《STM8S系列單片機原理與應(yīng)用》課件第3章

第3章存儲器系統(tǒng)及訪問

3.1存儲器結(jié)構(gòu)3.2存儲器讀寫保護與控制寄存器

3.3FlashROM存儲器IAP編程3.1存儲器結(jié)構(gòu)

在STM8S系統(tǒng)內(nèi)，RAM存儲區(qū)、EEPROM存儲區(qū)、引導ROM存儲區(qū)、FlashROM存儲區(qū)，以及與外設(shè)有關(guān)的寄存器(包括外設(shè)控制寄存器、狀態(tài)寄存器、數(shù)據(jù)寄存器)均統(tǒng)一安排在16MB線性地址空間內(nèi)，即內(nèi)部地址總線為24位，如圖3-1所示。這樣，無論是RAM、EEPROM、FlashROM，還是外設(shè)寄存器，其讀、寫指令的格式與操作數(shù)的尋址方式等完全相同。圖3-1STM8S存儲器組織在圖3-1中，16MB線性地址空間以段(Section)形式組織，每段大小為64KB。內(nèi)部地址總線b23～b16(最高8位)視為段號；而b15～b0被視為段內(nèi)存儲單元的字節(jié)編號，即地址形式為00XXXXH～FFXXXXH。為減小指令碼長度，RAM、EEPROM存儲區(qū)安排在00段內(nèi)，這樣堆棧指針SP長度就可以縮減為16位。位于00段內(nèi)的各存儲單元也能用16位地址形式訪問。另外，16MB地址空間也可以按頁(Page)形式組織，每頁大小為256B。這時，內(nèi)部地址總線b23～b8(高16位)被視為頁號；而b7～b0被視為頁內(nèi)存儲單元的字節(jié)編號，即地址形式為0000XXH～FFFFXXH。這樣位于0000頁內(nèi)的存儲單元，即RAM空間內(nèi)的前256字節(jié)，可用8位地址形式訪問。RAM地址空間為000000H～003FFFH，目前容量在1～6KB之間(000000H～0017FFH)，未來最大可以擴充到16KB，即001800H～003FFFH的地址空間目前保留。EEPROM地址空間為004000H～0047FFH，目前容量在640B～2KB之間。與硬件配置有關(guān)的選項字節(jié)(OptionBytes)用FlashROM作為存儲介質(zhì)，地址空間在004800H～00487FH之間，共計128字節(jié)。內(nèi)嵌外設(shè)(包括通用I/O口、定時器、串行通信口以及AD轉(zhuǎn)換器等)的控制寄存器、狀態(tài)寄存器以及數(shù)據(jù)寄存器的映像地址，位于005000H～0057FFH之間，可用16位地址形式訪問。引導ROM存儲區(qū)(BootROM)位于006000H～0067FFH，大小為2KB，主要存放硬件復(fù)位引導程序，即006000H單元是STM8內(nèi)核CPU復(fù)位入口地址。程序存儲器(FlashROM)地址從008000H單元開始。這意味著，對于容量在32KB以內(nèi)的芯片，F(xiàn)lashROM地址空間為008000H～00FFFFH，即全部位于00段內(nèi)，可使用16位地址形式訪問；而對于32KB以上FlashROM容量的芯片，須使用24位地址形式訪問。在STM8系統(tǒng)中，存儲單元內(nèi)字、雙字(由四個字節(jié)組成)等的存放規(guī)則是低字節(jié)存放在高地址中，高字節(jié)存放在低地址中，即采用“大端”方式。字存儲單元起始于字的低位地址，對應(yīng)于字存儲單元的高位字節(jié)。字可以按“對齊”方式存放，字低位地址起始于0、2、4、6等偶地址字節(jié)；也可以按“非對齊”方式存放，字低位地址起始于1、3、5、7等奇地址字節(jié)。例如：

LDWX,0100H ;將0100H單元內(nèi)容送XH寄存器，將0101H單元內(nèi)容送XL寄存器—對齊

LDWX,0101H ;將0101H單元內(nèi)容送XH寄存器，將0102H單元內(nèi)容送XL寄存器—非對齊可見，字低位地址字節(jié)的a7～a0對應(yīng)于字的高8位b15～b8，字高位地址字節(jié)的a15～a8對應(yīng)于字的低8位b7～b0。3.1.1隨機讀寫RAM存儲區(qū)

STM8S內(nèi)部RAM容量在640B～6KB之間，起始地址為0X00000H，終了地址與芯片內(nèi)RAM存儲器容量有關(guān)，可作為用戶RAM存儲區(qū)及堆棧區(qū)。RAM存儲區(qū)內(nèi)各單元地位相同，即讀寫指令、尋址方式相同，只是前256字節(jié)(00H～FFH)支持8位地址形式，指令碼短一些。例如：

LD$10,A ;累加器A送10H(8位地址)單元，指令碼為B710(兩字節(jié))

LD$100,A ;累加器A送0100H(16位地址)單元，指令碼為C70100(三字節(jié))

STM8S堆棧區(qū)位于RAM存儲區(qū)高端，特征是堆棧下向生長，數(shù)據(jù)壓入堆后，堆棧指針SP減??；且為空棧結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)先入堆，后修改堆棧指針SP。例如執(zhí)行“PUSH#$33”指令時，(SP)←33H，然后SP←SP?-?1。復(fù)位后，堆棧指針SP內(nèi)容與芯片內(nèi)部RAM容量有關(guān)：含有6KBRAM的STM8S芯片，復(fù)位后SP為017FFH；含有2KBRAM的STM8S芯片，復(fù)位后SP為007FFH；含有1KBRAM的STM8S芯片，復(fù)位后SP為03FFH，即堆棧被安排在RAM存儲區(qū)的上端。3.1.2FlashROM存儲區(qū)

