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文檔簡介

第三章封裝材料3.1陶瓷3.2金屬3.3塑料3.4復(fù)合材料3.5焊接材料3.6基板材料

3.1陶瓷

Al2O3(氧化鋁)陶瓷是目前應(yīng)用最成熟的陶瓷封裝材料,其熱膨脹系數(shù)(6.7×10-6/K)接近硅(4.2×10-6/K)的熱膨脹系數(shù),價格低廉,耐熱沖擊性、電絕緣性都比較好,制作和加工技術(shù)成熟,使用廣泛。但是,Al2O3熱導(dǎo)率相對較低,限制了它在大功率集成電路中的應(yīng)用。

AlN(氮化鋁)陶瓷的導(dǎo)熱性能好,其理論導(dǎo)熱系數(shù)為320W/(m·K),實際產(chǎn)品接近250W/(m·K),是氧化鋁的5~7倍;熱膨脹系數(shù)小,與硅的熱膨脹系數(shù)非常接近,比氧化鋁約低一半。AlN絕緣性好,電阻率大,介電常數(shù)和介電損耗小,無毒,且有良好的溫度穩(wěn)定性,其綜合性能遠優(yōu)于氧化鋁,是LSI、VLSI基板和封裝的理想材料,也可用于大功率晶體管、開關(guān)電源基板以及電力器件。

3.2金屬

金屬材料中,鋁的熱導(dǎo)率很高、重量輕、價格低、加工容易,是最常用的封裝材料。但鋁的熱膨脹系數(shù)(23.6×10-6/K)與硅(4.2×10-6/K)和GaAs(5.8×10-6/K)的

相差較大,器件工作時的熱循環(huán)常會產(chǎn)生較大的應(yīng)力,導(dǎo)致器件性能失效。銅材也存在類似的問題。

3.3塑料

常見塑料一般分為兩大類,即熱塑性塑料和熱固性

塑料。

3.4復(fù)合材料

作為導(dǎo)熱性電子材料,金屬材料能滿足導(dǎo)熱性要求,但它的導(dǎo)電性限制了它的使用范圍;無機非金屬晶體同時具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性和絕緣性,是理想的導(dǎo)熱性電子材料,但制備困難、成本高;聚合物成型方便,易于生產(chǎn),介電性好,但導(dǎo)熱性差。

3.5焊接材料

1.?Sn-Pb

Sn-Pb系焊料是使用最廣泛的軟釬焊料,圖3-1所示為Sn-Pb系二元相圖。Sn-Pb配比不同時,性能會有很大變化,其中Sn63/Pb37共晶焊料可由液相直接轉(zhuǎn)變?yōu)楣滔唷?/p>

Sn-Pb系焊料的優(yōu)點是熔點較低,浸潤性能、導(dǎo)電性能和加工性能較好,成本低,是應(yīng)用最多的焊料。圖3-1Sn-Pb系二元相圖

2.Sn-In

Sn-In二元共晶合金成分為Sn-52In,共晶溫度為118℃。兩相均是金屬間化合物相。在20℃~60℃之間,Sn-52In釬料的剪切強度低于Sn-Pb釬料,這是因為Sn-In共晶的熔點(118℃)遠低于Sn-Pb共晶的熔點(183℃)。Sn和In均可與Cu反應(yīng)生成金屬間化合物。界面反應(yīng)中,Sn和Cu可反應(yīng)生成Cu6Sn5和Cu3Sn。

3.?Sn-Bi

Sn-Bi二元合金的共晶成分為Sn-58Bi,共晶溫度為139℃。室溫下平衡相為Bi相及含約4wt%Bi的Sn的固溶體。由于在共晶組織中,Sn在Bi中的固溶度很小,因此Bi相為純Bi。Bi在Sn中最大固溶度約為21wt%。當合金冷卻時,Bi在Sn相上析出。在適合冷卻條件下,共晶Sn-Bi微觀組織是片層狀的結(jié)構(gòu)。

4.?Sn-9Zn

Sn-Zn二元合金的共晶成分為Sn-9Zn,共晶溫度為199℃,十分接近Sn-Pb共晶合金。共晶組織由兩相組成:體心四方的Sn基體相和含有不到19wt%Sn的密排六方Zn的固溶體。快冷時該合金凝固后微觀組織顯示出大晶粒,并且具有分布十分均勻的兩相共晶區(qū)。

5.?Sn-3.5Ag

Sn-Ag二元合金的共晶成分為Sn-3.5Ag,共晶溫度為221℃。添加1%Zn,可消除β-Sn的粗大枝晶,使Ag3Sn分布均勻。

6.?Sn-0.7Cu

Sn-Cu二元合金的共晶成分為Sn-0.7Cu,共晶溫度為227℃。凝固反應(yīng)時,Cu形成顆粒狀或棒狀的Cu6Sn5,金屬間化合物彌散分布在樹枝狀R-Sn的基體上。在波峰焊過程中,Sn-0.7Cu共晶合金展示了替代Sn-Pb釬料的優(yōu)良的潛力。由于該合金Sn的含量較高,因此具有Sn晶須生長和灰錫轉(zhuǎn)變的傾向。目前還不清楚Cu的加入對Sn的晶須生長和α-Sn轉(zhuǎn)變的影響。

3.6基板材料

1.?DBC陶瓷基板

常用的陶瓷基板為Al2O3基板和AlN基板。陶瓷基板導(dǎo)熱率高、熱膨脹系

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