存儲(chǔ)器ppt課件

1、中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器1第六章第六章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器6.1 概述概述6.2 只讀存儲(chǔ)器（只讀存儲(chǔ)器（ROM）6.3 隨機(jī)存取器（隨機(jī)存取器（RAM）6.4 存儲(chǔ)器的應(yīng)用存儲(chǔ)器的應(yīng)用中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器26.1 概述概述一、存儲(chǔ)器的構(gòu)造特點(diǎn)一、存儲(chǔ)器的構(gòu)造特點(diǎn)1.數(shù)目龐大與管腳有限數(shù)目龐大與管腳有限2.分組技術(shù)分組技術(shù)3.地址譯碼技術(shù)地址譯碼技術(shù)4.共享通道技術(shù)共享通道技術(shù)中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器3二、存儲(chǔ)器的分類二、存儲(chǔ)器的分類從存、取功能上分從存、取功能上分

2、 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器(ROM) 隨機(jī)存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM) SRAMDRAM 從制造工藝上分從制造工藝上分 雙極型雙極型MOS型型UVEPROME2PROM快閃存儲(chǔ)器快閃存儲(chǔ)器 （FLASH）掩模掩模ROMPROM EPROM中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器4三、存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)三、存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)1.存儲(chǔ)容量：所存放信息的多少，用存儲(chǔ)容量：所存放信息的多少，用Bit表示表示2.存儲(chǔ)時(shí)間：用讀（寫）周期表示存儲(chǔ)時(shí)間：用讀（寫）周期表示中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器56.2 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器ROM定義：定義：只讀

3、存儲(chǔ)器ROM（ReadOnly memory）是存儲(chǔ)固定信息的存儲(chǔ)器件，即先把信息和數(shù)據(jù)寫入到存儲(chǔ)器中，在正常工作時(shí)它存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是固定不變的，只能讀出，不能迅速寫入，故稱為只讀存儲(chǔ)器。特點(diǎn)：特點(diǎn)：掉電后存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器6按使用的器件的類型按使用的器件的類型ROM的分類的分類二極管二極管ROM 雙極型雙極型三極管三極管ROM MOS管管ROM中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器7固定固定ROM： 出廠時(shí)已完全固定下來(lái)，使用時(shí)無(wú)法再更出廠時(shí)已完全固定下來(lái)，使用時(shí)無(wú)法再更 改，也稱掩模編程改，也稱掩模編程

4、ROM。 PROM： 允許用戶根據(jù)需要寫入，但只能寫一次。允許用戶根據(jù)需要寫入，但只能寫一次。EPROM： 允許用戶根據(jù)需要寫入，可以擦除后重新寫入，允許用戶根據(jù)需要寫入，可以擦除后重新寫入， 但但 操作復(fù)雜、費(fèi)時(shí)。操作復(fù)雜、費(fèi)時(shí)。EEPROM： 允許用戶根據(jù)需要寫入，可以擦除后重新寫入，允許用戶根據(jù)需要寫入，可以擦除后重新寫入， 操作比較簡(jiǎn)便、快捷。操作比較簡(jiǎn)便、快捷。閃速存儲(chǔ)器：仍是閃速存儲(chǔ)器：仍是ROM，兼有，兼有EPROM、EEPROM、RAM 的特點(diǎn)，的特點(diǎn)，既有存儲(chǔ)內(nèi)容非丟失性，又有快速擦既有存儲(chǔ)內(nèi)容非丟失性，又有快速擦寫和寫和 讀取的特性。讀取的特性。按數(shù)據(jù)的寫入方式分按數(shù)據(jù)的寫

