2025年粵人版選擇性必修2化學(xué)上冊階段測試試卷含答案

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁，總=sectionpages22頁第=page11頁，總=sectionpages11頁2025年粵人版選擇性必修2化學(xué)上冊階段測試試卷含答案考試試卷考試范圍：全部知識(shí)點(diǎn)；考試時(shí)間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級(jí)：______考號(hào)：______總分欄題號(hào)一二三四五六總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共5題，共10分)1、元素X、Y、Z在周期表中的相對(duì)位置如圖。已知Y元素原子的外圍電子排布為nsn-1npn+1；則下列說法不正確的是。

A.Y元素原子的外圍電子排布為4s24p4B.Y元素在周期表的第三周期ⅥA族C.X元素所在周期中所含非金屬元素最多D.Z元素原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p32、TFMT因具有成本低廉及反應(yīng)性質(zhì)多樣等優(yōu)點(diǎn)被用作有機(jī)合成的縮合試劑；其結(jié)構(gòu)如圖所示，其中W；X、Y、Z為原子半徑依次增大的短周期非金屬元素，W位于元素周期表的p區(qū)。下列說法正確的是。

A.氫化物沸點(diǎn)：YB.熱穩(wěn)定性：YX22C.XW2中元素X的化合價(jià)為+2價(jià)D.基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)：Y3、含氮物質(zhì)種類繁多，例如N2、NH3、N2H4、HN3(酸性與醋酸相當(dāng))等。下列有關(guān)物質(zhì)的說法中正確的是A.N2H4中兩個(gè)氮原子之間有一對(duì)共用電子對(duì)，故其6個(gè)原子可能共平面B.N2性質(zhì)不活潑，可作為焊接鎂條的保護(hù)氣C.N2H4具有還原性，可用于將AgNO3還原為單質(zhì)AgD.可向NaN3溶液中通CO2來制備HN34、下列關(guān)于銅腐蝕的說法及方程式書寫正確的是A.銅在潮濕空氣中被腐蝕：B.銅在環(huán)境中被腐蝕：C.濃度越大，腐蝕反應(yīng)速率越大D.利用對(duì)銅的腐蝕制作印刷線路板：5、化學(xué)是一門自然科學(xué)；其特征是從微觀層次認(rèn)識(shí)物質(zhì)，在不同層面創(chuàng)造物質(zhì)?？茖W(xué)家制造出一種石墨炔(局部結(jié)構(gòu)如圖)，這種石墨炔屬于平面網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的全碳分子，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。下列有關(guān)石墨炔的敘述正確的是。

A.石墨炔與金剛石結(jié)構(gòu)相似B.石墨炔屬于高分子化合物C.石墨炔與石墨互為同素異形體D.石墨炔性質(zhì)穩(wěn)定，與濃硫酸不反應(yīng)評(píng)卷人得分二、多選題(共8題，共16分)6、C；Si和P元素的前四級(jí)電離能變化趨勢如圖所示。下列說法不正確的是。

A.c為Si元素B.最簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性：c>a>bC.元素的電負(fù)性：a>c>bD.第五電離能：a>c>b7、W、X、Y、Z為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，可形成如圖所示的化合物，其中W和Y同主族，W、X、Y三者的原子序數(shù)之和為20，Z核外最外層電子數(shù)是Y+核外電子數(shù)的一半。下列說法正確的是。

A.X、Y兩種元素的簡單離子半徑大小順序?yàn)閄>YB.X、Y形成的化合物中每種原子的最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)C.W分別與X、Y形成的二元化合物均為共價(jià)化合物D.Y和Z二者最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物按一定比例反應(yīng)可生成該化合物8、下列分子或離子中，VSEPR模型為四面體形，但分子或離子的空間結(jié)構(gòu)為V形的是A.B.C.D.9、LiAlH4是有機(jī)合成中常用的還原劑，LiAlH4中，存在。A.離子鍵B.σ鍵C.π鍵D.氫鍵10、將金屬鈉投入足量水中，關(guān)于此過程說法錯(cuò)誤的是A.破壞了金屬鍵B.破壞了極性共價(jià)鍵C.生成了離子鍵D.生成了非極性共價(jià)鍵11、KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料；具有鈣鈦礦型的立體結(jié)構(gòu)，晶胞中K；I、O分別處于頂角、體心、面心位置，如圖所示，下列有關(guān)說法正確的是（）

A.第一電離能大小順序?yàn)椋篕＞OB.IO3-的空間構(gòu)型為三角錐形C.與K緊鄰的O個(gè)數(shù)為6個(gè)D.在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中，若I處于各頂角位置，則K處于體心位置，O處于棱心位置12、已知金屬鈉與兩種鹵族元素形成的化合物Q、P的晶格能分別為923kJ/mol、786kJ/mol，下列有關(guān)說法不正確的是A.Q的熔點(diǎn)比P的高B.若P是NaCl，則Q一定是NaFC.Q的離子間距比P的大D.若P是NaCl，則Q可能是NaBr13、現(xiàn)有三種元素的基態(tài)原子的電子排布式如下：①②③則下列有關(guān)比較中正確的是A.未成對(duì)電子數(shù)：②>①>③B.原子半徑：③>②>①C.電負(fù)性：③>②>①D.第一電離能：③>②>①評(píng)卷人得分三、填空題(共5題，共10分)14、六方氮化硼的結(jié)構(gòu)與石墨類似，B-N共價(jià)單鍵的鍵長理論值為158pm，而六方氮化硼層內(nèi)B、N原子間距的實(shí)測值為145pm，造成這一差值的原因是___________。高溫高壓下，六方氮化硼可轉(zhuǎn)化為立方氮化硼，立方氮化硼的結(jié)構(gòu)與金剛石類似，已知晶胞參數(shù)中邊長為a=362pm，則立方氮化硼的密度是___________g/cm3

