材料化學(xué)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋武漢科技大學(xué)

材料化學(xué)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋武漢科技大學(xué)第一章單元測(cè)試

以下材料屬于燒煉材料的是（）

A:陶

B:陶瓷

C:鐵器

D:青銅器

答案:陶

；陶瓷

；鐵器

；青銅器

以下材料屬于合成材料的是（）

A:先進(jìn)陶瓷材料

B:塑料

C:陶

D:有色金屬材料

答案:先進(jìn)陶瓷材料

；塑料

；有色金屬材料

找化學(xué)組成分類，材料可以分為（）

A:無(wú)機(jī)非金屬材料

B:復(fù)合材料

C:金屬材料

D:高分子材料

答案:無(wú)機(jī)非金屬材料

；復(fù)合材料

；金屬材料

；高分子材料

北斗導(dǎo)航系統(tǒng)是材料。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)材料是具有使其能夠用于機(jī)械、結(jié)構(gòu)、設(shè)備和產(chǎn)品中具有有用性能的物質(zhì)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)化學(xué)是在分子、原子層次上研究物質(zhì)的組成、結(jié)構(gòu)、性質(zhì)與變化規(guī)律。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)材料化學(xué)的特點(diǎn)主要在于跨學(xué)科性和實(shí)踐性。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)將材料學(xué)與化學(xué)結(jié)合起來(lái)，可以從分子水平到宏觀尺度認(rèn)識(shí)結(jié)構(gòu)與性能的相互關(guān)系，從而調(diào)節(jié)改良材料的組成、結(jié)構(gòu)和合成技術(shù)，并發(fā)展出新型的/具有優(yōu)異性質(zhì)與性能的先進(jìn)材料。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)材料的性能是指材料在一定的條件下對(duì)外部作用的反應(yīng)的定量表述。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)材料的合成與制備就是將原子、分子聚合起來(lái)并最終變?yōu)橛杏卯a(chǎn)品的一系列連續(xù)過(guò)程。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第二章單元測(cè)試

材料合成中，溶劑的選擇應(yīng)該遵循（）。

A:使反應(yīng)物充分溶解形成均相溶液

B:溶劑與產(chǎn)物分離

C:反應(yīng)產(chǎn)物不能與溶劑作用

D:使副反應(yīng)最少

答案:使反應(yīng)物充分溶解形成均相溶液

；溶劑與產(chǎn)物分離

；反應(yīng)產(chǎn)物不能與溶劑作用

；使副反應(yīng)最少

無(wú)機(jī)材料尤其是功能材料的性能在很大程度上取決于材料的顆粒大小和形貌。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)影響熱力學(xué)過(guò)程自發(fā)進(jìn)行方向的因素有兩個(gè)，一個(gè)是熱量因素，另一個(gè)是系統(tǒng)混亂度因素。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)真空度的高低用氣體壓強(qiáng)表示。()

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)氣體凈化方法有（）。

A:吸收

B:化學(xué)催化

C:吸附

D:冷凝

答案:吸收

；化學(xué)催化

；吸附

；冷凝

凝膠是指內(nèi)部呈網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),網(wǎng)絡(luò)間隙中含有液體的固體。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)對(duì)于吸熱反應(yīng)，平衡向正方向移動(dòng)，溫度越（），反應(yīng)速率增加，轉(zhuǎn)化率也越（）；對(duì)于放熱反應(yīng)，平衡向逆方向移動(dòng)，溫度越（），反應(yīng)速率增加，但轉(zhuǎn)化率（）。（）

A:低、高、高、低

B:高、低、高、低

C:高、低、高、高

D:高、高、高、低

答案:高、高、高、低

CVD法可用于制造覆膜、粉末、纖維等材料，它是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料、大多數(shù)金屬材料和合金材料。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)PECVD包含化學(xué)和物理過(guò)程。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)溶膠-凝膠法制備的材料化學(xué)純度高，均勻性好，此法易于控制化學(xué)劑量比，適合制備多組分材料。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第三章單元測(cè)試

決定分子識(shí)別過(guò)程的兩個(gè)關(guān)鍵原則（）。

A:互補(bǔ)性與鍵合性

B:選擇性和預(yù)組織

C:互補(bǔ)性和預(yù)組織

D:選擇性和鍵合性

答案:互補(bǔ)性和預(yù)組織

非整比相是否能夠形成，與下列哪些因素?zé)o關(guān)？（）。

A:元素組成

B:晶體結(jié)構(gòu)

C:原子的電子結(jié)構(gòu)

