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文檔簡介

1、,電子技術基礎,單向可控硅的結構和工作原理,主講教師：曾素云,二000年十月,軟件制作：謝志文,一、結構和符號：,1、結構：,四層半導體,J1,J2,J3,三個PN結,三個電極,陽極A：從P1引出,陰極K：從N2引出,控制極G：從P2引出,2、符號：,圖形符號：,文字符號：SCR，CT，KG等,陽極,陰極,控制極,P1,N1,N2,P2,單向可控硅的結構和工作原理,二、工作原理,1、演示實驗：,實驗電路圖如下：,不亮,不亮,亮,亮,只在陽極和陰極間加正向電壓，可控硅不導通,在陽極和陰極間加反向電壓，可控硅不導通,在陽極A和陰極K間加反向電壓，同時控制極加 正向觸發(fā)電壓,可控硅導通,可控硅導通后

2、，除去觸發(fā)電壓，繼續(xù)導通,2、解釋：可控硅為什么具有上述四個工作特點？,這是由其內部結構決定的,G,K,A,沿虛線剖開,可看成由兩個 三極管組成,（b）,（a）,（c）,3、小 結,可控硅導通的條件：,A、在陽極和陰極之間加正向電壓,B、同時在控制極加正觸發(fā)電壓,二者缺一不可,使導通的可控硅關斷的方法：,A、減小陽極電流至一定值（維持電流）,B、切斷陽極電源,可控硅具有控制強電的作用,三、單向可控硅的主要參數(shù)：,額定正向平均電流,維持電流,控制極觸發(fā)電壓和電流,正向阻斷峰值電壓,反向阻斷峰值電壓,在規(guī)定的環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通 過陽極和陰極之間的電流平均值,在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷開的

3、條件下，保 持可控硅處于導通狀態(tài)所需要的最小正向電流,在規(guī)定的環(huán)境溫度及一定的正向電壓條件下， 使可控硅到導通控制極所需要的最小電壓和電流,控制極斷開加正向電壓，可控硅截止的狀態(tài)稱 正向阻斷，此時加到可控硅上的最大正向電壓,控制極斷開，可控硅加反向電壓的狀態(tài)，稱為反向阻斷，此時允許加到可控硅上的最大反向電壓,四、總結,1、這節(jié)課我們講了三個問題：,A、可控硅的結構與符號；,B、可控硅的工作原理；,C、可控硅的主要參數(shù)。,2、思考題：,A、單向可控硅有兩種工作狀態(tài)：導通和截止，二極管也有二種工作狀態(tài)，導通和截止，那么單可控硅的工作狀態(tài)和二極管的工作狀態(tài)有什么不同？,答案：,可控硅的導通是可控的,B、分析下列兩個電路，在開關S接通后又斷開時，燈泡的明暗情況有何不同？（設兩個電路元件參數(shù)完全相同）,答案：,燈亮,燈滅,思考題

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