第二章噪聲、低噪聲前置放大和屏蔽接地技術(shù)_第1頁
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文檔簡介

1、微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)微弱信號檢測微弱信號檢測徐公杰徐公杰2013-10-21微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 一、噪聲概述一、噪聲概述1. 與噪聲相關(guān)的的幾個基本概念(2 2)噪聲的統(tǒng)計特性)噪聲的統(tǒng)計特性(Statistical characteristics of noise)(Statistical characteristics of noise) 由于噪聲的取值不可預測,更不能用一個解析函數(shù)來定義,所以要用概率和統(tǒng)計的方法來

2、描述。統(tǒng)計方法側(cè)重的是樣本總體的定量性質(zhì),而不是個體元素的性質(zhì)。就隨機噪聲而言,樣本可以由其波形的大量的連續(xù)取值組成。常用的概率和統(tǒng)計描述方法有常用的概率和統(tǒng)計描述方法有概率密度函數(shù)概率密度函數(shù)以及以及數(shù)數(shù)學期望值學期望值、方差方差、均方值均方值、相關(guān)函數(shù)相關(guān)函數(shù)等特征值等特征值。(1 1)噪聲與干擾()噪聲與干擾(Noise and InterferenceNoise and Interference) 通常把可以減少或消除的外部擾動稱為干擾,把由于材料或器件 的物理原因產(chǎn)生的擾動稱為噪聲。微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放

3、大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 隨機噪聲波形隨機噪聲波形 x(t)x(t)與概率密度函數(shù)與概率密度函數(shù)p(x)p(x)之間的關(guān)系之間的關(guān)系概率密度函數(shù)概率密度函數(shù)p p(x): (x): 表示噪聲電壓x(t)在t時刻取值為x的概 率,對于所有x都有p(x)0,且概率曲線下覆蓋的面積為1. 微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 均方根值均方根值: :(用來衡量噪聲電壓幅值的大?。ㄓ脕砗饬吭肼曤妷悍档拇笮。┚稻? :(噪聲電壓的平均值)(噪聲電壓的平均值)(反映的是隨機噪聲的

4、起伏程度)(反映的是隨機噪聲的起伏程度) 方差:方差:均方值均方值: :(反映隨機噪聲的功率)(反映隨機噪聲的功率) 微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 (3 3)隨機噪聲的功率譜密度及自相關(guān)函數(shù))隨機噪聲的功率譜密度及自相關(guān)函數(shù) 功率譜密度功率譜密度S(),從名字分解來看就是說,觀察對象是功率,觀察域是譜域,通常指頻域,密度,就是指觀察對象在觀察域上的分布情況,功率譜密度即用來分析噪聲功率隨頻率的分布情況。功率譜密度是結(jié)構(gòu)在隨機動態(tài)載荷激勵下響應的統(tǒng)計結(jié)果,是一條功率譜密度值頻率值的關(guān)

5、系曲線,其中功率譜密度可以是位移功率譜密度、速度功率譜密度、加速度功率譜密度、力功率譜密度等形式。已知S()或S(f),就可求得噪聲的平均功率(均方值) :角頻率,f :頻率, P:處帶寬之間噪聲的平均功率。S()公式表示公式表示: 或微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 功率譜密度的單位是功率譜密度的單位是的平方的平方/ /頻率頻率 -即函數(shù)幅值的均方根值與頻率之比。是對隨機振動進行分析的重要參數(shù)。例例:如果是加速度功率譜密度,加速度的單位是m/s2,那么,加速度功率譜密度的單位就是(m

6、/s2)2/Hz,而Hz的單位是1/s,經(jīng)過換算得到加速度功率譜密度的單位是m2/s3.位移功率譜密度?速度功率譜密度?加速度功率譜密度?m2*sm2/sm2/s3微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 自相關(guān)函數(shù)自相關(guān)函數(shù)(Autocorrelation function):表示隨機過程在二個不同時間上的相關(guān)性。 Rx()有三個重要特性: 1) 與起點無關(guān),僅與有關(guān); 2) 由于噪聲是獨立隨機的,故上升, Rx()下降, 趨向無窮, Rx()趨向0; 3) =0, Rx()最大, R(0)