D:晶界密度

答案:晶界密度

超分子化學(xué)的重要手段（）。

A:分子遷移

B:位點(diǎn)鍵合

C:自組裝

D:分子識(shí)別

答案:自組裝

；分子識(shí)別

根據(jù)有機(jī)微孔聚合物結(jié)構(gòu)特點(diǎn)以及合成方式的不同,又可以分為（）。

A:共價(jià)有機(jī)框架

B:超交聯(lián)聚合物

C:固有微孔聚合物

D:共軛微孔聚合物

答案:共價(jià)有機(jī)框架

；超交聯(lián)聚合物

；固有微孔聚合物

；共軛微孔聚合物

屬于非整比化合物結(jié)構(gòu)特點(diǎn)的有（）

A:晶胞參數(shù)隨組成連續(xù)變化

B:X射線衍射花樣始終與母晶胞一致

C:組成在較寬范圍變化

D:存在缺陷

答案:晶胞參數(shù)隨組成連續(xù)變化

；X射線衍射花樣始終與母晶胞一致

；組成在較寬范圍變化

；存在缺陷

非化學(xué)計(jì)量缺陷可能導(dǎo)致材料的（）性質(zhì)發(fā)生變化。

A:磁學(xué)性質(zhì)

B:電學(xué)性質(zhì)

C:機(jī)械加工性能

D:光學(xué)性質(zhì)

答案:磁學(xué)性質(zhì)

；電學(xué)性質(zhì)

；機(jī)械加工性能

；光學(xué)性質(zhì)

1987年萊恩在其諾貝爾獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)演說(shuō)中將超分子化學(xué)定義為“超越分子的化學(xué)”。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)有機(jī)微孔聚合物是通過(guò)一些能夠形成分子間C-C雙鍵的反應(yīng)得到的。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)起初，科學(xué)家們判定每一種化合物各組成元素的重量比不應(yīng)隨它的來(lái)源、制備方法、存在形態(tài)和測(cè)定方法等變化。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)根據(jù)組成范圍可以將非整比化合物分為寬限非整比化合物和窄限非整比化合物。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第四章單元測(cè)試

半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率范圍（）。

A:10-8~103S/cm

B:103~108S/cm

C:10-18~10-8S/cm

D:10-5~105S/cm

答案:10-8~103S/cm

太陽(yáng)光的能量分布絕大部分集中在哪些區(qū)域（）。

A:紫外光和紅外光

B:可見(jiàn)光和近紅外光

C:紅外光和微波

D:近紫外光和可見(jiàn)光

答案:可見(jiàn)光和近紅外光

電導(dǎo)率大小與材料的下列哪些因素相關(guān)（）。

A:載流子的密度

B:光電轉(zhuǎn)換效率

C:載流子的電荷數(shù)

D:載流子遷移率

答案:載流子的密度

；載流子的電荷數(shù)

；載流子遷移率

半導(dǎo)體材料按照成分分類可分為（）。

A:元素半導(dǎo)體

B:有機(jī)高分子半導(dǎo)體

C:固溶半導(dǎo)體

D:化合物半導(dǎo)體

答案:元素半導(dǎo)體

；固溶半導(dǎo)體

；化合物半導(dǎo)體

p-型半導(dǎo)體摻雜原子的價(jià)電子多于背景純?cè)氐膬r(jià)電子。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)對(duì)半導(dǎo)體的材料施加應(yīng)力時(shí)，除產(chǎn)生變形外，能帶結(jié)構(gòu)也相應(yīng)地發(fā)生變化。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)PN結(jié)的最大特性是單向?qū)щ娦?。（?/p>

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)III-V族化合物半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體Si材料相比，具有的特點(diǎn)包括：帶隙較大、直接躍遷型能帶、電子遷移效率高。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)光敏電阻工作原理是基于內(nèi)光電效應(yīng)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)半導(dǎo)體材料常見(jiàn)的重要應(yīng)用主要包括：熱阻器、壓力傳感器、光敏電阻器、磁敏電阻、光電倍增管、發(fā)光二極管、整流器、齊納二極管、晶體管等。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第五章單元測(cè)試

為了獲得高的光輸出，我們希望輻射躍遷的概率要（）于非輻射躍遷。

A:遠(yuǎn)低于

B:略低于

C:相等

D:遠(yuǎn)高于

答案:遠(yuǎn)高于

吸收光譜，指對(duì)應(yīng)的吸收系數(shù)隨（）變化的光譜，一個(gè)有效的發(fā)光材料必須要有好的吸收本領(lǐng)。

A:吸收峰

B:溫度

C:波長(zhǎng)

D:頻率

答案:波長(zhǎng)

