1+X集成電路理論試題（附答案）

1+X集成電路理論試題（附答案）一、單選題（共39題，每題1分，共39分）1.SOP封裝的芯片一般采用()形式進(jìn)行包裝。A、卷盤B、編帶C、料管D、料盤正確答案：B答案解析：SOP封裝因其體積小等特點(diǎn)，一般采用編帶包裝形式。2.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)常見(jiàn)故障不包括（）。A、真空吸嘴無(wú)芯片B、測(cè)試卡與測(cè)試機(jī)調(diào)用的測(cè)試程序錯(cuò)誤C、料軌堵塞D、IC定位錯(cuò)誤正確答案：D3.打開安裝好的keil軟件，點(diǎn)擊工具欄“魔術(shù)棒”按鈕，點(diǎn)擊（）選項(xiàng)，選擇目標(biāo)芯片。A、TargetB、C/C++C、DebugD、Device正確答案：D4.重力分選機(jī)自動(dòng)裝料步驟中將待測(cè)料管放在篩選機(jī)的入料區(qū)內(nèi)，料管隨傳送帶上升到（）。A、入料區(qū)B、顯示區(qū)C、廢料區(qū)D、激光檢測(cè)區(qū)正確答案：D5.以全自動(dòng)探針臺(tái)為例，上片過(guò)程中，當(dāng)承重臺(tái)下降到指定位置時(shí)，()。A、紅色指示燈亮B、紅色指示燈滅C、綠色指示燈亮D、綠色指示燈滅正確答案：B答案解析：以全自動(dòng)探針臺(tái)為例，承重臺(tái)前的兩個(gè)按鈕指示燈：綠色表示上升，紅色表示下降。承重臺(tái)下降到指定位置后，下降指示燈滅，即紅色指示燈滅。6.重力式分選機(jī)進(jìn)行自動(dòng)上料篩選，當(dāng)檢測(cè)到傳送帶上的料管放置不符合要求時(shí)，下一步對(duì)料管的操作是()。A、拔出塞釘B、進(jìn)入空管槽C、進(jìn)入上料槽D、放回上料區(qū)正確答案：D答案解析：激光檢測(cè)到不符合要求的料管會(huì)重新放回上料區(qū)，等待下次篩選。7.料盤外觀檢查的步驟正確的是()。A、查詢零頭（若有）→零頭檢查→檢查外觀→電路拼零→零頭儲(chǔ)存B、檢查外觀→查詢零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零→零頭儲(chǔ)存C、查詢零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零→零頭儲(chǔ)存→檢查外觀D、檢查外觀→零頭儲(chǔ)存→查詢零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零正確答案：B答案解析：料盤外觀檢查的步驟：檢查外觀→查詢零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零→零頭儲(chǔ)存。8.下列描述錯(cuò)誤的是（）。A、重力式分選機(jī)可分為并行測(cè)試和串行測(cè)試B、并行測(cè)試一般是進(jìn)行單項(xiàng)測(cè)試（可根據(jù)測(cè)試卡的數(shù)量進(jìn)行1site/2sites/4sites測(cè)試），適用于普通DIP/SOP封裝的芯片C、串行測(cè)試一般是進(jìn)行多項(xiàng)測(cè)試，適用于DIP24/DIP27等模塊電路D、并行測(cè)試時(shí)模塊電路依次進(jìn)行不同電特性參數(shù)的測(cè)試正確答案：D9.進(jìn)行料盤包裝時(shí)，一個(gè)內(nèi)盒中通常裝有()袋真空包裝完的料盤。A、1B、2C、3D、4正確答案：A答案解析：進(jìn)行料盤包裝時(shí)，-個(gè)內(nèi)盒中通常裝有1袋真空包裝完的料盤。10.()是使硅片上的局部區(qū)域達(dá)到平坦化。A、平滑處理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化正確答案：C答案解析：局部平坦化是將硅片表面局部進(jìn)行平坦化處理，使其達(dá)到較高的平整度。11.利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，芯片在該區(qū)域的操作完成后會(huì)進(jìn)入（）區(qū)域。A、待測(cè)B、分選C、測(cè)試D、上料正確答案：B12.