7、 代表噪聲的均方值(噪聲功率)公式:微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 例:利用采樣保持器對零均值連續(xù)隨機電壓波形進行不斷的采樣保持,保持的時間間隔為1s。設(shè)各采樣之間互不相關(guān),采樣值在-1+1 之間均勻分布。 t=O 之后第一次采樣時刻在0ls之間均勻分布。采樣保持器的輸出波形x(t)示于下圖,試求x (t)的功率p ,和自相關(guān)函數(shù)Rx()的圖形。微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接

8、地 解:因為采樣值x ( z )在-1 +1 之間均勻分布,其概率密度函數(shù)p ( x )的形狀如圖所示x(t)功率為微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 功率譜密度與自相關(guān)函數(shù)的關(guān)系是一對傅立葉變換的關(guān)系:功率譜密度與自相關(guān)函數(shù)的關(guān)系是一對傅立葉變換的關(guān)系:,微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 (4 4)放大器或線性網(wǎng)絡的等效噪聲帶寬)放大器或線性網(wǎng)絡的等效噪聲帶寬(Equivale

9、nt Noise Bandwidth )噪聲帶寬概念的出現(xiàn),最初是為了從具有寬帶噪聲輸入的放大器中快速計算輸出噪聲功率,這個概念也可以推廣到信號帶寬。等效噪聲帶寬是假想的矩形頻譜寬度,該寬度(帶寬)內(nèi)的功率等于實際頻譜在正頻率范圍內(nèi)的功率(即實際絕對帶寬內(nèi)的功率),簡言之就是兩者的功率相等。計算公式:計算公式:或H()- 實際電路系統(tǒng)的頻率傳遞函數(shù)微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 例:一階RC低通濾波器電路如圖所示,求其等效噪聲帶寬。RCx(t)y(t)解:電路的頻率響應函數(shù)為電路的幅

10、頻響應函數(shù)為當=0時,可得電路的直流增益A0=1,代入等效噪聲帶寬的公式可得微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 信噪比(信噪比(SNRSNR):衡量一個信號質(zhì)量優(yōu)劣的指標。它是在指定頻帶內(nèi),同一端口信號功率P s 和噪聲功率P n的比值,即當用分貝表示信噪比時,有 信噪比越大,信號質(zhì)量越好。 (5 5)信噪比、信噪改善比)信噪比、信噪改善比信噪改善比(信噪改善比(SNIRSNIR): : 反映系統(tǒng)噪聲的改善情況微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章

11、第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 (6 6)噪聲系數(shù)()噪聲系數(shù)(Noise coefficient)噪聲系數(shù)噪聲系數(shù)F F:衡量有源器件的噪聲特性的優(yōu)劣線性兩端口網(wǎng)絡如圖所示,圖中Rs是信號源內(nèi)阻, s是信號源電壓, RL是放大器負載。 結(jié)論結(jié)論:F越小,說明系統(tǒng)越好,能檢測到的信號也越小,檢測靈敏度越高。F越大,說明放大器內(nèi)部噪聲源在輸出端產(chǎn)生的噪聲功率占輸出總噪聲功率的比重越大微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 2. 2. 電子系統(tǒng)內(nèi)部的固有噪聲源電

12、子系統(tǒng)內(nèi)部的固有噪聲源(1 1)電阻的噪聲)電阻的噪聲電阻的噪聲主要有三大類型:熱噪聲,接觸噪聲,以及shot噪聲。低噪聲設(shè)計低噪聲設(shè)計:低溫,低阻值,增加尺寸和空間,減少交直流電流特點特點: 熱噪聲主要依賴于溫度,頻寬,以及阻值;接觸噪聲依賴于平均直流電流、頻寬、材料類型和幾何形狀;shot噪聲依賴頻寬以及平均直流電流大小。微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 任何電阻或?qū)w,即使沒有連接到任何信號源或電源,也沒有任何電流流過該電阻,其兩端也會呈現(xiàn)噪聲電壓起伏,這就是電阻的熱噪聲。產(chǎn)生原

