矽片采購手冊

1、目錄太陽能級單晶硅片的規(guī)格要求 2太陽能級多晶硅片的規(guī)格要求 2太陽能級硅棒的規(guī)格要求 3太陽能級多晶硅料規(guī)格要求 4頭尾料、鍋底料、邊角料 技術(shù)要求 5太陽電池用晶體硅棒、片技術(shù)條件 6切片 11標(biāo)志、包裝、運輸、貯存 1212專業(yè)術(shù)語中英文對照全文翻譯種類6英寸準(zhǔn)方片8英寸準(zhǔn)方片型號P型摻硼P型摻硼電阻率ohm 0.5-3.0()0.5-3.0()晶體硅片趨向V 100>± 3°V 100>± 3°碳含量(atoms/ cm 3)V 5*1016V 5*1016氧含量(atoms/ cm 3)V 1.0*1018V 1.0*1018少子壽

2、命卩s> 10 (20)> 10 (20)晶體硅片邊長mm125*125 ± 0.5156*156 ± 0.5晶體硅片直徑mm150 ± 1.0203.2 ± 1.0厚度卩m220± 20/270 ± 20220 ± 20/270 ± 20總厚度變化卩m<30<30外表狀況清潔無污點清潔無污點外觀無裂痕無裂痕太陽能級多晶硅片的規(guī)格要求種類6英寸方片8央寸方片型號P型摻硼P型摻硼電阻率ohm 0.5-3.0 (3.0-6.0)0.5-3.0 (3.0-6.0)碳含量(atoms/ cm 3)V

3、 8*1017V 8*10 17氧含量(atoms/ cm 3)V 1.0*10 18V 1.0*10 18少子壽命卩s> 2 (20)> 2 (20)晶體硅片邊長mm125*125 ± 0.5156*156 ± 0.5斜面mm厚度卩m220 ± 20/270 ± 20220 ± 20/270 ± 20TTV(卩 m)<30<50外表狀況清潔無污點清潔無污點外觀無裂痕無裂痕太陽能級硅棒的規(guī)格要求參數(shù)要求直徑參數(shù)8英寸直徑誤差+3/-1 mm型號/摻雜兀素P型晶體硅棒趨向v 100>± 3

4、6;電阻率 少子壽命> 10 卩 s徑向電阻率變化v 25%氧含量v 1* 1018at/cm 3碳含量v 5*1016at/cm 3位錯密度v 3000 at/cm 2參數(shù)要求直徑參數(shù)6英寸直徑誤差+3/-1 mm型號/摻雜兀素P型晶體硅棒趨向v 100>± 3°電阻率 少子壽命> 10 卩 s徑向電阻率變化v 25%氧含量v 1* 1018 at/cm 3碳含量v 5*1016 at/cm 3位錯密度v 3000 at/cm 2太陽能級多晶硅料規(guī)格要求A、太陽能級多晶硅料規(guī)格要求技術(shù)要求：1 總體要求：硅含量?99.9999%2.含硼量：0.20ppb

5、a:3.含磷量：0.90ppba4.含碳量：1.00ppba5.金屬含量： 1 0.00ppba6.金屬外表含量： 30.00ppba7.尺寸大小要求：25mm-250mm8.多晶種類：P型9.電阻率：0.50ohmcmB. 破碎半導(dǎo)體級硅片技術(shù)要求：1. 半導(dǎo)體級碎硅片；2. 片子形狀為圓弧形碎片；3. 硅片厚度?400um;4. 型號為 P 型；5. 電阻率： 0.50ohmcmC. 小多晶硅技術(shù)要求1. 型號為N型，電阻率大于50ohmcm ,碳含量小于5*1016/cm3，氧含量小于5*10 17/cm3;2. 塊狀為 4mm;3. 不能有氧化夾層和不熔物，最好為免洗料 ;D 直拉多晶

6、硅技術(shù)要求：1. 磷檢為N型，電阻率大于 100ohmcm，硼檢為P型，電阻率大于 1000ohmcm，少數(shù) 載流子壽命大于100us,碳含量小于5*1016/cm3，氧含量小于5*1017/cm3;2. 塊狀大于 30mm;3. 不能有氧化夾層或不熔物，最好為免洗料；E. 區(qū)熔頭尾料技術(shù)要求1. N型，電阻率 0.5-50ohmcm，少數(shù)載流子壽命大于100us;2. 塊狀大于 30mm;3. 區(qū)熔頭尾料不能有氣泡，不能有與線圈接觸所造成的沾污，更不能有區(qū)熔過程的流 硅或不熔物；4. 最好為免洗料。F. 直拉頭尾料IC料，最好為免洗料1. N 型，電阻率大于 10ohmcm;2. P 型，電