在版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中，N-MOS管的源極接（），漏極接（），P-MOS管的源極接（），漏極接（）。A、地、高電位、GND、低電位B、電源、高電位、GND、低電位C、地、高電位、GND、高電位D、地、高電位、電源、低電位正確答案：A13.重力式分選機(jī)的測(cè)試環(huán)節(jié)是在()中進(jìn)行。A、主轉(zhuǎn)塔B、旋轉(zhuǎn)臺(tái)C、測(cè)試軌道D、水平面上正確答案：C答案解析：重力式分選機(jī)的測(cè)試環(huán)節(jié)是在測(cè)試軌道中進(jìn)行的。主轉(zhuǎn)塔和旋轉(zhuǎn)臺(tái)是轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的設(shè)備，平移式分選機(jī)是在水平面上完成芯片的測(cè)試、分選。14.電子組裝業(yè)中最通用最廣泛的文件格式是（）。A、BOMB、PCBC、ICTD、Gerber正確答案：D15.探針臺(tái)上的()處于()狀態(tài)時(shí)不能進(jìn)行其他操作，容易引起探針臺(tái)死機(jī)，導(dǎo)致晶圓撞擊探針測(cè)試卡。A、紅色指示燈、亮燈B、指示燈、亮燈C、綠色指示燈、亮燈D、紅色指示燈、滅燈正確答案：B答案解析：探針臺(tái)上的指示燈處于亮燈狀態(tài)時(shí)不能進(jìn)行其他操作，容易引起探針臺(tái)死機(jī)，導(dǎo)致晶圓撞擊探針測(cè)試卡。其中紅色指示燈表示下降，綠色指示燈表示上升，當(dāng)至少有一盞指示燈處于亮燈狀態(tài)時(shí)不能進(jìn)行其他操作。16.SOP封裝的芯片因其體積小等特點(diǎn)，一般采用()。A、料盤包裝B、編帶包裝C、料管包裝D、散裝正確答案：B答案解析：SOP封裝的芯片因其體積小等特點(diǎn)，一般采用編帶包裝。17.重力式分選機(jī)的測(cè)試環(huán)節(jié)是在（）進(jìn)行。A、旋轉(zhuǎn)臺(tái)上B、主轉(zhuǎn)塔中C、測(cè)試軌道中D、水平面上正確答案：C18.該圖是（）的版圖。A、D觸發(fā)器B、一位全加器C、傳輸門D、與非門正確答案：A19.在進(jìn)行料盤真空包裝時(shí)，需要在()上進(jìn)行。A、平移式分選機(jī)B、真空包裝機(jī)C、測(cè)試機(jī)D、高溫烘箱正確答案：B答案解析：在進(jìn)行料盤真空包裝時(shí)，需要在真空包裝機(jī)上進(jìn)行。20.若使用串口助手下載程序到單片機(jī)，則需要keil軟件生成（）文件。A、InpB、DspC、HexD、Crf正確答案：C21.濕度卡的作用是()。A、去潮濕物質(zhì)中的水分B、可以防止靜電C、起到防水的作用D、顯示密封空間的濕度狀況正確答案：D答案解析：濕度卡是用來(lái)顯示密封空間濕度狀況的卡片。22.下列選項(xiàng)中不屬于芯片外觀不良的是（）。A、印章不良B、電源電流過(guò)大C、塑封體開裂D、管腳壓傷正確答案：B23.窄間距小外形封裝的英文簡(jiǎn)稱為（）。A、SIPB、SOPC、SSOPD、QFP正確答案：C答案解析：SIP-單列直插式封裝；SOP-小外形封裝；SSOP-窄間距小外形封裝；QFP-四側(cè)引腳扁平封裝。24.在光刻過(guò)程中，完成涂膠后需要進(jìn)行質(zhì)量評(píng)估，以下不屬于涂膠質(zhì)量評(píng)估時(shí)，光刻膠覆蓋硅片的質(zhì)量缺陷的是（）。A、光刻膠脫落B、光刻膠中有針孔C、光刻膠起皮D、光刻膠的回濺正確答案：A25.關(guān)于全自動(dòng)探針臺(tái)扎針調(diào)試的步驟，下列說(shuō)法正確的是：（）。A、輸入晶圓信息→調(diào)出檢測(cè)MAP圖→自動(dòng)對(duì)焦→扎針調(diào)試B、輸入晶圓信息→自動(dòng)對(duì)焦→調(diào)出檢測(cè)MAP圖→扎針調(diào)試C、輸入晶圓信息→自動(dòng)對(duì)焦→扎針調(diào)試→調(diào)出檢測(cè)MAP圖D、輸入晶圓信息→調(diào)出檢測(cè)MAP圖→扎針調(diào)試→自動(dòng)對(duì)焦正確答案：B答案解析：全自動(dòng)探針臺(tái)扎針調(diào)試步驟：輸入晶圓信息→自動(dòng)對(duì)焦→調(diào)出檢測(cè)MAP圖→扎針調(diào)試。26.