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文檔簡介
1、太陽電池工作原理,第1部分,目錄,引言太陽能輻射太陽電池結(jié)構(gòu)和工作流程太陽電池的電氣性能,引言,太陽能電池歷史1839年法國實驗物理學者Edmund Bacquerel (Beckerel)產(chǎn)生了光生螺栓效應。1941年,奧爾佳在硅中發(fā)現(xiàn)了光復效應。1954年,柴平(察賓)和卡爾森(卡爾森)等人在貝爾實驗室(Carlson)制作了世界上第一塊光電轉(zhuǎn)換效率為6%的實用硅太陽電池,標志著太陽電池開發(fā)工作的重大進展。引言,1959年出現(xiàn)了第一個光電轉(zhuǎn)換效率為5的多晶硅太陽電池。1960年硅太陽電池發(fā)展首次集成到現(xiàn)有電網(wǎng)中。1975年,制造了美國科學家非晶硅太陽電池。20世紀80年代初,太陽電池開始規(guī)
2、?;a(chǎn)。引言,太陽電池將太陽能量直接轉(zhuǎn)換為電能的半導體器件類型硅太陽電池1)Si太陽電池1)單晶硅2)單晶硅片3)染料敏化電池3)非晶硅薄膜4)多晶硅薄膜,大氣層太陽輻射的影響大氣質(zhì)量太陽光線通過大氣層距離到達地球表面的太陽Junction,太陽電池工作流程光生螺栓效應,太陽電池工作流程光生螺栓效應,細胞,光子吸收,電子空穴對生成。電子空穴對被內(nèi)置電場分離,在PN結(jié)的兩端產(chǎn)生電勢。用導線連接PN結(jié),形成電流。通過在太陽電池的兩端連接負載,可以將光能轉(zhuǎn)換為電能。太陽電池等效電路、太陽電池傳記性能參數(shù)、Isc、Voc、EFF、FF、Isc:電池面積、亮度、溫度、Voc:亮度、溫度帶隙寬度約為1.
3、41.6ev,轉(zhuǎn)化率最高,砷化鎵具有接近最佳值的帶隙寬度。Voc的損失主要在體內(nèi)復合。短路電流損失路徑,表面反射減少程度,通過羊絨和反射電鍍膜將反射速度降低到10%以下。正面電極的印刷遮住大約10%的入射光。電池片比較薄,有些光線直接穿透電池片。但是現(xiàn)在采用前后印鋁漿對牙齒損失大大減弱。半導體的體內(nèi)和表面的復合。串行電阻、硅材料電阻、金屬電極電阻、金屬和硅的接觸電阻、串行電阻、串行電阻表達式:前電極金屬柵格電阻、rc1、RC2分別為前、后金屬半導體接觸電阻、rt為前擴散層的電阻、Rb為基本區(qū)域電阻、RMB為L為柵格線長度w是網(wǎng)格線寬度。對于鋁背場形式的后電極,rsq通常為0.0100.020/
4、??梢杂嬎憬Y(jié)果。串行電阻,金屬半導體接觸電阻:S是硅的介電常數(shù),ND是摻雜濃度。在ND 1019/cm3中,RC主要表現(xiàn)為隧道效應,隨著ND的增加快速下降。在勢壁壘高度為0.6V左右的金屬材料中,硅的摻雜濃度接近1020/cm3時,RC的值約為10-310-4cm2,串行電阻,擴散薄膜電阻(擴散層框電阻)。l電池主焊接電極方向尺寸;w電池細格方向尺寸;m表示細柵格線數(shù)、串行電阻、基準面積阻力:D表示基準厚度,幾乎等于硅基片厚度。地面用太陽電池底座材料電阻率通常為0.5.cm,并行電阻,邊緣漏電(蝕刻不完整,印刷泄漏漿)體內(nèi)雜質(zhì)和微觀缺陷PN結(jié)部分短路(擴散結(jié)太淺,天鵝絨金字塔顆粒太大),填充系數(shù),F(xiàn)F和其他主要參數(shù)關(guān)系:其中填充系數(shù),電池效率,電池電流溫度系數(shù):0.1%電壓溫度系數(shù):-0.4%(-2.3mV/),曲線125曲線235,曲線125曲線235開放電壓可以隨溫度變化很大,一般溫度每升高1,Voc就會降低約0.4%。 填充系數(shù)FF因Voc關(guān)系而隨著溫度的升高而降低。輸出功率和效率隨著溫度的升高而降低。硅的溫度下降1,出口功率下降0.4%0.5%,明度對
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