Rena前后清洗工藝培訓(xùn)教材.ppt

1、Confidential,RENA前后清洗工藝培訓(xùn),Confidential,太陽能電池的種類及效率,前清洗（制絨）,擴散,PECVD SiNx,后清洗（刻邊/去PSG）,絲網(wǎng)印刷 /燒結(jié)/測試,制造太陽能電池的基本工藝流程,RENA清洗設(shè)備 注：前、后清洗設(shè)備外觀相同，內(nèi)部構(gòu)造和作用原理稍有不同,一、RENA Intex前清洗工藝培訓(xùn),制絨的目與原理,根據(jù)工藝方法不同，制絨可分為堿制絨（僅適用于單晶硅制絨）和酸制絨（可用于單晶和多晶硅表面的制絨）。RENA設(shè)備為酸制絨設(shè)備，其目的主要有：,1.去除硅片表面的機械損傷層 2.清除表面油污和金屬雜質(zhì) 3.形成起伏不平的絨面，減少光的反射，增加硅片

2、對太陽光的 吸收，增加PN結(jié)的面積，提高短路電流（Isc），最終提高電 池的光電轉(zhuǎn)換效率。,酸制絨后表面呈蜂窩狀，如下圖所示。,單晶硅片酸制絨絨面形狀,陷光原理圖,當(dāng)入射光入射到一定角度的斜面，光會反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收，從而增加吸收率。,酸制絨工藝涉及的反應(yīng)方程式: HNO3+Si=SiO2+NOx+H2O SiO2+ 4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2SiF6 Si+2KOH+H2O K2SiO3 +2H2 NO2 + H2O = HNO3 + HNO2 Si + HNO2 = SiO2 + NO +H2O HNO3 + NO + H2O = HNO2

3、,前清洗工藝步驟： 制絨堿洗 酸洗吹干,Etch bath,Dryer1,Rinse1,Alkaline Rinse,Rinse2,Acidic Rinse,Rinse3,Dryer2,RENA Intex前清洗設(shè)備的主體分為以下八個槽，此外還有滾輪、排風(fēng)系統(tǒng)、自動及手動補液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。,Etch bath：刻蝕槽，用于制絨。 所用溶液為HF+HNO3，主要工藝參數(shù)： Firstfill volume:480L; Bath processtemperature:7 2 concentrations of chemical:HF(154g/L) 制絨過程中根據(jù)腐蝕深度，可對溫

4、度作適當(dāng)修正。越高的溫度對應(yīng)越快的反應(yīng)速度，故如果腐蝕不夠則可適當(dāng)提高反應(yīng)溫度，反之亦然。一般每0.1 對應(yīng)約0.1m的腐蝕厚度。當(dāng)藥液壽命（Quality）到后，需更換整槽藥液。 刻蝕槽的作用： 1.去除硅片表面的機械損傷層； 2.形成無規(guī)則絨面。,Alkaline Rinse：堿洗槽 。 所用溶液為KOH，主要工藝參數(shù)： Firstfill concentration of chemical:5%; Bath lifetime:250hours; Bath processtemperature:204 當(dāng)藥液壽命（Bath lifetime）到后，需更換整槽藥液。 堿洗槽的作用： 1.洗去

5、硅片表面多孔硅； 2.中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。,Acidic Rinse：酸洗槽 。 所用溶液為HCl+HF，主要工藝參數(shù)： Firstfill concentration of chemical:HCl(10%) Bath processtemperature:20 2 當(dāng)藥液壽命（Bath lifetime）到后，需更換整槽藥液。 酸洗槽的作用： 1.中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液； 2.HF可去除硅片表面氧化層（SiO2），形成疏水表面，便于吹干； 3.HCl中的Cl-有攜帶金屬離子的能力，可以用于去除硅片表面金屬離子。,Rinse 13：水洗槽，水洗槽與槽之間相互聯(lián)通。

