材料分析測試技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋山東科技大學(xué)

材料分析測試技術(shù)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋山東科技大學(xué)第一章單元測試

X射線特征譜的產(chǎn)生機(jī)理與（）有關(guān)。

A:X射線管的陽極靶材的原子結(jié)構(gòu)

B:X射線管的電壓

C:X射線管的電流

D:X射線管的陰極材料

答案:X射線管的陽極靶材的原子結(jié)構(gòu)

倒易矢量的長度與正點(diǎn)陣中同名晶面的晶面間距（）

A:沒有關(guān)聯(lián)

B:垂直

C:相等

D:成倒數(shù)

答案:成倒數(shù)

粉末多晶樣品中，不同晶面指數(shù)的倒易點(diǎn)分布在（）半徑的倒易球上。

A:不同

B:相同

C:任意

D:其他選項都不對

答案:不同

在體心點(diǎn)陣中，當(dāng)（HKL）晶面的H+K+L為奇數(shù)時，產(chǎn)生系統(tǒng)消光。（）

A:對B:錯

答案:對關(guān)于X射線衍射儀的測量動作，說法正確的是（）。

A:機(jī)械連動時，樣品臺轉(zhuǎn)過θ角時，計數(shù)管轉(zhuǎn)θ角。

B:機(jī)械連動時，樣品臺轉(zhuǎn)過θ角時，計數(shù)管轉(zhuǎn)2θ角。

C:樣品臺和計數(shù)管可以分別繞O軸轉(zhuǎn)動，也可機(jī)械連動。

D:樣品臺和計數(shù)管必須機(jī)械連動

答案:機(jī)械連動時，樣品臺轉(zhuǎn)過θ角時，計數(shù)管轉(zhuǎn)2θ角。

；樣品臺和計數(shù)管可以分別繞O軸轉(zhuǎn)動，也可機(jī)械連動。

X射線衍射儀中，通常用于測定2θ范圍不大的一段衍射圖，常用于精確測定衍射峰的積分強(qiáng)度和位置的掃描方式為（）。

A:慢速掃描

B:其他選項都不對

C:步進(jìn)掃描

D:連續(xù)掃描

答案:步進(jìn)掃描

當(dāng)?shù)挂浊蚺c反射球相交，交線是一個圓環(huán)，環(huán)上每一點(diǎn)都滿足衍射條件，可以產(chǎn)生衍射。（）

A:對B:錯

答案:對X射線衍射的充分條件是（）。

A:其他選項都不對

B:晶面間距大于等于半波長

C:滿足布拉格方程且結(jié)構(gòu)因子為零。

D:滿足布拉格方程且結(jié)構(gòu)因子不為零。

答案:滿足布拉格方程且結(jié)構(gòu)因子不為零。

晶體的X射線衍射方向反映了晶胞的（）

A:原子種類

B:形狀

C:原子位置

D:大小

答案:形狀

；大小

每種晶體物質(zhì)都有自己特定的晶體結(jié)構(gòu)，晶體結(jié)構(gòu)不同則X射線衍射花樣也就各不相同。（）

A:對B:錯

答案:對

第二章單元測試

影響電磁透鏡分辨率的因素包括（）。

A:衍射效應(yīng)

B:球差

C:色差

D:像散

答案:衍射效應(yīng)

；球差

；色差

；像散

孔徑半角越小，衍射效應(yīng)所決定的電磁透鏡的分辨率越高。（）

A:錯B:對

答案:錯透射電鏡的成像操作和電子衍射操作是通過調(diào)節(jié)（）的位置來實(shí)現(xiàn)的。

A:投影鏡

B:聚光鏡

C:物鏡

D:中間鏡

答案:中間鏡

制備透射電鏡薄膜樣品時，離子減薄既適用于導(dǎo)電樣品，又適用于不導(dǎo)電樣品。（）

A:對B:錯

答案:對產(chǎn)生電子衍射的充分條件是滿足布拉格方程。（）

A:對B:錯

答案:錯簡單立方結(jié)構(gòu)材料發(fā)生衍射時，可以產(chǎn)生衍射的晶面為（）。

A:（110）

B:（111）

C:（100）

D:（200）

答案:（110）

；（111）

；（100）

；（200）

衍射襯度在晶體和非晶體中都是存在的。（）

A:對B:錯

答案:錯根據(jù)衍襯運(yùn)動學(xué)原理，理想晶體衍射強(qiáng)度隨（）而變化。

A:樣品質(zhì)量

B:樣品厚度

C:偏離矢量

D:衍射矢量

答案:樣品厚度

；偏離矢量

暗場像中位錯線的像為亮線。（）

A:錯B:對

答案:對

第三章單元測試

電子束與固體樣品作用時，產(chǎn)生的信號有（）。

A:背散射電子

B:特征X射線

C:俄歇電子

D:二次電子

答案:背散射電子

；特征X射線

；俄歇電子

；二次電子

電子束與固體樣品作用時，會產(chǎn)生背散射電子。背反射電子的產(chǎn)額隨樣品（）的增加而增多。

A:表面面積

B:厚度

C:原子序數(shù)

