電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析

1、電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析（電子產(chǎn)品）環(huán)境試驗(yàn) 環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析環(huán)境試驗(yàn)環(huán)境試驗(yàn) 將電子電工產(chǎn)品（包括材料）暴露在自然或模擬環(huán)境中，以此來評(píng)價(jià)器件、設(shè)備、系統(tǒng)在實(shí)際儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用環(huán)境條件下的性能。電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析為何需要做環(huán)境試驗(yàn) 質(zhì)量是產(chǎn)品價(jià)值的基礎(chǔ)，產(chǎn)品投放市場(chǎng)后發(fā)生質(zhì)量問題時(shí)，性能的損壞程度并不直接影響產(chǎn)品成本，對(duì)廠商來說最大損失莫過于品牌信譽(yù)的喪失。為避免這些損失，在產(chǎn)品投放市場(chǎng)之前，就必須要對(duì)產(chǎn)品做質(zhì)量鑒定。環(huán)境試驗(yàn)不僅能夠通過模擬試驗(yàn)和產(chǎn)品壽命老化試驗(yàn)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行質(zhì)量鑒定，同時(shí)還是質(zhì)量保證體系中必不可少的一環(huán)。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析環(huán)境試驗(yàn)分類環(huán)境試驗(yàn)

2、就其手段來分主要有:o 自然暴露試驗(yàn): 將樣品（產(chǎn)品或材料）在自然環(huán)境條件下進(jìn)行暴露和測(cè)試 。o 人工模擬試驗(yàn): 通過試驗(yàn)儀器（溫濕度箱、振動(dòng)臺(tái)、模擬運(yùn)輸臺(tái)等）模擬產(chǎn)品在運(yùn)輸和使用過程中的氣候及機(jī)械環(huán)境的試驗(yàn)。 o 現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)： 將產(chǎn)品在實(shí)際使用條件下進(jìn)行考察試驗(yàn)。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析自然暴露試驗(yàn)的作用自然暴露試驗(yàn)的作用o 通過自然暴露試驗(yàn)可以獲得產(chǎn)品在自然環(huán)境條件下電參數(shù)的變化規(guī)律、失效情況、失效水平和失效原因，還可以了解產(chǎn)品制造過程中材料、工藝、涂敷層等性能的穩(wěn)定性和防護(hù)能力。o 自然暴露試驗(yàn)可以為研究人工模擬試驗(yàn)方法及其轉(zhuǎn)換關(guān)系提供數(shù)據(jù)資料，還可以用來驗(yàn)證和比較加速試驗(yàn)的有效性。 電

3、子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析自然暴露試驗(yàn)的局限性o 試驗(yàn)條件不能控制，在一定程度上影響了試驗(yàn)的再現(xiàn)性；o 另外自然暴露試驗(yàn)的試驗(yàn)周期長(zhǎng)，有時(shí)跟不上產(chǎn)品的發(fā)展。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析人工模擬試驗(yàn) 按產(chǎn)品在儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用過程中所遇到的環(huán)境條件可分為 ：o 氣候環(huán)境試驗(yàn)氣候環(huán)境試驗(yàn):包括高溫、低溫、濕度、氣壓、風(fēng)雨等；o 機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)機(jī)械環(huán)境試驗(yàn):主要包括沖擊、振動(dòng)、跌落、搖擺、噪聲、恒定加速等；o 生物、化學(xué)環(huán)境試驗(yàn)生物、化學(xué)環(huán)境試驗(yàn):包括霉菌、鹽霧、二氧化硫等。o 其它環(huán)境試驗(yàn)：其它環(huán)境試驗(yàn)：三綜合（溫度、濕度和震動(dòng)），Highly Accelerated Life Test (HALT)，Hi