6、水洗槽中液面高度Rinse 3Rinse 2 Rinse 1。進水口在Rinse 3處。 Dryer 1和Dryer 2為風(fēng)刀，通過調(diào)節(jié)風(fēng)刀的角度和吹風(fēng)的壓力，使硅片被迅速吹干。,滾輪分三段設(shè)定速度，其中converyor1converyor 2converyor 3，否則前快后慢，易在設(shè)備中因為疊片而造成碎片。滾輪速度（即制絨時間）根據(jù)需要的腐蝕深度來進行設(shè)置，生產(chǎn)過程中可根據(jù)測試結(jié)果來進行滾輪速度修正。一般滾輪速度慢，則反應(yīng)時間增加，腐蝕深度加深，反之亦然。 (注:前清洗速度最好不要超過1.2m/min，速度過快，一方面硅片清洗或吹不干凈，擴散容易出現(xiàn)藍(lán)黑點片；另一方面碎片高，有時碎片會堵

7、住噴淋口，清洗后出現(xiàn)臟片。此外，滾輪速度也不可太慢，否則影響產(chǎn)量。),補液:自動補液：當(dāng)腐蝕深度控制在4.4 0.4m范圍內(nèi)時，硅片的腐蝕重量約為0.3g/片，通過感應(yīng)器計數(shù)，當(dāng)跑片達(dá)到一定量時，機器自動對刻蝕槽進行補液,其中HF量為0.050.005kg、 HNO3量為0.050.005kg。手動補液：根據(jù)實際硅片的腐蝕情況，有時需要進行手動補液。通常每次補液量如下：Replenishment Etch bath: HF 9.000L HNO3 6.000LReplenishment Alkaline: KOH 2.000LReplenishment Acidic: HCl 4.000L H

8、F 2.000L 也可根據(jù)實際情況減少或增加手動補液量。但用量比例按照上述之比例 ，補藥過程一般不建議加入DI water。,當(dāng)腐蝕深度不夠時，只對Etch bath進行手動補液。當(dāng)硅片表面有大量酸殘留，形成大面積黃斑時，需要對KOH 進行手動補液。當(dāng)硅片經(jīng)過風(fēng)刀吹不干，則可能硅片表面氧化層未被洗凈，此時可適當(dāng)補充酸。,前清洗補液原則,每批次抽取4片樣品，測量腐蝕前后的質(zhì)量差，然后根據(jù)公式可獲得腐蝕深度，125單晶要求控制腐蝕深度在4.4 0.4m ,同時制絨后的硅片反射率要求控制在21%24%之間。,刻蝕深度與電性能間的關(guān)系,SPC控制,設(shè)備的日常維護主要是濾芯的更換；視硅片清洗后的質(zhì)量排查

9、可能的設(shè)備原因，調(diào)整噴淋和風(fēng)刀的角度和強度；藥液壽命到后換藥過程中清洗酸堿槽，以及清理滾輪和各槽中碎片。 需要注意的是堿槽的噴嘴角度和流量需要控制好，否則堿液易噴至Rinse1中，而Rinse1中洗下的酸液和上述堿液易在該槽中生成鹽，使該處的濾芯很快被堵住而失效。,前清洗工序工藝要求,片子表面5S控制 不容許用手摸片子的表片，要勤換手套，避免擴散后出現(xiàn)臟片。 稱重 1.每批片子的腐蝕深度都要檢測，不允許編造數(shù)據(jù)，搞混批次等。 2.要求每批測量4片。 3.放測量片時，把握均衡原則。如第一批放在1.3.5.7道，下一批則放在2.4.6.8道，便于檢測設(shè)備穩(wěn)定性以及溶液的均勻性。 刻蝕槽液面的注意事

10、項： 正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過程中顏色改變，立即通知工藝人員。,產(chǎn)線上沒有充足的片源時，工藝要求: 1.停機1小時以上，要將刻蝕槽的藥液排到tank，減少藥液的揮發(fā)。 2.停機15分鐘以上要用水槍沖洗堿槽噴淋及風(fēng)刀，以防酸堿形成的結(jié)晶鹽堵塞噴淋口及風(fēng)刀。 3.停機1h以上，要跑假片，至少一批（400片）且要在生產(chǎn)前半小時用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾輪，杜絕制絨后的片子有滾輪印。 前清洗到擴散的產(chǎn)品時間: 最長不能超過4小時,時間過長硅片會污染氧化，到擴散污染爐管,從 而影響后面的電性能及效率,Confidential,工藝衛(wèi)生,Confidential,二、RENA InOxSide