D:表面形貌

答案:原子序數(shù)

掃描電鏡的二次電子像中，樣品表面的深凹槽底部產(chǎn)生較多二次電子，在熒光屏上這些部位的亮度較大。（）

A:錯B:對

答案:錯在掃描電鏡觀察樣品，對樣品微觀組織形貌敏感的成像信號是（）。

A:俄歇電子

B:二次電子

C:背反射電子

D:特征X射線

答案:二次電子

與光鏡呈像相比，掃描電鏡圖像立體感強(qiáng)，形態(tài)逼真，這是由于掃描電鏡的（）比光鏡大100-500倍。

A:尺寸

B:速度

C:景深

D:放大倍數(shù)

答案:景深

掃描電鏡中，無論二次電子呈像還是背散射電子呈像，圖像的分辨率不發(fā)生改變。（）

A:對B:錯

答案:錯被樣品原子核反彈回來的入射電子稱為非彈性背散射電子，能量基本上沒有損失。（）

A:對B:錯

答案:錯掃描電鏡的分辨率等于入射電子束直徑。（）

A:錯B:對

答案:錯掃描電鏡的背散射電子像中，圖像上亮區(qū)對應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)（）暗區(qū)對應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)。

A:其他選項都可以

B:等于

C:小于

D:大于

答案:大于

二次電子像襯度最亮的表面區(qū)域是（）。

A:法線與電子束成36°的表面

B:法線與電子束成66°的表面

C:法線與電子束成0°的表面

D:法線與電子束成86°的表面

答案:法線與電子束成86°的表面

第四章單元測試

電子探針的能譜儀和波譜儀比較，波譜儀（）。

A:分析速度慢

B:分辨率高

C:適合粗糙表面工作

D:分析元素范圍廣

答案:分析速度慢

；分辨率高

；分析元素范圍廣

在電子探針中，測定X射線特征能量的譜儀為能量分散譜儀，簡寫為（）。

A:EPMA

B:EDS

C:XRD

D:WDS

答案:EDS

利用電子探針，可以對樣品的成分進(jìn)行（）。

A:只能定量分析

B:定性分析

C:定量分析

D:只能定性分析

答案:定性分析

；定量分析

利用電子探針的波譜儀，一個分光晶體能夠覆蓋的波長范圍有限的，因此一個分光晶體只能檢測一定原子序數(shù)范圍的元素。（）

A:對B:錯

答案:對在電子探針面分析中，根據(jù)圖像上亮點(diǎn)的疏密和分布，可確定該元素在試樣中分布情況，亮區(qū)代表元素含量（）。

A:低

B:沒有

C:中等

D:高

答案:高

電子探針的主要功能是進(jìn)行微區(qū)成分分析。（）

A:對B:錯

答案:對利用電子探針對材料微區(qū)成分進(jìn)行面分析，包含幾種元素就顯示幾種元素的分布圖像。（）

A:對B:錯

答案:對電子探針只能對材料進(jìn)行微區(qū)成分分析，不能同步觀察材料微觀形貌。（）

A:錯B:對

答案:錯在電子探針中，測定X射線特征波長的譜儀為波長分散譜儀，簡寫為EDS。（）

A:對B:錯

答案:錯電子探針和X射線衍射儀一樣，都可以直接確定材料中所包含的物相。（）

A:錯B:對

答案:錯

第五章單元測試

差熱分析法的簡稱為（）。

A:DTA

B:EDS

C:WDS

D:DSC

答案:DTA

差熱分析中，若試樣沒有熱效應(yīng)時，記錄儀所記錄的ΔT曲線，為水平直線，稱為（）。

A:基線

B:DTA

C:吸熱峰

D:放熱峰

答案:基線

熱分析技術(shù)中，試樣用量越多，熱效應(yīng)大，內(nèi)部傳熱慢，溫度梯度大，導(dǎo)致峰形擴(kuò)大，峰頂溫度滯后，容易使相鄰峰重疊，降低分辨率。（）

A:對B:錯

答案:對差熱分析中，試樣對曲線會產(chǎn)生影響，影響因素有（）。

A:試樣粒度

B:試樣的裝填

C:試樣結(jié)晶度

D:試樣用量

答案:試樣粒度

；試樣的裝填

；試樣結(jié)晶度

；試樣用量

在熱分析技術(shù)中，參比物質(zhì)的選擇是任意的。（）

A:錯B:對

答案:錯熱重分析法的簡稱為（）。

A:EDS

B:TG

C:DTA

D:DSC

答案:TG

在熱分析技術(shù)中，利用程序溫控裝置，可以升溫、降溫，但不能測定材料在恒溫過程中發(fā)生的變化。（）

A