4、ghly accelerated stress screen (HASS)，Environment Stress Screening (ESS)電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析人工模擬試驗(yàn)優(yōu)缺點(diǎn)o 人工模擬試驗(yàn)與自然暴露試驗(yàn)相比，可以加人工模擬試驗(yàn)與自然暴露試驗(yàn)相比，可以加速和強(qiáng)化試驗(yàn)速和強(qiáng)化試驗(yàn)，節(jié)省時(shí)間且隨時(shí)都可以進(jìn)行，試驗(yàn)參數(shù)易控制，再現(xiàn)性好；o 其不足不足之處是當(dāng)條件和試驗(yàn)程序選擇不當(dāng)時(shí)，會(huì)使試驗(yàn)失真，以至得出錯(cuò)誤結(jié)論。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析現(xiàn)場(chǎng)使用試驗(yàn)優(yōu)缺點(diǎn)o 產(chǎn)品在現(xiàn)場(chǎng)使用期間，受到各種環(huán)境因素的綜合作用，所以比單一或組合試驗(yàn)更能暴露產(chǎn)品存在的問題?？梢?，現(xiàn)場(chǎng)使用試驗(yàn)的結(jié)果是最真實(shí)的，

5、也是最有說服力的。o 其不足不足之處是周期長(zhǎng)，成本高。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析何時(shí)做環(huán)境試驗(yàn)o 環(huán)境試驗(yàn)貫穿于電子電工產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、試制、設(shè)計(jì)、試制、生產(chǎn)、銷售、使用的全過程生產(chǎn)、銷售、使用的全過程，在不同的階段其所起的作用及表現(xiàn)的形式都不一樣。o 環(huán)境試驗(yàn)可以在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)階段設(shè)計(jì)階段的原材料認(rèn)證、研制階段的可靠性增長(zhǎng)、定型階段的可靠性統(tǒng)計(jì)、生產(chǎn)過程的環(huán)境適應(yīng)性、出廠前的環(huán)境篩選中發(fā)揮重要作用。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析環(huán)境試驗(yàn)的作用o 在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研制階段在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研制階段，環(huán)境試驗(yàn)用于考核所選用的元器件、設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)、采用的工藝等能否滿足實(shí)際環(huán)境的要求和存在的缺陷。為節(jié)省時(shí)間和充分暴露

6、產(chǎn)品的薄弱環(huán)節(jié)，用加速壽命老化試驗(yàn)的形式即根據(jù)不同的環(huán)境應(yīng)力因素，采用不同的加速因子，以強(qiáng)化和加速進(jìn)行。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析環(huán)境試驗(yàn)的作用o 在產(chǎn)品的定型階段在產(chǎn)品的定型階段，環(huán)境試驗(yàn)用于確定產(chǎn)品在預(yù)定的環(huán)境下技術(shù)指標(biāo)能否達(dá)到設(shè)計(jì)要求、正常工作情況下能否保證設(shè)計(jì)的壽命、能否滿足安全要求。在此階段的環(huán)境試驗(yàn)是環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)即采用產(chǎn)品儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用過程中實(shí)際的環(huán)境條件下進(jìn)行。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析環(huán)境試驗(yàn)的作用o在產(chǎn)品正常生產(chǎn)階段在產(chǎn)品正常生產(chǎn)階段、生產(chǎn)工藝有重大變更或當(dāng)生產(chǎn)了相當(dāng)一段時(shí)間后，環(huán)境試驗(yàn)用于檢查產(chǎn)品的工藝質(zhì)量或檢查其質(zhì)量的穩(wěn)定性。在此階段的在此階段的環(huán)境試驗(yàn)也是環(huán)境適應(yīng)性

