模電知識總結(jié)

1、第一章半導(dǎo)體二極管 一 . 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識1. 半導(dǎo)體 - 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)（ 如硅Si 、鍺 Ge）。2. 特性 - 光敏、熱敏和摻雜特性。3. 本征半導(dǎo)體 純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4. 兩種載流子 帶有正、 負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5. 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P 型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素 （多 子是空穴，少子是電子） 。*N 型半導(dǎo)體 : 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素 （多子是電子，少子是空穴） 。6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性* 載流子的濃度 - 多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，

2、 少子濃度與 溫度有關(guān)。*體電阻 - 通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。* 轉(zhuǎn)型 - 通過改變摻雜濃度， 一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為 另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7. PN 結(jié)* PN結(jié)的接觸電位差-硅材料約為0.60.8V，鍺材料約為0.20.3V。* PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?正偏導(dǎo)通，反偏截止。8. PN結(jié)的伏安特性L WmA/亞向特性反向特社Ckh 血FV二. 半導(dǎo)體二極管*單向?qū)щ娦哉驅(qū)?，反向截止?二極管伏安特性-同PN結(jié)。*正向?qū)▔航?硅管0.60.7V，鍺管0.20.3V*死區(qū)電壓 硅管0.5V，鍺管0.1V。3. 分析方法 將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高 低：若V陽V陰（正

3、偏），二極管導(dǎo)通（短路）；若V陽V陰（反偏），二極管截止（開路）。1）圖解分析法up -該式與伏安特性曲線的交點叫靜態(tài)工作點 Q直流等效電路法總的解題手段-將二極管斷開，分析二極管兩端電位的 高低:若V陽V陰（正偏），二極管導(dǎo)通（短路）；若V陽V陰（反偏），二極管截止（開路） 三種模型（C）折線越型?微變等效電路法三. 穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓二極管的特性-正常工作時處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接第二章三極管及其基本放大電路一. 三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點1. 類型-分為NPN和PNP兩種。2. 特點-基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很 高，與基區(qū)接觸面積較小

4、；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積 較大。二. 三極管的工作原理1.三極管的三種基本組態(tài)関共發(fā)射扱釦態(tài)血）從集電極紐態(tài)4）11壟極細態(tài)2. 三極管內(nèi)各極電流的分配C Zcn + 広 BO4=価+d=/b + /c共發(fā)射極電流放大系數(shù) （表明三極管是電流控制器件/( Vx UcEQ )時，受截止失真限制，UOp=2Uma=2I cQF. o(b)輸岀特牡韶解茯(ft)惋入持忡旳斛泄當(dāng)(UCeQ UCeS) BRc。2.放大電路的動態(tài)分析放大倍數(shù)R、+ 氣 rbci輸入電阻切如+wm=陥m.1 .靜態(tài)分析碰定丁作點放人器作點共射等效電路法f rCEQ 宙 CC * CQ（c 十忑）w ft淹訕躋

5、輸出電阻Ur幾=卄譏* T七. 分壓式穩(wěn)定工放大電路的Ce后徴變竽效葩踰2. 動態(tài)分析 *電壓放大倍數(shù):工 呱-TU * 5珂小十叭在Fe兩端并一電解電容3 兒空屯極城本放大血路o + T4e2 .動態(tài)* 電壓Cb） H參歡導(dǎo)效也殆分析放大倍數(shù)輸入電阻氣=禺1網(wǎng)加心1川+0 + /0施1在Fe兩端并一電解電容Ce后盡=RgRb2尸b*輸出電阻/嶺0出/和 Xi2. 輸出特性曲線（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、區(qū)、擊穿區(qū)）VI轉(zhuǎn)移特性曲線絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFE）分為增強型（EMOS和耗盡型（DMOS兩種結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號UP -截止電壓* p5-4-1Cb）軻核特性2.特性曲線*N-EMOS的輸出

6、特性曲線0Cfl）增強型輸出特性2 V 4V ftfcs/vchi增強型轉(zhuǎn)移特性rp = /do-1）2 （山倚 t；T）f T（a） FMOSffi構(gòu)技電辦符兮（b） DWZ姑腳及電館符9:F IMUiNEMOSNDMCjy-4HgsV /Ilr 商 -IV ；y 窪r /炮利性-2vz-心0嚴止瞇輸出特件* N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，I do是UGs=2UT時所對應(yīng)的i d值* N-DMOS的輸出特性曲線注意：UGS可正、可零、可負。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場效應(yīng)管一致。三.場效應(yīng)管的主要參數(shù)1. 漏極飽和電流IDSS2. 夾斷電壓U3. 開啟電

7、壓UT4. 直流輸入電阻FGs%m _ EgS場效応管微查悸效電路5低頻跨導(dǎo)gm （表明場效應(yīng)管是電壓控制器件）四.場效應(yīng)管的小信號等效模型 Ink pE pE-MOS 的 跨 導(dǎo)gm五.共源極基本放大電路3原理電路1.自偏壓式偏置放大電路靜態(tài)分析&GSQ =-DQ%f DSQ DD *DQ（d +心）動態(tài)分析o _ 眾 i I若帶有CS，則2渝酹冷=代冀RpRdCe)微變筲效電路(ft原理電略2.分壓式偏置放大電路*靜態(tài)分析=dss（1-7-）：hR/D9 =/DO（-LpC LDSQ = J DDDQ（ g + 比）動態(tài)分析幾久丄十編鳥若源極帶有CS，則 甘=/tg-Kgj /ZffRq(

