第三章磁功能玻璃

1、第三章第三章 磁功能玻璃磁功能玻璃3.1 3.1 法拉第旋轉(zhuǎn)玻璃（磁光玻璃）法拉第旋轉(zhuǎn)玻璃（磁光玻璃）3.1.1 3.1.1 法拉第效應(yīng)（磁光效應(yīng)）法拉第效應(yīng)（磁光效應(yīng)） 平行于磁場方向入射的直線偏振光，在通過磁場中的透明物質(zhì)時偏振面產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)的現(xiàn)象，因最早由法拉第發(fā)現(xiàn)而得名。 產(chǎn)生磁光效應(yīng)時，偏振面旋轉(zhuǎn)的角度與磁場強(qiáng)度、光路長度以及旋光物質(zhì)的旋光性能有關(guān)，用數(shù)學(xué)式表示為： VHL式中：偏振面旋轉(zhuǎn)角（分）， V費(fèi)爾德常數(shù)（分/奧斯特厘米）， 通常以V值來表示物質(zhì)的磁光特性，相當(dāng)于單位長度的樣品在單位磁場強(qiáng)度的作用下偏振面被旋轉(zhuǎn)的角度。V為正值的物質(zhì)稱為逆磁性物質(zhì)，V為負(fù)值的物質(zhì)稱為順磁性物質(zhì)。

2、H磁場強(qiáng)度（奧斯特，Oe）， L樣品長度即光路長度（厘米，cm） 磁光效應(yīng)原理示意圖 入射光原偏振方向旋轉(zhuǎn)角 玻璃 通過玻璃后偏振方向 逆磁玻璃即玻璃中的原子沒有永久的電子軌道磁矩。因此，在磁場作用下，只能產(chǎn)生與磁場方向相反的極小的誘導(dǎo)磁矩，普通的光學(xué)玻璃屬于這一類。法拉第1846年發(fā)現(xiàn)旋光效應(yīng)時，就是用重鉛硼硅酸鹽玻璃做實(shí)驗(yàn)。之后為尋找高V值的玻璃，對含有各種金屬離子的玻璃進(jìn)行仔細(xì)研究，但這類玻璃V值都比較小。 只有高V值的玻璃才有實(shí)際應(yīng)用價值。 順磁玻璃是含稀土離子的玻璃。 這類玻璃中的稀土離子都具有不成對的4f電子，因而離子本身具有永久的電子軌道磁矩，在磁場作用下將順磁場取向，V值大。真

3、正適合作磁光器件的還是這一類玻璃。 與晶體相比，玻璃的V值雖然小，但是玻璃材料具有一系列優(yōu)點(diǎn)，如透光性能好，光學(xué)均勻性好，價廉，特別是容易制得大尺寸制品。通過增加通光方向的尺寸（L），使偏轉(zhuǎn)角滿足實(shí)用要求，因此，可以與晶體相競爭。 3.1.2 3.1.2 順磁性法拉第旋轉(zhuǎn)玻璃順磁性法拉第旋轉(zhuǎn)玻璃 順磁玻璃是將適當(dāng)?shù)母邼舛鹊南⊥岭x子溶解在基礎(chǔ)玻璃中而制得的。一般，三價稀土氧化物玻璃屬于順磁玻璃，因?yàn)樗鼈兊钠衩嬖诖艌鲎饔孟庐a(chǎn)生順磁效應(yīng)，即產(chǎn)生磁場的電流方向與偏振面的旋轉(zhuǎn)方向一致。 其中順磁離子包括：鈰Ce3+、鐠Pr3+、釹Nd3+、鋱Tb3+、鏑Dy3+、鈥Ho3+、鉺Er3+、鐿Yb3+、銪

4、Eu2+等。 順磁玻璃的的費(fèi)爾德常數(shù)V如下式所示： （4）2 g 2 N P2 CnV 3 c h K T g 2 02式中：h、K分別為普朗克和波茲曼常數(shù)； c為光速； 為入射光頻率；0為順磁離子固有頻率； g 為玻爾磁子數(shù)； Cn為躍遷幾率； g為光譜項(xiàng)分裂值； N 為單位體積內(nèi)順磁離子數(shù)； P為與有效磁子數(shù)有關(guān)的物理量。 磁光玻璃希望有高的N、P、 Cn值，通常希望P2 /g值大。 由上式可看出，要制得V值大的的玻璃，必須滿足以下幾點(diǎn)： （1）N大，即單位體積內(nèi)順磁離子數(shù)要多，為了得到穩(wěn)定玻璃，稀土離子含量應(yīng)為2030（mol）。 （2）Cn值大，色散也大，V值也較大；近紫外區(qū)固有振動數(shù)