15、2006年3月有人預(yù)言，未知超重元素第126號(hào)元素有可能與氟形成穩(wěn)定的化合物。按元素周期系的已知規(guī)律，該元素應(yīng)位于第___________周期，它未填滿電子的能級(jí)應(yīng)是___________，在該能級(jí)上有___________個(gè)電子，而這個(gè)能級(jí)總共可填充___________個(gè)電子。16、下圖是100mgCaC2O4·H2O受熱分解時(shí)；所得固體產(chǎn)物的質(zhì)量隨溫度變化的曲線。試?yán)脠D中信息結(jié)合所學(xué)的知識(shí)，回答下列各問題：

(1)溫度分別為t1和t2時(shí)，固體產(chǎn)物的化學(xué)式A是_______，B是_______。

(2)由CaC2O4·H2O得到A的化學(xué)方程式為_______。

(3)由A得到B的化學(xué)方程式為_______。17、“NiO”晶胞如圖：

(1)氧化鎳晶胞中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0，0，0)，B為(1，1，0)，則C原子坐標(biāo)參數(shù)為___________。

(2)已知氧化鎳晶胞密度為dg·cm-3，NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值，則Ni2＋半徑為___________nm(用代數(shù)式表示)。18、鋅的化合物{ZSM、等}及其合金的用途非常廣泛。

(1)基態(tài)核外電子排布式為_______。

(2)ZSM是2-甲基咪唑和水楊酸與鋅形成的化合物，2-甲基咪唑可通過下列反應(yīng)制備：

①C、N、H的電負(fù)性由大到小的順序是_______。

②的價(jià)電子總數(shù)為_______。

③2-甲基咪唑中碳原子雜化軌道類型為_______；1mol2-甲基咪唑分子中含鍵數(shù)目為_______；易溶于水的主要原因是_______。評(píng)卷人得分四、判斷題(共2題，共14分)19、判斷正誤。

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)____________

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵，則該分子一定為正四面體結(jié)構(gòu)____________

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp2雜化___________

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化___________

(5)中心原子是sp1雜化的，其分子構(gòu)型不一定為直線形___________

(6)價(jià)層電子對(duì)互斥理論中，π鍵電子對(duì)數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)___________

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因?yàn)镻原子是以sp2雜化的結(jié)果___________

(8)sp3雜化軌道是由任意的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道___________

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子，其VSEPR模型都是四面體___________

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型必為平面三角形___________

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時(shí)，該分子不一定為正四面體結(jié)構(gòu)___________

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)___________

(13)NH3和CH4兩個(gè)分子中中心原子N和C都是通過sp3雜化軌道成鍵___________

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構(gòu)型結(jié)果常常相互矛盾___________

(15)配位鍵也是一種靜電作用___________

(16)形成配位鍵的電子對(duì)由成鍵雙方原子提供___________A.正確B.錯(cuò)誤20、用銅作電纜、電線，主要是利用銅的導(dǎo)電性。(______)A.正確B.錯(cuò)誤評(píng)卷人得分五、原理綜合題(共3題，共27分)21、C、N和Si能形成多種高硬度材料，如SiC

（1）和中硬度較高的是______，理由是______。

（2）和N能形成一種類石墨結(jié)構(gòu)材料，其合成過程如圖1所示。該類石墨結(jié)構(gòu)材料化合物的化學(xué)式為______，其合成過程中有三聚氰胺形成，三聚氰胺中N原子的雜化方式有______。

（3）和N能形成一種五元環(huán)狀有機(jī)物咪唑簡寫為其結(jié)構(gòu)為化合物的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2：

①陽離子和之間除了陰陽離子間的靜電作用力，還存在氫鍵作用寫出該氫鍵的表示式：______。例如水中氫鍵的表示式為

②多原子分子中各原子若在同一平面，且有相互平行的p軌道，則p電子可在多個(gè)原子間運(yùn)動(dòng)，形成“離域鍵”，如分子中存在“離域鍵”則im分子中存在的“離域鍵”是______。

（4）為立方晶系晶體；該晶胞中原子的坐標(biāo)參數(shù)為。

C：0，

Si：

則立方晶胞中含有______個(gè)Si原子、______個(gè)C原子。22、氮化硅(Si3N4)是一種重要的無機(jī)材料陶瓷；它是一種超硬物質(zhì)，具有良好的耐腐蝕；耐熱沖擊和耐磨損性能，主要被應(yīng)用于鋼鐵冶煉、耐火材料等方面。

完成下列填空：

(1)一個(gè)硅原子核外能量最高的電子數(shù)目是_______，其所占據(jù)的電子亞層符號(hào)為_________；與硅同周期的主族元素中，原子半徑最小的是_______，依據(jù)是___________________。