STM8S系列FlashROM存儲器數(shù)據(jù)總線為32位，即以4個字節(jié)作為一個基本的存儲單元—字(字起始地址最低兩位為00)，一次可同時訪問4個字節(jié)，但也可以只訪問其中的一個字節(jié)。FlashROM存儲區(qū)起始地址為008000H，終了地址與FlashROM存儲器容量有關(guān)。其中中斷向量表占用128個字節(jié)，每個中斷向量占用4個字節(jié)，用戶監(jiān)控程序可從008080H單元開始存放。為保護用戶關(guān)鍵程序代碼，以及中斷向量不因意外被誤寫，STM8S引入了用戶啟動代碼區(qū)UBC(UserBootCode)保護機制。因此，F(xiàn)lashROM存儲區(qū)可分為UBC(具有二級保護功能)和主程序區(qū)(只有一級保護功能)。為調(diào)節(jié)這兩個存儲區(qū)的相對大小，在FlashROM中引入了“Page”(頁)的概念，將整個FlashROM存儲區(qū)視為由若干頁組成，頁的大小與存儲器容量有關(guān)。為方便快速擦除，F(xiàn)lashROM存儲區(qū)被分成若干塊(Block)，塊的大小與片內(nèi)FlashROM存儲器容量有關(guān)，如表3-1所示。表3-1FlashROM存儲器頁、塊大小與容量的關(guān)系

1.?UBC存儲區(qū)

UBC存儲區(qū)起始于008000H單元，它是有還是沒有以及其值的大小(即UBC存儲區(qū)包含的Page數(shù)目)由選項字節(jié)OPT1定義，如表3-2所示。表3-2UBC存儲區(qū)大小與OPT1選項字節(jié)內(nèi)容的關(guān)系當OPT1[7:0]取00H、FFH以外的值時，UBC存儲區(qū)存在，大小與芯片F(xiàn)lashROM存儲器容量有關(guān)。例如，對于STM8S207R8芯片來說，當希望把8000H～DFFFH之間存儲區(qū)作為UBC存儲區(qū)時(共計24KB，即48頁)，OPT1[7:0]內(nèi)容應(yīng)為46，即2EH。鑒于UBC存儲區(qū)具有二級保護功能，可將中斷向量表、無須修改的程序代碼及數(shù)表劃入UBC區(qū)，而將需要通過IAP編程方式改寫的代碼、數(shù)據(jù)放在主存儲區(qū)內(nèi)。

2.主存儲區(qū)

UBC存儲區(qū)外的FlashROM存儲區(qū)稱為主程序區(qū)。如果沒有定義UBC，則主程序區(qū)起始地址為008080H單元，即中斷入口地址表外的所有FlashROM單元均屬于主程序區(qū)。如果定義了UBC存儲區(qū)，則UBC存儲區(qū)之上的所有FlashROM單元屬于主程序區(qū)。3.1.3數(shù)據(jù)EEPROM存儲區(qū)數(shù)據(jù)EEPROM存儲區(qū)起始于004000H單元，大小在640B～2KB之間，組織方式與FlashROM相同，即EEPROM中頁、塊的大小與FlashROM相同。它主要用于存放需要經(jīng)常改寫的非易失性數(shù)據(jù)，可重復(fù)擦寫30萬次以上，遠高于FlashROM存儲器(1萬次)。3.1.4硬件配置選項區(qū)硬件配置選項字節(jié)位于004800H～00487FH，共計128B。存儲介質(zhì)也是FlashROM存儲器，即具有非易失特性。它主要用于存放系統(tǒng)硬件配置信息，包括存儲器讀保護字節(jié)ROP以及與硬件配置有關(guān)的8個選項寄存器及其反碼寄存器，如表3-3所示。表3-3硬件配置選項字節(jié)在表3-3中：

(1)?OPT0為ROP(Read-OutProtection)。當該選項字節(jié)為0XAAH時，EEPROM、FlashROM存儲器中的信息就處于讀保護狀態(tài)。

(2)?OPT1定義了UBC代碼區(qū)的有無與大小。

(3)?OPTBL選項字節(jié)定義了復(fù)位后啟動方式，是執(zhí)行位于0X6000H開始的引導程序，還是執(zhí)行復(fù)位向量定義的指令碼。3.1.5通用I/O端口及外設(shè)寄存器區(qū)

STM8S通用I/O端口與外設(shè)寄存器(包括外設(shè)控制寄存器、狀態(tài)寄存器以及數(shù)據(jù)寄存器)的地址均位于005000H～0057FFH之間。3.1.6唯一ID號存儲區(qū)

STM8S系列MCU芯片提供了可按字節(jié)方式讀取，長度為96?bit(12Bytes)的唯一器件的ID號。該ID號可作為設(shè)備識別碼，為程序加密、升級安裝提供了身份驗證。不同系列STM8S芯片ID號存放位置略有差異，其中STM8S105、STM8S207、STM8S208系列芯片的ID號位于0048CDH～0048D8H之間，而STM8S103系列芯片的ID號位于004865H～004870H之間。3.2存儲器讀寫保護與控制寄存器3.2.1存儲器讀保護(ROP)選擇在ICP編程狀態(tài)下，如果選項字節(jié)OPT0(ROP)被編程為AAH，則EEPROM(DATA區(qū))、FlashROM(包括UBC和主程序區(qū))均處于讀保護狀態(tài)。用戶可在ICP編程狀態(tài)下，重新指定選項字節(jié)OPT0的內(nèi)容(置為00H)，以解除存儲器的讀保護狀態(tài)。不過，一旦取消存儲器讀保護狀態(tài)，芯片將自動擦除EEPROM(DATA區(qū))、FlashROM中的全部信息。

