模擬電子技術(shù)模電之二極管課件

模擬電子技術(shù)模電之二極管課件3.1半導(dǎo)體的基本知識(shí)

3.1.1

半導(dǎo)體材料

3.1.2

半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)

3.1.3

本征半導(dǎo)體

3.1.4

雜質(zhì)半導(dǎo)體第2頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.1.1半導(dǎo)體材料根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同，來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。

半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度、光照和摻雜等因素發(fā)生顯著變化，這些特點(diǎn)使它們成為制作半導(dǎo)體元器件的重要材料。第3頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.1.2半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化模型及晶體結(jié)構(gòu)第4頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.1.3本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體——化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體。它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。空穴——共價(jià)鍵中的空位。電子空穴對(duì)——由熱激發(fā)而產(chǎn)生的自由電子和空穴對(duì)?？昭ǖ囊苿?dòng)——空穴的運(yùn)動(dòng)是靠相鄰共價(jià)鍵中的價(jià)電子依次充填空穴來實(shí)現(xiàn)的。由于隨機(jī)熱振動(dòng)致使共價(jià)鍵被打破而產(chǎn)生空穴－電子對(duì)第5頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.1.4雜質(zhì)半導(dǎo)體

在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。摻入的雜質(zhì)主要是三價(jià)或五價(jià)元素。摻入了雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。

N型半導(dǎo)體——摻入五價(jià)雜質(zhì)元素（如磷）的半導(dǎo)體。

P型半導(dǎo)體——摻入三價(jià)雜質(zhì)元素（如硼）的半導(dǎo)體。第6頁,共79頁，星期六，2024年，5月

1.N型半導(dǎo)體

3.1.4雜質(zhì)半導(dǎo)體因五價(jià)雜質(zhì)原子中只有四個(gè)價(jià)電子能與周圍四個(gè)半導(dǎo)體原子中的價(jià)電子形成共價(jià)鍵，而多余的一個(gè)價(jià)電子因無共價(jià)鍵束縛而很容易形成自由電子。在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成。提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價(jià)雜質(zhì)原子也稱為施主雜質(zhì)。第7頁,共79頁，星期六，2024年，5月

2.P型半導(dǎo)體

3.1.4雜質(zhì)半導(dǎo)體因三價(jià)雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價(jià)鍵時(shí)，缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴。在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成?？昭ê苋菀追@電子，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。三價(jià)雜質(zhì)因而也稱為受主雜質(zhì)。第8頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性的影響

3.1.4雜質(zhì)半導(dǎo)體摻入雜質(zhì)對(duì)本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性有很大的影響，一些典型的數(shù)據(jù)如下:

T=300K室溫下,本征硅的電子和空穴濃度:

n=p=1.4×1010/cm31本征硅的原子濃度:4.96×1022/cm3

3以上三個(gè)濃度基本上依次相差106/cm3

。

2摻雜后N型半導(dǎo)體中的自由電子濃度:

n=5×1016/cm3第9頁,共79頁，星期六，2024年，5月本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體

本節(jié)中的有關(guān)概念自由電子、空穴

N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體多數(shù)載流子、少數(shù)載流子施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)end第10頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.2PN結(jié)的形成及特性

3.2.2

PN結(jié)的形成

3.2.3

PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

3.2.4

PN結(jié)的反向擊穿

3.2.5

PN結(jié)的電容效應(yīng)

3.2.1

載流子的漂移與擴(kuò)散第11頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.2.1載流子的漂移與擴(kuò)散漂移運(yùn)動(dòng)：在電場(chǎng)作用引起的載流子的運(yùn)動(dòng)。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：由載流子濃度差引起的載流子的運(yùn)動(dòng)。漂移電流：在電場(chǎng)的作用下，自由電子會(huì)逆著電場(chǎng)方向漂移，而空穴則順著電場(chǎng)方向漂移，這樣產(chǎn)生的電流稱為漂移電流，該電流的大小主要取決于載流子的濃度，遷移率和電場(chǎng)強(qiáng)度。擴(kuò)散電流：半導(dǎo)體中載流子濃度不均勻分布時(shí)，載流子會(huì)從高濃度區(qū)向低濃度區(qū)擴(kuò)散，從而形成擴(kuò)散電流，該電流的大小正比于載流子的濃度差即濃度梯度的大小。第12頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.2.2PN結(jié)的形成第13頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.2.2PN結(jié)的形成第14頁,共79頁，星期六，2024年，5月在一塊本征半導(dǎo)體兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì),分別形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。此時(shí)將在N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過程:因濃度差

空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)

內(nèi)電場(chǎng)促使少子漂移

內(nèi)電場(chǎng)阻止多子擴(kuò)散

最后,多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)

由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)