5、入方式分中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器8ROM的用途的用途1、存儲(chǔ)各種程序代碼；、存儲(chǔ)各種程序代碼；2、實(shí)現(xiàn)多輸入、多輸出邏輯函數(shù)真值表；、實(shí)現(xiàn)多輸入、多輸出邏輯函數(shù)真值表；3、代碼的變換、符號(hào)和數(shù)字顯示等有關(guān)數(shù)字電路及存儲(chǔ)各種函數(shù)等。、代碼的變換、符號(hào)和數(shù)字顯示等有關(guān)數(shù)字電路及存儲(chǔ)各種函數(shù)等。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器9一、掩模只讀存儲(chǔ)器一、掩模只讀存儲(chǔ)器1、ROM的電路結(jié)構(gòu)的電路結(jié)構(gòu) ROM的電路結(jié)構(gòu)包含存儲(chǔ)矩陣、地址譯碼器和輸出緩沖器三個(gè)組成部分的電路結(jié)構(gòu)包含存儲(chǔ)矩陣、地址譯碼器和輸出緩沖器三個(gè)組成部分輸出緩沖器：既

6、有緩沖作用，又可以提供不同的輸出緩沖器：既有緩沖作用，又可以提供不同的 輸出結(jié)輸出結(jié) 構(gòu)，如三構(gòu)，如三態(tài)輸出、態(tài)輸出、OC輸出等。輸出等。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器102、ROM電路的工作原理電路的工作原理與邏輯陣列或邏輯陣列字線字線位線位線中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器11 ROM中的數(shù)據(jù)表地 址數(shù) 據(jù)A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器12二、二、可編程只讀存儲(chǔ)器可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)(PROM) PROM在出廠時(shí)

7、，制作的是一個(gè)在出廠時(shí)，制作的是一個(gè)完整的二極管或三極管存儲(chǔ)單元完整的二極管或三極管存儲(chǔ)單元矩陣，相當(dāng)于所有的存儲(chǔ)單元全矩陣，相當(dāng)于所有的存儲(chǔ)單元全部存入部存入1。在每個(gè)單元的三極管發(fā)。在每個(gè)單元的三極管發(fā)射極上都接有快速熔絲，它是用射極上都接有快速熔絲，它是用低熔點(diǎn)的合金或很細(xì)的多晶硅導(dǎo)低熔點(diǎn)的合金或很細(xì)的多晶硅導(dǎo)線制成的。線制成的。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器13中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器14原理（寫入過(guò)程）：1）輸入地址，選中字線；2）寫0的位線加高壓脈沖；3）DZ導(dǎo)通，AW輸出為0；4）熔絲燒斷，寫入0。中南大學(xué)

8、信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器15三、可擦除的可編三、可擦除的可編ROM(EPROM) 在研制一個(gè)數(shù)字系統(tǒng)的過(guò)程中，用戶常常希望能夠按照自己的需要對(duì)在研制一個(gè)數(shù)字系統(tǒng)的過(guò)程中，用戶常常希望能夠按照自己的需要對(duì)ROM 進(jìn)行進(jìn)行編程，這樣的編程，這樣的ROM叫做可編程叫做可編程PROM或或EPROM。 中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器161.UVEPROM1.UVEPROM采用浮柵型采用浮柵型MOS器件作為存儲(chǔ)單元的一個(gè)元件，需紫外線照射才能擦除，大概需要器件作為存儲(chǔ)單元的一個(gè)元件，需紫外線照射才能擦除，大概需要1030分鐘，可擦除上萬(wàn)次。

9、分鐘，可擦除上萬(wàn)次。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器172.E2.E2 2PROMPROM同樣采用浮柵工藝，但可利用一定寬度電脈沖擦除。同樣采用浮柵工藝，但可利用一定寬度電脈沖擦除。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器183、快閃存儲(chǔ)器、快閃存儲(chǔ)器快閃存儲(chǔ)器既吸收了快閃存儲(chǔ)器既吸收了EPROM結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、編程可靠的優(yōu)點(diǎn)，又保留了結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、編程可靠的優(yōu)點(diǎn)，又保留了E2PROM用隧道效應(yīng)檫除的快捷特性，而且集成度可以做得很高。用隧道效應(yīng)檫除的快捷特性，而且集成度可以做得很高。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器1