3.2.2存儲器寫保護芯片復(fù)位以后，F(xiàn)lash區(qū)、DATA區(qū)、選項字節(jié)就自動處于寫保護狀態(tài)，避免意外寫入造成數(shù)據(jù)丟失。當需要對這些區(qū)域進行編程時，可按下述方式解除其寫保護狀態(tài)。通過IAP方式對UBC存儲區(qū)以外的主程序區(qū)進行編程前，必須向FLASH_PUKR寄存器連續(xù)寫入兩個MASS密鑰值(56H、AEH)，解除主程序存儲區(qū)的寫保護狀態(tài)。如果輸入的MASS密鑰值不正確，則復(fù)位前主程序區(qū)就一直處于寫保護狀態(tài)，再向FLASH_PUKR寄存器寫入的操作無效，即STM8S主存儲器寫保護采用“一錯即鎖”方式，以保證數(shù)據(jù)的可靠性。通過IAP方式對EEPROM數(shù)據(jù)區(qū)寫入前，必須向FLASH_DUKR寄存器連續(xù)寫入兩個MASS密鑰值(AEH、56H)，解除EEPROM數(shù)據(jù)區(qū)的寫保護狀態(tài)。

(AEH、56H)，解除選項字節(jié)的寫保護狀態(tài)。在FlashROM狀態(tài)寄存器FLASH_CR2的OPT為1、其反碼FLASH_NCR2的NOPT為0的情況下，即可對選項字節(jié)編程。值得注意的是，存儲器讀保護與寫保護特性相互獨立，即讀保護有效與寫保護是否有效無關(guān)，反之亦然。3.2.3存儲器控制寄存器

Flash存儲器的特性、編程操作由下列寄存器控制。

1.控制寄存器1(Flash_CR1)

Flash_CR1寄存器主要控制Flash存儲器在不同狀態(tài)的供電。其表示及各位的含義如下：寄存器名：FLASH_CR1偏移地址：0X00H;復(fù)位初值：0X00H

HALT：在HALT狀態(tài)下，F(xiàn)lashROM電源狀態(tài)選擇。該位由軟件置1或清0，若其為0，當MCU處于停機狀態(tài)時，F(xiàn)lash處于掉電狀態(tài)(功耗小一些)；若其為1，MCU處于停機狀態(tài)下，F(xiàn)lash處于加電狀態(tài)(功耗大一些)。

IE：Flash中斷允許。該位由軟件置1或清0，若其為0，禁止MCU響應(yīng)Flash編程結(jié)束EOP中斷、向保護頁寫操作錯誤WR_PG_DIS中斷請求(可采用查詢方式)；若其為1，允許MCU響應(yīng)這兩個中斷請求。

FIX：編程周期選擇。若其為0，由MCU自動確定編程時間：當待寫入目標單元空白時，自動跳過擦除操作過程，編程時間只有正常時間的1/2；若其為1，無論目標單元是否空白，均執(zhí)行擦除操作，編程時間長。這一項最好設(shè)為0，即由MCU自動選擇編程時間。

2.?Flash控制寄存器2(Flash_CR2與Flash_NCR2)

Flash_CR2寄存器主要涉及Flash存儲器編程方式的選擇，該寄存器具有反碼寄存器Flash_NCR2。其表示及各位的含義如下：寄存器名：FLASH_CR2偏移地址：0X01H;復(fù)位初值：0X00H

OPT：選項字節(jié)編程選擇位(0禁止；1允許)。該位由軟件置1或清0。

WPRG：DataEEPROM和Flash主存儲區(qū)字編程選擇位(0禁止；1允許)。該位可由軟件置1，字編程結(jié)束后由硬件自動清0。

ERASE：塊擦除操作選擇位(0禁止；1允許)。該位可由軟件置1，塊擦除結(jié)束后由硬件自動清0。

FPRG：快速塊編程操作選擇位(0禁止；1允許)。該位可由軟件置1，快速塊編程結(jié)束后由硬件自動清0。

PRG：標準塊編程操作選擇位(0禁止；1允許)。該位可由軟件置1，標準塊編程結(jié)束后由硬件自動清0。由于任何時候只能進行一種操作，因此，最好用“MOV”指令初始化Flash_CR2與Flash_NCR2寄存器。

3.?FlashROM主存儲器寫解鎖密鑰寄存器FLASH_PUKR復(fù)位后，F(xiàn)lashROM主存儲器處于寫保護狀態(tài)(PUL位為0)，向該寄存器順序?qū)懭?6H、AEH密鑰后，可解除其寫保護狀態(tài)。

4.?DataEEPROM存儲器寫解鎖密鑰寄存器FLASH_DUKR復(fù)位后，DataEEPROM存儲器、選項字節(jié)等均處于寫保護狀態(tài)(DUL位為0)，向該寄存器順序?qū)懭階EH、56H密鑰后，可解除其寫保護狀態(tài)。

5.?Flash存儲器狀態(tài)寄存器(FLASH_IAPSR)

FLASH_IAPSR寄存器記錄了Flash存儲器的當前狀態(tài)。其表示及各位的含義如下：寄存器名：FLASH_IAPSR偏移地址：0X05H;復(fù)位初值：0X40H

HVOFF：編程高壓結(jié)束標志。該位只讀，硬件自動置1與清0。若其為1，表示編程高壓已經(jīng)關(guān)閉；若其為0，表示編程正在進行中。

DUL：“DataEEPROMareaunlockedflag”的簡稱。該位具有“硬件置1，軟件清0”的特征。若其為0，表示DataEEPROM存儲區(qū)處于寫保護狀態(tài)；用戶通過MASS方式解除該存儲區(qū)寫保護狀態(tài)后，該位被硬件置1，表明DataEEPROM存儲區(qū)處于非保護狀態(tài)。

PUL：“FlashProgrammemoryunlockedflag”的簡稱。該位具有“硬件置1，軟件清0”的特征。若其為0，表示FlashROM主存儲區(qū)處于寫保護狀態(tài)；用戶通過MASS方式解除該存儲區(qū)的寫保護狀態(tài)后，該位被硬件置1，表明FlashROM主存儲區(qū)處于非保護狀態(tài)。

EOP：編程結(jié)束標志，“Endofprogramming(writeoreraseoperation)flag”的簡稱。該位具有“硬件置1，軟件讀清0”的特征。當該位為1時，表示編程結(jié)束；為0時，表示沒有編程結(jié)束事件發(fā)生。

