2024-2025學(xué)年新教材高中化學(xué)第3章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第3節(jié)第2課時(shí)離子晶體過(guò)渡晶體與混合型晶體課時(shí)分層作業(yè)含解析新人教版選擇性必修2

PAGE4-離子晶體過(guò)渡晶體與混合型晶體(建議用時(shí)：40分鐘)[合格過(guò)關(guān)練]1．(雙選)下列說(shuō)法中正確的是()A．形成離子鍵的陰、陽(yáng)離子間只存在靜電吸引力B．第ⅠA族元素與第ⅦA族元素形成的化合物肯定是離子化合物C．大多數(shù)晶體屬于過(guò)渡晶體D．離子化合物中可能只含有非金屬元素CD[形成離子鍵的陰、陽(yáng)離子之間不但存在陰、陽(yáng)離子之間的相互吸引，也存在著電子之間的相互排斥和原子核之間的相互排斥，A項(xiàng)錯(cuò)誤；氫是ⅠA族元素，與ⅦA族元素形成的化合物HX都是共價(jià)化合物，B項(xiàng)錯(cuò)誤；大多數(shù)晶體屬于過(guò)渡晶體，C項(xiàng)正確；NH4Cl、(NH4)2SO4等都是只含有非金屬元素的離子化合物，D項(xiàng)正確。]2．如圖為NaCl和CsCl的晶體結(jié)構(gòu)，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A．NaCl和CsCl都屬于AB型的離子晶體B．NaCl和CsCl晶體中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比相同C．NaCl和CsCl晶體中陽(yáng)離子的配位數(shù)分別為6和8D．NaCl和CsCl都屬于AB型的離子晶體，所以陽(yáng)離子與陰離子的半徑比相同D[NaCl和CsCl都是由陰、陽(yáng)離子通過(guò)離子鍵構(gòu)成的晶體，陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)之比都為1∶1，則都屬于AB型的離子晶體，故A、B正確；結(jié)合題圖可知，NaCl為面心立方結(jié)構(gòu)，鈉離子的配位數(shù)為6，CsCl為體心立方結(jié)構(gòu)，銫離子的配位數(shù)為8，故C正確；NaCl和CsCl都屬于AB型的離子晶體，但鈉離子半徑小于銫離子半徑，則NaCl的陽(yáng)離子與陰離子的半徑比eq\f(r＋,r－)小于CsCl的，故D錯(cuò)誤。]3．MgO、Rb2O、CaO、BaO四種離子晶體熔點(diǎn)的凹凸依次是()A．MgO＞Rb2O＞BaO＞CaOB．MgO＞CaO＞BaO＞Rb2OC．CaO＞BaO＞MgO＞Rb2OD．CaO＞BaO＞Rb2O＞MgOB[四種離子晶體所含陰離子相同，所含陽(yáng)離子不同。對(duì)Mg2＋、Rb＋、Ca2＋、Ba2＋進(jìn)行比較，Rb＋所帶電荷數(shù)少，離子半徑最大，其與O2－形成的離子鍵最弱，故Rb2O的熔點(diǎn)最低。對(duì)Mg2＋、Ca2＋、Ba2＋進(jìn)行比較，它們所帶電荷數(shù)一樣多，離子半徑Mg2＋＜Ca2＋＜Ba2＋，與O2－形成的離子鍵由強(qiáng)到弱的依次是MgO＞CaO＞BaO，相應(yīng)離子晶體的熔點(diǎn)由高到低的依次為MgO＞CaO＞BaO。綜上所述，四種離子晶體熔點(diǎn)的凹凸依次是MgO＞CaO＞BaO＞Rb2O。]4．石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)，在每一層內(nèi)，每個(gè)碳原子都跟其他3個(gè)碳原子相結(jié)合，如圖是其晶體結(jié)構(gòu)的俯視圖，則圖中7個(gè)六元環(huán)完全占有的碳原子數(shù)是()A．10B．18C．24D．14D[每個(gè)六元環(huán)平均占有的碳原子數(shù)為6×eq\f(1,3)＝2,7個(gè)六元環(huán)完全占有的碳原子數(shù)為2×7＝14。]5.(雙選)鋇在氧氣中燃燒時(shí)得到一種鋇的氧化物晶體，其晶胞的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列有關(guān)說(shuō)法中不正確的是()A．該晶體屬于離子晶體B．晶體的化學(xué)式為Ba2O2C．該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與CsCl相像D．