5、色散大的Ce3+、Pr3+或P大的含Tb3+、Dy3+的玻璃，V值也較大。 （3） V與波長有關(guān)。波長越短，也越小，因而V值越大。 （4） V與溫度有關(guān)。溫度低，可以提高光偏轉(zhuǎn)的角度。 （含Tb3+的玻璃冷至20K時，V值約增加12倍）。 作為磁光玻璃，除了高的V值外，還要有良好的光譜特性（光透過）。 含鈰和鋱的順磁玻璃是非常引人注目的。（含三價鈰的磷酸鹽玻璃，在波長為640nm時，費(fèi)爾德常數(shù)V值可達(dá)到0.16分/Oecm；而含氧化鋱的BaO-B2O3-SiO2系統(tǒng)玻璃，費(fèi)爾德常數(shù)V在630nm處達(dá)0.44分/Oecm，因此，含氧化鋱的玻璃是最有前途的磁光玻璃。） 3.1.3 逆磁性法拉第旋轉(zhuǎn)

6、玻璃 對于逆磁性法拉第旋轉(zhuǎn)玻璃，費(fèi)爾德常數(shù)V值可用下式表示： V = (g/2mc2) (dn/d)式中，為振動數(shù)， n為折射率， g為朗特因子。 由上式可看出，色散越大，費(fèi)爾德常數(shù)也越大。因而含有大量Ga1、In1、Tl1、Ge2、Sn2、Pb2、Bi3等離子的玻璃，具有大的費(fèi)爾德常數(shù)。 對于含PbO的硅酸鹽、硼酸鹽、磷酸鹽及鍺酸鹽玻璃，V值隨PbO的濃度增加而增大，以硅酸鹽及鍺酸鹽玻璃更好。(如PbOB2O3、Bi2O3- B2O3、Tl2O- B2O3、 PbOGeO2系統(tǒng)； PbOTeO2、Sb2O3- TeO2系統(tǒng)； Al2O3- Cs2O- Rb2OSb2O3系統(tǒng))。 Y2O3B2

7、O3 TeO2系統(tǒng)玻璃具有很高的透明性和很高的V值（5461處的V值可達(dá)0.50-0.10分/Oecm） 硫、硒、砷等非氧化物玻璃也是較有前途的逆磁性旋光玻璃，但只能用于紅外光譜區(qū)域（如As2O3、As-Se）。 3.1.4 3.1.4 法拉第旋轉(zhuǎn)玻璃的應(yīng)用法拉第旋轉(zhuǎn)玻璃的應(yīng)用1調(diào)制激光 光調(diào)制器、光隔離器、光開關(guān) 2測定磁場（或測定大電流）： 利用已知費(fèi)爾德常數(shù)的法拉第玻璃，根據(jù)偏振面的旋轉(zhuǎn)角度，可以測定磁場強(qiáng)度；反之，根據(jù)高壓線周圍產(chǎn)生的磁場，也可以測定高壓電流的大小。3.2 3.2 計算機(jī)磁盤玻璃計算機(jī)磁盤玻璃 硬盤是硬磁盤驅(qū)動器的簡稱，是目前計算機(jī)中不可缺少的外存儲設(shè)備之一，由于其盤片

8、與通常的聚脂薄膜類軟盤相比，是剛性盤片、且與驅(qū)動機(jī)構(gòu)等封裝在一起而得名。其主要構(gòu)件有： 盤片組 磁頭組件 伺服機(jī)構(gòu) 電訊號的傳送與處理機(jī)構(gòu) 盤殼 硬盤片是硬盤驅(qū)動器中存儲信息的核心部件,占硬盤制造成本的20-30%，是一種高附加值的產(chǎn)品，在市場上一直供不應(yīng)求。 3.2.1 對磁盤基板的要求 影響硬盤的性能指標(biāo)除了記錄方式、磁頭結(jié)構(gòu)和磁頭材料外，很重要的一個方面是盤片旋轉(zhuǎn)速度以及盤片的記錄密度。隨著信息的發(fā)展，對磁盤的存儲量、讀寫速度以及能源消耗、耐沖擊等指標(biāo)提出了更高的要求。硬盤也相應(yīng)地朝著容量更大、速度更快、體積更小、安全性更高更高的方向發(fā)展。 1、基板的作用與其材料選用要求 傳統(tǒng)的磁盤基片