8、c)微變等效電路六.共漏極基本放大電路*靜態(tài)分析GSQ一Gddq 比 悩+悩 QxLjjpVTCt 占rAjq =jdss U PI、#DQ或DSQ = 1 DD DQS*動態(tài)分析j - a_ _ 珀_亍十碰Ri =Rg+Rgi/?g2心=yL = /?s題目：69 頁 1.3、1.4、1.5、1.6、191.10、1.1193 頁例 2.3.1 、 141 頁 2.2、 2.6、 2.7、 2.9 、 2.10、 2.11 、 2.13 、 1.14、 2.15、 1.16 、 2.17、 2.18 第三章3.1了解什么是直接耦合，阻容耦合，變壓器耦合，光電耦合3.2掌握習(xí)題3.23.33.

9、43.53.63.73.83.11第四章4.2 掌握各種電流源電路了解什么是雙極型，單極型集成運4.3放習(xí)題4.34.44.54.74.114.12第五章沒有復(fù)雜的計算題 重點是基礎(chǔ)概念把自測題和作業(yè)題的前 七題看看，還有十，十二題 高通電路：因為有旁路和耦合電容 有下限截止頻率 相位大 于零 P222低通電路：極間電容 有上限截止頻率 相位小于零 P223 讀波特圖：上下限截止頻率 拐點個數(shù) 斜率 中品放大倍數(shù) 級數(shù)（貌似不考多級的） 級數(shù)越多下限截止頻率越高上限截止頻率越低帶寬越窄 增 益越大帶寬越窄第六章1. 反饋的概念，使凈輸入量增大的為正反饋 ，減小的為負 反饋，對于分立元件則是看電

10、壓差是增大還是減小直流 交流反饋的作用（主要研究交流反饋）習(xí)題6.1 （5）P2922. 判斷有無反饋 何種反饋（瞬時極性法） 反饋量僅取決于輸出量與輸入量無關(guān) 要能找出反饋網(wǎng)絡(luò)3. 四種反饋：負反饋只有電壓串和電流并穩(wěn)定電壓是電壓反饋 穩(wěn)定電流是電流反饋 反饋與輸入在 同一段是并聯(lián) 反之串聯(lián)串聯(lián)反饋增大輸入電阻 并聯(lián)減小輸入電阻 電壓反饋減小輸出電阻 電流增大輸出電阻 將輸出電壓接地如果反饋還在是電流反饋 不在是電壓反饋 反饋量以電壓的方式疊加是串聯(lián)反饋 以電流的方式疊加是 并聯(lián)反饋負反饋使得頻帶變寬 放大倍數(shù)減小 放大倍數(shù)穩(wěn)定4. 基本概念： 放大倍數(shù) 反饋系數(shù) 閉環(huán)放大倍數(shù)等概念 P27

11、1 閉環(huán)放大倍數(shù)的一般表達式 P273 自激振蕩的條件（絕大多數(shù)尤其是集成運放都滿足1+AF 1此時閉環(huán)放大倍數(shù)等于反饋系數(shù)的倒數(shù)） 判斷電路能否產(chǎn) 生自激振蕩1+AF1 是深度負反饋的條件 深度負反饋的四種電路放大倍 數(shù)（感覺出的可能性應(yīng)該不大）5. 虛短虛斷的概念 虛短只在線性區(qū)存在，虛斷在任何時刻都存在 有可能會出閉環(huán)放大倍數(shù)和開環(huán)放大倍數(shù)的題 ，有可能就 是老師說的實驗的那道題（猜的） 這章概念性的東西比較多應(yīng)該多看看自測題和習(xí)題的前十 道， P296 的判斷方法 P292 的例題 P278 279 283 的幾道例 題 第七章1. 比例運算電路，加減運算電路，積分微分運算電路，對數(shù)

12、指數(shù)運算電路，這些都是要掌握的，不用死記，最好理解。 模擬乘法器重點是懂得怎樣應(yīng)用 P353 到 P3562. 低通濾波器是重點，要理解推導(dǎo)過程，結(jié)論盡量記住。 了解其他濾波器，最好記住電路圖，了解高通，帶通，帶阻 老師畫的作業(yè)題都盡量再做一遍吧 第八章1. 正弦波震蕩電路：判斷是否能產(chǎn)生自激振蕩，不對的怎樣 改正電感，電容反饋式震蕩電路2. 電壓比較器：3 種類型識別，判斷傳輸特性，電壓比較器的設(shè)計3 矩形波，三角波發(fā)生電路4. 電壓，頻率轉(zhuǎn)換電路習(xí)題 4, ， 9,10,14,17,18,23. 第九章知道概念：晶體管的甲類，乙類和甲乙類工作狀態(tài)，最大 輸出功率，轉(zhuǎn)換效率 9,2 要掌握，會算效率，最大管壓降，最大輸出功率。把