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1、1,2、邏輯函數(shù)與門網(wǎng)絡(luò),2.3 門電路的基本知識,2,2.3.1 正邏輯與負(fù)邏輯,實現(xiàn)非、與、或邏輯的電路分別稱為:非門、與門、或門 模擬電路(線性,非線性) 數(shù)字電路(開關(guān)) 一般采用半導(dǎo)體器件實現(xiàn) 雙極型晶體管 MOS晶體管,3,雙極型晶體管,晶體管-晶體管邏輯(TTL) 驅(qū)動電流大(74,54 系列) 射集耦合邏輯(ECL) 速度較快 集成注入邏輯(I I L) 不需要制造電阻,集成度較高,4,MOS晶體管(不需要制造電阻,集成度高),N溝道MOS(NMOS) 電流由負(fù)電荷攜帶,適合LSI P溝道MOS(PMOS) 電流由正電荷攜帶,適合LSI 互補(bǔ)對稱MOS(CMOS) 速度慢,驅(qū)動
2、電流小,5,正邏輯與負(fù)邏輯,正邏輯 高電平代表邏輯 1 低電平代表邏輯 0,負(fù)邏輯 低電平代表邏輯 1 高電平代表邏輯 0,6,2.3.2 非門的電路模型,上拉電阻,下拉開關(guān),7,2.3.2 其它門電路模型與非門電路模型,8,或非門電路模型,9,與或非門電路模型,10,2.3.4 門電路的主要技術(shù)要求 2.3.4.1 邏輯電平穩(wěn)定,TTL: H=3V L=0.3V ECL: H=-0.8V L=-1.6V CMOS: H=Vcc L=GND,11,2.3.4.2 功耗小,靜態(tài)功耗 高電平 低電平 瞬態(tài)功耗 頻率,12,電壓: TTL +5V ECL -5V 低功耗器件 3.3V 功耗 CMOS 50納瓦/門 TTL 222毫瓦/門 ECL 2545毫瓦/門,13,2.3.4.2 速度高,14,15,2.3.4.2 抗干擾能力強(qiáng),干擾容限(干擾裕度),16,2.3.4.2 負(fù)載能力強(qiáng),拉電流負(fù)載 灌電流負(fù)載,17,拉電流負(fù)載,18,灌電流負(fù)載,19,電容負(fù)載,20,2.3.5 互補(bǔ)輸出電路結(jié)構(gòu),21,注意:互補(bǔ)輸出電路結(jié)構(gòu)禁止輸出端并聯(lián)使用,扇出系數(shù),22,2.3.6 集成門電路的外部封裝,小規(guī)模集成電路(SSI)系列中,常見的門電路結(jié)構(gòu)有: 六-1輸入結(jié)構(gòu)、四-2輸入結(jié)構(gòu)、 三-3輸入結(jié)構(gòu)、二-4輸入結(jié)構(gòu) 門電路有: 與門、或門、
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