第15頁,共79頁，星期六，2024年，5月對(duì)于P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱耗盡區(qū)。電子從N區(qū)到P區(qū)必須越過空間電荷區(qū)產(chǎn)生的能量高坡，也稱為勢(shì)壘區(qū)。

第16頁,共79頁，星期六，2024年，5月

非對(duì)稱PN結(jié)：在摻雜濃度不對(duì)稱的PN結(jié)中，耗盡區(qū)在摻雜濃度大的一邊延伸較小，而在摻雜濃度小的一邊延伸較大。第17頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.2.3PN結(jié)的單向?qū)щ娦援?dāng)外加電壓使PN結(jié)中P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡(jiǎn)稱正偏；反之稱為加反向電壓，簡(jiǎn)稱反偏。

(1)PN結(jié)加正向電壓時(shí)低電阻大的正向擴(kuò)散電流第18頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.2.3PN結(jié)的單向?qū)щ娦援?dāng)外加電壓使PN結(jié)中P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡(jiǎn)稱正偏；反之稱為加反向電壓，簡(jiǎn)稱反偏。

(2)PN結(jié)加反向電壓時(shí)高電阻很小的反向漂移電流在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個(gè)電流也稱為反向飽和電流。第19頁,共79頁，星期六，2024年，5月PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++＋－外電場(chǎng)P區(qū)N區(qū)多子空穴多子電子V空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)R第20頁,共79頁，星期六，2024年，5月－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++＋－內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)P區(qū)N區(qū)多子空穴多子電子VF變薄RPN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通第21頁,共79頁，星期六，2024年，5月PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++變?。瓋?nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)P區(qū)N區(qū)多子空穴多子電子IFVF正向電流I：擴(kuò)散電流R第22頁,共79頁，星期六，2024年，5月PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++變?。瓋?nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)P區(qū)N區(qū)IFVFI：擴(kuò)散電流內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)，形成較大的擴(kuò)散電流I。小結(jié)R第23頁,共79頁，星期六，2024年，5月PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通內(nèi)外電場(chǎng)方向相反，故勢(shì)壘降低，有利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行。第24頁,共79頁，星期六，2024年，5月PN結(jié)加反向電壓時(shí)截止－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++空間電荷區(qū)＋－內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)P區(qū)N區(qū)少子電子少子空穴V漂移運(yùn)動(dòng)2.外加反向電壓第25頁,共79頁，星期六，2024年，5月PN結(jié)加反向電壓時(shí)截止－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++＋－內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)P區(qū)N區(qū)V變厚IRI：漂移電流反向電流溫度一定時(shí)，反向電流IR趨于恒定值，稱為反向飽和電流IS。第26頁,共79頁，星期六，2024年，5月PN結(jié)加反向電壓時(shí)截止－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++＋－內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)P區(qū)N區(qū)V變厚IRI：漂移電流小結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流IR。第27頁,共79頁，星期六，2024年，5月PN結(jié)加反向電壓時(shí)截止內(nèi)外電場(chǎng)方向相同，故勢(shì)壘升高，有利于漂移運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行。第28頁,共79頁，星期六，2024年，5月歸納：

PN結(jié)加正向電壓時(shí)，具有較大的正向擴(kuò)散電流，呈現(xiàn)低電阻，PN結(jié)導(dǎo)通；

PN結(jié)加反向電壓時(shí)，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻，PN結(jié)截止。在于它的耗盡區(qū)的存在，且其寬度可由外加電壓改變。關(guān)鍵這就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦?。?9頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.2.3PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

(3)PN結(jié)V-I特性表達(dá)式其中PN結(jié)的伏安特性IS——反向飽和電流VT

——溫度的電壓當(dāng)量且在常溫下（T=300K）第30頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.PN結(jié)V-I特性的表達(dá)式i/mAUBRu/Vi=-IS＋－＋－式中：iD:通過PN結(jié)的電流；vD:PN結(jié)兩端的外加電壓；VT:溫度的電壓當(dāng)量，在常溫(300K)下，VT≈26mV（※）；IS:反向飽和電流IFIR(μA)第31頁,共79頁，星期六，2024年，5月

當(dāng)加正向電壓時(shí)：u為正值，表達(dá)式等效成：當(dāng)加反向電壓時(shí)：u為負(fù)值，表達(dá)式等效成：常數(shù)指數(shù)關(guān)系i/mAUBRu/Vi=-IS＋－＋－IFIR(μA)3.PN結(jié)V-I特性的表達(dá)式第32頁,共79頁，星期六，2024年，5月i/mAUBRu/Vi=-IS＋－＋－IFIR(μA)