9、是Al-Mg或Al-P金屬基片。多采用薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)，如下圖所示： 潤滑膜 CoCr合金含碳襯層 Cr磁性膜 NiP膜 Al合金基板 即在非常光滑的基板上濺射一薄層磁性膜和一層為含碳材料的保護(hù)性襯層。在襯層上面是一薄層潤滑膜，用于改善磁頭與盤片間的界面性能。 a. 基板材料必須具備一定的力學(xué)強(qiáng)度與表面硬度 盤片在工作過程中與會受到許多力的作用：如盤片的重力、盤片隨主軸高速旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力、高速旋轉(zhuǎn)時硬盤空氣湍流對盤片的作用力等；運(yùn)輸與攜帶過程中還會由于各種機(jī)械震動而使盤片受到?jīng)_擊。 但是，在整個盤片中，由于磁性層、襯層、潤滑層都是薄膜結(jié)構(gòu)，基本上不具備必要的力學(xué)性能，因此，盤片的機(jī)械性能主要由

10、基板提供。 b. 具有較大的彈性模量 盤片以較高的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)有利于硬盤快速讀寫數(shù)據(jù)，但隨轉(zhuǎn)速的提高，硬盤內(nèi)空氣湍流對盤片的作用會急劇增大，盤片在此作用下會產(chǎn)生不規(guī)則振動，對盤片會造成極大傷害；并且振動的振幅隨主軸轉(zhuǎn)速增大而增大，達(dá)到一定程度時，盤片會扭曲變形，使整個硬盤損壞。目前普通硬盤的轉(zhuǎn)速為5400轉(zhuǎn)/分鐘，部分高檔硬盤轉(zhuǎn)速已達(dá)7200轉(zhuǎn)/分鐘，IBM和日本日立公司等都發(fā)布了12000轉(zhuǎn)/分鐘的硬盤，正在向14000轉(zhuǎn)/分鐘發(fā)展，那時盤片受到的作用力更大。 由于材料的抗彎性能及共振頻率與其彈性模量有關(guān)，為了得到較高的轉(zhuǎn)速，基板材料需具有較大的彈性模量。 c. 基板材料必須具有非常光滑平整的表

11、面 以得到較低的飛行高度。當(dāng)硬盤處于非使用狀態(tài)時，盤片是靜止的，磁頭與盤片相接觸；當(dāng)進(jìn)行讀寫操作時，盤片隨主軸按設(shè)定的轉(zhuǎn)速相對磁頭旋轉(zhuǎn)，而磁頭相對于盤片徑向移動，這種操作方式稱為接觸啟動/停止（contact start-stop，簡稱CSS）。磁頭與盤片間是很小的距離，此距離稱為飛行高度飛行高度d d，是提高盤片存儲密度的控制因素。飛行高度d越低，存儲密度越大。（d已從1997年約50nm降低至目前的接近10nm，而存儲密度相應(yīng)由幾個Gb千兆字節(jié)/in2提高到20 Gb/in2）。 在降低飛行高度的同時必須考慮到盤片與磁頭間的靜摩擦/摩擦。磁頭與盤片間的空氣層越薄，就越難以阻止磁頭與盤片間的

12、過多接觸與作用，解決的辦法就是使盤片表面非常光滑平整，而盤片上的各薄膜層的平整性是由基板表面特性所決定的，欲得到較低的飛行高度，基板材料必須具有非常光滑平整的表面。 d. d. 基板具有很好的化學(xué)穩(wěn)定性，受水氣等影響基板具有很好的化學(xué)穩(wěn)定性，受水氣等影響較小。較小。 2、現(xiàn)有合金硬盤基板的局限性 目前，硬盤大都采用鋁鎂合金基板，其退火后硬度約為0.9Gpa，比較軟，不能滿足盤片的高轉(zhuǎn)速與高抗沖擊性能要求。為了提高其強(qiáng)度與硬度，利用化學(xué)方法在其表面沉積一層NiP層（約為1020um厚，鎳與磷重量比約為90：10），從而使其表面硬度達(dá)到56 Gpa（努普硬度）。 存在的問題： 沉積沉積NiPNiP