10、9可讀可寫 讀寫方便 所存儲(chǔ)信息會(huì)因斷電而丟失用途用途特點(diǎn)特點(diǎn)常用來(lái)放一些采樣值、運(yùn)算的中間 結(jié)果，數(shù)據(jù)暫存、緩沖和標(biāo)志位等。6.3 隨機(jī)存取器隨機(jī)存取器中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器20一、一、 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)1、SRAM的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理 SRAM電路通常由存儲(chǔ)矩陣、地址譯碼器和讀寫控制電路三部分組成電路通常由存儲(chǔ)矩陣、地址譯碼器和讀寫控制電路三部分組成。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器21（1）存儲(chǔ)矩陣）存儲(chǔ)矩陣 每個(gè)存儲(chǔ)單元能存放一位二值信息。存儲(chǔ)器的容量是指每個(gè)存儲(chǔ)單元能存放一位

11、二值信息。存儲(chǔ)器的容量是指 存儲(chǔ)單元的數(shù)目。存儲(chǔ)單元的數(shù)目。存儲(chǔ)容量存儲(chǔ)容量=存儲(chǔ)單元的數(shù)目存儲(chǔ)單元的數(shù)目=行數(shù)行數(shù)*列數(shù)列數(shù) =字線數(shù)字線數(shù)*位線數(shù)位線數(shù)（2）地址譯碼）地址譯碼 一個(gè)一個(gè)RAM由若干字和位組成。通常信息的讀出和寫入是以字為單位進(jìn)行的。為了區(qū)分不由若干字和位組成。通常信息的讀出和寫入是以字為單位進(jìn)行的。為了區(qū)分不同的字，將存放同一個(gè)字的各個(gè)存儲(chǔ)單元編為一組，并賦予一個(gè)號(hào)碼，稱為地址。同的字，將存放同一個(gè)字的各個(gè)存儲(chǔ)單元編為一組，并賦予一個(gè)號(hào)碼，稱為地址。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器22 地址的選擇是借助于地址譯碼器實(shí)現(xiàn)的。容量小的可以只用一

12、個(gè)譯碼器，容量大的通常地址的選擇是借助于地址譯碼器實(shí)現(xiàn)的。容量小的可以只用一個(gè)譯碼器，容量大的通常采用雙譯碼結(jié)構(gòu)，即將輸入地址分為兩部分，分別由行譯碼器和列譯碼器進(jìn)行譯碼。行列采用雙譯碼結(jié)構(gòu)，即將輸入地址分為兩部分，分別由行譯碼器和列譯碼器進(jìn)行譯碼。行列譯碼器的輸出即為存儲(chǔ)矩陣的字線和位線，由它們共同確定欲選擇的存儲(chǔ)單元。譯碼器的輸出即為存儲(chǔ)矩陣的字線和位線，由它們共同確定欲選擇的存儲(chǔ)單元。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器23X1例如：例如：1024*1的存儲(chǔ)器，可以排列成的存儲(chǔ)器，可以排列成32*32的矩陣。的矩陣。 A5 A6 A7 A8 A9A0A1A2A

13、3A4行 譯 碼 器列 譯 碼 器（ 0，0）（ 0，1）（ 0，2）（0，30）（ 0，31 ）（ 1，0）（ 1，1）（ 1，2）（1，30）（ 1，31）（ 2，0）（ 2，1）（ 2，2）（2，30）（ 2，31 ）（30，0）（30，1）（30，2）（30，30）（30，31 ）X0X30X2X31（31，0）（31，1）（3，2）（31，30）（31，31 ）Y0Y31Y1Y2Y30中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器24X1例如：例如：1024*2的存儲(chǔ)器，可以排列成的存儲(chǔ)器，可以排列成32*64的矩陣。的矩陣。 A5 A6 A7 A8 A9 A0A1