WR_PG_DIS：企圖向保護頁執(zhí)行寫操作錯誤標志，“Writeattemptedtoprotectedpageflag”的簡稱。該位具有“硬件置1，軟件讀清0”的特征。當該位為1時，表示向保護頁執(zhí)行了寫操作。3.3FlashROM存儲器IAP編程

FlsahROM內(nèi)的主程序區(qū)與EEPROM存儲區(qū)均支持單字節(jié)、字(4字節(jié))、塊(64字節(jié)或128字節(jié))擦除及編程。其中每一種編程方式又可分為標準編程方式和快速編程方式：當待寫入的目標存儲單元不是空白時，先擦除再寫入，編程時間包括了擦除時間與寫入時間，這就是所謂的“標準編程方式”；而當待寫入的目標存儲單元為空白時，無須擦除就可以直接寫入，編程時間縮短了一半，這就是所謂的“快速編程方式”。此外，STM8S105、STM8S207、STM8S208系列芯片的EEPROM還支持“讀同時寫”(RWW)操作功能，即允許在程序執(zhí)行過程中進行寫操作。注意：FalshROM主程序區(qū)沒有RWW功能。由于FlashROM一個基本存儲單元為字(4字節(jié))，因此字節(jié)編程時間與字編程時間相同。耗時最小的編程操作是預(yù)先擦除將要編程字節(jié)(字)所在塊，然后從最低地址開始，一次同時寫4字節(jié)。各種編程方式的特征如表3-4所示。表3-4編程特征3.3.1字節(jié)編程

STM8SFlashROM主程序區(qū)、DataFlashROM(EEPROM)存儲區(qū)，均支持單字節(jié)擦除與編程操作。

1．DataFlashROM存儲區(qū)字節(jié)編程

DataFlashROM存儲區(qū)單字節(jié)編程操作，可采用查詢方式確定編程操作是否結(jié)束，而對于支持RWW操作的STM8S105、STM8S207、STM8S208子系列芯片，也可以采用中斷方式確定編程操作是否結(jié)束。對于支持RWW功能的芯片，即使采用查詢寫入EEPROM方式，但在寫入過程中依然可以響應(yīng)中斷請求。DataFlashROM存儲區(qū)單字節(jié)編程步驟如下：

(1)初始化編程控制寄存器FLASH_CR1選擇編程結(jié)束檢測方式：是查詢方式，還是中斷方式。

(2)向EEPROM寫保護寄存器FLASH_DUKR連續(xù)寫入AEH、56H，解除EEPROM的寫保護狀態(tài)，使FlashROMIAP狀態(tài)寄存器FLASH_IAPSR的DUL位為1。

(3)向指定的EEPROM單元寫入新內(nèi)容即可。如果指定單元內(nèi)容空白，則立即啟動寫操作，寫操作時間較短；如果指定單元內(nèi)容不是空白，擦除后再寫入，只是時間較長(包含了擦除時間)。

(4)可用中斷或查詢方式確定寫入操作是否結(jié)束。

(5)必要時，對寫入信息進行校驗。

(6)清除FlashIAP編程寄存器FLASH_IAPSR的DUL位，避免誤寫入。值得注意的是，對EEPROM、OptionBytes、FlashROM進行IAP編程時，在調(diào)試中不能用單步執(zhí)行方式，否則操作無效。例3-1以查詢方式確定編程操作是否結(jié)束的DATAFlashROM字節(jié)編程操作子程序。

;入口參數(shù)：

; :位于EEPROM內(nèi)的目標地址在索引寄存器X中

; :寫入內(nèi)容在累加器A中

;出口參數(shù):操作成功,IAP_OK_Symbol單元不是0

;使用資源:索引寄存器X,累加器A單元.EEPROM_BYTE_WIRE.L ;入口地址標號定義為L類型，以便64?KB以外調(diào)用

BTJTFLASH_IAPSR,#3,eeprom_byte_write_next1;?0,即狀態(tài)寄存器FLASH_IAPSR的DUL(b3)位=0，EEPROM處于寫保護狀態(tài)，先解除寫保護狀態(tài)

MOVFLASH_DUKR,#0AEH ;向EEPROM寫保護寄存器FLASH_DUKR連續(xù)寫入;?AEH、56H，解除寫保護MOVFLASH_DUKR,#56Heeprom_byte_write_next1:MOVIAP_OK_Symbol,#4 ;定義重復(fù)操作的最大次數(shù)MOVFLASH_CR1,#00 ;?IE為0，即查詢方式；FIX為0，自動選擇編程周期eeprom_byte_write_LOOP1:LD(X),Aeeprom_byte_write_wait1:BTJFFLASH_IAPSR,#2,eeprom_byte_write_wait1 ;查詢等待編程操作結(jié)束;?校驗寫入信息CPA,(X)JREQeeprom_byte_write_exit ;校驗正確，則退出

;不正確，則重新寫入

DECIAP_OK_SymbolJRNEeeprom_byte_write_LOOP1 ;減1，不等于0，則繼續(xù)eeprom_byte_write_exit:BRESFLASH_IAPSR,#3 ;清除DUL位，恢復(fù)寫保護狀態(tài)RETFRETFRETFRETF

2．FlashROM主存儲區(qū)字節(jié)編程由于FlashROM主存儲區(qū)編程操作執(zhí)行時，CPU停止了應(yīng)用程序的執(zhí)行，因此對主存儲區(qū)進行編程操作時，可采用查詢方式判別編程操作是否結(jié)束。操作步驟與DataFlashROM字節(jié)編程類似，具體如下：

(1)初始化編程控制寄存器1(FLASH_CR1)選擇查詢方式確定編程操作是否結(jié)束。

(2)向FlashROM寫保護寄存器FLASH_PUKR連續(xù)寫入56H、AEH，解除FlashROM主存儲區(qū)的寫保護狀態(tài)(即使FlashROMIAP狀態(tài)寄存器FLASH_IAPSR的PUL位為1)。