(2)Si3N4屬于共價(jià)化合物，其含有的化學(xué)鍵是________，屬于_______晶體。

工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅，其反應(yīng)如下：3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)Si3N4(s)+12HCl(g)+Q(Q>0)

(3)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K=_____________________。

(4)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng)，若反應(yīng)容器的容積為2L，3min后達(dá)到平衡，測得固體的質(zhì)量增加了2.80g，則SiCl4的平均反應(yīng)速率為________________mol·L-1·min-1。

(5)上述反應(yīng)達(dá)到平衡后，改變某一條件，下列說法正確的是________。

a.增加Si3N4的量，平衡向左移動(dòng)b.減小HCl的量；平衡向左移動(dòng)。

c.增大壓強(qiáng)，平衡常數(shù)K減小d.降低溫度；平衡常數(shù)K增大。

(6)若平衡時(shí)H2和HCl的物質(zhì)的量之比為保持其他條件不變，升高溫度后達(dá)到新的平衡時(shí)，H2和HCl的物質(zhì)的量之比_______(填“>”、“<”或“=”)23、C；N、O、Al、Si、Cu是常見的六種元素。

（1）Si位于元素周期表第____周期第_____族。

（2）N的基態(tài)原子核外電子排布式為_____；Cu的基態(tài)原子最外層有___個(gè)電子。

（3）用“>”或“<”填空：

。原子半徑。

電負(fù)性。

熔點(diǎn)。

沸點(diǎn)。

Al_____Si

N____O

金剛石_____晶體硅。

CH4____SiH4

（4）常溫下，將除去表面氧化膜的Al、Cu片插入濃HNO3中組成原電池（圖1）；測得原電池的電流強(qiáng)度（I）隨時(shí)間（t）的變化如圖2所示，反應(yīng)過程中有紅棕色氣體產(chǎn)生。

0-t1時(shí)，原電池的負(fù)極是Al片，此時(shí)，正極的電極反應(yīng)式是_____,溶液中的H+向___極移動(dòng)，t1時(shí)，原電池中電子流動(dòng)方向發(fā)生改變，其原因是______。評(píng)卷人得分六、工業(yè)流程題(共3題，共18分)24、銦(In)與Al同主族，是一種稀散金屬，廣泛應(yīng)用于電子半導(dǎo)體、光纖通信等領(lǐng)域。以煉鋅得到的硬鋅粗渣(含有Zn、ZnO、ZnS、In、InSb等)為原料提取單質(zhì)銦并制備ZnSO4·7H2O的工藝流程如圖所示。

已知：①當(dāng)c(H2SO4)＜0.16mol·L-1時(shí)，銦的浸出率幾乎為0。②常溫下，Ksp[In(OH)3]=1.3×10-37。請回答下列問題：

(1)硬鋅粗渣浸出前需進(jìn)行球磨成粉，其原因是________。

(2)操作Ⅱ的名稱為_________(填字母)。

A.過濾B.蒸餾C.干餾D.萃取分液。

(3)“氧化浸出”過程中，濃硝酸可將InSb(Sb為-3價(jià))轉(zhuǎn)化為In2O3和Sb2O3，同時(shí)釋放出紅棕色氣體，則該反應(yīng)化學(xué)方程式為_______。

(4)H2O2、NaClO3和HNO3均可作“氧化浸出”時(shí)的氧化劑，三種物質(zhì)中只含有極性共價(jià)鍵的物質(zhì)是____________；“氧化浸出”過程中，若分別使用H2O2、NaClO3作氧化劑，轉(zhuǎn)移電子的數(shù)目相同時(shí)，則消耗二者的物質(zhì)的量之比為___________。

(5)常溫下，在0.1mol·L-1的In2(SO4)3溶液中存在平衡：In3+(aq)+3H2O(1)?In(OH)3(s)+3H+(aq)，則該反應(yīng)的化學(xué)平衡常數(shù)K=_______。(計(jì)算結(jié)果保留兩位有效數(shù)字)25、鎳鈷錳酸鋰材料是近年來開發(fā)的一類新型鋰離子電池正極材料；具有容量高；循環(huán)穩(wěn)定性好、成本適中等優(yōu)點(diǎn)，這類材料可以同時(shí)有效克服鈷酸鋰材料成本過高、磷酸鐵鋰容量低等問題，工業(yè)上可由廢舊的鈷酸鋰、磷酸鐵鋰、鎳酸鋰、錳酸鋰電池正極材料(還含有鋁箔、炭黑、有機(jī)黏合劑等)，經(jīng)過一系列工藝流程制備鎳鈷錳酸鋰材料，該材料可用于三元鋰電池的制備，實(shí)現(xiàn)電池的回收再利用，工藝流程如下圖所示：

已知：①粉碎灼燒后主要成分是MnO、Fe2O3、

②萃取劑對(duì)選擇性很高，且生成的物質(zhì)很穩(wěn)定，有機(jī)相中的很難被反萃取。

請回答下列問題：

(1)正極材料在“灼燒”前先粉碎的目的是___________。

(2)“堿浸”的目的是___________，涉及的化學(xué)方程式是___________。

(3)“酸浸”時(shí)加入的作用是___________。

(4)上述工藝流程中采用萃取法凈化除去了若采用沉淀法除去鐵元素，結(jié)合下表，最佳的pH范圍是___________。開始沉淀時(shí)pH1.53.46.36.66.77.8完全沉淀時(shí)pH3.54.78.39.29.510.4