若進(jìn)行打點(diǎn)的晶圓規(guī)格為5英寸，應(yīng)選擇的墨盒規(guī)格為？（）A、8milB、10milC、30milD、5mil正確答案：D27.在進(jìn)行編帶真空包裝時(shí)，需要在()上進(jìn)行。A、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)B、真空包裝機(jī)C、測(cè)試機(jī)D、高溫烘箱正確答案：B答案解析：在進(jìn)行編帶真空包裝時(shí)，需要在真空包裝機(jī)上進(jìn)行。28.化學(xué)機(jī)械拋光中,拋光液的作用是()。A、與硅片表面材料反應(yīng),變成可溶物質(zhì)或?qū)⒁恍┯捕冗^(guò)高的物質(zhì)軟化B、向拋光墊施加壓力C、將反應(yīng)生成物從硅片表面卻除D、清洗硅片正確答案：A答案解析：硅片固定在拋光盤上后，拋光盤和裝有拋光墊的旋轉(zhuǎn)盤開始旋轉(zhuǎn)，同時(shí)噴淋拋光液；然后拋光盤向拋光墊施加壓力，此時(shí)拋光液在硅片和拋光墊之間流動(dòng)，拋光液中的物質(zhì)與硅片表面材料反應(yīng)，變?yōu)榭扇芪镔|(zhì)或?qū)⒁恍┯捕冗^(guò)高的物質(zhì)軟化；通過(guò)研磨作用將反應(yīng)生成物從硅片表面去除，進(jìn)入流動(dòng)的液體排出。29.一個(gè)花籃最多裝()片晶圓。A、15B、20C、25D、30正確答案：C答案解析：一個(gè)花籃最多裝25片晶圓。30.當(dāng)芯片移動(dòng)到氣軌()時(shí)，旋轉(zhuǎn)臺(tái)吸嘴吸取芯片。A、首端B、中端C、末端D、任意位置正確答案：C答案解析：當(dāng)芯片移動(dòng)到氣軌末端時(shí)，旋轉(zhuǎn)臺(tái)吸嘴的升降電機(jī)到達(dá)芯片正上方，吸嘴產(chǎn)生一定負(fù)壓將該芯片吸起，升降電機(jī)上移并后退進(jìn)入旋轉(zhuǎn)臺(tái)，上料完成。31.反應(yīng)離子刻蝕的過(guò)程簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)是（）。A、電離→解吸、排放→轟擊→擴(kuò)散、反應(yīng)B、轟擊→電離→擴(kuò)散、反應(yīng)→解吸、排放C、電離→擴(kuò)散、反應(yīng)→轟擊→解吸、排放D、電離→轟擊→擴(kuò)散、反應(yīng)→解吸、排放正確答案：D答案解析：反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，氣體分子在反應(yīng)室內(nèi)電離出離子、電子和游離活性基（電離），電粒子受電場(chǎng)加速，以較大能量垂直地射到硅片表面，進(jìn)行物理轟擊，破壞原子鍵以增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)和各向異性（轟擊），同時(shí)活性基擴(kuò)散并吸附到硅片表面，與其薄膜發(fā)生反應(yīng)，進(jìn)行化學(xué)刻蝕（擴(kuò)散、反應(yīng)），反應(yīng)生成氣體離開硅片表面，通過(guò)真空泵排出（解吸、排放）。32.下列選項(xiàng)中，（）工序后的合格品進(jìn)入塑封工序。A、引線鍵合B、第二道光檢C、芯片粘接D、第三道光檢正確答案：D答案解析：第三道光檢通過(guò)的合格品，進(jìn)入封裝的后段工序，后段工藝包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍、切筋成型、第四道光檢等工序。33.編帶外觀檢查的步驟正確的是()。A、檢查外觀→歸納放置→固定卷盤→編帶回料→編帶固定B、歸納放置→固定卷盤→檢查外觀→編帶回料→編帶固定C、固定卷盤→歸納放置→檢查外觀→編帶回料→編帶固定D、編帶固定→固定卷盤→歸納放置→檢查外觀→編帶回料正確答案：B答案解析：編帶外觀檢查的步驟：歸納放置→固定卷盤→檢查外觀→編帶回料→編帶固定。34.芯片檢測(cè)工藝通常在（）無(wú)塵車間內(nèi)進(jìn)行。A、百級(jí)B、千級(jí)C、十萬(wàn)級(jí)D、三十萬(wàn)級(jí)正確答案：B答案解析：芯片檢測(cè)工藝是對(duì)完成封裝的芯片進(jìn)行電性測(cè)試，其芯片為非裸露狀態(tài)，通常在常規(guī)千級(jí)無(wú)塵車間內(nèi)進(jìn)行，其溫度為22±3℃，濕度為55±10％。