；頻率

石英光纖裸纖一般分為同軸三層結(jié)構(gòu)，包括：（）

A:折射率相同的玻璃纖芯和硅玻璃包層

B:樹脂涂層

C:中心高折射率石英纖芯

D:低折射率硅玻璃包層

答案:樹脂涂層

；中心高折射率石英纖芯

；低折射率硅玻璃包層

光纖可以按照（）進(jìn)行分類。

A:傳輸方式

B:按材料

C:按折射率分布

D:按性能

答案:傳輸方式

；按材料

；按折射率分布

；按性能

光電轉(zhuǎn)換效率是人們?cè)诒容^兩塊電池好壞時(shí)最常使用的參數(shù)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)第二代電池以薄膜太陽(yáng)電池為代表，包括了非晶硅薄膜太陽(yáng)電池，化合物薄膜太陽(yáng)電池。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)光子學(xué)涉及光子的吸收、產(chǎn)生、傳輸、探測(cè)、控制、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)、顯示等。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)光在光纖的傳導(dǎo)損耗比電在電線傳導(dǎo)的損耗高得多（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)光纖常被用作短距離的信息傳遞。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)光纖的抗電磁干擾性能好。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第六章單元測(cè)試

分子電子學(xué)研究體系中的分子數(shù)目只能是單個(gè)分子。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)分子電子學(xué)中單分子體系的研究是針對(duì)單個(gè)分子的研究。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)分子電子學(xué)可以研究聚集態(tài)分子體系。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)分子電子學(xué)中分子聚集體研究的只能是有機(jī)小分子。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)掃描隧道顯微鏡基于原子導(dǎo)電針尖與導(dǎo)電樣品表面的隧穿電流大小來(lái)實(shí)現(xiàn)納米尺度的研究。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)分子電子學(xué)的研究方法不包括下面那一項(xiàng)？（）

A:激光切割技術(shù)

B:掃描隧道顯微鏡裂解技術(shù)

C:導(dǎo)電原子力顯微鏡裂結(jié)技術(shù)

D:機(jī)械可控裂結(jié)技術(shù)

答案:激光切割技術(shù)

下面那一項(xiàng)是研究一個(gè)分子能否成為分子電子器件的最核心要素？（）

A:大小

B:形狀

C:力學(xué)性能

D:電子傳輸特性

答案:電子傳輸特性

分子電子學(xué)研究的范圍通常在下列哪個(gè)尺寸級(jí)別？（）

A:微米

B:納米

C:米

D:厘米

答案:納米

下列哪一項(xiàng)工作可借助于分子電子學(xué)技術(shù)開展研究？（）

A:研究升高的腳大小的關(guān)系

B:研究頭發(fā)為什么變白

C:研究?jī)蓚€(gè)DNA單堿基分子之間的電子傳輸特性

D:研究性格與性別的關(guān)系

答案:研究?jī)蓚€(gè)DNA單堿基分子之間的電子傳輸特性

下列哪一項(xiàng)和分子電子學(xué)有直接關(guān)聯(lián)的？（）

A:分子馬達(dá)

B:礦山挖掘

C:西氣東輸

D:南水北調(diào)

答案:分子馬達(dá)

第七章單元測(cè)試

按空間維度分類，納米材料可以分為（）

A:一維納米材料

B:二維納米材料

C:零維納米材料

D:三維納米材料

答案:一維納米材料

；二維納米材料

；零維納米材料

；三維納米材料

球形顆粒的表面積與直徑的（）成（）。（）

A:立方、反比

B:平方、正比

C:立方、正比

D:平方、反比

答案:平方、正比

隨著顆粒尺寸減小到與光波波長(zhǎng)、德布羅意波長(zhǎng)以及超導(dǎo)態(tài)的相干長(zhǎng)度或透射深度等物理特征尺寸相當(dāng)或更小時(shí)，非晶態(tài)納米粒子表面層附近原子密度（）

A:無(wú)關(guān)系

B:增加

C:減小

D:不變

答案:減小

當(dāng)粒子尺寸下降到某一值時(shí)，金屬費(fèi)米能級(jí)附近的電子能級(jí)由準(zhǔn)連續(xù)變?yōu)殡x散能級(jí)的現(xiàn)象和納米半導(dǎo)體微粒存在不連續(xù)的最高被占據(jù)分子軌道和最低未被占據(jù)的分子軌道能級(jí)，能隙變寬現(xiàn)象均稱為量子尺寸效應(yīng)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)濺射法通常是用來(lái)鍍膜的，通過(guò)一些改進(jìn)，也可以用來(lái)制備納米微粒。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)1993年，中國(guó)科學(xué)院北京真空物理實(shí)驗(yàn)室自如地操縱原子成功寫出“中國(guó)”二字，標(biāo)志著我國(guó)開始在國(guó)際納米科技領(lǐng)域占有一席之地。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)通常界