與每個(gè)Ba2＋距離相等且最近的Ba2＋共有12個(gè)BC[圖示晶體中含有Ba2＋和Oeq\o\al(2－,2)，則該晶體屬于離子晶體，A項(xiàng)正確；該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl的晶胞結(jié)構(gòu)相像，所以與每個(gè)Ba2＋距離相等且最近的Ba2＋共有12個(gè)，C項(xiàng)不正確，D項(xiàng)正確。]6．一種離子晶體的晶胞如圖所示。其中陽(yáng)離子A以表示，陰離子B以表示。關(guān)于該離子晶體的說(shuō)法正確的是()A．陽(yáng)離子的配位數(shù)為8，化學(xué)式為ABB．陰離子的配位數(shù)為4，化學(xué)式為A2BC．每個(gè)晶胞中含4個(gè)AD．每個(gè)A四周有4個(gè)與它等距且最近的AC[用均攤法可知，晶胞中含有陽(yáng)離子數(shù)為8×eq\f(1,8)＋6×eq\f(1,2)＝4，陰離子明顯是8個(gè)，故化學(xué)式為AB2，A、B項(xiàng)錯(cuò)誤；每個(gè)A四周最近且等距離的A有12個(gè)(類似于干冰晶體)，D項(xiàng)錯(cuò)誤。][素養(yǎng)培優(yōu)練]7．Mg是第三周期元素，該周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見(jiàn)下表：氟化物NaFMgF2SiF4熔點(diǎn)/K12661534183(1)說(shuō)明表中氟化物熔點(diǎn)差異的緣由：a．_________________________________________________________。b．_________________________________________________________。(2)硅在肯定條件下可以與Cl2反應(yīng)生成SiCl4，試推斷SiCl4的沸點(diǎn)比CCl4的________(填“高”或“低”)，理由_______________。[解析](1)先比較不同類型晶體的熔點(diǎn)。NaF、MgF2為離子晶體，離子間以離子鍵結(jié)合，離子鍵作用強(qiáng)，SiF4固態(tài)時(shí)為分子晶體，分子間以范德華力結(jié)合，范德華力較弱，故NaF和MgF2的熔點(diǎn)都高于SiF4。b.再比較相同類型晶體的熔點(diǎn)。Na＋的半徑比Mg2＋半徑大，Na＋所帶電荷數(shù)小于Mg2＋，所以MgF2的離子鍵比NaF的離子鍵強(qiáng)度大，MgF2熔點(diǎn)高于NaF熔點(diǎn)。(2)SiCl4和CCl4組成、結(jié)構(gòu)相像，SiCl4的相對(duì)分子質(zhì)量大于CCl4的相對(duì)分子質(zhì)量，SiCl4的分子間作用力大于CCl4的分子間作用力，故SiCl4的熔點(diǎn)高于CCl4的熔點(diǎn)。[答案](1)a.NaF與MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，所以NaF與MgF2遠(yuǎn)比SiF4熔點(diǎn)要高b．因?yàn)镸g2＋的半徑小于Na＋的半徑且Mg2＋所帶電荷數(shù)較大，所以MgF2的離子鍵強(qiáng)度大于NaF的離子鍵強(qiáng)度，故MgF2的熔點(diǎn)高于NaF(2)高SiCl4的相對(duì)分子質(zhì)量比CCl4的大，范德華力大，因此沸點(diǎn)高8．(1)石墨晶體由層狀石墨“分子”按ABAB……方式積累而成，如圖甲所示，圖中用虛線標(biāo)出了石墨的一個(gè)六方晶胞。該晶胞中含有的碳原子數(shù)為_(kāi)_______。(2)石墨烯是一種由單層碳原子構(gòu)成的平面結(jié)構(gòu)新型碳材料，如圖乙所示。1mol石墨烯中含有的六元環(huán)個(gè)數(shù)為_(kāi)_______，下列有關(guān)石墨烯的說(shuō)法正確的是________________(填字母)。a．晶體中碳原子間全部是碳碳單鍵b．石墨烯中全部碳原子可以處于同一個(gè)平面c．從石墨中剝離得到石墨烯需克服分子間作用力(3)金剛石晶胞如圖丙所示，則金剛石晶胞中原子的配位數(shù)為_(kāi)_______。[解析](1)由題圖甲可知，石墨晶胞中處于頂點(diǎn)的8個(gè)碳原子分為兩種，其中4個(gè)被6個(gè)晶胞共有，4個(gè)被12個(gè)晶胞共有；處于棱上的4個(gè)碳原子也分為兩種，其中2個(gè)被3個(gè)晶胞共有，2個(gè)被6個(gè)晶胞共有；處于面上的2個(gè)碳原子分別被2個(gè)晶胞共有；晶胞內(nèi)還有1個(gè)碳原子，所以每個(gè)六方晶胞中含有的碳原子數(shù)為4×eq\f(1,6)＋4×eq\f(1,12)＋2×eq\f(1,3)＋2×eq\f(1,6)＋2×eq\f(1,2)＋1＝4。(2)由題圖乙可知，石墨烯中六個(gè)碳原子組成