13、層與鋁的膨脹系數(shù)有差別層與鋁的膨脹系數(shù)有差別，在加工處理過程中容易產(chǎn)生熱失配，使盤片出現(xiàn)扭曲； NiPNiP層在稍高的處理溫度層在稍高的處理溫度（高于250度）下會經(jīng)歷一個非晶相到晶相的轉(zhuǎn)變，易易于造成材料結(jié)構(gòu)的破壞于造成材料結(jié)構(gòu)的破壞； 最突出的問題是NiPNiP層的球團(tuán)狀結(jié)構(gòu)特層的球團(tuán)狀結(jié)構(gòu)特性使盤片的表面不均勻，難以獲得非常性使盤片的表面不均勻，難以獲得非常光滑平整的表面光滑平整的表面，也就難以滿足低飛行高度的要求，因此NiP/Al基板盤片很難用于20nm以下的飛行高度； 由于鋁材料剛性不強(qiáng)鋁材料剛性不強(qiáng)，難以承受高速旋轉(zhuǎn)時的較大作用力，盤片厚度難以進(jìn)一盤片厚度難以進(jìn)一步降低，轉(zhuǎn)速也不能

14、進(jìn)一步提高步降低，轉(zhuǎn)速也不能進(jìn)一步提高。（直徑為65mm即2.5英寸的盤片典型厚度為0.635mm，存儲密度為0.5Gb千兆字節(jié)/in2，若再進(jìn)一步減小盤片厚度就容易發(fā)生翹曲現(xiàn)象。） 由于材料本身固有的缺陷和價格問題，人們一直在尋找性能較優(yōu)、價格低的替代品。 3.2.2 玻璃硬盤基板1、玻璃基板的特點(diǎn)a . 優(yōu)點(diǎn)：玻璃的剛度比鋁合金大，適于制造薄盤；可省卻NiP層的涂覆；玻璃是宏觀均勻的，在拋光過程中無塑性變形，能夠得到非常光滑的表面。b. 缺點(diǎn)：玻璃是一種脆性材料，盤片在高速旋轉(zhuǎn)中可能由于表面裂紋擴(kuò)展造成玻璃開裂的可能性。 解決方法：通過離子交換在玻璃表面產(chǎn)生壓應(yīng)力層，從而鈍化裂紋尖端，阻止

15、裂紋擴(kuò)展，提高玻璃的強(qiáng)度。 硬磁盤玻璃基板作為計算機(jī)硬盤盤基的一種新型材料，具有耐沖擊、不變形、表面光滑、不吸水、不易劃傷、機(jī)械強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)。用它作硬盤的盤基，一塊2.5英寸玻璃盤片存儲容量可以達(dá)到8GB，大幅度增加信息記錄密度，提高信息存儲量，加快信息存取速度。 從發(fā)展來看，玻璃盤基是最佳的選擇。近年來發(fā)展起來的玻璃基板與鋁基板相比，在硬度、強(qiáng)度、膨脹系數(shù)、比重、表面粗糙度、平直度等指標(biāo)上具有明顯優(yōu)勢。 玻璃盤基與傳統(tǒng)的鋁合金盤基比較 特 性 玻璃基板 鋁合金基板 與鋁基比較 密度(g/cm2) 2.5 2.66 5%抗拉強(qiáng)度(Kg/mm2) 45 25 80%表面硬度(Kg/mm2) 55

16、0 50-60 8倍比熱(Cal/g.) 0.18 0.214 16%熱導(dǎo)率(Cal/cm.g. .) 0.0018 0.487 400倍膨脹系數(shù)(10-7/.) 85-90 230 1.5倍表面粗糙度Rmax(um) 0.004 0.02 5倍平行度(um) 1.8 15 7倍電阻（Ohm/cm） 9.25 3.33 64%電容（PF/cm） 1.4 2.1 50%接觸噪聲（mv/v） 13 19.24 48%傳播延遲（Psec/cm） 78 99.8 28% 從上表可以看出，玻璃基板比鋁合金基板輕6，表面硬度高出一個數(shù)量級，膨脹系數(shù)低許多，其加工后的表面幾何尺寸精度都高出20倍，此外在電阻