13、因:產(chǎn)生原因:電阻中電子的隨機熱運動,導致電阻兩端電荷的瞬時堆積,形成噪聲電壓。功率譜密度函數(shù):熱噪聲(熱噪聲(Johnson noise)的統(tǒng)計特性)的統(tǒng)計特性等效功率Pt:B為系統(tǒng)的等效噪聲帶寬,單位Hz,et為熱噪聲電壓值,Pt單位為V2噪聲電壓的有效值Et:微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 例:證明溫度相同的兩個電阻R1和R2相串聯(lián)和并聯(lián)所產(chǎn)生的等效噪聲電壓的有效值分別為和微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與

14、屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 (2 2)半導體二極管的散彈噪聲()半導體二極管的散彈噪聲(shot noiseshot noise) 原因:少數(shù)載流子由發(fā)射極通過PN結(jié)注入基區(qū)時,在單位時間內(nèi)注入的載流子數(shù)不同(速度不均勻),是隨機起伏的。這種起伏會影響到集電極電流的起伏,由此引起的噪聲叫散彈噪聲。微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 (3

15、 3)半導體三極管的噪聲)半導體三極管的噪聲 電阻的熱噪聲、散彈噪聲、接觸噪聲(1/f)、爆裂噪聲 微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 1/f1/f噪聲噪聲是由兩種導體的接觸點電導的隨機漲落引起的,凡是有導體接觸不理想的器件都存在1/f噪聲,所以1/f噪聲又稱為接觸噪聲。因為其功率譜密度正比于1/f,頻率越低噪聲越嚴重,所以又稱為低頻噪聲微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 爆裂噪聲

16、爆裂噪聲是一種流過半導體PN結(jié)電流的突然變化。通常的爆裂噪聲電流只在兩種電流值之間切換,取決于半導體制作工藝和材料中雜質(zhì)的情況,其出現(xiàn)的幾率可在每秒幾百個到幾分鐘一個之間變化。它是電流型噪聲,在高阻電路中影響更大。微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 按溝道半導體材料的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分,場效應管又可分成耗盡型與增強型。結(jié)型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MO

17、S場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。見下圖。 (4 4) 場效應管的噪聲場效應管的噪聲 1.溝道熱噪聲 2.1/f噪聲3.柵極散彈噪聲4.柵極感應噪聲微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 2 2、低噪聲前置放大技術(shù)、低噪聲前置放大技術(shù) 低噪聲前置放大器的等效噪聲模型低噪聲前置放大器的等效噪聲模型電壓源的功率譜密度分布電流源的功率譜密度分布en表示等效輸入噪聲電壓,in表示等效輸入噪聲電流微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第

18、二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 例: 設(shè)圖(a)所示差動放大電路的等效噪聲帶寬為0.01-100 Hz, 使用的運算放大器型號為A741。求等效噪聲電壓源的電壓和電流。微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 低噪聲前置放大器的設(shè)計低噪聲前置放大器的設(shè)計 a)a)最佳信號源內(nèi)阻最佳信號源內(nèi)阻信號源內(nèi)阻對功率放大器的

19、影響 在功率放大器中,信號源內(nèi)阻要和負載的阻抗匹配阻抗匹配,才能使輸出功 率最大.信號源內(nèi)阻對輸出信號的影響 當信號源為電壓/流源時,輸出電壓/流的大小與信號源內(nèi)阻有關(guān), 當考慮信號源內(nèi)阻時,輸出電壓/流變小。內(nèi)阻Rs越小,對輸出電壓 /流影響越小,輸出電壓/流就越穩(wěn)定。信號源在理論分析中是按理想模型進行分析的,忽略了內(nèi)阻的作用。但實際上它是存在的,在實際電路分析中不能忽略,電路設(shè)計時應根據(jù)實際電路特點,合理選用適當內(nèi)阻的信號源才能達到設(shè)計目的。微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 簡單地