11、后清洗工藝培訓(xùn),擴散過程中，雖然采用背靠背擴散，硅片的邊緣將不可避免地擴散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。 同時，由于在擴散過程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化硅，在高溫下POCl3與O2形成的P2O5，部分P原子進入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半導(dǎo)體，部分則留在了SiO2中形成PSG。 后清洗的目的就是進行濕法刻蝕和去除PSG。,后清洗的目與原理,濕法刻蝕原理: 利用HNO3和HF的混合液體對擴散后硅片下表面和邊緣進行腐蝕,去除邊緣的N型硅,使得硅片的上下表面相互絕緣。,邊緣刻蝕原理反應(yīng)方程式

12、： 3Si + 4HNO3+18HF =3H2 SiF6 + 4NO2 + 8H2O,等效電路,刻蝕中容易產(chǎn)生的問題及檢測方法： 1.刻蝕不足：邊緣漏電，Rsh下降，嚴(yán)重可導(dǎo)致失效 檢測方法：測絕緣電阻 2.過刻：正面金屬柵線與P型硅接觸，造成短路 檢測方法：稱重及目測,SPC控制：當(dāng)硅片從設(shè)備中流轉(zhuǎn)出來時，工藝需檢查硅片表面狀態(tài)，絨面無明顯斑跡，無藥液殘留。125單晶該工序產(chǎn)品單要求面腐蝕深度控制在0.81.6m范圍之內(nèi),且硅片表面刻蝕寬度不超過2mm, 同時需要保證刻蝕邊緣絕緣電阻大于1K歐姆。,去除磷硅玻璃的目的： 1) 磷硅玻璃的存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導(dǎo)致電流的降低和功率的

13、衰減。 2) 死層的存在大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復(fù)合，會導(dǎo)致少子壽命的降低，進而降低了Voc和Isc。 3) 磷硅玻璃的存在使得PECVD后產(chǎn)生色差。,去PSG原理方程式： SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2SiF6 SiO2+ 6HF=H2SiF6+2H2O 去PSG工序檢驗方法： 當(dāng)硅片從HF槽出來時，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃未被去除干凈，可在HF槽中適當(dāng)補些HF。,后清洗工藝步驟： 邊緣刻蝕堿洗 酸洗吹干,RENA InOxSide后清洗設(shè)備的主體分為以下七個槽，此外還有滾輪、排風(fēng)系統(tǒng)、自動及手動補

14、液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。,Etch bath,Rinse1,Alkaline Rinse,Rinse2,HF bath,Rinse3,Dryer2,Etch bath：刻蝕槽，用于邊緣刻蝕。 所用溶液為HF+HNO3+H2SO4，主要工藝參數(shù)： Firstfill volume:270.0L; Firstfill volume H2SO4 :80.0L; concentrations of chemical:HF(35g/L) Bath processtemperature:72 注意擴散面須向上放置， H2SO4的作用主要是增大液體浮力，使硅片很好的浮于反應(yīng)液上（僅上邊緣2mm左右

15、和下表面與液體接觸）。 根據(jù)刻蝕情況，可對溫度作適當(dāng)?shù)男拚?。越高的溫度對?yīng)越快的反應(yīng)速度，故如果刻蝕不夠則可適當(dāng)提高反應(yīng)溫度，反之亦然。當(dāng)藥液壽命（Quality）到后，需更換整槽藥液。 刻蝕槽的作用： 邊緣刻蝕，除去邊緣PN結(jié)，使電流朝同一方向流動。,Alkaline Rinse：堿洗槽 。 所用溶液為KOH，主要工藝參數(shù)： Firstfill concentration of chemical:5%; Bath lifetime:250hours; Bath processtemperature:224 當(dāng)藥液壽命（ Bath lifetime ）到后，需更換整槽藥液。 堿洗槽的作用： 1