17、、電容、接觸噪聲和傳播延遲等方面都比鋁基片具有極佳性能，是硬盤盤片的發(fā)展方向。 無論從短期還是長期來看，最終用戶選擇硬磁盤驅(qū)動器的三個要素是：1、運(yùn)行速度快；2、可靠性高；3、儲存量大。IBM公司正是按此需求發(fā)展其的玻璃基磁盤的，目前其基片在硬盤驅(qū)動器的轉(zhuǎn)速已經(jīng)達(dá)到10000rpm，比傳統(tǒng)的鋁基片具有活力和更高的可靠性。 玻璃基片具有以下特征：玻璃基片具有以下特征：1）磁膜表面的均勻性提高近20%，增加了磁盤的可靠性；2）明顯減少了表面缺陷，有助減少磁頭讀寫錯誤；3）顯著地減低飛行高度，使磁頭與磁盤的距離接觸達(dá)最低；4）較高的硬度，減少磁盤的磨損；5）較高的沖擊和損傷承受力。 由于玻璃基體的這

18、些優(yōu)勢使硬盤驅(qū)動器具有更高容量、更高的記錄密度（135G/in2），可靠性更高，讀寫準(zhǔn)確率高，還提高數(shù)據(jù)的完整性和存儲保留時間，減少物理性的損傷，使最終用戶獲得性能價格比高的硬盤驅(qū)動器。 因此，硬盤驅(qū)動器的發(fā)展趨向要求通過采用新型磁頭降低磁頭飛行高度和加快磁盤轉(zhuǎn)速來增大存儲的信息容量和提高存取速度。單張鋁基板盤片（3.5”）的最大存儲容量1.6G，而玻璃基板(2.5”)已達(dá)到近8G，（希捷公司2009年3.5英寸盤片容量達(dá)到2.5TB）。 磁盤機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度由4800rpm10000rpm提高到10000rpm30000rpm。隨著磁頭飛行高度的降低和磁盤運(yùn)轉(zhuǎn)速度的加快，對基板表面粗糙度、表面平

19、直度和基板強(qiáng)度提出了更高的要求，要求盤面光滑、耐磨、平直度好，能適應(yīng)高速旋轉(zhuǎn)等特點(diǎn)，這樣，鋁基板已難以勝任。 由于玻璃基板具有表面光滑，不易劃傷，不吸收水份，適應(yīng)高速旋轉(zhuǎn)等優(yōu)點(diǎn)，并且玻璃基板薄膜介質(zhì)及鍍膜工藝的突破，使玻璃基板取代鋁基板已成為必然。 此外，硬盤驅(qū)動器的發(fā)展趨勢還要求其小型、輕便、低功耗，使用時水平垂直放置均可，使用環(huán)境應(yīng)相對寬松。 例如筆記本電腦，經(jīng)常隨身攜帶，有振動沖擊問題，振動時，磁頭與磁盤表面接觸很容易使柔性鋁基板產(chǎn)生塑性變形而失真，同時破壞基板表面涂履的10m鎳層，所以，近年來，美國、日本的筆記本電腦硬盤幾乎都使用表面致密、鍍層附著力強(qiáng)，不易破壞的玻璃做基板。臺式電腦方

20、面，1999年，IBM公司的36GB和SEAGATE公司28GB的高容量、高速和高可靠性用玻璃盤片制作的硬盤驅(qū)動器，預(yù)示著玻璃基板在臺式電腦的應(yīng)用需求已啟動，將以幾何級數(shù)遞增。2009年的主流硬盤容量為3201500GB。 2、玻璃基板種類 現(xiàn)在世界上應(yīng)于硬盤盤基的玻璃基板分為兩類：一類是化學(xué)強(qiáng)化的薄板玻璃基板；另一類是微晶玻璃基板。（1）化學(xué)增強(qiáng)的玻璃基板：其強(qiáng)化機(jī)理是對鈉鈣硅酸鹽或堿鋁硅酸鹽玻璃采用K+、Na+離子交換，使玻璃表面產(chǎn)生100-150m厚的應(yīng)力層，以提高玻璃強(qiáng)度。 玻璃磁盤基板 玻璃盤片薄膜結(jié)構(gòu)包括三層：一層金屬鉻襯層，一層磁性膜和一層二氧化硅覆層（均采用濺射沉積法得到），拋

