IRF540中文數(shù)據(jù)手冊(cè)要點(diǎn)

1、IRF540中文數(shù)據(jù)手冊(cè)要點(diǎn)IRF540 N 溝道 MOS 管特性SYMBOLQU ICK REF ERENCE DATAVD55 = 100 VI- = 23 A 了7 mQ Thrench 工藝低的導(dǎo)通內(nèi)阻快速開關(guān) 低熱敏電阻綜述使用溝渠工藝封裝的 N通道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)功率 晶體管應(yīng)用：DC到DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源電視及電腦顯示器電源IRF540 中提供的是SOT78(TO220AB) 常規(guī)鉛的包裹。IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安裝的包裹。管腳管腳描述1Gate2Drain3SourceTabDrainHb J (V:I 3HSOT7B (TO220AB)極限值系統(tǒng)絕對(duì)

2、最大值依照限制值符號(hào)參數(shù)條件最小值最大值單位V_DSS漏源極電壓Tj= 25 ?C to 175 ?C-100VV_DGR漏門極電壓Tj = 25 ?C to 175 ?C;-100VV_GS門源極電壓RGS = 20 k ?-士 20VI_D連續(xù)漏電流-23ATmb = 25 ?C; VGS = 10 V-16AI_DM脈沖漏電流Tmb = 100 ?C; VGS = 10 V-92AP_D總功耗Tmb = 25 ?C-100WTj , Tsig操作點(diǎn)和存儲(chǔ)溫度Tmb = 25 ?C-55175C雪崩能量極限值符號(hào)參數(shù)條件最小值最大值單位Eas1 AS非重復(fù)性Un clamped in du

3、ctive load, IAS = 10 A;-230mJ雪崩 能量 最大tp = 350 s;Tj prior to avala nche = 25?C;VDD 25 V; RGS23A非重 復(fù)性 雪崩 電流=50 ?; VGS = 10 V; refer to fig:14熱敏電阻付號(hào)參數(shù)條件最 小 值典型值最大值單位Rthj mbRthj a1安裝底座交界處的熱阻 周圍環(huán)境熱阻SOT78 封裝，自由空 間SOT404 封 裝，PCB上-60501.5K/WK/WK/W電特性25 C除非另有說(shuō)明符參數(shù)條件典單位1 | 號(hào)1 1小 值/、 型 值大值V(BR) DSSVgS(TO)RDS(O

4、N)g fs1 GSS1 DSS漏 源 極 朋 潰 電 壓門 閥 電 壓漏 源 極Vgs=0V ； iD=0.25mATj = - 55?CVds = Vgs； ID = 1 mATj = 17 5?CTj = - 55?CVgs = 10 V； ID = 17 ATj = 17 5?CVds =25V; Id = 17AVgs=20 V;Vds=0Vvds = 100 V; vgs = 0VVDS=80V;VGS=0V;Tj=仃5?C10089218.7 S 61124677930010!50VVVVV mQ mQS nA uA uA導(dǎo) 通 電阻向前 跨導(dǎo) 門源 極泄 漏電 流0門極電 壓漏

5、 電流Qg(tot)總ID = 17 A-65nCQgs共VDD = 80 V;-10nCQgd門 極 電 荷 門VGS = 10V29nC源 極 電荷 門 漏 極 電 荷Td on開Vdd = 50 V； Rd=2.2 ?;-8-nsTr啟Vdd = 10 V； Rg :=5.6 ?-39-nsTd offTf延 遲 時(shí) 間 開 啟 上 沿 時(shí) 間 關(guān)Resistive load2624nsns閉 延 遲時(shí) 間 關(guān) 閉 下 沿 時(shí) 間LdLd內(nèi) 部 漏Measured tab to centre of dieMeasured from drain lead-3.54.5-nHnHLs電 感

6、內(nèi) 部 漏 電 感to centre of die package only) Measured from lead to source bond pad(SOT78 source7.5nH內(nèi) 部 源極 電 感CiSS輸Vgs = 0 V； Vds= 25 V; f = 1-8901187pFCoSS入MHz-139167pFCrSS電 容 輸 出 電 容 反 饋 電 容83109pF反向二極管極限值及特性符號(hào)參數(shù)條件最 小 值典型值最大值單位I S1 SMVDS連 續(xù) 源 極 電 流If=28A ;Vgs =0V-0.9423921.5AAV脈 沖 源 極 電 流極 管 正 向電 壓trr反

7、# = 17A; Vgs=0V;-61-nsQrr向恢復(fù)之間 反向恢復(fù)命令-d iF/dt=100A/us; Vr=25V200nCNormalised Power Derating, PD (%)Fig. 1. Normalised power dissipation. PD% = 100PD/PD25V=f(T)底座溫度-自然功率降低百分比圖1：自然功率損耗0255075100125150175Mounting Base temperature, Tmb (C|Fig.2. Normalised continuous drain current. Q% 二 100川口站七=（仃趾）；con

8、ditions:3 7。底座溫度-漏電流降低百分比圖2 :自然持續(xù)漏電流Fig. 3. Safe operating area. Tmb = 25 C Id & IDm = f(VDs)； d sing/ P山so: parameter tD漏源極電壓 -脈沖漏極電流峰值n Transient thermalmpedance, Zth 卜mbD = 0.50.2:圖3 :安全操作區(qū)域；02 二Singhktp)=tp/T4fT歸5壬；二? 0.02+|f-= 丄n I single pulse ii iTfii j ii1E-061E-051E-04IE-031E-O21E-O11E+00Pu

9、lse width, tp (s)味寬Fig4 Transient thermal impedance,召卜咖=F;parameter D = t/T脈寬-瞬態(tài)熱阻抗圖4:瞬態(tài)熱阻抗Fig5 Typical output characteristiGS, T - 25 CId = f(VDS)漏源極電壓-漏極電流圖5:典型輸出特性Drein-SOLrce On Resistance, RDS(on) (Ohms)Fig. 6. Typical on-state resistance, 7 = 25 C DS(ON) = FQd)漏極電流-漏源極導(dǎo)通阻抗圖6:典型導(dǎo)通阻抗Fig. Z Typic

10、al transfer characteristics-Id = f(Vss)圖7:典型傳遞特性圖&典型跨導(dǎo)Normalised Onstate ResistanceFig .9. Normalised drain-source on-state resistance.DS(O/DS(ON)25 C 億丿圖9: 漏源極導(dǎo)通阻抗Threshold V口Itaga, VGS(TO) (V)A -nnaxiirl%彩-f f一 j1 7num-J . 3q - 一,(VDical _Lrr*、厶寸7 -1mininAnum計(jì)斗-0j -1 2 J* 1A -U.30-60-40*2002040 E0

11、 80100 120 140 160 180Junction Tomporaturo, Tj (C|Fig. 10. Gate threshold voltage.gs(to)= conditions: iD = 1 mA; VDS = VGS圖10:門閥電壓Fig. 11. Sub-threshold drain current. Id = fW conditions: 7； = 25 C: VD3 = %圖11: 閾漏極電流Capacitancae. Oise, Coes, Cre宮(pF)Fig. 12, Typical capacitances, C*C = f(VDS); conditions: VGS = OV; f = 1 MHz圖12:典型電容值Sdurte-Drain Voltage, VSDS (V)Fig. 13. Typical reverse diode current lF = f(VSDS); conditions:論込=0 V; parameter TVfis =Q V7廠1/i175 (r /r丄Ti =?5f/Jjr/F/17*-J/