20、說,阻抗就是電阻加電抗,所以才叫阻抗;周延一點地說,阻抗就是電阻、電容抗及電感抗在向量上的和。在直流電的世界中,物體對電流阻礙的作用叫做電阻,世界上所有的物質(zhì)都有電阻,只是電阻值的大小差異而已。電阻小的物質(zhì)稱作良導體,電阻很大的物質(zhì)稱作非導體,而最近在高科技領(lǐng)域中稱的超導體,則是一種電阻值幾近于零的物質(zhì)狀態(tài)。但是在交流電的領(lǐng)域中則除了電阻會阻礙電流以外,電容及電感也會阻礙電流的流動,這種作用就稱之為電抗,意即抵抗電流的作用。電容及電感的電抗分別稱作電容抗及電感抗,簡稱容抗及感抗。它們的計量單位與電阻一樣是歐姆,而其值的大小則和交流電的頻率有關(guān)系,頻率愈高則容抗愈小感抗愈大,頻率愈低則容抗愈大而

21、感抗愈小。此外電容抗和電感抗還有相位角度的問題,具有向量上的關(guān)系式,因此才會說:阻抗是電阻與電抗在阻抗是電阻與電抗在向量上的和向量上的和 何為阻抗(impedance matching)?微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 阻抗匹配的基本原理:阻抗匹配的基本原理: 1純電阻電路把一個電阻為R的用電器,接在一個電動勢為E、內(nèi)阻為r的電池 組上,在什么條件下電源輸出的功率最大呢?當外電阻等于內(nèi)電阻時,電源對外電路輸出的功率最大,這就是純電阻電路的功率匹配。假如換成交流電路,同樣也必須滿足R=

22、r這個條件電路才能匹配。rRU2電抗電路(略) 阻抗三角形法微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 阻抗匹配:阻抗匹配: 負載阻抗等于信源內(nèi)阻抗,即它們的模與輻角分別相等,這時在負載阻抗上可以得到無失真的電壓傳輸。負載阻抗等于信源內(nèi)阻抗的共軛值,即它們的模相等而輻角之和為零。這時在負載阻抗上可以得到最大功率。這種匹配條件稱為共軛匹配。如果信源內(nèi)阻抗和負載阻抗均為純阻性,則兩種匹配條件是等同的。 是指負載阻抗與激勵源內(nèi)部阻抗互相適配,得到最大功率輸出的一種工作狀態(tài)。 對于不同特性的電路,匹配條

23、件是不一樣的。在純電阻電路中,當負載電阻等于激勵源內(nèi)阻時,則輸出功率為最大,這種工作狀態(tài)稱為匹配,否則稱為失配。匹配條件:匹配條件:微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 公式:最佳源電阻:最佳源電阻: 分別為放大器的等效輸入電壓噪聲和等效輸入電流噪聲的平方根譜密度。最小噪聲系數(shù):說明:1)低噪聲放大器應該盡量選用 小的器件,使最小噪聲系數(shù)較小2)器件的 和噪聲系數(shù)都是頻率f的函數(shù),因此各種低噪聲器件只是在一定的頻率范圍內(nèi)才能達到其最小噪聲系數(shù)。微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Sign

24、al Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 結(jié)論:結(jié)論:一件器材的輸出阻抗和所連接的負載阻抗之間所應滿足的某種關(guān)系,以免接上負載后對器材本身的工作狀態(tài)產(chǎn)生明顯的影響。對電子設(shè)備互連來說,例如信號源連放大器,前級連后級,只要后一級的輸入阻抗大于前一級的輸出阻抗5-10倍以上,就可認為阻抗匹配良好;對于放大器連接音箱來說,電子管機應選用與其輸出端標稱阻抗相等或接近的音箱,而晶體管放大器則無此限制,可以接任何阻抗的音箱。微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置