7、試驗(yàn)環(huán)境試驗(yàn)也是環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)。o在產(chǎn)品的終檢階段在產(chǎn)品的終檢階段，環(huán)境試驗(yàn)通過施加非破壞性應(yīng)力檢查所有產(chǎn)品以消除早期失效、減少不合格產(chǎn)品數(shù)目并在合格產(chǎn)品投入使用前試工作一段時(shí)間穩(wěn)定產(chǎn)品性能。此一階段的環(huán)境試驗(yàn)是環(huán)境篩選試驗(yàn)。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析環(huán)境試驗(yàn)的作用o 環(huán)境試驗(yàn)還可用于安全性檢查，檢查產(chǎn)品是否存在有危害健康、生命及財(cái)產(chǎn)的問題。例如：用恒定加速度試驗(yàn)來檢查安裝、連接的牢固性。當(dāng)用環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備來考核安全性時(shí)，通常采用比正常試驗(yàn)高的試驗(yàn)條件。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析環(huán)境試驗(yàn)重要性 環(huán)境試驗(yàn)是評(píng)價(jià)產(chǎn)品器件、系統(tǒng)及其包裝件在實(shí)際儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用環(huán)境條件下的環(huán)境適應(yīng)性能的重要手段，是考察

8、和保證產(chǎn)品的質(zhì)量的重要手段 。電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析（電子產(chǎn)品）環(huán)境試驗(yàn) 人工模擬試驗(yàn)機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)機(jī)械環(huán)境試驗(yàn) 模擬產(chǎn)品在運(yùn)輸（包裝狀態(tài)）過程中和使用（非包裝狀態(tài)）過程中所受到的機(jī)械力作用的環(huán)境。電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)分類：機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)分類： 機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)主要包括沖擊、振動(dòng)、跌落、彈跳、搖擺、噪聲、恒定加速、堆碼、模擬運(yùn)輸?shù)取?電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：沖擊機(jī)械環(huán)境：沖擊 沖擊基本參數(shù)：沖擊基本參數(shù)：1 1、沖擊波形，、沖擊波形， 2 2、加速度峰值，、加速度峰值， 3 3、脈沖持續(xù)時(shí)間、脈沖持續(xù)時(shí)間 Half-sine

9、wave, 50 g, 11 ms Square wave, 50 g, 13 ms電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：沖擊機(jī)械環(huán)境：沖擊 常用標(biāo)準(zhǔn)和設(shè)備：GB/T2423.5-1995/電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)(沖擊) IEC68-2-27/Basic environmental testing procedures Part 2:Tests-Tests Ea and guidance : Shock 震動(dòng)臺(tái) 機(jī)械沖擊臺(tái)電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：碰撞機(jī)械環(huán)境：碰撞 碰撞參數(shù)及試驗(yàn)設(shè)備：碰撞參數(shù)及試驗(yàn)設(shè)備： 1 1、碰撞波形，、碰撞波形， 2 2、加速度峰值，、加速度峰值， 3 3、脈沖持續(xù)

10、時(shí)間、脈沖持續(xù)時(shí)間 碰撞臺(tái) 震動(dòng)臺(tái)電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：碰撞機(jī)械環(huán)境：碰撞 碰撞標(biāo)準(zhǔn)：碰撞標(biāo)準(zhǔn)：GB/T2423.6-1995/GB/T2423.6-1995/電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)( (碰撞碰撞) )IEC68-2-29/Basic environmental testing procedures Part IEC68-2-29/Basic environmental testing procedures Part 2:Tests-Test Eb and guidance : Bump2:Tests-Test Eb and guidance : Bump 電子產(chǎn)

11、品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：跌落機(jī)械環(huán)境：跌落 跌落參數(shù)及試驗(yàn)設(shè)備：跌落參數(shù)及試驗(yàn)設(shè)備： 1 1、跌落方式，、跌落方式， 2 2、跌落高度，、跌落高度， 3 3，跌落次數(shù)，跌落次數(shù)電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：振動(dòng)機(jī)械環(huán)境：振動(dòng) 振動(dòng)試驗(yàn)分類：振動(dòng)試驗(yàn)分類： 1 1、正弦振動(dòng)、正弦振動(dòng) 2 2、隨機(jī)振動(dòng)、隨機(jī)振動(dòng) 3 3、復(fù)合振動(dòng)、復(fù)合振動(dòng)電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)u 頻率(Frequency) : Hz；u 位移(Displacement) : mm pk-pk or pk；u 速度(Velocity) : m/s pk； u 加速度(Accelerat

