MOS集成電路的基本制造工藝

1、半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路1.2 MOS集成電路的基本制造工藝集成電路的基本制造工藝MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路 CMOS工藝技術(shù)工藝技術(shù)是當(dāng)代VLSI工藝的主流工主流工藝技術(shù)藝技術(shù)，它是在PMOS與NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。其特點(diǎn)特點(diǎn)是將NMOS器件與PMOS器件同時(shí)制作在同一硅襯底上。 CMOS工藝技術(shù)工藝技術(shù)一般可分為三類(lèi)三類(lèi)，即 P阱CMOS工藝 N阱CMOS工藝 雙阱CMOS工藝MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路P阱阱CMOS工藝工藝 P阱雜質(zhì)濃度阱雜質(zhì)濃度的典型值要比N型

2、襯底中的高510倍才能保證器件性能。然而P阱的過(guò)度摻雜過(guò)度摻雜會(huì)對(duì)N溝道晶體管產(chǎn)生有害的影響，如提高了背柵偏置的靈敏度，增加了源極和漏極對(duì)P阱的電容等。MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路P阱阱CMOS工藝工藝 電連接時(shí)，P阱接最負(fù)電位，N襯底接最正電位，通過(guò)反向偏置的PN結(jié)實(shí)現(xiàn)PMOS器件和NMOS器件之間的相互隔離相互隔離。P阱阱CMOS芯片剖面示意圖芯片剖面示意圖見(jiàn)下圖。 MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路N阱阱CMOS工藝工藝 N阱阱CMOS正好和正好和P阱阱CMOS工工藝相反藝相反，它是在P型襯底上形成N阱。因?yàn)镹溝道器件是在P型襯底上制成的

3、，這種方法與標(biāo)準(zhǔn)的這種方法與標(biāo)準(zhǔn)的N溝道溝道MOS(NMOS)的工藝是兼容的。的工藝是兼容的。在這種情況下，N阱中和了阱中和了P型襯底型襯底， P溝道晶體管會(huì)受到過(guò)渡摻雜的影響。MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路N阱阱CMOS工藝工藝 早期的CMOS工藝的N阱工藝和P阱工藝兩者并存發(fā)展。但由于N阱阱CMOS中中NMOS管直接在管直接在P型硅襯底上制作型硅襯底上制作，有利于發(fā)揮NMOS器件高速的特點(diǎn)，因此成為常用工藝常用工藝 。MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路N阱CMOS芯片剖面示意圖 N阱阱CMOS芯片剖面示意圖見(jiàn)下圖。MOS集成電路的基本制造工藝

4、半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路雙阱雙阱CMOS工藝工藝 隨著工藝的不斷進(jìn)步，集成電路的線(xiàn)條尺寸線(xiàn)條尺寸不斷縮小，傳統(tǒng)的單阱工藝有時(shí)已不滿(mǎn)足要求，雙阱工藝應(yīng)運(yùn)而生。MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路雙阱雙阱CMOS工藝工藝 通常雙阱通常雙阱CMOS工藝采用的原始材料是工藝采用的原始材料是在在N+或或P+襯底上外延一層輕摻雜的外延襯底上外延一層輕摻雜的外延層，然后用離子注入的方法同時(shí)制作層，然后用離子注入的方法同時(shí)制作N阱阱和和P阱。阱。MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路雙阱雙阱CMOS工藝工藝 使用雙阱工藝不但可以提高器件密度提高器件密度，還可以有效的控

5、制寄生晶體管的影響，抑制閂鎖現(xiàn)象。MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路雙阱CMOS工藝主要步驟 雙阱雙阱CMOS工藝主要步驟工藝主要步驟如下： （1）襯底準(zhǔn)備：襯底氧化，生長(zhǎng)Si3N4。 （2）光刻P阱，形成阱版，在P阱區(qū)腐蝕Si3N4， P阱注入。 （3）去光刻膠，P阱擴(kuò)散并生長(zhǎng)SiO2。 （4）腐蝕Si3N4，N阱注入并擴(kuò)散。 （5）有源區(qū)襯底氧化，生長(zhǎng)Si3N4，有源區(qū)光刻 和腐蝕，形成有源區(qū)版。 （6） N管場(chǎng)注入光刻，N管場(chǎng)注入。MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路雙阱CMOS工藝主要步驟 （7）場(chǎng)區(qū)氧化，有源區(qū)Si3N4和SiO2腐蝕，柵 氧

6、化，溝道摻雜（閾值電壓調(diào)節(jié)注入）。 （8）多晶硅淀積、摻雜、光刻和腐蝕，形成 多晶硅版。 （9） NMOS管光刻和注入硼，形成N+版。 （10） PMOS管光刻和注入磷，形成P+版。 （11）硅片表面生長(zhǎng)SiO2薄膜。 （12）接觸孔光刻，接觸孔腐蝕。 （13）淀積鋁，反刻鋁，形成鋁連線(xiàn)。 MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS工藝的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)工藝的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu) 自對(duì)準(zhǔn)自對(duì)準(zhǔn)是一種在圓晶片上用單個(gè)掩模形成不同區(qū)域用單個(gè)掩模形成不同區(qū)域的多層結(jié)構(gòu)的技術(shù)，它消除了用多片掩模所引起的的多層結(jié)構(gòu)的技術(shù)，它消除了用多片掩模所引起的對(duì)準(zhǔn)誤差對(duì)準(zhǔn)誤差。在電路尺寸縮小時(shí)，這種有力的方法用

7、得越來(lái)越多。 有許多應(yīng)用這種技術(shù)的例子，例子之一是在多晶硅柵MOS工藝中，利用多晶硅柵極對(duì)柵氧化層的掩蔽作用，可以實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)的源極和漏極的離子注入，如圖所示。 MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路自對(duì)準(zhǔn)工藝 示意圖MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路自對(duì)準(zhǔn)工藝 上圖中可見(jiàn)形成了圖形的多晶硅條多晶硅條用作離子注入工序中的掩模掩模，用自己的“身體”擋住離子向柵極下結(jié)構(gòu)（氧化層和半導(dǎo)體）的注入，同時(shí)使離子對(duì)半導(dǎo)體的注入正好發(fā)生在它的兩側(cè)兩側(cè)，從而實(shí)現(xiàn)了自對(duì)準(zhǔn)自對(duì)準(zhǔn)。 而且原來(lái)呈半絕緣的多晶硅本身在大量注入后變成低電阻率的導(dǎo)電體低電阻率的導(dǎo)電體。 可見(jiàn)多晶硅的應(yīng)

8、用實(shí)現(xiàn)“一箭三雕一箭三雕”之功效。MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS

9、集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)

10、體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半

11、導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路

12、的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路 無(wú)定形硅MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半

13、導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路銻離子MOS集成電路的基本制

14、造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS

15、集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)

16、體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路氬MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝

17、半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路炭化硅MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS

18、集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)

19、體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半

20、導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路

21、的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電

22、路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成

23、電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制