(3)向FlashROM主存儲區(qū)目標單元寫入新內(nèi)容即可。如果指定單元內(nèi)容空白，則立即啟動寫操作，寫時間短；如果指定單元的內(nèi)容不是空白，自動擦除后再寫入，只是時間較長(包含了擦除時間)。

(4)查詢編程操作是否結(jié)束。

(5)檢查FLASH_IAPSR的b0(WR_PG_DIS)是否為0，否則表明出現(xiàn)向保護頁寫錯誤。

(6)必要時，對寫入信息進行校驗。

(7)清除FlashIAP編程寄存器FLASH_IAPSR的PUL位，避免誤寫入。例3-2FlashROM主存儲區(qū)字節(jié)編程操作子程序。

;?入口參數(shù)：

; :位于FlashROM主存儲區(qū)內(nèi)的目標地址在IAP_First_ADR中

; :寫入內(nèi)容在累加器A中

;?出口參數(shù)：操作成功,IAP_OK_Symbol單元不是0與80H(向保護頁進行寫操作標志)

;?使用資源:累加器A,IAP_OK_Symbol單元

;IAP_First_ADR ds.b 3 ;存放eeprom字首地址

;IAP_OK_Symbol ds.b 1 ;?IAP編程成功標志，成功時IAP_OK_Symbol不為0.FlashROM_Byte_Write.L ;入口地址定義為L類型，可以使用CALLF指令調(diào)用PUSHR00BTJTFLASH_IAPSR,#1,FlashROM_byte_write_next1;?0,即狀態(tài)寄存器FLASH_IAPSR的PUL(b1)位=0，F(xiàn)lashROM處于寫保護狀態(tài)，先解除寫;保護狀態(tài)MOVFLASH_PUKR,#56H ;向FlashROM解保護寄存器FLASH_DUKR連續(xù)寫入56H、AEH，解除寫保護MOVFLASH_PUKR,#0AEHFlashROM_byte_write_next1:MOVIAP_OK_Symbol,#4 ;定義可重復(fù)操作的最大次數(shù)MOVFLASH_CR1,#00 ;?IE為0，即查詢方式；FIX為0，自動選擇編程周期FlashROM_byte_write_LOOP1:LDR00,A ;暫時保存寫入內(nèi)容到R00中LDF[IAP_First_ADR.e],AFlashROM_byte_write_wait1:LDA,FLASH_IAPSRBCPA,#04H ;僅保留b2位JREQFlashROM_byte_write_wait1 ;?b2位為0，說明編程操作尚未結(jié)束，等待BCPA,#01H ;僅保留b0位JREQFlashROM_byte_write_next2 ;?b0為0，說明沒有向保護寫操作;?b0(WR_PG_DIS)為1，表示向保護頁寫入操作錯誤MOVIAP_OK_Symbol,#80H ;錯誤標志JRTFlashROM_byte_write_exitFlashROM_byte_write_next2:;校驗LDFA,[IAP_First_ADR.e]CPA,R00JREQFlashROM_byte_write_exit;校驗不正確LDA,R00 DECIAP_OK_SymbolJRNEFlashROM_byte_write_LOOP1FlashROM_byte_write_exit:POPR00BRESFLASH_IAPSR,#1 ;清除PUL位,恢復(fù)寫保護狀態(tài)RETFRETFRETF當需要向FlashROM主存儲區(qū)寫入一個字節(jié)信息時，可按如下步驟初始化后，執(zhí)行CALLF指令即可。

MOV{IAP_First_ADR+0},#XXH ;初始化FlashROM字節(jié)地址高16位 MOV{IAP_First_ADR+1},#XXH ;初始化FlashROM字節(jié)地址高8位

MOV{IAP_First_ADR+2},#XXH ;初始化FlashROM字節(jié)地址低8位

LDA,#xxH ;初始化寫入內(nèi)容

CALLFFlashROM_Byte_Write ;調(diào)用FlashROM字節(jié)編程子程序

3．選項字節(jié)編程選項字節(jié)編程操作類似于DataEEprom字節(jié)編程，唯一區(qū)別是它需要通過FLASH控制寄存器FLASH_CR2、FLASH_NCR2開放選項字節(jié)編程操作。例3-3以查詢方式確定編程操作是否結(jié)束的選項字節(jié)編程操作子程序。

;?入口參數(shù)：

; :選項字節(jié)地址在索引寄存器X中

; :寫入內(nèi)容在累加器A中

;?出口參數(shù):操作成功，IAP_OK_Symbol單元不是0

;?使用資源:索引寄存器X，累加器A.OPTION_BYTE_WIRE.L BTJTFLASH_IAPSR,#3,option_byte_write_next1 ;?0,即狀態(tài)寄存器FLASH_IAPSR的DUL(b3)位=0，EEPROM處于保護狀態(tài)，先解除寫保護狀態(tài)

MOVFLASH_DUKR,#0AEH ;向EEPROM寫保護寄存器FLASH_DUKR連續(xù)寫入;?AEH、56H，解除寫保護

MOVFLASH_DUKR,#56Hoption_byte_write_next1: MOVIAP_OK_Symbol,#4 ;定義重復(fù)操作的最大次數(shù)

MOVFLASH_CR1,#00 ;?IE為0，即查詢方式；FIX為0，自動選擇編程周期 MOVFLASH_CR2,#80H ;將FLASH_CR2寄存器的b7位(OPT)置1，選擇選項編程方式

MOVFLASH_NCR2,#7FH ;將FLASH_NCR2寄存器的b7位(NOPT)清0，選擇選項編程方式option_byte_write_LOOP1: LD(X),Aoption_byte_write_wait1: BTJFFLASH_IAPSR,#2,option_byte_write_wait1 ;查詢等待編程操作結(jié)束

;校驗寫入信息 CPA,(X) JREQoption_byte_write_exit ;校驗正確，則退出

;不正確，則繼續(xù)

