材料科學(xué)基礎(chǔ)知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋青島農(nóng)業(yè)大學(xué)

材料科學(xué)基礎(chǔ)知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋青島農(nóng)業(yè)大學(xué)緒論單元測(cè)試

材料按本身的性能分為

A:功能材料B:結(jié)構(gòu)材料C:有機(jī)材料D:無(wú)機(jī)材料

答案:功能材料；結(jié)構(gòu)材料材料的發(fā)展史也是人類的發(fā)展史

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第一章單元測(cè)試

離子鍵的正負(fù)離子相間排列，具有方向性，無(wú)飽和性。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)具有明顯的方向性和飽和性的是（）

A:共價(jià)鍵

B:金屬鍵

C:化學(xué)鍵

D:離子鍵

答案:共價(jià)鍵

高分子材料中的C-H化學(xué)鍵屬于（）

A:氫鍵

B:共價(jià)鍵

C:離子鍵

答案:共價(jià)鍵

屬于物理鍵的是（）

A:范德華力

B:離子鍵

C:氫鍵

D:共價(jià)鍵

答案:范德華力

同位素的原子具有相同的質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第二章單元測(cè)試

復(fù)雜晶胞與簡(jiǎn)單晶胞的區(qū)別是，除在頂角外，在體心、面心或底心上有陣點(diǎn)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的原子呈周期性重復(fù)排列，即存在短程有序。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)晶向指數(shù)＜uvw＞和晶面指數(shù)(hkl)中的數(shù)字相同時(shí)，對(duì)應(yīng)的晶向和晶面相互垂直。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)非金屬和金屬的原子半徑比值rx/rm＞0.59時(shí)，形成間隙化合物，如氫化物、氮化物。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)面心立方晶體的孿晶面是（）

A:{112}

B:{110}

C:{101}

D:{111}

答案:{111}

第三章單元測(cè)試

在晶體中形成空位的同時(shí)又產(chǎn)生間隙原子，這樣的缺陷稱為（）

A:弗侖克爾缺陷

B:位錯(cuò)

C:線缺陷

D:肖特基缺陷

答案:弗侖克爾缺陷

原子遷移到間隙中形成空位-間隙對(duì)的點(diǎn)缺陷稱為（）

A:Frank缺陷

B:肖脫基缺陷

C:堆垛層錯(cuò)

答案:Frank缺陷

刃型位錯(cuò)的滑移方向與位錯(cuò)線之間的幾何關(guān)系是（）

A:垂直

B:交叉

C:隨意

D:平行

答案:垂直

弗蘭克缺陷是原子遷移到間隙中形成的空位-間隙對(duì)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)位錯(cuò)線只能終止在晶體表面或界面上，而不能中止于晶體內(nèi)部。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第四章單元測(cè)試

在置換型固溶體中，原子擴(kuò)散的方式一般為（）

A:推填機(jī)制

B:空位機(jī)制

C:間隙機(jī)制

D:原子互換機(jī)制

答案:空位機(jī)制

固體中原子和分子遷移運(yùn)動(dòng)的各種機(jī)制中，得到實(shí)驗(yàn)充分驗(yàn)證的是（）

A:推填機(jī)制

B:間隙機(jī)制

C:原子互換機(jī)制

D:空位機(jī)制

答案:空位機(jī)制

原子擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力是（）

A:溫度梯度

B:組元的濃度梯度

C:組元的化學(xué)勢(shì)梯度

答案:組元的化學(xué)勢(shì)梯度

A和A-B合金焊合后發(fā)生柯肯達(dá)爾效應(yīng)，測(cè)得界面向A試樣方向移動(dòng)，則（）

A:B的擴(kuò)散速率相同

B:兩組元C:組元B的擴(kuò)散速率大于組元A

D:組元A的擴(kuò)散速率大于組元B

答案:組元A的擴(kuò)散速率大于組元B

菲克第一定律描述了穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的特征，即濃度不隨（）變化。

A:距離B:溫度C:時(shí)間

答案:時(shí)間

第五章單元測(cè)試

在彈性極限范圍內(nèi)，應(yīng)變滯后于外加應(yīng)力，并和時(shí)間有關(guān)的現(xiàn)象稱為（）

A:包申格效應(yīng)

