激光燒蝕法制備一維納米線解析

1、激光燒蝕法制備一維納米線一、激光燒蝕:一維納米材料是在碳納米管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的 ,各種新穎的一維納米材料相繼被發(fā)現(xiàn)。一維納 米結(jié)構(gòu)具有的許多獨(dú)特性能不僅為人們研究材料 的電子、光學(xué)、輸運(yùn)性質(zhì)、機(jī)械等性能與量子尺 度的關(guān)系提供了好的物質(zhì)模型，而且也為納米結(jié) 構(gòu)的合成和組裝提供了新的機(jī)遇。一維納米材料 的可控制備、性能研究和應(yīng)用對于促進(jìn)納米科技 領(lǐng)域的發(fā)展有十分重要的作用，有助于發(fā)現(xiàn)新的 效應(yīng)，發(fā)展新的器件，以至于形成新的產(chǎn)業(yè)。:激光燒蝕法是用一束高能激光輻射靶材表面,使其表 面迅速加熱融化蕎結(jié)晶生長的一種制備 I一定密度的蒸發(fā) 粒子和高溫區(qū)域材料的方法。圖1激尢燒蝕広示總圖圖2激尢燒蝕法制條的

2、納來線的形稅圖YOUR SITE HERE圖3納米催化劑制備納*線的示怠圖 VLS生長納米線（管）中存在著兩個(gè)過程： 一是氣態(tài)原子在氣液界面不斷解離溶入液態(tài)催化劑中； 二是過飽和溶質(zhì)在液固界面以界面能最低的方式不斷析出該過程中氣、液和三相共存，故被稱為VLS生長。OKre圖3絞悴化硅納米線生長示克圖f廠l . “、二液的mraei從GeAu二元相圖可看 出當(dāng)溫度高于最低共熔 點(diǎn)（363X?）時(shí).Gt和Au 將形成液相合金（I ） 由于液相表面的吸附系 數(shù)大來自氣相的（2將 優(yōu)先在G&Au的液相合 金表面沉積當(dāng)3在Go Au的液相合金中過飽和 時(shí)納米線將在固液 界面處析出（UIIbGe納米線的z

3、 （液同1：氏過程及GeAu兀相圖Gc納米晶體的生長Ge納米晶體的成核 鏡觀察Ge納米線的八（液固L氏過秤三、一維納米線的影響因素激光強(qiáng)度:激發(fā)的等離子體氣焰的狀態(tài)；F:生長腔壓力:決定內(nèi)部氣體的密度，影響熱梯度及生長的速率和方向；:氣流流速:決定蒸發(fā)后等離子體的流動速度，影響納米線在 核上進(jìn)一步生長的方向和速率；:生長時(shí)間:影響納米線的生長大小，過長也會使副產(chǎn)品增多生長溫度:一般高溫可以減少生成納米線時(shí)產(chǎn)生的缺陷。YOUR STTE HEREKig J. Gnkd SiSWwynhpvcdh) Imktmnixn nhapcsU) HdiSiSW having:pikh akxyof BOM

4、iedSiS WRfbi coiled SiSH wtlb pilch make than UK (0 A comfiltcuM ooikd SiW. (d| Hcht shjfvJ S A tHurn cuUcd StNW四、總結(jié)與展望激光燒蝕法與VLS生長機(jī)制結(jié)合起來制備 一維納米材料，一維納米材料的半徑、長度、 形貌等受激光燒蝕法的工藝參數(shù)的控制。進(jìn)一步研究納米線的生長機(jī)理以及激光工藝參 數(shù)與制備結(jié)果的關(guān)系，在此基礎(chǔ)上找到能大量 生產(chǎn)的制備工藝，以便能用于工業(yè)化生產(chǎn)。YOUR SITE HERE參考文獻(xiàn)r 11 Yi-Han Yang, Sheng-J la Wu, Hui-Shan Chiu et al. Catalytic Growth of Silicon Nano wires Assisted by Laser Ablation|Jl.J. Phys. Chem. 2004.108, 846-852.|2|裴立宅屆元洪.硅納米線的制各與生長機(jī)理|川.材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào) 20(M.92:922-92.:出農(nóng)立宅.硅納米線