MOS管工作在區(qū)。本題答案：【飽和區(qū)】4、【單選題】PMOS管的導(dǎo)電溝道中依靠導(dǎo)電。本題答案：【空穴】5、【單選題】載流子溝道在柵氧層下形成，源和漏之間“導(dǎo)通”。本題答案：【反型層】6、【單選題】下圖中的MOS管工作在區(qū)（假定Vth=0.7V）。本題答案：【飽和區(qū)】7、【單選題】在NMOS中，若,會(huì)使閾值電壓。本題答案：【增大】8、【單選題】題2-1-8、如果MOS管的柵源過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓給定，L越，輸出電流越理想。本題答案：【大】9、【單選題】表征了MOS器件的靈敏度，即檢測(cè)輸入電壓轉(zhuǎn)換為輸出電流的能力。本題答案：【】10、【單選題】MOS管的小信號(hào)輸出電阻本題答案：【溝長(zhǎng)調(diào)制】第二部分第二次測(cè)試1、【單選題】MOS管中相對(duì)最大的寄生電容是。本題答案：【柵極氧化層電容】2、【單選題】工作在區(qū)的MOS管，其跨導(dǎo)是恒定值。本題答案：【飽和】3、【單選題】下列說(shuō)法正確的是。本題答案：【MOS器件中存在多個(gè)寄生電容，在不同頻率下，器件的工作特性有較大差異。】4、【單選題】一個(gè)MOS管的本征增益表述錯(cuò)誤的是。本題答案：【與MOS管電流無(wú)關(guān)】5、【單選題】下圖中的MOS管工作在區(qū)（假定Vth=0.7V）。本題答案：【飽和區(qū)】6、【單選題】工作在飽和區(qū)的MOS管，可以被看作是一個(gè)。本題答案：【電壓控制電流源】7、【單選題】MOS管的小信號(hào)模型中，體現(xiàn)溝長(zhǎng)調(diào)制效應(yīng)的參數(shù)是（）。本題答案：【】8、【單選題】模擬集成電路設(shè)計(jì)中可使用大信號(hào)分析方法的是（）。本題答案：【輸出擺幅】9、【單選題】模擬集成電路設(shè)計(jì)中可使用小信號(hào)分析方法的是。本題答案：【增益】10、【單選題】畫(huà)小信號(hào)等效電路時(shí)，恒定電流源視為。本題答案：【開(kāi)路】第四單元第一次測(cè)驗(yàn)1、【單選題】題4-1-1、隨著微電子工藝水平提高,特征尺寸不斷減小,這時(shí)電路的工作電壓通常會(huì)（）。本題答案：【不斷降低】2、【單選題】題4-1-2、在當(dāng)今的集成電路制造工藝中，（）工藝制造的IC最容易實(shí)現(xiàn)尺寸的按比例縮小。本題答案：【CMOS】3、【單選題】題4-1-3、最常見(jiàn)的集成電路通常采用（）工藝制造。本題答案：【CMOS】4、【單選題】題4-1-4、電阻負(fù)載共源級(jí)放大器中，下列措施不能提高放大器小信號(hào)增益的是（）。本題答案：【增大器件的溝道長(zhǎng)度L】5、【單選題】題4-1-5、下面幾種電路中增益線性度最好的是（）。本題答案：【二極管負(fù)載共源級(jí)放大器】6、【單選題】題4-1-6、下面放大器的增益錯(cuò)誤的是（）。本題答案：【】7、【單選題】題4-1-7、下圖中的本題答案：【】8、【單選題】題4-1-8、不能確定輸出直流電壓的共源極放大器是（）的共源極放大器。本題答案：【電流源負(fù)載】9、【單選題】題4-1-9、下面放大器的小信號(hào)增益為（）。本題答案：【】10、【單選題】題4-1-10、下面放大器的小信號(hào)增益為（）。本題答案：【】第四單元第二次測(cè)驗(yàn)1、【單選題】題4-2-1、源極跟隨器通常不能用作（）。本題答案：【放大器】2、【單選題】題4-2-2、小信號(hào)輸出電阻相對(duì)最小的放大器是（）。本題答案：【源級(jí)跟隨器】3、【單選題】題4-2-3、電流源可以起一個(gè)電阻的作用，而且不消耗（）的電壓余度。本題答案：【過(guò)高】4、【單選題】題4-2-4、下圖電路中，源極跟隨器的作用是（）。本題答案：【輸出緩沖】5、【單選題】題4-2-5、小信號(hào)輸入電阻最小的放大器是（）。