【畢業(yè)學(xué)位論文】（Word原稿）氮化銦鎵與磷化鋁鎵銦面射型半導(dǎo)體雷射光學(xué)特性之研究-光電科技

國(guó)立彰化師范大學(xué)物理研究所 碩士論文 指導(dǎo)教授：郭艷光教授 氮化銦鎵與磷化鋁鎵銦面射型半導(dǎo)體雷射光學(xué)特性之研究 A of 究生：黃旭晴撰 中華民國(guó)九十年七月 I 國(guó)立彰化師范大學(xué)物理研究所 碩士論文 研究生：黃旭晴 氮化銦鎵與磷化鋁鎵銦面射型半導(dǎo)體雷射光學(xué)特性之研究 A of 論文業(yè)經(jīng)審查及口試合格特此證明 論文考試委員會(huì)主席 (黃滿芳 ) 委員： (黃滿芳 ) (黃滿芳 ) 指導(dǎo)教授：郭艷光教授 (黃滿芳 ) 所長(zhǎng)：張惠博主任 (黃滿芳 ) 中華民國(guó)九十年七月 權(quán)書 (博碩士論文 ) 本授權(quán)書所授權(quán)之論文為本人在 彰化師范 大學(xué) (學(xué)院 ) 物理 系所 組 89 學(xué)年度第 2 學(xué)期取得 碩 士學(xué)之論文。 論文名稱： 氮化銦鎵與磷化鋁鎵銦面射型半導(dǎo)體雷射光學(xué)特性之研究 同意 不同意 本人具有著作財(cái)產(chǎn)權(quán)之論文全文資料，授予行政院國(guó)家科學(xué)委員會(huì)科學(xué)技術(shù)資料中心、國(guó)家圖書館及本人畢業(yè)學(xué)校圖書館，得不限地域、時(shí)間與次數(shù)以微縮、光碟或數(shù)位化等各種方式重制后散布發(fā)行或上載網(wǎng)路。本論文為本人向經(jīng) 濟(jì)部智慧財(cái)產(chǎn)局申請(qǐng)專利的附件之一，請(qǐng)將全文資料延后兩年后再公開。 (請(qǐng)注明文號(hào)： ) 同意 不同意 本人具有 著作財(cái)產(chǎn)權(quán)之論文全文資料，授予教育部指定送繳之圖書館及本人畢業(yè)學(xué)校圖書館，為學(xué)術(shù)研究之目的以各種方法重制，或?yàn)樯鲜瞿康脑偈跈?quán)他人以各種方法重制，不限地域與時(shí)間，惟每人一份為限。 上述授權(quán)內(nèi)容均無須訂立讓與及授權(quán)契約書。依本授權(quán)之發(fā)行權(quán)為非專屬性發(fā)行權(quán)利。依本授權(quán)所為之收錄、重制、發(fā)行及學(xué)術(shù)研究利用為無償。上述同意與不同意之欄位若未鉤選，本人同意視同授權(quán)。 指導(dǎo) 教授姓名： 郭艷光 研究生簽名：黃旭晴 學(xué)號(hào)： 8822212 (親筆正楷 ) (務(wù)必填寫 ) 日期：民國(guó) 90年 6月 30日 1. 本授權(quán)書請(qǐng)以黑筆撰寫并影印裝訂于書名頁之次頁。 2. 授權(quán)第一項(xiàng)者，請(qǐng)?jiān)俳徽撐囊槐居璁厴I(yè)學(xué)校承辨人員或徑寄 10606路 1702室國(guó)科會(huì)科學(xué)扳術(shù)資料中心王淑貞。（電話 02 3. 本授 權(quán)書已于民國(guó) 85年 4月 10日送請(qǐng)內(nèi)政部著作權(quán)委員會(huì) (現(xiàn)為 經(jīng) 濟(jì)部智慧財(cái)產(chǎn)局 )修正定稿。 4. 本案依據(jù)教育部國(guó)家圖書館 85)圖編字第 712號(hào)函辨理。 o my my my of I my to my in He is my in He me me to be a to be I to in me to my as my I to of my I am my on my in my me am me am of me me to go me a my I we be a to I am to he me to I am u, a in of he me to my is a me a to up my An - to to to to no it . . . . X . . 1 . 2 . 7 . 11 . . 17 . . 18 of . 20 of . 23 . 42 . on 40. 47 . 49 of . 52 of . 58 . 71 . . 75 . . . 77 . . 82 of .in .ED D. 10 . 10 of . 13 . 19 of BR (a) (b) 22 a) (b) . 29 a) of (b) of . 30 a) of (b) of . 31 in .32 -I of . 32 a) of (b) of . 33 a) of (b) of . 34 a) of 0 m m ( (b) of 0 m m (. 35 a) of of (b) of of 36 a) of (b) of . 37 a) of (b) of . 38 a) of (b) of . 39 a) of (b) of . 40 a) of (b) of . 41 . 51 as a of of in .5 54 5 BR . 54 X of . 55 of BR of BR is 0, 20, 30, 40, 50 0. 61 -I of at . 61 a) is 3.9 (b) is 1.4 .as a of . 63 a) of at an 1.4 of is of (b) of at an 1.4 of is of . 64 of . 65 a) of (b) to of .as a of . 67 as of .67 of 0of I .68 a) of (b) to of .-V of of .of of .70 iC . 8 文摘要 我們利用 用模擬軟體來模擬以磷化鋁鎵銦與氮化鋁鎵銦為材料所成長(zhǎng)的面射型半導(dǎo)體雷射，并設(shè)計(jì)不同的結(jié)構(gòu)以比較其雷射的操作效能。 在磷化鋁鎵銦的面射型雷射方面，我們將波長(zhǎng)鎖定在 670磷化鋁鎵銦做雷射的活性層，然后分別使用砷化物與磷化物來做為雷射的 擬的結(jié)果顯示以砷化物所做的 同樣的對(duì)數(shù)之下會(huì)有比較高的反射率，而且以砷化物作 為 且在同一電流之下，雷射的輸出功率也會(huì)比較大，我們并以此為出發(fā)點(diǎn)，繼而探討不同的 擬所得的結(jié)果是當(dāng)使用 構(gòu)時(shí)，雖然可以降低雷射的下限電流，但是也會(huì)相對(duì)的降低雷射操作時(shí)的 在氮化鋁鎵銦的面射型雷射方面，我們以氮化銦鎵做雷射的活性層，然后用氮化鋁鎵來做為雷射的 雷射的輸出波長(zhǎng)鎖定在440討不同對(duì)數(shù)的 構(gòu)對(duì)雷射操作效能的影響，模擬的結(jié)果顯示當(dāng) 0且使用 與 磷化鋁鎵銦的面射型雷射相反的是氮化鋁鎵銦的面射型雷射使用 n we D) we to of 70 we as of BR is of BR in at we of a in of of 40 we as QW as BR of In we BR In is BR of 0 0 we By we of is in of 1 . is to in so In we an in 2 he is up It in nP As at nP 10m, 55020It is we of to 1. lP is , aP is , nP , 2. By nP be at be lP aP of be P is to is of P, as as x is it an As a it in In x is of is we is In is to in we of P in be to is to is to 3 If we in in be in be of in be of as in we at of it of in it in q. (1): Eg(x)= (1) of eV x is .3 is 90 70 nm if we in of is of in of is as as in is by 7. 4 us in at to It of In if we we of 8 In of us in As is It is of It is of BR we BR in is to is In we BR by to if 5 N=2 N=1 of in 6 7 aN ED 997 10 it in of to is up is to 12 of in is we a to aN It