DECIAP_OK_Symbol JRNEoption_byte_write_LOOP1 ;減1，不等于0，則繼續(xù)option_byte_write_exit:BRESFLASH_IAPSR,#3 ;清除DUL位，恢復(fù)寫保護狀態(tài) BRESFLASH_CR2,#7 ;將FLASH_CR2寄存器的b7位(OPT)清0，禁止選項編程方式

BSETFLASH_NCR2,#7 ;將FLASH_NCR2寄存器的b7位(NOPT)置1，禁止選項編程方式

RETF RETF RETF RETF可以通過以下指令對指定選項字節(jié)進行編程：LDA,#XXH ;寫入內(nèi)容LDWX,#XXXXH ;指定選項字節(jié)對應(yīng)地址CALLFOPTION_BYTE_WIRE ;調(diào)用選項字節(jié)編程子程序，完成對應(yīng)項字節(jié)編程3.3.2字編程

字編程操作與字節(jié)編程操作規(guī)則相同，通過FLASH控制寄存器FLASH_CR2、FLASH_NCR2選擇字編程后，可一次連續(xù)寫入4個字節(jié)，其目標地址必須始于字的首地址，即末位地址必須為00B或十六制的0H、4H、8H、CH，裝入時必須從字的首地址開始。

1．查詢方式例3-4EEPROM存儲區(qū)字編程操作子程序。;?入口參數(shù):; eeprom字首地址在索引寄存器X中(操作結(jié)束后首地址不變); 寫入內(nèi)容在寫入緩沖區(qū)IAP_write_data_buffer;?出口參數(shù)：操作成功，IAP_OK_Symbol單元不是0;?使用資源:索引寄存器X,累加器A,IAP_OK_Symbol單元;IAP_OK_Symbol ds.b 1 ;?IAP編程成功標志(成功時IAP_OK_Symbol不為0);IAP_write_data_bufferDS.B128 ;緩沖區(qū)大小為128字節(jié).eeprom_WORD_WIRE.L ;寫入內(nèi)容在寫入緩沖區(qū)IAP_write_data_buffer中eeprom字 ;首地址在索引寄存器X中

BTJTFLASH_IAPSR,#3,eeprom_word_write_next1 ;?0,即狀態(tài)寄存器FLASH_IAPSR的DUL(b3)位=0，EEPROM處于保護狀態(tài)，先解除保護狀態(tài)

MOVFLASH_DUKR,#0AEH ;向EEPROM寫保護寄存器FLASH_DUKR連續(xù)寫入

;?AEH、56H，解除寫保護

MOVFLASH_DUKR,#56Heeprom_word_write_next1: MOVIAP_OK_Symbol,#4 ;定義重復(fù)操作的最大次數(shù)

MOVFLASH_CR1,#00 ;?IE為0，即查詢方式；FIX為0，自動選擇編程周期eeprom_word_write_LOOP1: MOVFLASH_CR2,#40H ;將FLASH_CR2寄存器的b6位(WPRG)置1，選擇字編程方式

MOVFLASH_NCR2,#0BFH?;將FLASH_NCR2寄存器的b6位(NWPRG)清0，選擇字編程方式;?裝載 LDA,{IAP_write_data_buffer+0} ;取第0字節(jié)

LD(0,x),A LDA,{IAP_write_data_buffer+1} ;取第1字節(jié)

LD(1,x),A LDA,{IAP_write_data_buffer+2} ;取第2字節(jié)

LD(2,x),A LDA,{IAP_write_data_buffer+3} ;取第3字節(jié) LD(3,x),A;?裝載結(jié)束，內(nèi)部自動啟動寫操作eeprom_word_write_next2: BTJFFLASH_IAPSR,#2,eeprom_word_write_next2 ;查詢等待;?校驗 LD A,(0,X) ;取0號單元

XORA,{IAP_write_data_buffer+0} JRNEeeprom_word_write_next3 LD A,(1,X) ;取1號單元

XORA,{IAP_write_data_buffer+1} JRNEeeprom_word_write_next3 LD A,(2,X) ;取2號單元

XORA,{IAP_write_data_buffer+2} JRNEeeprom_word_write_next3 LD A,(3,X) ;取3號單元

XORA,{IAP_write_data_buffer+3} JREQeeprom_word_write_exit ;最后一個字節(jié)校驗正確eeprom_word_write_next3: ;校驗錯誤，重新裝入

DECIAP_OK_Symbol JRNEeeprom_word_write_LOOP1eeprom_word_write_exit: BRESFLASH_IAPSR,#3 ;清除DUL位，恢復(fù)寫保護狀態(tài)

RETF RETF RETF當需要向EEPROM存儲區(qū)寫入字信息時，可按如下步驟初始化后執(zhí)行CALLF指令即可。;初始化寫入緩沖區(qū)

MOV{IAP_write_data_buffer+0},#XXH MOV{IAP_write_data_buffer+1},#XXH MOV{IAP_write_data_buffer+2},#XXH MOV{IAP_write_data_buffer+3},#XXH ;初始化eeprom字首地址

LDWX,#XXXXH ;?EEPROM字首地址送寄存器X(EEPROM地址空間在

;?64KB范圍內(nèi)，可采用16位地址形式) CALLFeeprom_WORD_WIRE ;調(diào)用eeprom字編程對FlashROM主存儲區(qū)字寫入操作，只需將DataFlash控制寄存器(位)更換為對應(yīng)的FlashROM控制寄存器(位)。不過FlashROM存儲區(qū)地址范圍可能超過64KB，需要使用24位地址表示，參考程序如例3-5所示。例3-5FlashROM存儲區(qū)字編程操作子程序。;入口參數(shù):; FlashROM字首地址在IAP_First_ADR中(操作結(jié)束后首地址不變); 寫入內(nèi)容在寫入緩沖區(qū)IAP_write_data_buffer;出口參數(shù)：操作成功,IAP_OK_Symbol單元不是0;使用資源:累加器A,IAP_OK_Symbol單元;IAP_First_ADR ds.b 3 ;存放FlashROM塊首地址;IAP_OK_Symbol ds.b 1 ;?IAP編程成功標志(成功時IAP_OK_Symbol不為0);IAP_write_data_bufferDS.B128 ;緩沖區(qū)大小為128字節(jié).FlashROM_WORD_WIRE.L ;寫入內(nèi)容在寫入緩沖區(qū)IAP_write_data_buffer中