12、ion): m/s2 pk；u 掃描速率(Octave)；u dB（斜率）。電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)掃頻速率掃頻速率: : 掃頻速率可分為線性掃描和對(duì)數(shù)掃描速率。 線性速率線性速率(Hz/s):(Hz/s): 每秒變動(dòng)相同的頻率； 對(duì)數(shù)速率對(duì)數(shù)速率(Octave/s):(Octave/s): 每秒變動(dòng)相同的Octave,越高的頻 率,對(duì)數(shù)速率變動(dòng)越快； 在實(shí)際的運(yùn)用上,對(duì)數(shù)速率較常被應(yīng)用對(duì)數(shù)速率較常被應(yīng)用。- 振動(dòng)測(cè)試最主要的目的是讓被測(cè)試物件疲勞等- 我們希望的測(cè)試是讓待測(cè)物在每個(gè)頻率上獲得相同次數(shù)的振動(dòng)（疲勞）- 因此越高頻所需的測(cè)試時(shí)間越短，掃描速率可

13、以越快.- 對(duì)數(shù)掃描真好符合。電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng) u共振頻率搜索試驗(yàn) 1.掃描頻寬 2.掃描速率 3.位移（加速度）u正弦駐留 1.駐留頻率 2.駐留時(shí)間 3.位移（加速度）u正弦振動(dòng) 1.掃描頻寬 2.掃描速率 3.位移（加速度） 4.振動(dòng)時(shí)間電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng) 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng) u共振頻率搜索試驗(yàn)：找樣品共振點(diǎn)電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng) u定頻振動(dòng) 在產(chǎn)品的共振點(diǎn)上進(jìn)行一定時(shí)間的定頻振動(dòng)試驗(yàn)profile(f)high-abort

14、(f)low-abort(f)high-alarm(f)low-alarm(f)control(f)50.0030.001.17490.17781.0000Frequency (Hz)gn電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：隨機(jī)振動(dòng)機(jī)械環(huán)境：隨機(jī)振動(dòng) 隨機(jī)信號(hào)即為我們一般常說的雜訊。隨機(jī)測(cè)試中，所有的頻率共同激發(fā)測(cè)試物?；緟?shù)為：基本參數(shù)為：頻率(frequency), 加速度(acceleration),功率譜密度(power spectral density)及測(cè)試時(shí)間(time).加速度的加速度的定義為定義為均均方根值方根值(root mean square)(root mean squ

15、are)而而非峰值非峰值(peak).(peak).峰值于隨機(jī)振動(dòng)測(cè)試是沒有意義的,就隨機(jī)訊號(hào)而言,永遠(yuǎn)可能產(chǎn)生無限大的峰值.電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：隨機(jī)振動(dòng)機(jī)械環(huán)境：隨機(jī)振動(dòng) 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析機(jī)械環(huán)境：隨機(jī)振動(dòng)機(jī)械環(huán)境：隨機(jī)振動(dòng)V正弦振動(dòng)正弦振動(dòng) u隨機(jī)振動(dòng)測(cè)試的優(yōu)點(diǎn):1、隨機(jī)振動(dòng)比正弦振動(dòng)測(cè)試更能表現(xiàn)出真實(shí)的環(huán)境狀況； 多數(shù)零件或是機(jī)器的損壞都是能量造成的破壞，而隨機(jī)振動(dòng)測(cè)試所使用的PSD正是能量的表示。2、隨機(jī)振動(dòng)測(cè)試可以同時(shí)激發(fā)所有的共振頻率。3、隨機(jī)振動(dòng)測(cè)試運(yùn)用的統(tǒng)計(jì)方法較正弦測(cè)試佳。u隨機(jī)振動(dòng)測(cè)試的缺點(diǎn):1、隨機(jī)測(cè)試所激發(fā)的g值較正弦測(cè)試小。2、隨機(jī)測(cè)試無法針對(duì)測(cè)