14、A2A3A4行 譯 碼 器列 譯 碼 器（ 0，0）（ 0，1）（ 0，2）（ 0，3）（ 0，63）（ 0，64 ） （ 1，0）（ 1，1）（ 1，2）（ 1，3）（ 1，63）（ 1，64）（ 2，0）（ 2，1）（ 2，2）（ 2，3）（ 2，63）（ 2，64 ）（30，0）（30，1）（30，2）（30，3）（30，63）（30，64）X0X30X2X31（31，0）（31，1）（ 3，2）（31，3）（31，63）（31，64 ）Y0Y1Y2Y30Y31中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器25中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)

15、器器26（六管（六管NMOS靜態(tài)存儲(chǔ)單元）靜態(tài)存儲(chǔ)單元）2、SRAM的靜態(tài)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)存儲(chǔ)單元靜態(tài)存儲(chǔ)單元靜態(tài)存儲(chǔ)單元=觸發(fā)器觸發(fā)器+控制電控制電路路中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器27原理：1）當(dāng)?shù)刂纷g碼后，Xi=1，Yj=1 Xi=1，則T5、T6導(dǎo)通，使Q與Bj及Q與Bj接通； Yj=1，則T7、T8導(dǎo)通，使位線可輸入/輸出。2）讀/寫控制電路（a） 數(shù)據(jù)經(jīng)A2、A3寫入存儲(chǔ)單元；（b） 數(shù)據(jù)經(jīng)A1讀出 ；（c） A1、A2、A3高阻態(tài)。0/, 0WRCS1/, 0WRCS1CS中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器28二、動(dòng)態(tài)

16、隨機(jī)存儲(chǔ)器二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)1、DRAM的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元的特點(diǎn)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元的特點(diǎn)1）利用）利用MOS管柵極電容的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)來(lái)組成動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。管柵極電容的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)來(lái)組成動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。 2 2）柵極電容的容量很?。〇艠O電容的容量很小(通常僅為幾皮法通常僅為幾皮法)，漏電流又不可能絕對(duì)等于零，所以電荷，漏電流又不可能絕對(duì)等于零，所以電荷保存的時(shí)間有限保存的時(shí)間有限3 3）為了及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信號(hào)丟失，必須定時(shí)地給柵極電容補(bǔ)充）為了及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信號(hào)丟失，必須定時(shí)地給柵極電容補(bǔ)充電荷電荷-刷新或再生。刷新或再生。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半

17、導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器291）讀操作程序）讀操作程序A. 先加預(yù)充電脈沖，使先加預(yù)充電脈沖，使C0、C0充電至高電平充電至高電平B.使使X、Y同時(shí)為高電平同時(shí)為高電平2）寫操作程序：使）寫操作程序：使X、Y同時(shí)為高電平即可寫入。同時(shí)為高電平即可寫入。三三管管MOS動(dòng)動(dòng)態(tài)態(tài)存存儲(chǔ)儲(chǔ)單單元元中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器302、DRAM整體結(jié)構(gòu)框圖整體結(jié)構(gòu)框圖中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器31 實(shí)用存儲(chǔ)器芯片實(shí)用存儲(chǔ)器芯片1、EPROM2716中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器322716的主要參數(shù)有：

18、 電源電壓VCC=+5V 編程高電壓VPP=25V 工作電流最大值100mA, 維持電流最大值 25mA 最大讀取時(shí)間450ns 存儲(chǔ)容量2K8位。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器33 2716工作方式 ：工作方式VPP輸出D讀出00+5V數(shù)據(jù)輸出維持1+5V高阻浮置編程1+25V數(shù)據(jù)寫入編程禁止01+25V高阻浮置編程校驗(yàn)00+25V數(shù)據(jù)輸出PGM/CEPGMCE/OE中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器342、EEPROM2864中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器353、SRAM6116中南大學(xué)信息科

