錫須生長影響因素及預防措施_第1頁
錫須生長影響因素及預防措施_第2頁
錫須生長影響因素及預防措施_第3頁
錫須生長影響因素及預防措施_第4頁
錫須生長影響因素及預防措施_第5頁
已閱讀5頁，還剩16頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

錫須生長影響因素

及預防措施報告大綱何為錫須？

錫須生長原理及限制錫須生長之策略

1.底層材料之影響2.外界因素之影響（劃傷及折彎）3.錫鍍層厚度之影響4.鎳鍍層厚度之影響

客戶聲音錫須（生長過程）生長期間形狀成形後錫須小丘狀（生長初期）交錯方式生長呈條紋狀生長呈環(huán)狀生長錫須（生長方式）錫晶粒層狀生長，逐漸向外推錫晶粒垂直方向生長，逐漸積累錫晶粒兩種生長方式並存繩狀枝狀從小丘狀開始生長錫須（生長形態(tài)）錫須生長過程中，客觀因素的影響或是錫晶粒排列取向改變使錫須生長方向發(fā)生改變，形成不同生長形態(tài)的錫須。客戶聲音DELL要求錫須生長原理及限制錫須生長之策略底層材料之影響SnSnSn-XIMCXSubstrate底層材料不同時，錫鍍層與底層材料間形成IMC（Intermetallic）量與速率不同，此時錫鍍層錫須生長機會則不同CompressiveStressCuSubstrateSnDepositTinWhiskerisforcedoutCu6Sn5底層材料之影響（底鍍層為Cu材）IMCStress23°C,2DaysRT,30days錫銅IMC數(shù)量增加並向錫層晶界處滲透對錫鍍層形成壓力錫銅IMC（金屬間化合物）生長特性

Aging:RoomTempCu6Sn5intermetallic室溫時生長曲線

Cu6Sn5orCu3Snintermetallic125度，

150度時生長曲線

錫須截面圖（SnonCusubstrate）IMC向晶界處滲透擠壓錫晶粒促使錫須產生15000X10000X錫須截面圖（SnonCusubstrate）IMC銅基材上錫須生長概要1.Cu與Sn接觸，形成Sn-CuIMC2.Sn-CuIMC向Sn層晶界間滲透對Sn層形成壓力3.

壓力的存在，使錫晶粒重新排列成為可能，也是錫須生長成為可能SnSnIMCNiSubstrate底層鍍鎳時，在室溫條件理貯存6個月，未發(fā)現(xiàn)有錫須生長。底層材料之影響（底鍍層為Ni材）200X 5000X鎳鍍層上鍍錫時，錫須生長情況

（after500tempcycles–55to+85deg.C）經冷熱循環(huán)實驗後發(fā)現(xiàn)有錫須生長。但生長並不超過50um?？赏ㄟ^鍍鎳阻隔層以減少錫須生長之機會。外界因素之影響（劃傷）200X避免鍍層表面劃傷將使錫須生長機率降低外界因素之影響（折彎）錫鍍層厚度之影響（底材為黃銅）黃銅鍍錫當錫膜厚>2um時，生長錫須

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論