25、放大與屏蔽接地 微波射頻器件分為無源和有源兩大類,區(qū)分兩者的標準是看該器件建立起的等效電路模型中是否含有電源(電壓源或者電流源),若器件等效電路模型中有電源,該器件被稱為有源器件。 有源器件是微波射頻器件中重要的一類,在微波技術(shù)中占有非常重要的地位。 有源器件的類型主要分為:電子管,晶體管,集成電路。電子管不論二極還是多極,它都有陽極和陰極,陰極在外加電源的作用下,發(fā)射電子向陽極流動。外加電源可以直接加在陰極上,也可以加在另外的加熱燈絲上。就是因為這個外加電源的存在,而統(tǒng)稱為有源器件。 b)b)有源器件有源器件的選擇的選擇1.電子管 又名真空管,所以又稱為電真空器件。微弱信號檢測微弱信號檢測

26、(Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 2.晶體管屬于半導體器件。導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導體。如硅、鍺晶體都屬于半導體。所以用這些晶體材料做成的電子器件,稱為晶體管。它分晶體二極管和晶體三極管。 3.集成電路顧名思義是將有源器件和無源器件及連接線等集中制造在一個很小的硅片上,再經(jīng)引線和封裝,形成一個有預定功能的微型整體。(符號為IC)。集成電路的優(yōu)點是體積小、壽命長、成本低、可靠性高性能好。當前集成電路及大規(guī)模集成電路越來越被廣泛的應用。 微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Dete

27、ction)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 選擇方法:選擇方法: 低噪聲放大器應該盡可能選用 小的器件,這樣才能使最小噪聲 系數(shù)Fmin較小。另外,由于 都是頻率f的函數(shù),因此各種低噪 聲器件只是在一定的頻率范圍內(nèi)才能達到其最小噪聲系數(shù); 根據(jù)信號源大小選用合適類型的器件,使器件的最佳源電阻等于負 載電阻,實現(xiàn)噪聲匹配下的最小噪聲系數(shù)。微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 c)c)偏置電路與直流工作點的選擇偏置電路與直流工作點的選擇為了使放大電路正常

28、地工作,把輸入信號不失真地加以放大,必須有一個合適而穩(wěn)定的靜態(tài)工作點為放大電路提供直流電流和直流電壓的電路.叫做直流(靜態(tài))偏置電路,簡稱偏置電路。由于各種電子電路對偏置電路有不同的要求,所以在實際電路中加設(shè)的偏置電路也有所不同。下面介紹幾種常見的偏置電路。 1.1.固定偏置電路固定偏置電路如圖所示,它是共發(fā)射極放大電路。當EC和RB一經(jīng)確定,就能得到一個固定的基極電流IB和集電極電流IC, 所以把這種電路叫做固定偏置電路。 IE=IB+IC=IB+*IB微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接

29、地 2. 2. 電壓負反饋偏置電路電壓負反饋偏置電路它和固定偏置電路的不同之處,是將偏流電阻RB接在了三極管集電極上。 電流負反饋偏置電路如右圖所示。它和固定偏置電路的不同之處是.在半導三極管的發(fā)射極上串接了一個電阻RE 。4. 4. 分壓式電流負反饋偏置電路分壓式電流負反饋偏置電路3. 3. 電流負反饋偏置電路電流負反饋偏置電路電路中除三極管發(fā)射極上接有RE外,同時在基極上還接有RB1和RB2, 它們分別接在電源EC的兩端。微弱信號檢測微弱信號檢測 (Weak Signal Detection)第二章第二章 噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地噪聲、低噪前置放大與屏蔽接地 最小噪聲系數(shù):直流工作點: 定義:定義:所謂直流工作點就是輸入信號為零時,電路處于直流工作狀態(tài),這些 直流電流,電壓的數(shù)值在三極管特性曲線上表示為一個確定的點。目的目的:保證在被放大的交流信號加入電路時,不論是正半周還是負半周都 能滿足發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置的三極管放大狀態(tài)。方法:方法:由于不同的信號源內(nèi)阻,晶體管放大級的最佳直流工作點值不同, 所以選定源器件后,必須選合適的工作點,使放大器的最

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