本題答案：【共柵級(jí)放大器】6、【單選題】題4-2-6、P襯N阱CMOS工藝中，Cascode放大器中兩個(gè)尺寸相同且均工作在飽和區(qū)的NMOS管具有不相同的（）。本題答案：【】7、【單選題】題4-2-7、共源共柵放大器結(jié)構(gòu)的一個(gè)重要特性就是輸出阻抗（）。本題答案：【很高】8、【單選題】題4-2-8、下圖放大電路的小信號(hào)增益為（）。本題答案：【】9、【單選題】題4-2-9、圖中元器件和電壓均相同時(shí)，下面兩個(gè)電路的增益關(guān)系是（）。本題答案：【左邊的比右邊的小】10、【單選題】題4-2-10、（）放大器的電源抑制比最好。A．電阻負(fù)載的共源極放大器B.電流源負(fù)載的共源極放大器D.共源共柵極負(fù)載的共源共柵極放大器C．共柵極放大器答案：C本題答案：【共源共柵極負(fù)載的共源共柵極放大器】第四單元第三次測(cè)驗(yàn)1、【單選題】題4-3-1、差分放大器中，共模輸入電平的變化不會(huì)引起差動(dòng)輸出的改變的因素是（）。本題答案：【輸入對(duì)管工作在飽和區(qū)】2、【單選題】題4-3-2、下列不是基本差分對(duì)電路中尾電流的作用的是（）。本題答案：【提高放大器的增益】3、【單選題】題4-3-3、有源電流鏡負(fù)載差分放大器中，（）時(shí)其小信號(hào)增益最大。本題答案：【輸入差分信號(hào)幾乎相同】4、【單選題】題4-3-4、下面電路的差模小信號(hào)增益為（）。本題答案：【】5、【單選題】題4-3-5、基本差分對(duì)電路中對(duì)共模增益影響最顯著的因素是（）。本題答案：【輸入MOS不匹配】6、【單選題】題4-3-6、模擬電路中，精度最高的電阻是（）。本題答案：【比例電阻】7、【單選題】題4-3-7、圖中電路不能正常工作的最重要原因是（）。本題答案：【輸入信號(hào)的共模電平影響電路性能】8、【單選題】題4-3-8、下列電路的輸出直流電平不能確定的是（）。本題答案：【電流源負(fù)載共源極放大器】9、【單選題】題4-3-9、理想電流源負(fù)載的差分放大器，當(dāng)差分對(duì)和負(fù)載均有理想的匹配時(shí)，則共模抑制比為（）。本題答案：【某一個(gè)確定值】10、【單選題】題4-3-10、在差分放大器中，我們最關(guān)心的是（）的增益。本題答案：【差模輸入到差模輸出】第四單元第四次測(cè)驗(yàn)1、【單選題】題4-4-1、下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請(qǐng)計(jì)算該電路的等效輸入電阻為（）。本題答案：【】2、【單選題】題4-4-2、下圖中，其中電壓放大器的增益為-A，假定該放大器為理想放大器。請(qǐng)計(jì)算該電路的等效輸出電阻為（）。本題答案：【】3、【單選題】題4-4-3、下列結(jié)構(gòu)中不可以采用密勒效應(yīng)進(jìn)行分析的電路是（）。本題答案：【】4、【單選題】題4-4-4、下圖電路中與X結(jié)點(diǎn)相關(guān)聯(lián)的極點(diǎn)頻率為（）。本題答案：【】5、【單選題】題4-4-5、下列結(jié)構(gòu)中密勒效應(yīng)最顯著的是（）。本題答案：【共源級(jí)放大器】6、【單選題】題4-4-6、密勒效應(yīng)是（）。本題答案：【可以被我們利用來(lái)解決電路設(shè)計(jì)中的問(wèn)題】7、【單選題】題4-4-7、伯特圖的頻率坐標(biāo)采用（）刻度。本題答案：【對(duì)數(shù)】8、【單選題】題4-4-8、假定A1為理想運(yùn)放，下圖的傳遞函數(shù)是（）。本題答案：【】9、【單選題】題4-4-9、電阻負(fù)載的共源極放大器的主極點(diǎn)在（）。本題答案：【既可能是輸入節(jié)點(diǎn)，也可能是輸出節(jié)點(diǎn)#取決于電路的具體情況】10、【單選題】題4-4-10、為達(dá)到較好的穩(wěn)定狀態(tài)和響應(yīng)速度，反饋系統(tǒng)的相位裕度一般取（）度。