B:彈性滯后

C:彈性后效

答案:彈性后效

塑性變形產(chǎn)生的滑移面和滑移方向是（）

A:晶體中原子密度最大的面和原子間距最長(zhǎng)方向

B:晶體中原子密度最大的面和原子間距最短方向

C:晶體中原子密度最小的面和原子間距最短方向

答案:晶體中原子密度最大的面和原子間距最短方向

bcc、fcc、hcp三種典型晶體結(jié)構(gòu)中，（）具有最少的滑移系，因此具有這種晶體結(jié)構(gòu)的材料塑性最差。

A:hcp

B:fcc

C:bcc

答案:hcp

聚合型合金的抗變形能力取決于兩相的體積分?jǐn)?shù)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)塑性變形會(huì)使金屬的導(dǎo)電性升高，抗腐蝕性下降。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第六章單元測(cè)試

變形孿晶的生長(zhǎng)過(guò)程分為形核、長(zhǎng)大兩個(gè)階段，一般形核容易，長(zhǎng)大比較難。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)再結(jié)晶晶粒長(zhǎng)大的驅(qū)動(dòng)力是來(lái)自晶界移動(dòng)后體系總的自由能的降低。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)已知Cu的Tm=1083攝氏度，則Cu的最低再結(jié)晶溫度約為（）攝氏度。

A:350

B:270

C:200

答案:200

已知Fe的Tm=1538攝氏度，則Fe的最低再結(jié)晶溫度約為（）攝氏度。

A:550

B:450

C:350

D:500

答案:450

形變后的材料再升溫時(shí)發(fā)生回復(fù)與再結(jié)晶現(xiàn)象，則點(diǎn)缺陷濃度下降明顯發(fā)生在（）

A:晶粒長(zhǎng)大階段

B:回復(fù)階段

C:再結(jié)晶階段

答案:回復(fù)階段

第七章單元測(cè)試

對(duì)離異共晶和偽共晶的形成原因，下述說(shuō)法正確的是（）

A:偽共晶只能經(jīng)非平衡凝固獲得

B:離異共晶只能經(jīng)非平衡凝固獲得

C:形成離異共晶的原始液相成分接近共晶成分

答案:偽共晶只能經(jīng)非平衡凝固獲得

在二元系合金相圖中，計(jì)算兩相相對(duì)量的杠桿法則用于（）

A:兩相區(qū)中

B:單相區(qū)中

C:三相平衡水平線上

答案:三相平衡水平線上

二元系合金中兩組元部分互溶時(shí)，不可能發(fā)生（）

A:包晶轉(zhuǎn)變

B:共晶轉(zhuǎn)變

C:勻晶轉(zhuǎn)變

答案:勻晶轉(zhuǎn)變

二元相圖中，屬于共晶方式的相轉(zhuǎn)變有（）

A:共析轉(zhuǎn)變

B:合晶轉(zhuǎn)變

C:共晶轉(zhuǎn)變

D:偏晶轉(zhuǎn)變

E:熔晶轉(zhuǎn)變

答案:共析轉(zhuǎn)變

；共晶轉(zhuǎn)變

；偏晶轉(zhuǎn)變

；熔晶轉(zhuǎn)變

二元相圖中，屬于包晶方式的相轉(zhuǎn)變有（）

A:包晶轉(zhuǎn)變

B:偏晶轉(zhuǎn)變

C:合晶轉(zhuǎn)變

D:包析轉(zhuǎn)變

答案:包晶轉(zhuǎn)變

；合晶轉(zhuǎn)變

；包析轉(zhuǎn)變

第八章單元測(cè)試

完整的三元相圖是三維的立體模型。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)三元系三相平衡時(shí)自由度為零。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)三元系變溫截面上也可