16、試產(chǎn)品某一零件做評(píng)估電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析 （電子產(chǎn)品）環(huán)境試驗(yàn) 人工模擬試驗(yàn)氣候環(huán)境試驗(yàn)電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析氣候環(huán)境試驗(yàn)氣候環(huán)境試驗(yàn) 針對(duì)電子產(chǎn)品在儲(chǔ)存或工作中的氣候環(huán)境模擬的試驗(yàn)（一般為有代表性的氣候模擬或模擬極端的氣候條件）。 包括溫度、濕度、氣壓和淋雨等。電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析氣候環(huán)境試驗(yàn)氣候環(huán)境試驗(yàn) 試驗(yàn)箱尺寸 1. 樣品體積等于或小于0.001立方米時(shí)： (1) 散熱功率小于或等于50W時(shí),樣品任一面相對(duì)于箱壁的最小距離不得小于10厘米。 (2)散熱功率大于50W時(shí),樣品任一面相對(duì)于箱壁的最小距離不得小于20厘米。2.樣品體積大于0.001立方米時(shí)： 試驗(yàn)箱統(tǒng)計(jì)與樣品統(tǒng)計(jì)的

17、比值不得小于5:1,樣品應(yīng)盡可能置于試驗(yàn)箱的中央位置, 以便樣品的任何一以便試件之任何一部分與試驗(yàn)箱保持足夠的空間。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析氣候環(huán)境試驗(yàn)種類氣候環(huán)境試驗(yàn)種類 o 溫度試驗(yàn)： 高溫、低溫、溫度循環(huán)、快速溫變、 溫度沖擊等；o 溫濕度試驗(yàn)：高溫高濕、高溫低濕、低溫低濕，溫濕度循；o 氣壓試驗(yàn)：氣壓（高度）試驗(yàn)；o 淋雨試驗(yàn)：淋雨試驗(yàn)、積冰/凍雨試驗(yàn)等。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析高溫試驗(yàn)及分類高溫試驗(yàn)及分類高溫試驗(yàn)：高溫試驗(yàn)： 高溫試驗(yàn)是考察電子產(chǎn)品（材料）在酷熱的環(huán)境下的存儲(chǔ)和操作性能，考察是否會(huì)使試件受到破壞或使其功能退化。高溫試驗(yàn)分類：高溫試驗(yàn)分類： 1、高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)（模擬高

18、溫存儲(chǔ)環(huán)境） 2、高溫工作試驗(yàn)（模擬、考察產(chǎn)品工作極限高溫環(huán)境） 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析高溫試驗(yàn)的影響高溫試驗(yàn)的影響高溫試驗(yàn)的主要影響：高溫試驗(yàn)的主要影響：o 熱老化o 氧化、開裂o 化學(xué)反應(yīng) o 軟化、融化、升華 o 粘度降低、揮發(fā) o 膨脹 高溫試驗(yàn)的失效模式：高溫試驗(yàn)的失效模式：o 絕緣損壞o 增加機(jī)械應(yīng)力o 增加機(jī)械磨損 o 改變電特性（電阻、電容等） o 潤(rùn)滑特性喪失o 密封試件產(chǎn)生高壓 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析高溫試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)高溫試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)o GB/T2423.2-2001/電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)(B高溫)。（IEC o GJB150.3-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 高溫試驗(yàn) 。o I

19、E C 6 8 - 2 - 2 / A m e n d m e n t 2 B a s i c environmental testing procedures Part 2 : T e s t s - T e s t s B : D r y h e a t 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析低溫試驗(yàn)及分類低溫試驗(yàn)及分類低溫試驗(yàn)：低溫試驗(yàn)： 低溫試驗(yàn)是考察電子產(chǎn)品（材料）在低溫環(huán)境下的存儲(chǔ)和操作性能，考察是否會(huì)使試件受到破壞或使其功能退化。低溫試驗(yàn)分類：低溫試驗(yàn)分類： 1、低溫存儲(chǔ)試驗(yàn)（模擬低溫存儲(chǔ)環(huán)境） 2、低溫工作試驗(yàn)（模擬、考察產(chǎn)品工作極限低溫環(huán)境） 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析低溫試驗(yàn)的影響低溫試驗(yàn)