本題答案：【60】第四單元第五次測(cè)驗(yàn)1、【單選題】題4-5-1、鏡像電流源一般要求相同的（）。本題答案：【器件長(zhǎng)度L】2、【單選題】題4-5-2、某一恒流源電流鏡如圖所示。忽略M3的體效應(yīng)。要使和嚴(yán)格相等，應(yīng)取為（）。本題答案：【】3、【單選題】題4-5-3、下圖電流鏡的輸出電壓最小值為（）。本題答案：【】4、【單選題】題4-5-4、共源共柵電流鏡是為了（）。本題答案：【抑制溝長(zhǎng)調(diào)制效應(yīng)】5、【單選題】題4-5-5、下圖電流鏡的輸出電壓最小值為（）。本題答案：【】6、【單選題】題4-5-6、下圖中電路的小信號(hào)增益是（）。本題答案：【】7、【單選題】題4-5-7、共源共柵電流源具有高的（）。本題答案：【輸出小信號(hào)電阻】8、【單選題】題4-5-8、下圖電路中，存在（）組電流鏡。本題答案：【3】9、【單選題】題4-5-9、下圖電路中，M3管的電路組態(tài)是（）。本題答案：【共柵管】10、【單選題】題4-5-10、下圖是改進(jìn)型WilsonMOS電流鏡，滿(mǎn)足的條件是（）。本題答案：【】第五單元第一次測(cè)驗(yàn)1、【單選題】5-1-1、如下不是數(shù)字信號(hào)的主要特點(diǎn)的是：。本題答案：【抗干擾能力差】2、【單選題】5-1-2、數(shù)字集成電路自上而下的設(shè)計(jì)流程中，如下最底層的設(shè)計(jì)是：。本題答案：【晶體管級(jí)】3、【單選題】5-1-3、數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中，不屬于高端工藝對(duì)高性能設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)的是：。本題答案：【系統(tǒng)級(jí)建模技術(shù)】4、【單選題】5-1-4、下圖所示的晶體管級(jí)電路是：。本題答案：【反相器】5、【單選題】5-1-5、按功能劃分，通常一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)都不包括：。本題答案：【傳感器】6、【單選題】5-1-6、集成電路成本中，如下不屬于固定成本的是：。本題答案：【封裝成本】7、【單選題】5-1-7、集成電路成本中，如下不屬于可變成本的是：。本題答案：【研發(fā)成本】8、【單選題】5-1-8、如下不是控制集成電路成本直接措施的是：。本題答案：【增加片內(nèi)測(cè)試PAD】9、【單選題】5-1-9、如下不是數(shù)字設(shè)計(jì)的質(zhì)量評(píng)價(jià)的指標(biāo)是：。本題答案：【管腳數(shù)量】10、【單選題】5-1-10、不是CMOS反相器的基本特性的是：。本題答案：【是有比電路】第五單元第二次測(cè)驗(yàn)1、【單選題】題5-2-1：如下反相器電路中，當(dāng)0≤Vin≤VTN，則：。本題答案：【PMOS管工作在線性區(qū)】2、【單選題】題5-2-2：如下反相器電路中，當(dāng)Vout+VTP≤Vin≤Vout+VTN，則：。本題答案：【NMOS飽和，PMOS飽和】3、【單選題】題5-2-3：數(shù)字邏輯門(mén)的高電平噪聲容限的表達(dá)式是。本題答案：【VOH-VIH】4、【單選題】題5-2-4：如下不是CMOS反相器的負(fù)載電容的是。本題答案：【MOS管的結(jié)電容】5、【單選題】題5-2-5：反相器的傳播延時(shí)為。本題答案：【0.5*（tpLH+tpHL）】6、【單選題】題5-2-6：如果將反相器的轉(zhuǎn)換閾值Vit做為允許的輸入高電平和低電平極限，則如下關(guān)于反相器的噪聲容限的表述錯(cuò)誤的是。本題答案：【VNLM與VNHM中較小的決定最大直流噪聲容限】7、【單選題】題5-2-7：如下不是CMOS數(shù)字電路中功耗來(lái)源的是：。本題答案：【熱電子運(yùn)動(dòng)】8、【單選題】題5-2-8：按照功耗性質(zhì)不同分類(lèi)來(lái)看，開(kāi)關(guān)功耗屬于。