35.在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿的目的是()。A、防止晶圓包裝盒和晶圓直接接觸B、防止晶圓之間的接觸C、防止晶圓在搬運(yùn)過(guò)程中發(fā)生移動(dòng)D、美觀正確答案：A答案解析：在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿是為了防止晶圓盒和晶圓接觸。36.干-濕-干氧化過(guò)程中，第一次干氧氧化的目的是（）。A、形成所需的二氧化硅膜厚度B、獲得致密的二氧化硅表面C、提高二氧化硅和光刻膠的黏附性D、改善二氧化硅和硅交界面的性能正確答案：B答案解析：干-濕-干氧化中，第一次干氧是為了獲得致密的SiO2表面，從而提高對(duì)雜質(zhì)的阻擋能力。干氧氧化和濕氧氧化各有自己的特點(diǎn)，在實(shí)際生產(chǎn)中往往將這兩種方式結(jié)合起來(lái)，采用干-濕-干的氧化方式，既保證二氧化硅的厚度及一定的生產(chǎn)效率，又改善了表面的完整性和解決了光刻時(shí)的浮膠問(wèn)題。第一次干氧是為了獲得致密的二氧化硅表面，從而提高對(duì)雜質(zhì)的阻擋能力。濕氧主要用來(lái)形成所需的二氧化硅膜的厚度，提高生產(chǎn)效率；第二次干氧，是為了改善二氧化硅和硅交界面的性能，同時(shí)使二氧化硅表面干燥，提高二氧化硅和光刻膠的粘附性。37.在電子產(chǎn)品測(cè)試中需保證測(cè)試環(huán)境穩(wěn)定，其中測(cè)試環(huán)境是指（）。A、硬件環(huán)境（硬件配置一致）B、軟件環(huán)境（軟件版本一致）C、使用環(huán)境（周圍環(huán)境對(duì)測(cè)試的影響）D、以上都是正確答案：D38.對(duì)準(zhǔn)和曝光過(guò)程中，套準(zhǔn)精度是指形成的圖形層與前層的最大相對(duì)位移大約是關(guān)鍵尺寸的（）。A、二分之一B、三分之一C、四分之一D、五分之一正確答案：B答案解析：版圖套準(zhǔn)過(guò)程有了對(duì)準(zhǔn)規(guī)范，也就是常說(shuō)的套準(zhǔn)容差或套準(zhǔn)精度。具體是指要形成的圖形層與前層的最大相對(duì)位移。一般而言大約是關(guān)鍵尺寸的三分之一。39.以下語(yǔ)句表示最后啟動(dòng)定時(shí)器，等待中斷的是（）。A、TIM6->CTC0_b.Freerun=1;B、TIM6->CTC0_b.COUNT0INT_EN=1;C、TIM6->CTC0_b.COUNTEN=1;D、TIM6->CTC0_b.COUNTFW==0正確答案：C二、多選題（共26題，每題1分，共26分）1.在下列語(yǔ)句中，延時(shí)函數(shù)的作用是（）。A、控制程序運(yùn)行時(shí)序B、保證LED燈光效果足夠明顯C、控制函數(shù)生效時(shí)間D、保證程序穩(wěn)定運(yùn)行正確答案：BC2.通常情況下，以下()封裝形式的芯片采用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。A、LGAB、DIPC、SOPD、QFN正確答案：BC答案解析：通常情況下，DIP封裝和SOP封裝采用重力式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試，LGA封裝采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試，QFN封裝采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試。3.以下元器件屬于數(shù)字電路的是（）。A、驅(qū)動(dòng)器B、數(shù)據(jù)選擇器C、計(jì)數(shù)器D、定時(shí)器正確答案：ABC4.通常情況下，以下()封裝形式的芯片采用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。A、SOP封裝B、QFN封裝C、LGA封裝D、DIP封裝正確答案：AD答案解析：通常情況下，DIP封裝和SOP封裝采用重力式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試，LGA封裝采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試，QFN封裝采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試。