16、.洗去硅片表面多孔硅； 2.中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。,HF Bath：HF酸槽 。 所用溶液為HF，主要工藝參數(shù)： Firstfill concentration of chemical: HF(5%); Bath ifetime:250hours; Bath processtemperature:22 4 當(dāng)藥液壽命（ Bath lifetime ）到后，需更換整槽藥液。 HF酸槽的作用： 1.中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液； 2.去PSG,Rinse 13為水洗槽； Dryer 2為風(fēng)刀； 滾輪分三段設(shè)定速度，可根據(jù)實際情況對滾輪速度進行修正。 基本的工藝調(diào)整原則、設(shè)備維護

17、內(nèi)容，注意事項都同于前清洗設(shè)備。,補液:自動補液：當(dāng)單面刻蝕深度在0.8 1.6m范圍內(nèi)時，硅片的腐蝕重量約0.05g/片，通過感應(yīng)器計數(shù)，當(dāng)跑片達(dá)到一定量時，機器自動對刻蝕槽進行補液,其中HF量為0.025kg、 HNO3量為0.025kg。手動補液：根據(jù)實際硅片的腐蝕情況，有時需要進行手動補液。每次補液量如下：Replenishment Etch bath: HF 1.000L HNO3 3.000L H2SO4 3.000LReplenishment Alkaline: KOH 2.000LReplenishment Acidic: HF 2.000L,當(dāng)刻蝕深度不夠時，只對Etch b

18、ath進行手動補液，補液量根據(jù)實際腐蝕情況確定，但一般情況下補液過程不建議加硫酸和去離子水（加硫酸易導(dǎo)致刻蝕槽溫度升高，刻蝕后硅片邊緣發(fā)黑）。當(dāng)硅片表面有大量酸殘留，形成大面積黃斑，或者硅片邊緣發(fā)黑時，需要對KOH 進行手動補液。當(dāng)硅片經(jīng)過風(fēng)刀吹不干，則可能硅片表面PSG未被洗凈，此時可適當(dāng)補充HF酸。,后清洗補液原則,后清洗工序工藝要求,后清洗出來的片子，不允許用手摸片子的表面。收片員工只允許接觸片子的邊緣進行裝片。并且要勤換手套，避免PECVD后出現(xiàn)臟片！ 每批片子的腐蝕重量和絕緣電阻都要檢測。 1.要求每批測量4片。 2.每次放測量片時，把握均衡原則。如第一批把測試片放1.3.5.7道，

19、下一批則放2.4.6.8道，便于監(jiān)控設(shè)備穩(wěn)定性和溶液的均勻性。 生產(chǎn)沒有充足的片子時，工藝要求： 1.如果有1小時以上的停機，要將刻蝕槽的藥液排到tank，減少藥液的揮發(fā)。 2.停機后15分鐘用水槍沖洗堿槽噴淋及風(fēng)刀，防止酸堿形成的結(jié)晶鹽堵塞噴淋口及風(fēng)刀。 3.停機1小時以上，要在開啟機器生產(chǎn)前半小時用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾輪，杜絕做出來的片子有滾輪?。?后清洗到PECVD的產(chǎn)品時間最長不能超過4小時,時間過長硅片會污染氧化，從 而影響產(chǎn)品的電性能及效率. 刻蝕槽液面的注意事項： 正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過程中顏色改變，立即通知工藝人員。,三、前后清洗吹不干排查流程,片子表面有水珠

20、吹不干處理步驟流程圖：,表面有水吹不干,設(shè)備檢查各槽噴淋和濾芯 工藝檢查藥液質(zhì)量,設(shè)備人員檢查風(fēng)刀 察看外圍氣壓,向酸槽中添加少量HF,對切確認(rèn)是否為來料問題,向GP廠家的工程師 進行求助,片子表面和邊緣有嚴(yán)重水珠的片子要求全部進行返工處理，即使晾干后也不能下傳，仍然會在擴散造成不良。 邊緣有輕微水珠（直徑小于1mm）的片子可以在充分晾干后可以進行下傳。 表面（包括制絨面和非制絨面）除邊緣外有輕微水珠的片子不允許下傳，要進行返工處理。,各種吹不干的片子處理方法：,注：吹不干的片子具體返工方法詳見作業(yè)指導(dǎo)書中的各工序不良片返工處理流程。,四、前后清洗十項影響效率、 良率(或特定電參數(shù))的原因,A