(5)鎳鈷錳酸鋰材料中根據(jù)鎳鈷錳的比例不同；可有不同的結(jié)構(gòu)，其中一種底面為正六邊形結(jié)構(gòu)的晶胞如圖所示。

①該物質(zhì)的化學(xué)式為___________，寫出基態(tài)Mn原子價(jià)層電子的軌道表示式___________。

②已知晶胞底面邊長是anm，高是bnm，一個(gè)晶胞的質(zhì)量為Mg，計(jì)算該晶胞的密度___________(用計(jì)算式表示)。26、可作化學(xué)工業(yè)中的催化劑，廣泛用于冶金、化工等行業(yè)。是一種橙黃色片狀晶體，微溶于水，具有強(qiáng)氧化性，屬于兩性氧化物。某研究小組將從釩鉛鋅礦(主要含有)中提取及回收鉛；鋅等金屬。工藝流程如下圖所示：

已知：是白色粉末；可溶于熱水，微溶于冷水，不溶于乙醇；乙醚。

請回答：

(1)金屬晶體V、Ca的熔點(diǎn)高低順序是_______，理由是_______。

(2)釩鉛鋅礦高溫熔煉時(shí)，生成金屬鉛的反應(yīng)屬于基本反應(yīng)類型中的_______反應(yīng)；與純堿反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______。

(3)焦炭用量對(duì)還原熔煉效果的影響如下左圖所示。分析圖像可知，焦炭用量應(yīng)取礦石質(zhì)量的約_______%較為合適。

(4)釩浸出過程中，液固比(液體質(zhì)量：固體質(zhì)量)對(duì)釩浸出率的影響如上右圖所示。分析圖像可知，浸出過程的液固比最合適的比例約為2：1，理由是_______。

(5)在洗滌①操作時(shí)，為減少產(chǎn)物的溶解損失，可選用冷水。證明沉淀洗滌干凈的操作是___。

(6)在灼燒②操作時(shí)，需在流動(dòng)空氣中灼燒的可能原因_______。參考答案一、選擇題(共5題，共10分)1、A【分析】【分析】

Y元素原子的外圍電子排布為nsn-1npn+1；其中n－1＝2，所以n＝3，則Y是S，根據(jù)元素X；Y、Z在周期表中的相對(duì)位置可判斷X是F，Z是As，據(jù)此解答。

【詳解】

A.Y元素是S，原子的外圍電子排布為3s23p4；A錯(cuò)誤；

B.Y元素是S；在周期表中的位置是第三周期ⅥA族，B正確；

C.X元素是F；所在周期中元素均是非金屬元素，即所含非金屬元素最多，C正確；

D.Z元素是As，原子序數(shù)是33，原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3，D正確；答案選A。2、C【分析】【分析】

根據(jù)物質(zhì)結(jié)構(gòu)以及成鍵方式；Z成了6個(gè)共價(jià)鍵，X成了2個(gè)共價(jià)鍵，可以推出X；Z分別為氧元素和硫元素；Y成了4個(gè)共價(jià)鍵，且半徑小于Z，因此Y為C元素；W成了1個(gè)共價(jià)鍵，且位于元素周期表的p區(qū)，半徑小于X，因此W為氟元素；

【詳解】

A．碳元素形成的氫化物有多種烴類物質(zhì)；沸點(diǎn)不一定小于氧形成的氫化物，選項(xiàng)A錯(cuò)誤；

B．S的原子半徑比O大，故C=S鍵長比C=O鍵長長，鍵能小，故CS2的熱穩(wěn)定性比CO2的低；選項(xiàng)B錯(cuò)誤；

C．OF2中F為-1價(jià)；O為＋2價(jià)，選項(xiàng)C正確；

D．C；O、S三種基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)均為2；基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)：Y=X=Z，選項(xiàng)D錯(cuò)誤；

答案選C。

【命題意圖】

考查元素推斷、元素周期律等知識(shí)，意在考查學(xué)生的分析與推測的關(guān)鍵能力。3、C【分析】【詳解】

A．N2H4中氮原子是sp3雜化；呈三角錐形，六個(gè)原子不可能共平面，A錯(cuò)誤；

B．N2和鎂條在點(diǎn)燃時(shí)會(huì)發(fā)生反應(yīng)不能做保護(hù)氣，B錯(cuò)誤；

C．N2H4具有還原性，可以和AgNO3反應(yīng)生成單質(zhì)Ag，C正確；

D．已知HN3酸性與醋酸相當(dāng)；其酸性大于碳酸，無法制取，D錯(cuò)誤；

故選C。4、A【分析】【詳解】

A．銅在潮濕空氣中被腐蝕生成堿式碳酸銅，化學(xué)方程式為A正確；

B．Cu在NH3環(huán)境中被腐蝕，銅充足的情況下發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為4Cu+8NH3+O2+2H2O=4[Cu(NH3)2]++4OH-，銅不足的情況下離子方程式為2Cu+8NH3+O2+2H2O=2[Cu(NH3)4]2++4OH-；B錯(cuò)誤；