;?FlashROM字首地址在IAP_First_ADR中

PUSHR00 ;下面編程操作指令中使用了R00存儲單元

BTJTFLASH_IAPSR,#1,FlashROM_word_write_next1 ;?0,即狀態(tài)寄存器FLASH_IAPSR的PUL(b1)位?=?0，F(xiàn)lashROM處于保護狀態(tài)，先解除保護狀態(tài)

MOVFLASH_PUKR,#56H ;向FlashROM解保護寄存器FLASH_PUKR連續(xù)寫入;?56H、AEH，解除寫保護

MOVFLASH_PUKR,#0AEHFlashROM_word_write_next1: MOVIAP_OK_Symbol,#4 ;定義重復(fù)操作的最大次數(shù)

MOVFLASH_CR1,#00 ;?IE為0，即查詢方式；FIX為0，自動選擇編程周期MOVFLASH_CR2,#40H ;將FLASH_CR2寄存器的b6位(WPRG)置1，選擇字編程方式MOVFLASH_NCR2,#0BFH ;將FLASH_NCR2寄存器b6位(NWPRG)清0，選擇字編程方式

MOVR00,{IAP_First_ADR+2} ;把首地址低8位保存在R00單元中FlashROM_word_write_LOOP1:;?裝載

LDA,{IAP_write_data_buffer+0} ;取第0字節(jié)

LDF[IAP_First_ADR.e],A LDA,{IAP_write_data_buffer+1} ;取第1字節(jié)

INC{IAP_First_ADR+2} LDF[IAP_First_ADR.e],A LDA,{IAP_write_data_buffer+2} ;取第2字節(jié)

INC{IAP_First_ADR+2} LDF[IAP_First_ADR.e],A LDA,{IAP_write_data_buffer+3} ;取第3字節(jié)

INC{IAP_First_ADR+2} LDF[IAP_First_ADR.e],A;?裝載結(jié)束，內(nèi)部自動啟動寫操作FlashROM_word_write_next2: BTJFFLASH_IAPSR,#2,FlashROM_word_write_next2 ;查詢等待

MOV{IAP_First_ADR+2},R00 ;取首地址低8位;?校驗 LDFA,[IAP_First_ADR.e] ;取0號單元

XORA,{IAP_write_data_buffer+0} JRNEFlashROM_word_write_next3 INC{IAP_First_ADR+2} ;下移一個Flash存儲單元，指向1號單元

LDFA,[IAP_First_ADR.e] XORA,{IAP_write_data_buffer+1} JRNEFlashROM_word_write_next3 INC{IAP_First_ADR+2} ;下移一個Flash存儲單元，指向2號單元

LDFA,[IAP_First_ADR.e] XORA,{IAP_write_data_buffer+2} JRNEFlashROM_word_write_next3 INC{IAP_First_ADR+2} ;下移一個Flash存儲單元，指向3號單元

LDFA,[IAP_First_ADR.e] XORA,{IAP_write_data_buffer+3} JRNEFlashROM_word_write_next3 ;?校驗正確

MOV{IAP_First_ADR+2},R00 ;取首地址低8位

JRTFlashROM_word_write_exitFlashROM_word_write_next3: MOV{IAP_First_ADR+2},R00 ;取首地址低8位 DECIAP_OK_Symbol JRNEFlashROM_word_write_LOOP1FlashROM_word_write_exit: BRESFLASH_IAPSR,#1 ;清除PUL位，恢復(fù)寫保護狀態(tài)

POPR00 RETF RETF RETF當需要向FlashROM主存儲區(qū)寫入一個字信息時，按下述步驟初始化后，執(zhí)行CALLF指令即可。

MOV{IAP_write_data_buffer+0},#XXH ;初始化緩沖區(qū)

MOV{IAP_write_data_buffer+1},#XXH MOV{IAP_write_data_buffer+2},#XXH MOV{IAP_write_data_buffer+3},#XXH;?初始化FlashROM字首地址

MOV{IAP_First_ADR+0},#XXH ;字首地址高16位

MOV{IAP_First_ADR+1},#XXH ;字首地址高8位

MOV{IAP_First_ADR+2},#XXH ;字首地址低8位

CALLFFlashROM_WORD_WIRE ;調(diào)用FlashROM字編程

2.中斷方式以上例子通過查詢方式確認編程操作是否結(jié)束，由于EEPROM寫入速度慢，因此也可以采用中斷方式確定編程操作是否結(jié)束。不過在每次EEPROM寫入前，必須檢查HVOFF標志位，避免上一次編程高壓操作未結(jié)束時，又啟動新的編程進程，造成數(shù)據(jù)丟失，參考程序如例3-6所示。例3-6EEPROM存儲區(qū)字編程操作子程序(中斷方式)。

IAP_First_ADR ds.b 3 ;存放EEPROM字首地址

IAP_OK_Symbol ds.b 1 ;?IAP編程成功標志(成功時IAP_OK_Symbol不為0)IAP_write_data_bufferds.b4 ;緩沖區(qū)大小為4字節(jié);?EEPROM字編程操作通過中斷確認方式編程操作是否結(jié)束子程序;?入口參數(shù):; EEPROM字首地址在IAP_First_ADR字存儲單元中; 寫入內(nèi)容在寫入緩沖區(qū)IAP_write_data_buffer;?出口參數(shù)：操作成功,IAP_OK_Symbol單元不是0;?使用資源:累加器A.EEPROM_Int_WORD_WIRE.Leeprom_Int_word_write_next1:

BTJFFLASH_IAPSR,#6,eeprom_Int_word_write_next1 ;檢查HVOFF標志是否為1(高壓操作結(jié)