5.最常用的二氧化硅的濕法刻蝕腐蝕液包括（）。A、氫氟酸B、氟化銨C、去離子水D、磷酸正確答案：ABC答案解析：二氧化硅的腐蝕液是以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液。為了控制反應(yīng)速率不能過(guò)快，在腐蝕液中會(huì)加入氟化銨作為緩沖劑。6.輔助運(yùn)放測(cè)試法的注意事項(xiàng)包括以下哪些（）。A、與的精度決定測(cè)試精度B、測(cè)量時(shí)被測(cè)運(yùn)放應(yīng)在指定條件（依據(jù)芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)要求）下工作C、電阻為的平衡電阻（減少輸入電流對(duì)測(cè)量的影響），所以和需精密配對(duì)D、被測(cè)芯片的失調(diào)電壓不超過(guò)幾毫伏正確答案：ABC7.下列屬于WAT測(cè)試數(shù)據(jù)的用途的有：()。A、測(cè)試和分析特定的WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)B、作為晶圓產(chǎn)品出貨前的依據(jù)，對(duì)其進(jìn)行質(zhì)檢C、分析客戶反饋的異常晶圓產(chǎn)品的信息D、代工廠內(nèi)部隨機(jī)審查晶圓的可靠性測(cè)試正確答案：ABCD答案解析：WAT測(cè)試的用途有作為晶圓產(chǎn)品出貨前的依據(jù)，對(duì)其進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)；對(duì)WAT數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)理統(tǒng)計(jì)分析；檢測(cè)客戶特別要求的器件結(jié)構(gòu)是否滿足工藝要求；分析客戶反饋的異常晶圓產(chǎn)品的信息；代工廠內(nèi)部隨機(jī)審查晶圓的可靠性測(cè)試；為器件工藝建模提供數(shù)據(jù)；測(cè)試和分析特定的WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)，改善工藝或開發(fā)下一代平臺(tái)。8.典型芯片包裝形式有（）三種。A、管裝包裝B、編帶包裝C、塑封包裝D、料盤包裝正確答案：ABD9.第四道光檢主要是針對(duì)哪些工藝的檢查？A、激光打字B、芯片粘接C、切筋成型D、塑封E、引線鍵合F、去飛邊及電鍍正確答案：ACDF答案解析：切筋成型之后需要進(jìn)行第四道光檢，針對(duì)后段工序的產(chǎn)品進(jìn)行檢查、剔除。后段工序包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍、切筋成型。芯片粘接和引線鍵合主要是通過(guò)第三道光檢進(jìn)行檢查10.DUT板卡描述正確的是（）。A、DUT板卡實(shí)現(xiàn)被測(cè)芯片與測(cè)試機(jī)測(cè)試信號(hào)之間信號(hào)處理與轉(zhuǎn)接B、集成電路測(cè)試的轉(zhuǎn)接塊則需針對(duì)實(shí)際測(cè)試接口不一致情況定制設(shè)計(jì)C、DUT板卡不需要添加除被測(cè)芯片外的元件，選擇不同的測(cè)試機(jī)即可滿足測(cè)試要求D、根據(jù)不同芯片需求設(shè)計(jì)測(cè)試外圍：濾波電容位置；元器件合理排布；PCB的RC特性等等。正確答案：ABD11.平移式分選機(jī)芯片檢測(cè)結(jié)束后，后續(xù)工作有()。A、核對(duì)測(cè)試后芯片數(shù)量和分選機(jī)顯示屏上數(shù)量一致B、臨時(shí)捆扎C、將測(cè)試結(jié)果記錄在隨件單上D、放到待檢查品貨架上正確答案：ABCD答案解析：平移式分選機(jī)在分選完成要進(jìn)行清料。清料是為了確保芯片測(cè)試前后的總數(shù)一致、測(cè)試后芯片的不良品、合格品的數(shù)量和分選機(jī)顯示屏上記錄的數(shù)量一致，并將測(cè)試結(jié)果記錄在隨件單上；為便于核對(duì)實(shí)際芯片的數(shù)量，對(duì)料盤進(jìn)行臨時(shí)捆扎，核對(duì)無(wú)誤后，將料盤和隨件單放入對(duì)應(yīng)的中轉(zhuǎn)箱中，把中轉(zhuǎn)箱放到“待檢查品貨架”等待外觀檢查。