20、的影響低溫試驗(yàn)的主要影響：低溫試驗(yàn)的主要影響：o 液體粘度增加和凝固o 結(jié)露和結(jié)冰o 材料的脆化和硬化 o 粘度降低 、固化o 收縮 低溫試驗(yàn)的失效模式：低溫試驗(yàn)的失效模式：o 不同材料收縮特性而使零件卡死o 機(jī)械強(qiáng)度喪失o 改變電特性（電阻、電容等） o 潤(rùn)滑特性喪失o 增加機(jī)械磨損o 樣品不能啟動(dòng) 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析低溫試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)低溫試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)o GB/T2423.1-2001/電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)(A低溫) o GJB150.4-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn) 低溫試驗(yàn) o IEC68-2-1/Amendment 2 Environmental testing part 2:Tests-Tes

21、ts A: Cold 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析溫度循環(huán)試驗(yàn)及分類溫度循環(huán)試驗(yàn)及分類溫度循環(huán)試驗(yàn)溫度循環(huán)試驗(yàn)： 高溫試驗(yàn)是考察電子產(chǎn)品（材料）在溫度變化環(huán)境下的存儲(chǔ)和操作性能，考察是否會(huì)使試件受到破壞或使其功能退化。高溫試驗(yàn)分類：高溫試驗(yàn)分類： 1、高低溫循環(huán)（模擬緩慢溫度變化環(huán)境20/min) 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析溫度循環(huán)試驗(yàn)的比較溫度循環(huán)試驗(yàn)的比較溫度沖擊試驗(yàn)溫度沖擊試驗(yàn)溫度循環(huán)試驗(yàn)溫度循環(huán)試驗(yàn)溫度變化速率急?。?0 /min)緩慢（5 /min ）循環(huán)次數(shù)510個(gè)循環(huán)（多至1000循環(huán)）510個(gè)循環(huán)（多至1000循環(huán)）試驗(yàn)時(shí)間短長(zhǎng)用途膨脹系數(shù)不同引起連接剝離通過長(zhǎng)時(shí)間試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)腐蝕傾向膨

22、脹系數(shù)不同龜裂后進(jìn)水長(zhǎng)時(shí)間地多次循環(huán)后出現(xiàn)應(yīng)力疲勞水份進(jìn)入導(dǎo)致腐蝕及短路模擬、調(diào)查分析現(xiàn)場(chǎng)失效的相關(guān)性電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析溫度循環(huán)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)溫度循環(huán)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)o GB/T2423.22-2002/電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)(溫度變化)o GJB150.5-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 溫度沖擊試驗(yàn)o IEC68-2-14/Basic environmental testing procedures Part 2:Change of temperatureo IEC68-2-30/Basic environmental testing procedures art 2:Tests Db and guid

23、ance: Damp heat, cyclic電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析濕度試驗(yàn)濕度試驗(yàn) 濕度試驗(yàn)：濕度試驗(yàn)： 濕度試驗(yàn)是考察電子產(chǎn)品（材料）在不同濕度環(huán)境下的存儲(chǔ)和操作性能，考察是否會(huì)使試件受到破壞或使其功能退化。電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析高溫高濕高溫高濕高溫高濕高溫高濕o材料吸濕膨脹，材料腐蝕、磨損增加，元器件吸濕和退化、電路結(jié)露等。o模擬無氣候控制的倉(cāng)庫和熱帶濕熱氣候環(huán)境。o試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：1、GB/T2423.3-93/電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程(恒定濕熱試驗(yàn)方法) 2、GB/T2423.9-2001/電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)(恒定濕熱) 3、GJB150.9-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 濕熱試驗(yàn)