C．HNO3濃度較大形成濃硝酸時(shí)，Cu與濃硝酸反應(yīng)的離子方程式為Cu+4H++2=Cu2++2NO2↑+2H2O；C錯(cuò)誤；

D．FeCl3與Cu反應(yīng)的離子方程式為2Fe3++Cu=2Fe2++Cu2+；D錯(cuò)誤；

故答案選A。5、C【分析】【詳解】

A．石墨炔中有不飽和鍵；金剛石結(jié)構(gòu)只含有碳碳單鍵，故A錯(cuò)誤；

B．石墨炔只含有一種元素；不是化合物，故B錯(cuò)誤；

C．石墨炔與石墨都是由碳單質(zhì)構(gòu)成的單質(zhì)；兩者互為同素異形體，故C正確；

D．石墨炔含有不飽和鍵；活性較強(qiáng)，故D錯(cuò)誤；

故答案為C。二、多選題(共8題，共16分)6、BC【分析】【分析】

同主族元素自上而下第一電離能逐漸減小，P元素原子3p軌道處于半滿穩(wěn)定狀態(tài)，其第一電離能高于同周期相鄰元素的第一電離能，故三種元素中Si第一電離能最小，由圖中第一電離能可知c為Si，P元素原子3s能級(jí)為全充滿穩(wěn)定狀態(tài)，故其第四電離能與第三電離能相差較大，則b為P元素；a為C元素，據(jù)此分析可得：

【詳解】

A．由分析可知，a、b；c分別為C、P、Si；故A正確；

B．a(chǎn)、b、c分別為C、P、Si，由于非金屬性P>C>Si，則其簡單氫化物的穩(wěn)定性故最簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性：b>a>c；故B錯(cuò)；

C．一般而言同周期元素，從左至右電負(fù)性逐漸增強(qiáng)，同主族元素從上至下，電負(fù)性逐漸減小，故電負(fù)性：P>C>Si，則b>a>c；故C錯(cuò)；

D．C、Si分別失去4個(gè)電子后，C的S的均為充滿的穩(wěn)定狀態(tài)，再失去1個(gè)電子時(shí)，其第五電離能與第四電離能相差較大，且第五電離能：C>Si；P失去的第四個(gè)與第五個(gè)電子均為3s能級(jí)上的電子，故其第四電離能與第五電離能相差不大，故第五電離能：C>Si>P；故D正確；

答案選BC。7、AB【分析】【分析】

W、X、Y、Z為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，可形成如圖所示的化合物，由圖可知，W、X均形成一條共價(jià)鍵，則W為H，W和Y同主族，且Y形成一價(jià)陽離子，則Y為Na，W、X、Y三者的原子序數(shù)之和為20，則X的原子序數(shù)為20-1-11=8，X為O，Z核外最外層電子數(shù)是Y+核外電子數(shù)的一半；即Z的核外最外層電子數(shù)是5，則Z為P，綜合以上分析W；X、Y、Z分別為H、O、Na、P，據(jù)此分析解答。

【詳解】

A．O2-、Na+核外電子排布相同，核電荷數(shù)越大，半徑越小，離子半徑大小順序?yàn)镺2->Na+；故A正確；

B．O和Na形成的化合物有Na2O和Na2O2；兩種化合物中每種原子的最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，故B正確；

C．H分別與O、Na形成的二元化合物H2O和H2O2為共價(jià)化合物；NaH為離子化合物，故C錯(cuò)誤；

D．Na和P二者最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物分別為NaOH、H3PO4，按一定比例反應(yīng)可生成NaH2PO4或Na2HPO4或Na3PO4，不能生成Na2HPO3；故D錯(cuò)誤；

答案選AB。8、AD【分析】【詳解】

A．中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+=4；則VSEPR模型為四面體形，空間構(gòu)型為V形，故A正確；

B．中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+=4；則VSEPR模型為四面體形，空間構(gòu)型為三角錐形，故B錯(cuò)誤；

C．中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+=2；則VSEPR模型為直線形，空間構(gòu)型為直線形，故C錯(cuò)誤；

D．中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+=4；則VSEPR模型為四面體形，空間構(gòu)型為V形，故D正確；

故答案為AD。9、AB【分析】【分析】

【詳解】

LiAlH4是離子化合物，Li+與之間以離子鍵結(jié)合，在陰離子中Al與H原子之間以共價(jià)單鍵和配位鍵結(jié)合，共價(jià)單鍵和配位鍵屬于σ鍵，故LiAlH4中存在的作用力為離子鍵、σ鍵，故合理選項(xiàng)是AB。10、C【分析】【分析】

【詳解】

A．將金屬鈉投入足量水中；發(fā)生反應(yīng)生成氫氧化鈉和氫氣，金屬鈉的金屬鍵被破壞，A正確；

B．將金屬鈉投入足量水中；破壞了水分子中的極性共價(jià)鍵，B正確；

C．將金屬鈉投入足量水中；發(fā)生反應(yīng)生成氫氧化鈉和氫氣，氫氧化鈉為強(qiáng)電解質(zhì)，在水溶液中完全電離，因此并沒生成離子鍵，故C錯(cuò)誤；