12.LK32T102單片機(jī)有不同引腳數(shù)量的封裝形式包括（）。A、LQFP-72（72引腳薄型方型扁平式封裝）B、LQFP-64（64引腳薄型方型扁平式封裝）C、TSSOP-30（30引腳薄型小外形封裝）D、LQFP-48（48引腳薄型方型扁平式封裝）正確答案：BCD13.版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中，需要注意（）。A、數(shù)字電源地和模擬電源地要分開B、襯底接觸與MOS管的距離應(yīng)盡量小C、寬長(zhǎng)比大的管子最好拆分D、連線布置可以采用并聯(lián)走線，線的寬度應(yīng)盡量窄正確答案：ABC14.以下屬于烘烤環(huán)節(jié)的步驟的有：()。A、用晶圓鑷子從常溫花籃中夾取晶圓，核對(duì)晶圓印章批號(hào)B、根據(jù)晶圓片號(hào)和花籃刻度放到對(duì)應(yīng)的高溫花籃中C、用工具將高溫花籃放在高溫烘箱中D、將烘烤完的晶圓從烘箱中取出正確答案：ABCD答案解析：烘烤的步驟為：將完成打點(diǎn)的晶圓放在預(yù)烘烤區(qū)，用晶圓鑷子從常溫花籃中夾取晶圓，核對(duì)晶圓的印章批號(hào)無(wú)誤后，根據(jù)晶圓片號(hào)和花籃刻度放到高溫花籃對(duì)應(yīng)的溝槽中，用工具將高溫花籃放在高溫烘箱中，烘烤完后取出晶圓，核對(duì)片數(shù)與隨件單一致，并用晶圓鑷子將晶圓從高溫花籃轉(zhuǎn)移到常溫花籃中。15.LK32T102單片機(jī)編寫程序并燒錄的過(guò)程中可能會(huì)用到的軟件有（）。A、Keil-mdkB、VC++C、串口助手D、Matlab正確答案：AC16.組裝電子產(chǎn)品有很高的技術(shù)要求，包括嚴(yán)格的安裝順序如（）。A、先易后難B、先重后輕C、先一般元器件后特殊元器件D、先低后高正確答案：ACD17.對(duì)于電阻、電容、電感等電子元器件性能參數(shù)進(jìn)行測(cè)量，其中有關(guān)的性能參數(shù)有（）。A、伏安特性曲線B、極限值與額定值C、標(biāo)稱值D、顏色與質(zhì)量正確答案：ABC18.封裝工藝中，電鍍的主要目的是增強(qiáng)暴露在塑封體外面的引線的（）。A、防水性B、抗蝕性C、抗氧化性D、耐高溫能力正確答案：BC19.編帶外觀檢查的主要內(nèi)容有（）。A、編帶原材料是否與卷盤不符B、載帶是否有破裂、沾污、破損C、編帶中有無(wú)不良品或放反芯片等不合格情況D、蓋帶是否有壓定位孔或露出底邊、起皺、壓痕、氣泡、脫膠正確答案：BCD20.以下屬于半自動(dòng)探針臺(tái)的扎針調(diào)試步驟的是：()。A、將晶圓放置在載片臺(tái)上，關(guān)閉真空閥門控制開關(guān)B、使用控制旋鈕移動(dòng)載片臺(tái)，將待測(cè)點(diǎn)移動(dòng)到顯微鏡下C、將顯微鏡切換為高倍物鏡，通過(guò)微調(diào)使待測(cè)點(diǎn)清晰地出現(xiàn)在視場(chǎng)中心D、調(diào)節(jié)探針座，目檢探針移動(dòng)到待測(cè)點(diǎn)附近正確答案：BCD答案解析：在進(jìn)行半自動(dòng)探針臺(tái)的調(diào)試時(shí)，將晶圓放置在載片臺(tái)上，開啟真空閥門控制開關(guān)，其余選項(xiàng)均為半自動(dòng)探針臺(tái)的扎針調(diào)試的步驟。21.下列對(duì)數(shù)字芯片測(cè)試描述正確的是（）。A、在直流參數(shù)測(cè)試后一般為功能測(cè)試測(cè)試B、開短路測(cè)試一般為芯片測(cè)試的第一步驟，目的是驗(yàn)證被測(cè)芯片與測(cè)試機(jī)的電氣連接C、能測(cè)試后一般為直流參數(shù)測(cè)試D、在開短路測(cè)試后一般為直流參數(shù)測(cè)試正確答案：BC22.版圖設(shè)計(jì)前需要注意的事項(xiàng)有（）。A、精度B、分辨率C、匹配性D、電流密度正確答案：ACD23.管裝外觀檢查時(shí)，需要檢查的內(nèi)容有（）。