21、光加工后表面粗糙度Ra達(dá)到20埃左右。 （由于K+、Na+離子容易析出，破壞表面記憶膜的記錄性能，表面必須鍍SiO2膜）。 這種化學(xué)增強(qiáng)玻璃基板與傳統(tǒng)的NiP/Al基板相比有許多優(yōu)點(diǎn)，但存在三大缺點(diǎn)：（）化學(xué)強(qiáng)化造成玻璃表面須二次拋光，增加工作量， (2)由于存在K+、Na+離子，表面須鍍SiO2膜，提高了成本；（3）難以達(dá)到高容量所需求Ra小于10埃的表面粗糙度。因此，化學(xué)強(qiáng)化玻璃基板將逐步淘汰。 （2）微晶玻璃基板 在基礎(chǔ)玻璃組份中引入核化劑，在晶化處理過程中控制晶體生長的尺寸，從而達(dá)到提高玻璃強(qiáng)度及其加工性能并控制表面粗糙度Ra小于10埃，沒有化學(xué)強(qiáng)化基板的三大缺陷，適用于新型的MR（磁

22、阻讀寫頭）磁頭、GMR(巨磁阻)磁頭和Tripad（薄膜磁頭）。同時，微晶玻璃基板不含K+、Na+離子，不需要鍍SiO2膜，它是硬盤基板的發(fā)展方向，將逐步取代化學(xué)強(qiáng)化玻璃基板。 微晶玻璃磁盤結(jié)構(gòu)示意圖微晶玻璃磁盤基板微晶玻璃磁盤基板及應(yīng)用 硅堿鈣石（Canasite）微晶玻璃：是一種鏈狀硅酸鹽，具有極好的韌性。 晶相通式K2-3Na4-3Ca5Si12O30F4 組成示例： SiO2 58.2, Al2O3 2.7, CaO 10.0, Na2O 8.3, K2O 8.9, CaF2 11.9 含鋰硅酸鹽微晶玻璃：如一種TS10微晶玻璃,含有70晶相與30玻璃相，在二硅酸鋰（Li2O SiO2

23、）晶相中無規(guī)則析出粒徑為0.33.0um的石英的凝聚球狀粒子。 組成示例： SiO2 83.5, Al2O3 0.3, Li2O 15.0, Na2O+K2O 0.2, P2O5 0.5，As2 O30.5 含鎂硅酸鹽微晶玻璃：力學(xué)性能好。在MgO- Al2O3-SiO2- ZnO-TiO2系統(tǒng)，以堇青石為主晶相的微晶玻璃具有高強(qiáng)度、高抗熱沖擊性能。組成示例：（1）SiO2 54.0, MgO14.0， Al2O319.5, CaO2.0 ，BaO 2.0 TiO25.0，F(xiàn)e2O33.0，As2 O30.5； （2）SiO2 47.1, MgO16.9， Al2O322.1, ZnO1.7

24、，TiO212.3 通過調(diào)整組成和熱處理制度，可以析出尖晶石(MgO Al2O3) 、頑輝石（Mg2Si2O6）及鎂鋁鈦酸鹽主晶相，這使得微晶玻璃具有高彈性模量、耐磨性能、更好的平整度和光滑度。 磁盤微晶玻璃基板通過配方的改進(jìn)，就能達(dá)到微晶玻璃和化學(xué)強(qiáng)化玻璃所要求的性能指標(biāo)，滿足計算機(jī)硬盤對材料的要求，不容質(zhì)疑，磁盤微晶玻璃基板是硬盤玻璃基板發(fā)展的主流。 美國和日本在微晶玻璃硬盤基板材料的研究中一直處于領(lǐng)先地位。采用化學(xué)強(qiáng)化生產(chǎn)玻璃基板的世界著名廠家，如日本HOYA、板硝子等最近正在進(jìn)行調(diào)整，將逐步放棄化學(xué)強(qiáng)化生產(chǎn)方法；KMAG公司是世界最大的硬盤驅(qū)動器的薄膜材料的分立器件供應(yīng)商，目前也制定了廣泛發(fā)展微晶玻璃基體的戰(zhàn)略，以期望增加公司在數(shù)據(jù)存儲行業(yè)的競爭優(yōu)勢。 早先早先IBMIBM