;束)編程高壓操作結(jié)束，可以啟動新的編程進程

MOVIAP_OK_Symbol,#4 ;定義可重復(fù)操作的最大次數(shù)

BTJTFLASH_IAPSR,#3,eeprom_Int_word_write_next2 ;?0,即狀態(tài)寄存器FLASH_IAPSR的DUL(b3)位=0，EEPROM處于保護狀態(tài)，先解除保護狀態(tài)

MOVFLASH_DUKR,#0AEH ;向EEPROM寫保護寄存器FLASH_DUKR連續(xù)寫入;?AEH、56H，解除寫保護 MOVFLASH_DUKR,#56Heeprom_Int_word_write_next2: MOVFLASH_CR1,#02H ;?IE為1，即中斷方式；FIX為0，自動選擇編程周期

MOVFLASH_CR2,#40H ;將FLASH_CR2寄存器的b6位(WPRG)置1，選擇字編程方式

MOVFLASH_NCR2,#0BFH;將FLASH_NCR2寄存器的b6位(NWPRG)清0，選擇字編程方式;?裝載

PUSHWX LDWX,IAP_First_ADR} ;寫入EEPROM首地址存放在IAP_First_ADR字單元中

LDA,{IAP_write_data_buffer+0};取第0字節(jié)

LD(0,x),A LDA,{IAP_write_data_buffer+1};取第1字節(jié)

LD(1,x),A LDA,{IAP_write_data_buffer+2};取第2字節(jié)

LD(2,x),A LDA,{IAP_write_data_buffer+3};取第3字節(jié)

LD(3,x),A ;送最后一個字節(jié)，啟動寫入操作過程

POPWX RETF RETF RETF RETF相應(yīng)的EEPROM中斷服務(wù)參考程序如下：

InterruptEEPROM_Int_ProcEEPROM_Int_Proc.LBTJFFLASH_IAPSR,#2,EEPROM_Int_Proc_exit ;不是編程結(jié)束標志EOP引起，退出

;編程結(jié)束EOP標志為1引起(在讀標志位同時，清除了EOP標志);?校驗 LDWX,IAP_First_ADR ;寫入EEPROM字首地址存放在IAP_First_ADR字單元中

LDA,(0,X) XORA,{IAP_write_data_buffer+0} JRNEEEPROM_Int_Proc_next1 LDA,(1,X) XORA,{IAP_write_data_buffer+1} JRNEEEPROM_Int_Proc_next1 LDA,(2,X) XORA,{IAP_write_data_buffer+2} JRNEEEPROM_Int_Proc_next1 LDA,(3,X) XORA,{IAP_write_data_buffer+3} JREQEEPROM_Int_Proc_exit ;?校驗正確跳轉(zhuǎn)EEPROM_Int_Proc_next1.L DECIAP_OK_Symbol ;寫入次數(shù)減1 JREQEEPROM_Int_Proc_exit ;重新裝入，再次啟動寫操作

LDWX,IAP_First_ADR ;寫入EEPROM首地址存放在IAP_First_ADR字單元中

LDA,{IAP_write_data_buffer+0} ;取第0字節(jié)

LD(0,X),A LDA,{IAP_write_data_buffer+1} ;取第1字節(jié)

LD(1,X),A LDA,{IAP_write_data_buffer+2} ;取第2字節(jié)

LD(2,X),A LDA,{IAP_write_data_buffer+3} ;取第3字節(jié)

LD(3,X),A ;送最后一個字節(jié)，啟動寫入操作過程

IRET IRETEEPROM_Int_Proc_exit.L

BRESFLASH_IAPSR,#3 ;清除DUL位，恢復(fù)寫保護狀態(tài)

IRET IRET3.3.3塊編程

DataEEPROM和FlashROM均支持塊編程，效率比字節(jié)、字編程要快得多，畢竟一次可同時寫入一塊(64字節(jié)或128字節(jié))。所不同的是塊編程要求執(zhí)行編程操作的程序代碼必須部分，甚至全部均位于RAM中，給程序編寫帶來了一定的難度。

STM8支持三種塊編程方式：標準塊編程、快速塊編程以及塊擦除，彼此之間差別不大。下面以FlashROM標準塊編程為例，介紹塊編程思路與具體實現(xiàn)方法。對于中高密度芯片來說，塊大小為128?B，需要在RAM空間堆棧段前使用256字節(jié)作為寫入緩沖區(qū)與寫入代碼取存放區(qū)，程序段如下：

IAP_First_ADR ds.b 3 ;存放FlashROM塊首地址

IAP_OK_Symbol ds.b 1 ;?IAP編程成功標志(成功時IAP_OK_Symbol不為0) segmentbyteatD00-DFF‘ram2’ ;將D00H～DFFH定義為ram2段

IAP_write_data_bufferDS.B128 ;緩沖區(qū)大小為128字節(jié)

FlashROM_Block_WIRE_CODE.LDS.B128 ;?

FlashROM塊編程代碼區(qū)(必須控制在128?B ;內(nèi))起始位置接著，在程序初始化部分將位于FlashROM中的塊編程代碼拷貝到ram2段中FlashROM塊寫入操作碼起始位置，參考程序如下：

;編程代碼轉(zhuǎn)移指令系列

LDWX,#FlashROM_Block_WIRE LDWY,#FlashROM_Block_WIRE_CODEmain_FlashROM_Block_W_COPY1:

LDA,(X) LD(Y),A CPWX,#FlashROM_Block_WIRE_END JREQmain_FlashROM_Block_W_COPY2 INCWY INCWX JRTmain_FlashROM_Block_W_COPY1main_FlashROM_Block_W_COPY2:位于FlashROM標準塊編程指令系列(不能含有絕對跳轉(zhuǎn)指令，如JP、JPF等)如下：;?FlashROM塊編程操作子程序;?入口參數(shù):; FlashROM塊首地址在IAP_First_ADR中; 寫入內(nèi)容在寫入緩沖區(qū)IAP_w