本題答案：【動(dòng)態(tài)功耗】9、【單選題】題5-2-9：如下不屬于CMOS數(shù)字電路低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)方案的是。本題答案：【提高工作電壓】10、【單選題】題5-2-10：如下不是減少CMOS數(shù)字電路漏電流功耗的途徑的是。本題答案：【提高電源電壓VDD】第五單元第三次測(cè)驗(yàn)1、【單選題】題5-3-1：以下不是組合邏輯電路的特點(diǎn)的是。本題答案：【輸出狀態(tài)可以記憶】2、【單選題】題5-3-2：以下不是靜態(tài)組合邏輯電路的是。本題答案：【多米諾邏輯】3、【單選題】題5-3-3：CMOS靜態(tài)互補(bǔ)組合邏輯門(mén)的正確的布爾表達(dá)式是。本題答案：【A與B相或非】4、【單選題】題5-3-4：如下關(guān)于CMOS靜態(tài)互補(bǔ)組合邏輯門(mén)的特性描述錯(cuò)誤的是。本題答案：【VDD與GND之間有直流通路】5、【單選題】題5-3-5：對(duì)于大扇入靜態(tài)CMOS組合邏輯門(mén)，如下不是其優(yōu)化設(shè)計(jì)技術(shù)的是。本題答案：【逐級(jí)減小晶體管尺寸】6、【單選題】題5-3-6：如下關(guān)于邏輯努力的描述不正確的是。本題答案：【邏輯努力與門(mén)的復(fù)雜度無(wú)關(guān)】7、【單選題】題5-3-7：如下關(guān)于本征延時(shí)的描述不正確的是。本題答案：【本征延時(shí)與門(mén)的類(lèi)型有關(guān)】8、【單選題】題5-3-8：以下關(guān)于邏輯努力方法的優(yōu)點(diǎn)描述不正確的是。本題答案：【考慮了速度飽和、襯偏效應(yīng)等】9、【單選題】題5-3-9：以下關(guān)于邏輯努力方法的不足之處描述錯(cuò)誤的是。本題答案：【簡(jiǎn)單邏輯優(yōu)化問(wèn)題難于轉(zhuǎn)換為一組解析表達(dá)式】10、【單選題】題5-3-10：CMOS邏輯門(mén)的功耗與如下選線中無(wú)關(guān)的是。本題答案：【門(mén)的邏輯類(lèi)型（如或非門(mén)、與非門(mén)等）】11、【單選題】題5-3-11：如下措施中不能降低CMOS邏輯門(mén)的開(kāi)關(guān)活動(dòng)性的是。本題答案：【增大器件尺寸】12、【單選題】題5-3-12：如下不是靜態(tài)互補(bǔ)CMOS邏輯門(mén)的優(yōu)點(diǎn)的是。本題答案：【有靜態(tài)功耗】第五單元第四次測(cè)驗(yàn)1、【單選題】題5-4-1：如下不是有比邏輯中偽NMOS邏輯的特點(diǎn)的是。本題答案：【輸出低電平為GND】2、【單選題】題5-4-2：如下折中設(shè)計(jì)有比邏輯中偽NMOS邏輯門(mén)的方法中，錯(cuò)誤的是。本題答案：【減少靜態(tài)功耗，負(fù)載PMOS管要大】3、【單選題】題5-4-3：如下不是有比偽NMOS邏輯改進(jìn)目標(biāo)的是。本題答案：【降低輸出擺幅，提高VOL】4、【單選題】題5-4-4：如下不是差分串聯(lián)電壓開(kāi)關(guān)邏輯（DCVSL）的特點(diǎn)的是。本題答案：【無(wú)動(dòng)態(tài)功耗】5、【單選題】題5-4-5：如下關(guān)于傳輸門(mén)/傳輸管的描述錯(cuò)誤的是。本題答案：【PMOS傳輸管傳輸?shù)碗娖叫阅芎茫瑐鬏敻唠娖接虚撝祿p失；】6、【單選題】題5-4-6：如下不是互補(bǔ)傳輸晶體管邏輯的特點(diǎn)的是。本題答案：【實(shí)現(xiàn)加法器或異或門(mén)需要較多晶體管；】7、【單選題】題5-4-7：如下圖所示的互補(bǔ)傳輸管邏輯功能是。本題答案：【A與B相異或；】8、【單選題】題5-4-8：如下不是CMOS動(dòng)態(tài)邏輯的特點(diǎn)的是。