電磁兼容培訓教材5

1、第一章 基本概念n電磁干擾現(xiàn)象電磁干擾現(xiàn)象n電磁兼容標準電磁兼容標準n電磁兼容試驗電磁兼容試驗n頻域與時域頻域與時域n分貝的概念分貝的概念電磁干擾現(xiàn)象開關(guān)電源數(shù)字脈沖電路數(shù)字視頻設備220AC產(chǎn)生電磁干擾的條件1.突然變化的電壓或電流，即突然變化的電壓或電流，即dV/dt 或或 dI/dt 很大很大2.輻射天線或傳導導體輻射天線或傳導導體設計中，遇到電壓、電流的突然變化，千設計中，遇到電壓、電流的突然變化，千萬要考慮潛在的電磁干擾問題萬要考慮潛在的電磁干擾問題常見干擾源雷電雷電NEMP脈沖電路脈沖電路ESD無線通信無線通信感性負載通斷感性負載通斷直流電機、變頻調(diào)速器直流電機、變頻調(diào)速器電磁兼容

2、標準的內(nèi)容 電磁兼容標準 干擾發(fā)射 敏感度 傳 導 輻 射 傳 導 輻 射電源線信號/控制線天線端口 電 場 磁 場 電源線/信號線 射頻 瞬態(tài)天線端口 電 場 磁 場 靜 電放電 電磁兼容標準體系 基礎(chǔ)標準基礎(chǔ)標準 電磁兼容標準電磁兼容標準 通用標準通用標準 產(chǎn)品標準產(chǎn)品標準 被引用到被引用到被引用到被引用到標準編號的識別國家或組織國家或組織 制訂單位制訂單位 標標 準準 編編 號號 IEC CISPR CISPR Pub. IEC TC77 IEC 歐共體CENELEC EN 美國FCC，DOD FCC Part , MIL-STD. 日本 VCCI VCCI 中國質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局, 國防部

3、門GB - GJB - 電磁兼容試驗場地電磁發(fā)射試驗電磁發(fā)射試驗敏感度或抗擾度試驗：敏感度或抗擾度試驗：開闊場（民用標準）開闊場（民用標準）屏蔽暗室屏蔽暗室可在普通環(huán)境中，但可在普通環(huán)境中，但是注意對周圍設備的是注意對周圍設備的影響影響輻射發(fā)射測試EUT旋轉(zhuǎn)找最大面0.8m1 4m1、3、10、30 米屏蔽墻測試儀浪涌（模擬雷電干擾）試驗裝置信號電纜用的信號電纜用的耦合解耦網(wǎng)絡耦合解耦網(wǎng)絡接電網(wǎng)接電網(wǎng)接輔助設備接輔助設備EUT發(fā)生器或耦合器之發(fā)生器或耦合器之間的電纜小于間的電纜小于2米米保護地線要能夠保護地線要能夠承受浪涌電流承受浪涌電流浪涌敏感度試驗波形10 s0.5 s50 s1.2 s8

4、 s20 s電壓 電流 t t t 電壓 電快速脈沖試驗裝置容性卡鉗距參考地100mm,輪流卡每根電纜EUT與參考地平面之間的距離大于100mm參考地平面的每個邊要超出EUT100mm并與大地相連EUT與發(fā)生器或卡鉗之間的電源線或信號線長度小于1米脈沖群信號源連輔助設備與端接電快速脈沖試驗波形（模擬感性負載斷開）雙指數(shù)脈沖雙指數(shù)脈沖15ms脈沖串脈沖串(5kHz)脈沖串間隔是脈沖串間隔是300ms靜電放電現(xiàn)象放電電流放電電流 I1ns100nsIt靜電放電試驗裝置水平耦合板水平耦合板1.6 0.8mEUT絕緣墊絕緣墊垂直耦合板垂直耦合板500mm正方形，距正方形，距EUT100mm直接對直接對

5、EUT放電放電垂直板間接放電絕緣桌絕緣桌參考地板 1m2邊沿比耦合板外延 500mm耦合板通過470k電阻接地對于落地設備，水平耦合板對于落地設備，水平耦合板=垂直耦合板，垂直耦合板，EUT放在放在100mm厚的絕緣板上厚的絕緣板上水平板間接放電分貝(dB) 的概念分貝的定義：分貝數(shù) 10lgP2P1P1、P2 是兩個功率數(shù)值，對于電流或電壓，定義如下：電壓增益的分貝數(shù) 20lgV2V1電流增益的分貝數(shù) 20lgI2I2用分貝表示的物理量電壓：電壓：用用1V、1mV、1 V 為參考（例如：為參考（例如：1 V = 0dB V） 則單位為：則單位為：dBV、dBmV、dB V 等，等，電流：電流

6、：用用1A、1mA、1 A 為參考，則：為參考，則：dBA、dBmA、dB A場強：場強：用用1V/m、1 V/m 為參考，則：為參考，則：dBV/m、dB V/m 等，等，功率：功率：用用1W、1mW 為參考，則：為參考，則：dBW、dBm等，等，頻域分析時域波形頻譜分量付立葉級數(shù)(周期)付立葉變換(非周期)EMC分析更多是在頻域中進行，并且不分析更多是在頻域中進行，并且不考慮相位因素考慮相位因素。示波器觀察頻譜分析儀觀察頻譜分析儀幅度頻率掃描速率（時間）分辨帶寬頻率范圍脈沖信號的頻譜T1/d1/trdtr 諧波幅度（電壓或電流）頻率（對數(shù)）-20dB/dec-40dB/decAV( or I) = 2A(d+tr)/TV( or I) = 0.64A/TfV( o