21、.片源不同 這里提到的片源差異包括多晶硅料的不同（鍋底料、邊皮料、金屬硅、復(fù)拉料、重?fù)诫s等等）以及晶體大小不同（微晶片等），對于前清洗，片源不同，腐蝕量、腐蝕速率和形成的絨面結(jié)構(gòu)都會不同，短路電流將受到重大影響，其他電性能也會受到一定程度的影響。后清洗雙向切割片的線痕過大會造成過刻等。 預(yù)防措施： 1集中投片配合工藝對藥液的調(diào)節(jié) 2每批產(chǎn)品測量刻蝕重量是有超規(guī)范,B.藥液濃度的穩(wěn)定性 包括藥液補加量的準(zhǔn)確程度，藥液的揮發(fā)，工藝參數(shù)的設(shè)置等。 預(yù)防措施： 1.設(shè)備帶料不生產(chǎn)時把藥液排到TANK槽中 2.控制穩(wěn)定的溫度 3.測量硅片反射率是否超規(guī)范 4.每批產(chǎn)品測量刻蝕重量是有超規(guī)范 5.希望設(shè)備

22、端給設(shè)備安裝實際測量藥液補加的測量器,C.溫度的波動 溫度直接影響片子與藥液反應(yīng)的程度，其波動的大小和波動的周期直接影響批內(nèi)和批次間腐蝕量和刻蝕量的不同，進而導(dǎo)致電性能的波動。 預(yù)防措施： 1.設(shè)備定期檢查cool是否正常 2.設(shè)備端進行溫度SPC監(jiān)控 3.工藝每天檢查溫度趨勢 4.測量硅片反射率是否超規(guī)范 5.每批產(chǎn)品測量刻蝕重量是有超規(guī)范,D.設(shè)備噴淋的異常 噴淋的異常會導(dǎo)致藥液殘留和一些反應(yīng)不能正常進行，進而出現(xiàn)臟片。 預(yù)防措施： 1.設(shè)備每次做完P(guān)M時調(diào)整好噴淋角度，并用假片檢查硅 片是否有臟片。 2.生產(chǎn)每兩小時檢查設(shè)備是否有碎片卡在滾輪中，堵住噴 淋口 3.蓋擋板時須輕放，避面擋板

23、打偏噴淋口 4.對于堿槽，當(dāng)設(shè)備待料超過10分鐘時必須沖洗噴淋及風(fēng)刀,E.過刻的異常 后清洗造成過刻，鍍膜后黑邊，且造成短路，從而影響效率及良率 預(yù)防措施： 1.調(diào)節(jié)排風(fēng)或降低流量或提高速度 2.設(shè)備端安裝排風(fēng)監(jiān)控表，并每天檢查 3.滾輪或槽體擋板變形，需調(diào)整滾輪或擋板 4.藥液濃度異常，需調(diào)節(jié)濃度 5.希望設(shè)備端給設(shè)備安裝實際測量藥液補加的測量器,F.設(shè)備滾輪的變形異常 導(dǎo)致碎片、腐蝕不均、過刻、硅片沾不到液等，最終影響效率 預(yù)防措施： 1.設(shè)備PM時定期檢查 2.工藝及時反饋刻蝕狀況,G.設(shè)備PM徹底性和細(xì)化 PM進行的徹底到位可以保證生產(chǎn)的正常進行，如濾芯的清洗，清洗不好，可能導(dǎo)致水不干