24、 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析高溫低濕高溫低濕高溫低濕高溫低濕o 材料干裂，潤(rùn)滑失效，靜電擊穿等。o 模擬沙漠高溫干燥氣候環(huán)境。o 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、地方標(biāo)準(zhǔn)電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析低溫低濕低溫低濕低溫低濕低溫低濕o 材料干裂，潤(rùn)滑失效，靜電擊穿，o 模擬北方或沙漠（早上和下午時(shí)）低溫干燥的氣候環(huán)境。o 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，地方標(biāo)準(zhǔn)電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析溫濕度循溫濕度循溫濕度循溫濕度循o 材料疲勞、材料吸濕和膨脹、絕緣性能退化、化學(xué)腐蝕和氧化、元器件退化。o 利用“呼吸”效果，考察樣品在溫濕度變化的環(huán)境下的適應(yīng)能力。電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析溫濕度循試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)溫濕度循試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)o GB/T2423.

25、4-93/電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程(交變濕熱試驗(yàn)方法)o IEC68-2-38/Basic environmental testing procedures part 2:Test Z/AD:Composite temperature/humldity cyclic test電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析氣壓（高度）試驗(yàn)氣壓（高度）試驗(yàn) 氣壓（高度）試驗(yàn)：氣壓（高度）試驗(yàn)： 氣壓（高度）試驗(yàn)是考察電子產(chǎn)品（材料）在不同氣壓的環(huán)境下的存儲(chǔ)和操作性能，考察是否會(huì)使試件受到破壞或使其功能退化。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析氣壓（高度）試驗(yàn)氣壓（高度）試驗(yàn) o 高壓：高壓：壓縮、變形 ，產(chǎn)生機(jī)械故障和密封失

26、效。 模擬高壓工作環(huán)境。o 低壓：低壓：膨脹、空氣的電氣強(qiáng)度降低、電暈和臭氧的形成、減慢冷卻，產(chǎn)生機(jī)械故障，泄漏（密封失效），閃絡(luò)，過熱。 模擬低壓（高海拔、高空、太空等）工作環(huán)境，一般隨氣壓降低，溫度也相應(yīng)降低（每升高1千米，溫度下降6度）。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析氣壓（高度）試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)氣壓（高度）試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) o GJB150.2-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 低氣壓(高度)試驗(yàn)o GJB150.6-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 溫度-高度試驗(yàn)o GJB150.19-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 溫度-濕度-高度試驗(yàn)o IEC68-2-13/Basic environmental testing p

27、rocedures Part 2:Tests Low air pressure 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析淋雨試驗(yàn)淋雨試驗(yàn) o 淋雨試驗(yàn)：確定樣品外殼的防雨滲透的功能，考察樣品在遭受雨淋時(shí)和淋雨后的功能。o 積冰/凍雨試驗(yàn)：樣品在露天環(huán)境下受到降雨、霧、海浪飛沫或其它原因而引起冰的積聚對(duì)其工作性能的影響。 電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析淋雨試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)淋雨試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)o GJB150.8-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 淋雨試驗(yàn)o GJB150.22-87/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 積冰/凍雨試驗(yàn)o GJB2423.38-08/水試驗(yàn)方法和導(dǎo)則電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析其它氣候試驗(yàn)及標(biāo)準(zhǔn)其它氣候試驗(yàn)及標(biāo)準(zhǔn)o GJB150.12-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 沙塵試驗(yàn)o GB2423.37-06/沙塵試驗(yàn)電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析（電子產(chǎn)品）環(huán)境試驗(yàn) 人工模擬試驗(yàn)生物、化學(xué)環(huán)境試驗(yàn)電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析生物、化學(xué)環(huán)境試驗(yàn)生物、化學(xué)環(huán)境試驗(yàn) 模擬產(chǎn)品在存儲(chǔ)、運(yùn)輸和使用中可能遭受的化學(xué)和霉菌環(huán)境。電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析霉菌試驗(yàn)霉菌試驗(yàn) 霉菌試驗(yàn)是考察樣品可能長(zhǎng)霉的程度，以及長(zhǎng)霉對(duì)樣品性能或其它使用的可能影響。 黑霉菌 鏈霉菌電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介淺析霉菌試驗(yàn)的物理影響霉菌試驗(yàn)的物