半導體制造技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋上海工程技術(shù)大學

半導體制造技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋上海工程技術(shù)大學第一章單元測試

“摩爾定律”是（）提出的？

A:1958年B:1960C:1965年D:1970年

答案:1965年第一個晶體管是（）材料晶體管？

A:碳B:硅C:鍺

答案:鍺戈登摩爾是（）科學家。

A:美國B:法國C:德國D:英國

答案:美國第一個集成電路在（）被研制。

A:1965B:1958C:1955D:1960

答案:1958（）被稱為中國“芯片之父”。1、

A:吳德馨B:鄧中翰C:許居衍D:沈緒榜

答案:鄧中翰

第二章單元測試

硅在地殼中的儲量為（）。

A:第二B:第三C:第四D:第一

答案:第二脫氧后的沙子主要以（）的形式。

A:二氧化硅B:碳化硅C:硅

答案:二氧化硅半導體級硅的純度（）。

A:99.999999％B:99.9999999％C:99.999％D:99.99999％

答案:99.9999999％西門子工藝制備得到的硅為單晶硅。（）

A:對B:錯

答案:錯一片硅片只有一個定位邊。（）

A:錯B:對

答案:錯晶面指數(shù)（m1m2m3）：m1、m2、m3分別為晶面在X、Y、Z軸上截距的倒數(shù)。（）

A:對B:錯

答案:對

第三章單元測試

通過薄膜淀積方法生長薄膜不消耗襯底的材料。（）

A:錯B:對

答案:對熱氧化法在硅襯底上制備二氧化硅需要消耗硅襯底。（）

A:錯B:對

答案:對二氧化硅可以與氫氟酸發(fā)生反應。（）

A:錯B:對

答案:對薄膜的密度越大，表明致密性越低。（）

A:對B:錯

答案:錯電阻率，表征導電能力的參數(shù)，同一種物質(zhì)的電阻率在任何情況下都是不變的。（）

A:錯B:對

答案:錯

第四章單元測試

光刻本質(zhì)上是光刻膠的光化學反應。（）

A:對B:錯

答案:對一個透鏡的數(shù)值孔徑越大就能把更少的衍射光會聚到一點。（）

A:對B:錯

答案:錯使用正膠進行光刻時，晶片上所得到的圖形與掩膜版圖形相同。（）

A:錯B:對

答案:對使用負膠進行光刻時，晶片上得到的圖形與掩膜版上的圖形相反。（）

A:對B:錯

答案:對正性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）

A:錯B:對

答案:對負性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）

A:錯B:對

答案:錯

第五章單元測試

刻蝕是用化學方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。（）

A:對B:錯

答案:錯濕法刻蝕是各向同性腐蝕。（）

A:對B:錯

答案:對干法刻蝕有各向同性腐蝕，也有各向異性腐蝕。（）

A:對B:錯

答案:對選擇比指在不同刻蝕條件下，刻蝕一種材料對另一種材料的刻蝕速率之比。（）

A:錯B:對

答案:錯同一晶體不同晶面的原子鍵密度不一樣，導致刻蝕速率不一樣。（）

A:錯B:對

答案:對

第六章單元測試

雜質(zhì)摻雜只能改變半導體的類型，不能改變其電阻率。（）

A:對B:錯

答案:錯擴散是一種人為現(xiàn)象，是微觀粒子熱運動的形式，結(jié)果使其濃度趨于均勻。（）

A:對B:錯

答案:錯菲克第一擴散定律中的負號代表從高濃度向低濃度運動。（）

A:對B:錯

答案:對半導體常用的摻雜方式有擴散和離子注入。（）

A:對B:錯

答案:對離子注入摻雜是物理過程。（）

A:錯B:對

答案:對

第七章單元測試

選擇比指在同樣的條件下對兩種無圖形覆蓋材料拋光速率的比值。（）

A:對B:錯

答案:對尖楔現(xiàn)象是鋁硅接觸時，較多的鋁溶解到硅中形成尖刺的現(xiàn)象。（）

A:錯B:對

答案:錯雙大馬士革中采用CMP，銅需要被刻蝕。（）

A:錯B:對

答案:錯高溫回流：一般是在高溫下進行，可適用于所有金屬層間介質(zhì)。（）

A:錯B:對

答案:錯肖特基接觸在某種條件下可以轉(zhuǎn)變?yōu)闅W姆接觸（高摻雜）。（）

A:錯B:對

答案:對

第八章單元測試

物質(zhì)有三種形態(tài)。（）

A:對B:錯

答案:錯霜是有水汽直接在地面或近地面的物體上凝華形成的。（）

A:錯B:對

答案:對半導體制造工藝中用的氣體可以隨便運輸。（）

A:錯B:對

答案:錯工藝腔是指一個受控的常壓環(huán)境。（）

A:錯B:對

答案:錯等離子體是不導電的。（）

A:對B:錯

答案:錯

第九章單元測試

芯片測試完成時，合格的芯片用墨水標出。（）

A:錯B:對

答案:錯芯片成品率等于合格芯片數(shù)占總芯片數(shù)的百分比。（）

A:對B:錯

答案:對半導體制造工藝中不同硅片之間測試數(shù)據(jù)差別過大是可以接受的。（）

A:錯B:對

答案:錯泊松模型