內(nèi)存芯片容量表

1、km開頭三星顆粒一、三星顆粒一般以、內(nèi)存顆粒類型： 4表示ddr sdram三、芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位四、工作電壓： h=ddr sdram3.3v、l=ddr sdram2.5v五、內(nèi)存顆粒位數(shù)：4: 4mbit、8: 8 mbit、16: 16 mbit、32: 32 mbit、64: 64 mbit、12: 128 mbit、25: 256 mbit、51: 512 mbit六、芯片容量及刷新速度：0: 64m/4k 15.6s、1 : 32m/2k 15.6s、2 : 128m/8k 15.6s、3 : 64m/8k 7.8s、4:

2、 128m/16k7.8 ix s七、內(nèi)存 bank 3: 4排、4: 8排八、電壓：is合接口 lvttl+sstl3(3.3v)、1 : sstl2(2.5v)九、封裝類型： t: 66 針 tsop ii、b: bga c:微型 bga(csp)十、工作頻率：0: 10ns、100mhz(200mbps); 8: 8ns、125mhz(250mbps); z: 7.5ns、133mhz(266mbps); y: 6.7ns、150mhz(300mbps);6: 6ns、166mhz(333mbps); 5: 5ns、200mhz(400mbps)hyundai、hy是現(xiàn)代顆粒的標(biāo)志.、內(nèi)

3、存顆粒類型：(57=sdram 5d=ddr sdram)三、工作電壓：空白 =5v, v=3.3v,u=2.5v四、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4k ref; 64=64mbits、8k ref; 65=64mbits、4k ref=128mbits、8k ref; 129=128mbits、4k ref; 256=256mbits、16k ref; 257=256mbits、8k ref五、芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位六、內(nèi)存bank 1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)bank,是2的募次關(guān)系七、電壓代表：1:sstl_3、2:

4、sstl_2八、芯片版本：可以為空白或 a b、c、d等字母，越往后代表內(nèi)核越新九、功耗：l=低功耗芯片，空白 噌通芯片十、封裝類型：jc=400mil soj , tc=400mil tsop- u , td=13mm tsop- , t tg=16mm tsop-一、工作頻率：55 :183mh25 :200mhz、45 :222mhz、43 :233mhz4 :250mh233 :300nhz、l :ddr200、h:ddr266bk :ddr266amicron (美光)mtxxxx nxxxxxxxxxx一三b-e大七ak十mt是代表micron的產(chǎn)品.、內(nèi)存顆粒類型：48=sdra

5、m 4=dram 46=ddr sdram6=rambus三、工作電壓： c=5v vcc cmos lc=3.3v vdd cmos, v=2.5v vdd cmos四、設(shè)備號(hào)碼五、內(nèi)存容量：無(wú)字母=bits , k=kilobits(kb) , m=megabits (mb , g=gigabits (gb)六、芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位七、代表封裝：tg=tsop封裝，dj=soj dw寬型 soj, f=54 針 4 行 fbga fb=60 針 8*16 fbga, fc=60針 11*13 fbga, fp= 反轉(zhuǎn)芯片封裝，fq支轉(zhuǎn)芯片

6、密封，f1=62針2行fbga f2=84針2行fbga lf=90針fbga lg=tqfp r1=62針2行微型fbga r2=84針2行微型 fbga u=g bga八、內(nèi)存顆粒速度：分為四大類 dram sd rambus ddr1、dram-4=40ns , -5=50ns , -6=60ns , -7=70ns2、 sdram x32 ddr sdram(時(shí)鐘頻率 cl3)-15=66mhz, -12=83mhz, -10+=100mhz, -8x+=125mhz, -75+=133mhz, -7x+=143mhz, - 65=150mhz, -6=167mhz, -55=183m