19、學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器366116有三種操作方式： 1）寫入方式寫入方式：當(dāng) 時(shí)， D0D7上的內(nèi)容存入A0A10對(duì)應(yīng)的單元。 2）讀出方式讀出方式：當(dāng) 時(shí)， A0A10對(duì)應(yīng)單元的內(nèi)容輸出到D0D7。 3）低功耗維持方式：當(dāng) 時(shí)， 器件電流僅20A左右，為系統(tǒng)斷電時(shí)用電池保存RAM內(nèi)容提供了可能性。1, 0, 0OEWECS0, 1, 0OEWECS1CS中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器376.4 存儲(chǔ)器的應(yīng)用存儲(chǔ)器的應(yīng)用一、思路一、思路1、存儲(chǔ)器的譯碼器輸出包含了輸入地址變量全部的最小項(xiàng)、存儲(chǔ)器的譯碼器輸出包含了輸入地址變量全部的最

20、小項(xiàng);2、存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)輸出又都是若干個(gè)最小項(xiàng)之和、存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)輸出又都是若干個(gè)最小項(xiàng)之和;3、而任何的組合邏輯函數(shù)可用輸入邏輯變量的最小項(xiàng)之和表示。、而任何的組合邏輯函數(shù)可用輸入邏輯變量的最小項(xiàng)之和表示。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器38二、推論二、推論 n位輸入地址、位輸入地址、m位數(shù)據(jù)輸出的存儲(chǔ)器可以設(shè)計(jì)一組位數(shù)據(jù)輸出的存儲(chǔ)器可以設(shè)計(jì)一組(最多為最多為m個(gè)個(gè))任何形式的任何形式的n輸入邏輯變量組合邏輯函數(shù)輸入邏輯變量組合邏輯函數(shù)三、方法三、方法只要根據(jù)函數(shù)的形式向存儲(chǔ)器寫入相應(yīng)的數(shù)據(jù)即可。只要根據(jù)函數(shù)的形式向存儲(chǔ)器寫入相應(yīng)的數(shù)據(jù)即可。中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院

21、第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器39四、步驟四、步驟1、根據(jù)輸入變量數(shù)和輸出端個(gè)數(shù)確定存儲(chǔ)器的類型；、根據(jù)輸入變量數(shù)和輸出端個(gè)數(shù)確定存儲(chǔ)器的類型； 2、將函數(shù)化為最小項(xiàng)之和的形式（列出函數(shù)的真值表）；、將函數(shù)化為最小項(xiàng)之和的形式（列出函數(shù)的真值表）；3、列出函數(shù)的數(shù)據(jù)表；、列出函數(shù)的數(shù)據(jù)表；4、畫出相應(yīng)的電路的結(jié)點(diǎn)圖（編程寫入數(shù)據(jù)）。畫出相應(yīng)的電路的結(jié)點(diǎn)圖（編程寫入數(shù)據(jù)）。 中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器401、作函數(shù)運(yùn)算表電路（、作函數(shù)運(yùn)算表電路（Y=X2）2、實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)、實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)3、用、用ROM設(shè)計(jì)一個(gè)設(shè)計(jì)一個(gè)8段字符顯示的譯碼器段字符

22、顯示的譯碼器4、數(shù)字波形發(fā)生數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、數(shù)字波形發(fā)生數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器舉例舉例中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器41一、試用ROM構(gòu)成實(shí)現(xiàn)函數(shù) 的運(yùn)算表電路，x的取值范圍為015的正整數(shù)。xY2解：(1)分析要求、設(shè)定變量x的取值范圍為015的正整數(shù)，用B=B3B2B1B0表示；Y的最大位是225，用Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。 (2)列真值表、函數(shù)運(yùn)算表中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器42（3）寫出邏輯函數(shù)表達(dá)式 mmmmYmmmmmmYmmmmmmYmmmmmmYmmmmYmmmmYYmmmmmmmmY15141312715141110986151311107651211975441311533141062211513119753100中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存儲(chǔ)儲(chǔ)器器43 (4) 畫出ROM存儲(chǔ)矩陣結(jié)點(diǎn)邏輯圖 為作圖方便，將ROM矩陣中的存儲(chǔ)單元存入1的單元用結(jié)點(diǎn)結(jié)點(diǎn)表示 中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院第第六六章章 半半導(dǎo)導(dǎo)體體存存