PN結(jié)的反向擊穿：反向擊穿電壓反向擊穿電擊穿熱擊穿雪崩擊穿齊納擊穿可逆不可逆3.2.4PN結(jié)的反向擊穿第33頁,共79頁，星期六，2024年，5月雪崩擊穿：摻雜濃度低，反向電壓下少子漂移速度加快撞擊共價(jià)鍵，電子雪崩般增多；齊納擊穿：摻雜濃度高，耗盡區(qū)窄，反向電壓破壞共價(jià)鍵第34頁,共79頁，星期六，2024年，5月清華大學(xué)華成英hchya@四、PN結(jié)的電容效應(yīng)1.勢(shì)壘電容

PN結(jié)外加電壓變化時(shí)，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化，有電荷的積累和釋放的過程，與電容的充放電相同，其等效電容稱為勢(shì)壘電容Cb。2.擴(kuò)散電容

PN結(jié)外加的正向電壓變化時(shí)，在擴(kuò)散路程中載流子的濃度及其梯度均有變化，也有電荷的積累和釋放的過程，其等效電容稱為擴(kuò)散電容Cd。結(jié)電容：

結(jié)電容不是常量！若PN結(jié)外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向?qū)щ娦裕〉?5頁,共79頁，星期六，2024年，5月第36頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.3半導(dǎo)體二極管

3.3.1

半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)

3.3.2

二極管的伏安特性

3.3.3

二極管的主要參數(shù)第37頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.3.1半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型、面接觸型兩大類。(1)點(diǎn)接觸型二極管(a)點(diǎn)接觸型

二極管的結(jié)構(gòu)示意圖

PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。第38頁,共79頁，星期六，2024年，5月（a）面接觸型（b）集成電路中的平面型（c）代表符號(hào)

(2)面接觸型二極管

PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。(b)面接觸型第39頁,共79頁，星期六，2024年，5月第40頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.3.2二極管的伏安特性二極管的伏安特性曲線可用下式表示鍺二極管2AP15的V-I特性硅二極管2CP10的V-I特性第41頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.3.2二極管的V-I特性UthUBRuD/ViD/mAiD/μA硅管約為0.5V鍺管約為0.1V它的大小與二極管的材料及溫度等因素有關(guān)。幾點(diǎn)說明：①關(guān)于死區(qū)電壓開啟電壓（或稱死區(qū)電壓）（或稱門檻電壓）Uon第42頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.3.2二極管的V-I特性UthUBRuD/ViD/mAiD/μA硅管約為0.7V鍺管約為0.2V它的大小與二極管的材料有關(guān)。幾點(diǎn)說明：①關(guān)于死區(qū)電壓二極管的正向?qū)ü軌航礥on②正向?qū)▔航档?3頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.3.2二極管的V-I特性UthUBRuD/ViD/mAiD/μA幾點(diǎn)說明：①關(guān)于死區(qū)電壓Uon2②正向?qū)▔航耽叟c溫度的關(guān)系在環(huán)境溫度升高時(shí)，二極管的正向特性曲線將左移，反向特性曲線下移。二極管的特性對(duì)溫度很敏感。Uon1IDIS1IS2第44頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.3.3二極管的主要參數(shù)(1)最大整流電流IF(2)反向擊穿電壓VBR和最大反向工作電壓VRM(3)反向電流IR(4)極間電容CJ（CB、CD）end第45頁,共79頁，星期六，2024年，5月IF：最大整流電流3.3.3二極管的主要參數(shù)指二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，允許通過的最大正向?qū)娏髌骄?。指管子未擊穿時(shí)的反向電流。其值愈小，則管子的單向?qū)щ娦杂谩囟葘?duì)它影響很大，使用時(shí)應(yīng)注意。IR：反向電流第46頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.3.3二極管的主要參數(shù)極間電容Cd（1）勢(shì)壘電容CB（2）擴(kuò)散電容CD低頻或中頻信號(hào)時(shí)二極管極間電容作用不予考慮；高頻信號(hào)時(shí)才考慮作用。URM：最高反向工作電壓指管子反向擊穿時(shí)的電壓值。一般手冊(cè)上給出的最大反向工作電壓約為UBR的一半。第47頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.4

二極管基本電路及其分析方法

3.4.1簡(jiǎn)單二極管電路的圖解分析方法

3.4.2

二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法第48頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.4.1簡(jiǎn)單二極管電路的圖解分析方法二極管是一種非線性器件，因而其電路一般要采用非線性電路的分析方法，相對(duì)來說比較復(fù)雜，而圖解分析法則較簡(jiǎn)單，但前提條件是已知二極管的V-I特性曲線。第49頁,共79頁，星期六，2024年，5月例3.4.1電路如圖所示，已知二極管的V-I特性曲線、電源VDD和電阻R，求二極管兩端電壓vD和流過二極管的電流iD。解：由電路的KVL方程，可得即是一條斜率為-1/R的直線，稱為負(fù)載線