7、hz, -5=200mhz3、 ddr sdramx4, x8, x16)時(shí)鐘頻率 cl=2.5-8+=125mhz, -75+=133mhz, -7+=143mhz4、 rambus （時(shí)鐘頻率）-4d=400mhz 40ns, -4c=400mhz 45ns, -4b=400mhz 50ns , -3c=356mhz 45ns, -3b=356mhz 50ns, -3m=300mhz 53ns+的含義-8e 支持 pc66和 pc100 (cl2 和 cl3)- 75 支持 pc66 pc100 (cl2和 cl3)、pc133 ( cl=3)- 7 支持 pc66 pc100 (cl2

8、和 cl3)、pc133 ( cl2和 cl3)- 7e 支持 pc66 pc100 ( cl2和 cl3)、pc133 ( cl2餅口 cl3)- 8 支持 pc20o ( cl2)- 75 支持 pc200 (cl2)和 pc266b (cl=2.5)- 7 支持 pc200 (cl2) , pc266b ( cl2) , pc266a (cl=2.5)九、功耗：lh氐耗，blank=普通winbond 華邦)wmt3dcsot1二五、wi示內(nèi)存顆粒是 winbond生產(chǎn).、內(nèi)存類型：98為sdram 94為ddr ram三、內(nèi)存的版本號(hào)：常見的版本號(hào)為b和h;四、封裝類型，h為tsop寸

9、裝，b為bga封裝，d為lqfp封裝五、工作日t鐘頻率：0 : 10ns、100mhz; 8: 8ns、125mhz; z: 7.5ns、133mh4 y: 6.7ns、150mhz; 6: 6ns、166mhz 5: 5ns、200mhz但現(xiàn)今有一部分內(nèi)存條在內(nèi)存顆粒表面覆蓋上了散熱金屬片，那這就看不到顆粒上的編碼。這時(shí)候我們可以用一款內(nèi)存檢測(cè)軟件來(lái)識(shí)別，他就是最近走紅的aida。通過(guò)它我們可以輕易地看到內(nèi)存的真面目。最后，提醒那些剛?cè)腴Tdiyer們，內(nèi)存品牌并不是代表內(nèi)存顆粒的品牌，這一點(diǎn)要十分注意。不是說(shuō)散裝hy內(nèi)存顆粒的內(nèi)存條就是hy原廠內(nèi)存，那些往往就是一些散戶加工而成，質(zhì)量總的來(lái)說(shuō)

10、沒(méi)什么保障。同樣的，作為世界第一大內(nèi)存生產(chǎn)廠商的kingston ,其使用的內(nèi)存顆粒確是五花八門，既有kingston自己顆粒的產(chǎn)品，更多的則是現(xiàn)代（hynix ）、華邦（winbond）、三星（samsung）、南亞（nanya）、英飛7菱（infinoen ）、美光（micron ）等等眾多廠商的內(nèi)存顆粒。js的騙人手法天天在變，所以我們也要用知識(shí)武裝自己，買之前一定要先了解清楚，務(wù)必打贏每一次diy商戰(zhàn)。對(duì)于內(nèi)存的超頻，很多網(wǎng)友都反映 hy（現(xiàn)代）的d43顆粒很好超，綜合網(wǎng)上白文章，d43內(nèi)存顆粒在編號(hào)上分為 at-d43、bt-d43、ct-d43 和dt-d43。其中又以bt-d43和dt-d43最為常見，口碑也是最好。標(biāo)稱 ddr40硼格的dt-d43顆粒可以超到 ddr50睞使用，d43顆粒對(duì) 電壓卻并不是特別敏感，加到 2.8v以上基本沒(méi)有任何意義。一般來(lái)說(shuō) d43顆粒在ddr400勺參數(shù)可以最優(yōu)化為 2-3-3-5 ,超頻到ddr500 后的參數(shù)為3-3-3-8。d5則是一款標(biāo)準(zhǔn)的 ddr500粒，和d43顆粒一樣，其中以 ct-d5和dt-d5最為常見。金士頓 valueram ddrg存編號(hào)： valueram kvr4