A、芯片管腳是否彎曲B、料管內(nèi)的芯片方向是否正確C、芯片數(shù)量是否與隨件單一致D、印章是否錯(cuò)誤或損壞正確答案：ABCD24.摻雜的目的是（）。A、形成PN結(jié)B、改變材料的電阻率C、改變材料的某些特性D、形成一定的雜質(zhì)分布正確答案：ABCD答案解析：摻雜的目的是形成PN結(jié)、改變材料的電阻率、改變材料的某些特性、形成一定的雜質(zhì)分布。25.進(jìn)入風(fēng)淋室之前，要確定（）后，在進(jìn)入。A、風(fēng)淋室內(nèi)部無(wú)人B、身上無(wú)灰塵C、風(fēng)淋室運(yùn)行正常D、腳上無(wú)鞋子正確答案：AC答案解析：進(jìn)入風(fēng)淋室前，確認(rèn)風(fēng)淋室內(nèi)無(wú)人且運(yùn)行正常后，打開風(fēng)淋室外門，進(jìn)入其內(nèi)，進(jìn)行風(fēng)淋除塵，此時(shí)穿有無(wú)塵鞋。26.影響顯影工藝的因素有（）。A、曝光度B、顯影液濃度C、顯影方法D、工序的溫度和時(shí)間正確答案：ABCD答案解析：影響顯影工藝的因素有：軟烘焙時(shí)間和溫度、曝光度、顯影液濃度、時(shí)間、溫度以及顯影方法。三、判斷題（共35題，每題1分，共35分）1.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)上料需要將芯片放在標(biāo)準(zhǔn)容器中。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的上料不需要將芯片放在標(biāo)準(zhǔn)容器中，而是將待測(cè)芯片倒在上料盒內(nèi)。2.數(shù)?；旌霞呻娐樊a(chǎn)品以Bi-CMOS產(chǎn)品居多。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A3.負(fù)性光刻膠經(jīng)曝光過(guò)的區(qū)域被溶解，而未曝光的區(qū)域被保留。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：正性光刻膠經(jīng)曝光過(guò)的區(qū)域被溶解，而未曝光的區(qū)域被保留。負(fù)性光刻膠經(jīng)曝光后由原來(lái)的可溶變?yōu)椴豢扇?，從而未曝光的區(qū)域被溶解，曝光區(qū)域被保留。4.料盤真空包裝時(shí)會(huì)放干燥劑。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A5.如果發(fā)現(xiàn)料盤抽真空質(zhì)量不合格，可以將原標(biāo)簽撕下，貼在新的防靜電鋁箔袋上。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：如果發(fā)現(xiàn)料盤抽真空質(zhì)量不合格，需要重新抽真空。在重新抽真空之前,需要重新貼標(biāo)簽,新的標(biāo)簽需要重新打印。6.平移式分選機(jī)進(jìn)行分選時(shí)，吸嘴同時(shí)吸取出料梭上的芯片。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A7.進(jìn)入芯片檢測(cè)車間前需要換上無(wú)塵衣、發(fā)罩等。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：芯片檢測(cè)工藝通常在常規(guī)千級(jí)無(wú)塵車間內(nèi)進(jìn)行，進(jìn)入車間前穿戴防靜電服和發(fā)罩即可，無(wú)需穿無(wú)塵衣。8.輸入引線一定要盡量短，而且盡量用最上層的金屬設(shè)計(jì)，且輸入輸出引線盡量遠(yuǎn)離，盡量不要交叉。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A9.下列程序?yàn)槎〞r(shí)器基本設(shè)置語(yǔ)句。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A10.電子產(chǎn)品性能測(cè)試包括幾何性能測(cè)試、物理性能測(cè)試和功能性測(cè)試。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A11.刻蝕過(guò)程中有一項(xiàng)重要的參數(shù)是選擇比?？