D．將金屬鈉投入足量水中；發(fā)生反應(yīng)生成氫氧化鈉和氫氣，氫氣含非極性共價(jià)鍵，形成了非極性共價(jià)鍵，D正確；

答案選C。11、BD【分析】【詳解】

A．K是金屬元素；O是非金屬元素，金屬原子易失電子，則第一電離能大小順序?yàn)椋篛＞K，故A錯(cuò)誤；

B．IO3-中I的價(jià)層電子對(duì)數(shù)目為3+=4，I的雜化形式為sp3，則IO3-的空間構(gòu)型為三角錐形；故B正確；

C．O位于面心；K位于頂點(diǎn)，1個(gè)頂點(diǎn)為12個(gè)面共有，即與K緊鄰的O個(gè)數(shù)為12個(gè)，故C錯(cuò)誤；

D．在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中，I處于各頂角位置，個(gè)數(shù)為8×=1，則K也為1個(gè)，應(yīng)位于體心，則O位于棱心，每個(gè)棱為4個(gè)晶胞共有，則O個(gè)數(shù)為12×=3；故D正確；

故答案為BD。12、CD【分析】【詳解】

A．Q的晶格能大于P的晶格能；故Q的熔點(diǎn)比P的高，故A正確；

B．因的半徑比的小，其他鹵素離子的半徑比的大，故若P是只有的晶格能強(qiáng)于的晶格能；則Q一定都是NaF，故B正確；

C．因Q、P中陽離子均為陰離子所帶電荷數(shù)相同，故晶格能的差異是由離子間距決定的，晶格能越大，表明離子間距越小，故C錯(cuò)誤。

D．由B的分析可知；若P是NaCl，則Q只能是NaF，故D錯(cuò)誤；

故選：CD。13、AD【分析】由核外電子排布式可知，①為S元素，②為P元素，③為F元素；據(jù)此分析解答。

【詳解】

A．基態(tài)S原子核外有2個(gè)未成對(duì)電子，基態(tài)P原子核外有3個(gè)未成對(duì)電子，基態(tài)F原子核外有1個(gè)未成對(duì)電子，所以未成對(duì)電子數(shù)：③<①<②；A正確；

B．同周期主族元素從左到右，原子半徑逐漸減小，同主族元素從上到下原子半徑逐漸增大，所以原子半徑：P>S>F，即②>①>③；B錯(cuò)誤；

C．同周期主族元素從左到右，電負(fù)性逐漸增大，同主族元素從上到下電負(fù)性逐漸減小，則電負(fù)性：③>①>②；C錯(cuò)誤；

D．同周期元素從左到右，第一電離能呈增大趨勢，但P原子軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，其元素第一電離能大于同周期相鄰元素，同主族元素從上到下第一電離能逐漸減小，所以第一電離能：F>P>S，即③>②>①；D正確；

故選AD。三、填空題(共5題，共10分)14、略

【分析】【詳解】

六方氮化硼的結(jié)構(gòu)與石墨類似，層內(nèi)B、N原子間形成了π鍵，使得B-N共價(jià)單鍵的鍵長變短；根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖，一個(gè)立方氮化硼晶胞中含有的白球數(shù)=8×＋6×=4，黑球數(shù)為4，因此立方氮化硼晶胞中應(yīng)該含有4個(gè)N和4個(gè)B原子，一個(gè)晶胞的質(zhì)量為一個(gè)立方氮化硼晶胞的體積是(362pm)3，根據(jù)ρ===g/cm3。【解析】①.層內(nèi)B、N原子間形成了π鍵②.15、略

【分析】【分析】

【詳解】

略【解析】八5g61816、略

【分析】【分析】

含結(jié)晶水的物質(zhì)受熱時(shí)，優(yōu)先失去結(jié)晶水；剩余物質(zhì)若能分解，則逐步分解。草酸鈣晶體中結(jié)晶水的含量為

【詳解】

(1)圖中A點(diǎn)剩余固體重量為87.7mg，失去12.3mg，失重百分比則失去結(jié)晶水，剩余固體為A到B失重失重百分比為假設(shè)此時(shí)失去的是其在中的含量為所以此時(shí)剩余固體為故填

(2)由CaC2O4·H2O得到A為失去結(jié)晶水，其反應(yīng)為故填

(3)根據(jù)A處剩余固體的化學(xué)式為B處的剩余固體為可知其反應(yīng)為故填【解析】CaC2O4CaCO3CaC2O4+H2OCaC2O4+H2O↑CaC2O4CaCO3+CO↑17、略

【分析】【詳解】

(1)氧化鎳晶胞中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0，0，0)，B為(1，1，0)，則晶胞邊長為1，則C原子坐標(biāo)參數(shù)為（1，1）；

(2)已知氧化鎳晶胞密度為dg·cm－3，設(shè)Ni2＋半徑為rnm，O2-原子半徑為xnm，晶胞的參數(shù)為anm，在氧化鎳晶胞中，含O2-個(gè)數(shù)為8+6=4，Ni2＋個(gè)數(shù)為12+1=4，即一個(gè)晶胞中含有4個(gè)NiO，則一個(gè)晶胞的質(zhì)量為g，V(晶胞)＝(a×10-7)3cm3，則可以得到(a×10-7)3·d＝a＝×107nm。根據(jù)氧化鎳晶胞截面圖，可知晶胞對(duì)角線3個(gè)O原子相切，即晶胞面對(duì)角線長為O2-半徑的4倍，晶胞參數(shù)a＝2x＋2r，即4x＝a，x＝a，帶入計(jì)算可得到r＝－a＝×107nm?！窘馕觥竣?(1，1)②.18、略