Q的坐標(biāo)值（VD，ID）即為所求。Q點(diǎn)稱為電路的工作點(diǎn)第50頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.4.2二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法1.二極管V-I特性的建模將指數(shù)模型分段線性化，得到二極管特性的等效模型。（1）理想模型（a）V-I特性（b）代表符號(hào)（c）正向偏置時(shí)的電路模型（d）反向偏置時(shí)的電路模型第51頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.4.2二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法1.二極管V-I特性的建模（2）恒壓降模型（a）V-I特性（b）電路模型（3）折線模型（a）V-I特性（b）電路模型第52頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.4.2二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法1.二極管V-I特性的建模（4）小信號(hào)模型vs=0時(shí),Q點(diǎn)稱為靜態(tài)工作點(diǎn)，反映直流時(shí)的工作狀態(tài)。vs=Vmsin

t時(shí)（Vm<<VDD）,將Q點(diǎn)附近小范圍內(nèi)的V-I特性線性化，得到小信號(hào)模型，即以Q點(diǎn)為切點(diǎn)的一條直線。第53頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.4.2二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法1.二極管V-I特性的建模（4）小信號(hào)模型過Q點(diǎn)的切線可以等效成一個(gè)微變電阻即根據(jù)得Q點(diǎn)處的微變電導(dǎo)則常溫下（T=300K）（a）V-I特性（b）電路模型第54頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.4.2二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法1.二極管V-I特性的建模（4）小信號(hào)模型特別注意：小信號(hào)模型中的微變電阻rd與靜態(tài)工作點(diǎn)Q有關(guān)。該模型用于二極管處于正向偏置條件下，且vD>>VT

。（a）V-I特性（b）電路模型第55頁,共79頁，星期六，2024年，5月

3.4.2二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法2．模型分析法應(yīng)用舉例（1）整流電路（a）電路圖（b）vs和vo的波形（理想模型）半波整流電路第56頁,共79頁，星期六，2024年，5月2．模型分析法應(yīng)用舉例（2）靜態(tài)工作情況分析理想模型（R=10k

）當(dāng)VDD=10V時(shí)，恒壓模型（硅二極管典型值）折線模型（硅二極管典型值）設(shè)當(dāng)VDD=1V時(shí)，（自看）（a）簡(jiǎn)單二極管電路（b）習(xí)慣畫法第57頁,共79頁，星期六，2024年，5月2．模型分析法應(yīng)用舉例（3）限幅電路電路如圖，R=1kΩ，VREF=3V，二極管為硅二極管。分別用理想模型和恒壓降模型求解，當(dāng)vI=0，4，6，6sin

tV時(shí)，繪出相應(yīng)的輸出電壓vO的波形。第58頁,共79頁，星期六，2024年，5月2．模型分析法應(yīng)用舉例（4）開關(guān)電路電路如圖所示，求AO的電壓值解：先斷開D，以O(shè)為基準(zhǔn)電位，即O點(diǎn)為0V。則接D陽極的電位為-6V，接陰極的電位為-12V。陽極電位高于陰極電位，D接入時(shí)正向?qū)?。?dǎo)通后，D的壓降等于零，即A點(diǎn)的電位就是D陽極的電位。所以，AO的電壓值為-6V。第59頁,共79頁，星期六，2024年，5月end2．模型分析法應(yīng)用舉例（6）小信號(hào)工作情況分析圖示電路中，VDD=5V，R=5k

，恒壓降模型的VD=0.7V，vs=0.1sinwtV。（1）求輸出電壓vO的交流量和總量；（2）繪出vO的波形。直流通路、交流通路、靜態(tài)、動(dòng)態(tài)等概念，在放大電路的分析中非常重要。第60頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.5特殊二極管

3.5.1

齊納二極管(穩(wěn)壓二極管)1.符號(hào)及穩(wěn)壓特性利用二極管反向擊穿特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)工作在反向電擊穿狀態(tài)。第61頁,共79頁，星期六，2024年，5月(1)穩(wěn)定電壓VZ(2)動(dòng)態(tài)電阻rZ在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流IZ下，所對(duì)應(yīng)的反向工作電壓。rZ=

VZ/

IZ(3)最大耗散功率

PZM(4)最大穩(wěn)定工作電流

IZmax和最小穩(wěn)定工作電流IZmin(5)穩(wěn)定電壓溫度系數(shù)——

VZ2.穩(wěn)壓二極管主要參數(shù)3.5.1齊納二極管第62頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.穩(wěn)壓電路正常穩(wěn)壓時(shí)VO=VZ3.5.1齊納二極管只有當(dāng)加在穩(wěn)壓管兩端的電壓大于其穩(wěn)壓值時(shí)，輸出電壓才為VZ！第63頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.5.2變?nèi)荻O管（a）符號(hào)（b）結(jié)電容與電壓的關(guān)系（縱坐標(biāo)為對(duì)數(shù)刻度）第64頁,共79頁，星期六，2024年，5月3.5.3肖