涛g選擇比高表現(xiàn)為對(duì)作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A12.進(jìn)行晶圓盒包裝時(shí)，在最后一層tyvek紙上方需放入海綿、干燥劑、晶圓測(cè)試隨件單等輔材。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A13.晶圓研磨和晶圓切割前都需要在晶圓背面進(jìn)行覆膜。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：晶圓藍(lán)膜專為晶圓研磨、切割而設(shè)計(jì)，它具有高黏著力，使晶圓在研磨、切割過(guò)程中不脫落、不飛散，從而能被確實(shí)地研磨或切割。其中晶圓研磨是對(duì)晶圓背面進(jìn)行研磨，故需要在晶圓的正面覆上藍(lán)膜；而晶圓切割是在其正面進(jìn)行切割，所以需要在晶圓的背面覆上藍(lán)膜。14.料盤外觀檢查進(jìn)行電路拼零前，需要對(duì)從零頭柜中取出的芯片外觀進(jìn)行檢查。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A15.以全自動(dòng)探針臺(tái)為例，花籃的卡槽與承重臺(tái)密貼時(shí)，承重臺(tái)上的位置指示燈亮。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A16.平移式分選機(jī)進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，是通過(guò)出料梭將待測(cè)芯片從待測(cè)區(qū)轉(zhuǎn)移到測(cè)試區(qū)的。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：平移式分選機(jī)進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，是通過(guò)入料梭將待測(cè)芯片從待測(cè)區(qū)轉(zhuǎn)移到測(cè)試區(qū)的。17.轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)在測(cè)前光檢和測(cè)后光檢時(shí)發(fā)現(xiàn)芯片方向不正確時(shí)，都會(huì)在下一個(gè)旋轉(zhuǎn)糾姿位進(jìn)行糾正。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A18.電阻絲加熱蒸發(fā)可以淀積難熔金屬。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：有些難熔金屬不易用電阻加熱蒸發(fā)來(lái)實(shí)現(xiàn)。19.金屬鎢常常采用CVD法來(lái)制備。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A答案解析：金屬鎢常常采用化學(xué)氣相沉積CVD法來(lái)制備。20.在版圖設(shè)計(jì)中，使用源漏共享可以減小版圖面積。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A21.芯片檢測(cè)工藝中，由于芯片上有印章且蓋帶透明，所以在編帶完成后不需要在編帶盤上貼小標(biāo)簽。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B22.晶圓切割時(shí)砂輪刀通過(guò)直線移動(dòng)和高速旋轉(zhuǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)沿晶圓的切割道進(jìn)行切割。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：將貼膜完成的晶圓放置在承載臺(tái)上，承載臺(tái)以一定速度沿切割道方向呈直線運(yùn)動(dòng)，砂輪刀原地高速旋轉(zhuǎn)，隨承載臺(tái)的移動(dòng)沿晶圓的切割道進(jìn)行切割，晶粒之間就被切割開來(lái)了。23.進(jìn)行開短路測(cè)試時(shí)的三種不同情況，若管腳出現(xiàn)開路，則pin1和地之間會(huì)存在一個(gè)壓差，其大小為pin1與地之間的ESD二