【分析】【分析】

【詳解】

(1)Zn的原子序數(shù)是30，則基態(tài)核外電子排布式為

(2)①非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，則C、N、H的電負(fù)性由大到小的順序是

②的價(jià)電子總數(shù)為4+5+1＝10。

③2-甲基咪唑中飽和碳原子雜化軌道類型為不飽和碳原子的雜化軌道類型是單鍵都是鍵，雙鍵中含有1個(gè)鍵，1mol2-甲基咪唑分子中含鍵數(shù)目為12由于分子與水分子間能形成氫鍵，所以易溶于水?！窘馕觥?或)10和12分子與水分子間能形成氫鍵四、判斷題(共2題，共14分)19、B【分析】【分析】

【詳解】

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)；正確；

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵；則該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形，錯(cuò)誤；

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp3雜化；錯(cuò)誤；

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化；正確；

(5)中心原子是sp1雜化的；其分子構(gòu)型一定為直線形，錯(cuò)誤；

(6)價(jià)層電子對(duì)互斥理論中；π鍵電子對(duì)數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)，正確；

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因?yàn)镻原子是以sp3雜化的結(jié)果且沒有孤電子對(duì)；錯(cuò)誤；

(8)sp3雜化軌道是由中心原子的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道；錯(cuò)誤；

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子；其VSEPR模型都是四面體，正確；

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型為平面三角形或平面三角形；錯(cuò)誤；

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時(shí)；該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形，正確；

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)；正確；

(13)NH3和CH4兩個(gè)分子中中心原子N和C都是通過sp3雜化軌道成鍵；正確；

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構(gòu)型結(jié)果不矛盾；錯(cuò)誤；

(15)配位鍵也是一種靜電作用；正確；

(16)形成配位鍵的電子對(duì)由一個(gè)原子提供，另一個(gè)原子提供空軌道，錯(cuò)誤。20、A【分析】【詳解】

因?yàn)殂~具有良好的導(dǎo)電性，所以銅可以用于制作電纜、電線，正確。五、原理綜合題(共3題，共27分)21、略

【分析】【分析】

二者均為原子晶體；原子半徑越小，共價(jià)鍵鍵長越短，鍵能越大，硬度越大；

環(huán)上N原子形成2個(gè)鍵、含有1對(duì)孤電子對(duì)，氨基中N原子形成3個(gè)鍵；含有1對(duì)孤電子對(duì)；雜化軌道數(shù)目分別為3、4；

原子與N原子連接的H原子之間形成氫鍵；

五個(gè)原子上的6個(gè)p電子參與形成離域鍵；

由C、Si參數(shù)可知，C原子處于晶胞的頂點(diǎn)、面心。Si處于晶胞內(nèi)部，且Si與周圍最近的4個(gè)C原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，將金剛石晶胞內(nèi)部的碳原子替換為Si即為晶胞結(jié)構(gòu)。

【詳解】

原子晶體中，成鍵的原子半徑越小，則鍵長越小、鍵能越大，其硬度就越大。所以和中硬度較高的是原因是兩者同屬原子晶體，C的原子半徑小于Si，與相比，的鍵長短；鍵能大；

由結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)碳原子與3個(gè)氮原子形成2個(gè)單鍵和1個(gè)雙鍵，由于氮元素的非金屬性強(qiáng)于碳元素，故碳元素顯價(jià)、氮元素顯價(jià)，由此可判斷出該化合物的化學(xué)式為三聚氰胺的環(huán)中N原子形成2個(gè)鍵，含有1對(duì)孤電子對(duì)，雜化軌道數(shù)目為3，采取雜化，氨基中N原子形成3個(gè)鍵，含有1對(duì)孤電子對(duì)，雜化軌道數(shù)目為4，采取雜化；

氫鍵發(fā)生在非金屬強(qiáng)的原子和氫原子之間，在該物質(zhì)中氫鍵可表示為

分子中三個(gè)C原子采取雜化，每個(gè)C原子都有1個(gè)p電子，形成3個(gè)鍵的N原子采取雜化，含有1對(duì)p電子，形成2個(gè)鍵的N原子采取雜化，含有1個(gè)p電子，五個(gè)原子上的6個(gè)p電子參與形成離域鍵，可表示為

從該晶胞中原子的坐標(biāo)參數(shù)可知，碳原子位于晶胞的8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心。每個(gè)頂點(diǎn)參與形成8個(gè)晶胞，每個(gè)面心參與形成2個(gè)晶胞，根據(jù)均攤法可以計(jì)算出一個(gè)晶胞中有4個(gè)碳原子，而4個(gè)硅原子位于晶胞內(nèi)部，所以SiC立方晶胞中含有4個(gè)Si原子、4個(gè)C原子?！窘馕觥竣?②.兩者同屬原子晶體或兩者結(jié)構(gòu)相似C的原子半徑小于Si，與相比，的鍵長短、鍵能大③.④.⑤.⑥.⑦.4⑧.422、略