本題答案：【CMOS靜態(tài)邏輯電路工作速度慢；】9、【單選題】題5-4-9：如下CMOS動(dòng)態(tài)邏輯門(mén)的特點(diǎn)描述，錯(cuò)誤的是。本題答案：【較低的開(kāi)關(guān)活動(dòng)性；】10、【單選題】題5-4-10：如下不是動(dòng)態(tài)CMOS多米諾邏輯的特點(diǎn)的是。本題答案：【可以實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)輸出邏輯；】第五單元第五次測(cè)驗(yàn)1、【單選題】題5-5-1：如下不是CMOS動(dòng)態(tài)邏輯門(mén)信號(hào)完整性問(wèn)題的產(chǎn)生原因是。本題答案：【電感耦合；】2、【單選題】題5-5-2：如下不是CMOS動(dòng)態(tài)邏輯的特點(diǎn)的是。本題答案：【CMOS靜態(tài)邏輯電路工作速度慢；】3、【單選題】題5-5-3：如下關(guān)于時(shí)序電路的描述錯(cuò)誤的是。本題答案：【同步時(shí)序電路的優(yōu)點(diǎn)是時(shí)鐘偏移帶來(lái)時(shí)序優(yōu)勢(shì)；】4、【單選題】題5-5-4：如下關(guān)于異步時(shí)序電路的描述錯(cuò)誤的是。本題答案：【異步時(shí)序電路一個(gè)時(shí)刻允許多個(gè)輸入發(fā)生變化；】5、【單選題】題5-5-5：如下關(guān)于動(dòng)態(tài)寄存器的描述不正確的是。本題答案：【不易受噪聲電源干擾；】6、【單選題】題5-5-6：如下不是時(shí)序電路時(shí)序參數(shù)的是。本題答案：【靜態(tài)功耗；】7、【單選題】題5-5-7：如下關(guān)于時(shí)鐘同步CMOS電路（C2MOS）工作過(guò)程描述錯(cuò)誤的是。本題答案：【工作方式兩段式：求值-保持；】8、【單選題】題5-5-8：如下關(guān)于時(shí)鐘同步CMOS電路（C2MOS）的特點(diǎn)描述錯(cuò)誤的是。本題答案：【沒(méi)有存在電荷共享問(wèn)題；】9、【單選題】題5-5-9：對(duì)下圖所示電路描述正確的是。本題答案：【可以實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘同步CMOS電路功能；】10、【單選題】題5-5-10：如下關(guān)于動(dòng)態(tài)鎖存器的描述錯(cuò)誤的是。本題答案：【比靜態(tài)鎖存器復(fù)雜；】第五單元第六次測(cè)驗(yàn)1、【單選題】題5-6-1：如下關(guān)于真單相時(shí)鐘電路（TSPC）的描述錯(cuò)誤的是。本題答案：【TSPC邏輯電路只含有NMOS塊；】2、【單選題】題5-6-2：如下關(guān)于無(wú)動(dòng)態(tài)競(jìng)爭(zhēng)電路（NORA）的描述錯(cuò)誤的是。本題答案：【無(wú)動(dòng)態(tài)競(jìng)爭(zhēng)電路（NORA）受時(shí)鐘偏移的影響；】3、【單選題】題5-6-3：如下不是施密特觸發(fā)器的功能的是。本題答案：【分頻；】4、【單選題】題5-6-4：如下關(guān)于施密特觸發(fā)器的描述錯(cuò)誤的是。本題答案：【開(kāi)關(guān)閾值可變但只有一個(gè)邏輯閾值電平；】5、【單選題】題5-6-5：如下關(guān)于單穩(wěn)態(tài)電路的描述錯(cuò)誤的是。本題答案：【單穩(wěn)態(tài)電路只有一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，并且狀態(tài)經(jīng)常變化；】6、【單選題】題5-6-6：如下關(guān)于無(wú)穩(wěn)態(tài)電路的描述錯(cuò)誤的是。本題答案：【無(wú)穩(wěn)態(tài)電路是指具有一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，只是其穩(wěn)定狀態(tài)不確定而已；】7、【單選題】