24、凈，造成水痕臟片等；碎片清理不徹底可能導(dǎo)致碎片流入藥液管道造成藥液流量降低，滴定閥堵塞漏酸，造成臟片等。 預(yù)防措施： 1.要求設(shè)備PM之前必須沖洗各個槽滾輪，且在PM后工藝端檢查是否做到位，看碎片是否清洗干凈，滾輪是否安裝好等,H.測量儀器的短缺 測量儀器的短缺會造成測量不能及時進行，產(chǎn)品質(zhì)量不能保證，甚至導(dǎo)致生產(chǎn)大量不良片后才發(fā)現(xiàn)。至少保證每兩臺機器有一臺測量儀器（電子天平和絕緣電阻測試儀）。 預(yù)防措施： 1.設(shè)備定期檢查測量儀器是否完好，準(zhǔn)確 2.校正部門應(yīng)定期校正測量儀器 3.應(yīng)給每臺設(shè)備配備測量儀器,I.工藝規(guī)定和要求執(zhí)行的不徹底 1.主要包括新?lián)Q藥液后和待機一段時間后跑假片，假片跑不

25、夠，就會出現(xiàn)滾輪影或刻蝕量不夠； 2.片源不足時集中投放，不然前清洗容易出現(xiàn)刻蝕量不均勻，后清洗容易出現(xiàn)過刻； 3.清洗后的片子放置時間控制，硅片表面氧化，影響后面效率良率； 4.待料時滾輪不及時沖洗，容易出現(xiàn)堿槽噴淋風(fēng)刀鹽結(jié)晶堵塞，導(dǎo)致出現(xiàn)臟片和 水洗1槽濾芯鹽結(jié)晶堵塞，出現(xiàn)流量低，從而出現(xiàn)臟片等。 預(yù)防措施： 1.培訓(xùn)員工了解工藝規(guī)范 2.建立考核制度 3.工藝設(shè)備加強檢查生產(chǎn)的執(zhí)行情況,J.員工的操作不當(dāng)、質(zhì)量意識欠缺以及作業(yè)區(qū)5S執(zhí)行狀況 主要表現(xiàn)為片子放反，出現(xiàn)不良時不能及時發(fā)現(xiàn)隔離并通知工藝和設(shè)備，減少不良產(chǎn)生等。手套，片盒，桌面，機臺等衛(wèi)生狀況都會影響產(chǎn)品質(zhì)量。 預(yù)防措施： 1.

26、培訓(xùn)員工了解工藝規(guī)范及5S規(guī)范 2.建立考核制度 3.5S、工藝、設(shè)備加強檢查生產(chǎn)的執(zhí)行情況,五、前后清洗換藥規(guī)程,前清洗換藥規(guī)程,1、更換刻蝕槽藥液,主界面依次點擊stopMode Manual停機并將機器切換成手動操作模式。,主界面,點擊Manual進入手動換藥界面(程序默認(rèn)為刻蝕槽換藥界面),刻蝕槽換藥界面,滾輪控制界面,點擊F11回到刻蝕槽換藥界面。 點擊System draining排去Bath槽和tank槽的藥液。排藥過程用水槍沖洗刻蝕槽槽蓋，滾輪。沖洗好后將槽蓋關(guān)閉。沖洗過程中穿戴好防護用具，注意安全。 待圖標(biāo)顯示Empty(黃色)，點擊PT Filling DI加水清洗。 待P

27、repping cabinet顯示Full DI時，點擊Fill bath將水打入bath槽。 待bath槽顯示Full DI時，循環(huán)2min清洗。 點擊System draining排水。待圖標(biāo)顯示Empty(黃色)，排水完畢，清洗結(jié)束。,重復(fù)上述清洗步驟。清洗次數(shù)依據(jù)實際情況調(diào)整，一般為2次。 點擊PT Filling Chemie向tank槽添加藥液。若加藥過程外圍藥液量不夠報警，通知外圍換藥。待外圍換藥結(jié)束，確認(rèn)無報警信息后點擊PT Filling Chemie繼續(xù)加藥。 待Prepping cabinet顯示Full Chemie時，點擊Fill bath將藥液打入bath槽。 待bath槽顯示Full Chemie時，依次點擊F11Drivers進入滾輪控制界面，依次點擊All conveyorsStop關(guān)閉滾輪。 按F10返回主界面。 依次點擊Mode AutoStart開啟機器。,2、更換堿槽藥液,主界面依次點擊stopMode Manual停機并將機器切換成手動操作模式 點擊Manual進入手動換藥界面(程序默認(rèn)為刻