【分析】【詳解】

（1）硅核外電子排布式為1s22s22p63s23p2；其中3p能量最高，電子數(shù)為2；其所占據(jù)的電子亞層符號(hào)為3p；硅位于第三周期，同周期越靠右原子半徑越小，故原子半徑最小的是Cl(或氯)；依據(jù)是：同周期的主族元素，其核外電子層數(shù)相同，從左到右隨著核電荷數(shù)逐漸增大，核對(duì)外層電子吸引力也逐漸增大，原子半徑逐漸減小，氯在主族元素的最右邊，所以半徑最?。?/p>

（2）Si3N4屬于共價(jià)化合物；則硅和氮之間是共價(jià)鍵，屬于原子晶體；

（3）根據(jù)平衡常數(shù)的定義可知，該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K=

（4）固體的質(zhì)量增加了2.80g為Si3N4的質(zhì)量，其物質(zhì)的量n=m/M=2.8g÷140g/mol=0.02mol，根據(jù)方程式可知消耗氫氣的物質(zhì)的量=0.02mol×6=0.12mol，故v(H2)=?c÷?t=0.12mol/2L÷3min=0.02mol·L-1·min-1，v(SiCl4)=0.02mol·L-1·min-1÷2=0.01mol·L-1·min-1；

（5）a．增加Si3N4的量，其濃度增大，平衡向右移動(dòng)，a錯(cuò)誤；

b．減小HCl的量，其濃度降低，則平衡向右移動(dòng)，b錯(cuò)誤；

c．平衡常數(shù)只與溫度有關(guān)，溫度不變，平衡常數(shù)不變，c錯(cuò)誤；

d．該反應(yīng)為放熱反應(yīng)；降低溫度，平衡正向移動(dòng)，平衡常數(shù)K增大，d正確；

故選d；

（6）該反應(yīng)正反應(yīng)是放熱反應(yīng)，升高溫度，平衡向逆反應(yīng)反應(yīng)移動(dòng)，到達(dá)新平衡，H2的物質(zhì)的量增大，HCl的物質(zhì)的量物質(zhì)的量減小，新平衡H2和HCl的物質(zhì)的量之比>【解析】(1)2個(gè)3pCl(或氯)同周期的主族元素；其核外電子層數(shù)相同，從左到右隨著核電荷數(shù)逐漸增大，核對(duì)外層電子吸引力也逐漸增大，原子半徑逐漸減小，氯在主族元素的最右邊，所以半徑最小。

(2)共價(jià)鍵原子。

(3)

(4)0.01

(5)d

(6)>23、略

【分析】【詳解】

（1）Si的核電荷數(shù)為14；位于元素周期表第三周期IVA族；（2）N原子的核外電子數(shù)為7，根。

據(jù)電子排布式的書寫規(guī)則，N的基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p3；Cu的基態(tài)原子核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s1故最外層有1個(gè)電子（3）同周期元素原子隨核電荷數(shù)遞增，原子半徑減??；非金屬性越強(qiáng)電負(fù)性越大；金剛石和晶體硅都屬于原子晶，但C-C鍵鍵長短，鍵能大，故熔點(diǎn)更高；組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，相對(duì)分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高。（4）正極得電子發(fā)生還原反應(yīng)，故電極反應(yīng)式為：2H++NO3-+e-=NO2↑+H2O；在電場作用下，陽離子向電池正極移動(dòng)；由圖像得t1時(shí)刻電流方向改變，說明電負(fù)極發(fā)生變化，Al因?yàn)榘l(fā)生鈍化不再進(jìn)一步反應(yīng)?！窘馕觥咳齀VA1s22s22p31個(gè)><><2H++NO3-+e-=NO2↑+H2O正Al在濃硝酸中發(fā)生鈍化，氧化膜阻止了Al進(jìn)一步反應(yīng)六、工業(yè)流程題(共3題，共18分)24、略

【分析】【分析】

先將硬鋅粗渣進(jìn)行球磨成粉，以增大固體表面積，加快浸出速率，再加入低濃度稀硫酸，浸出液I中含有硫酸鋅，富銦渣中含有In、InSb，加入濃硝酸，將In、InSb氧化浸出，得到浸出液Ⅱ，再加入有機(jī)溶劑進(jìn)行萃取分液，得到含有Sb3+、Sb5+的水溶液；有機(jī)相中含有銦離子，加入鹽酸進(jìn)行反萃取，得到含有銦離子的水溶液，再用鋅置換出金屬銦，據(jù)此分析解答。

【詳解】

(1)硬鋅粗渣浸出前需進(jìn)行球磨成粉；其原因是增大固體表面積，加快浸出速率；

(2)浸出液Ⅱ中加入有機(jī)溶劑；操作Ⅱ后得到有機(jī)相和水溶液，故操作Ⅱ?yàn)檩腿》忠?，故選D；

(3)“氧化浸出”過程中，濃硝酸可將InSb(Sb為-3價(jià))轉(zhuǎn)化為In2O3和Sb2O3，同時(shí)釋放出紅棕色氣體NO2，濃硝酸將InSb氧化，Sb的化合價(jià)從-3價(jià)升高為+3價(jià)，根據(jù)得失電子守恒、元素守