7、阻率大于 0.5ohmcm;3. 塊狀大于30mm，片厚大于0.5mm;4. 直拉頭尾料不能有氣泡，更不能有不熔物。頭尾料、鍋底料、邊角料、碎片技術(shù)要求硅原料總類頭尾料鍋底料邊角料碎片型號P型、N型P型、N型P型、N型P型、N型電阻率P 型 >0.5 Q cmN 型 >3 Q cmP 型 >0.5 Q cmN 型 >3 Q cmP 型 >0.5 Q cmN 型 >3Q cmP 型 >0.5 Q cmN 型 >3Q cm多晶料顆粒> 8mm以上要求無石墨樣片料要求外表無嚴(yán)重氧化，厚度 1mm以上碎片料要求外表無氧化，顆粒1cm以上氧含量w 1

8、-2*10 18 at/cm 3碳含量w 1*1017 at/cm 3太陽電池用晶體硅棒、片技術(shù)條件1、單晶硅棒1、單晶硅棒常規(guī)技術(shù)參數(shù)表1給出了單晶硅棒的常規(guī)技術(shù)參數(shù)。表1單晶硅棒的常規(guī)技術(shù)參數(shù)摻雜丿元糸導(dǎo) 電 類 型晶向電阻率電阻率徑向不均 勻度RRV %位錯密度OISF 個 /cm2非平衡少子壽 命B 硼P<100> ±3o0.5 3<25<3000>10P<100> ±3o36<25<3000>202、晶硅棒的外形尺寸單晶硅棒材料的外形分為兩種：圓棒、準(zhǔn)方棒，見圖 1和圖2。表2表3給出了單晶硅圓棒的直徑和

9、直徑公差、單晶硅準(zhǔn)方棒的外形尺寸和公差。表2單晶硅圓棒的直徑和直徑公差直徑D 伽直徑公差伽長度L 伽152-1, +3> 150202-1, +3> 200207-1, +3> 200表3單晶硅準(zhǔn)方棒外形尺寸和公差對邊寬W 伽對角D 伽長度L 伽圓弧長度A 伽 注方片角度125 ± 0.5150153> 15029.5 26.090o ± 0.5o156 ± 0.5200203> 20022 18.590o ± 0.3o156 ± 0.5205208> 20016 1390o ± 0.3o注：圓弧A

10、的圓心應(yīng)與方形的中心冋心，偏離不得大于0.5mm.2、多晶硅錠1、多晶硅錠常規(guī)技術(shù)參數(shù) 表4給出了多晶硅錠常規(guī)技術(shù)參數(shù)。表4多晶硅錠常規(guī)技術(shù)參數(shù)摻雜元素導(dǎo)電類型結(jié)晶定向電阻率Q 電阻率不均勻度RRV %非平衡少子壽命卩sB 硼PL方向0.5 3V 25> 22、多晶硅錠的外形尺寸表5給出了多晶硅方錠材料的外形尺寸。表5多晶硅方錠的外形尺寸對邊寬W伽對角D 伽長度L伽方片角度125± 0.5175 ± 1> 15090°± 0.5°156± 0.5218 ± 1> 20090°± 0.3&

11、#176;多晶硅方錠的外形見圖3。3、單晶硅片1、單晶硅片常規(guī)技術(shù)參數(shù)表6給出了單晶硅片的常規(guī)技術(shù)參數(shù)。表6單晶硅片的常規(guī)技術(shù)參數(shù)摻雜丿元糸導(dǎo) 電 類 型晶向電阻率電阻率徑向不均 勻度RRV %位錯密度OISF 個 /cm2非平衡少子壽 命B 硼P<100> ±3o0.5 3<25<3000>10P<100> ±3o36<25<3000>202、單晶硅片的外形尺寸表7給出了單晶硅準(zhǔn)方片的外形尺寸和公差。表7單晶硅準(zhǔn)方片外形尺寸和公差對邊寬W伽對角D伽厚度m圓弧長度A 伽 注方片角 度片內(nèi)厚度變化TTV 刖彎曲度BO

12、W m125± 0.5150220 ± 2029.5 2690° 土153270 ± 250.5°156 土 0.5200220 ± 2022 18.590°±< 30w 40203270 ± 250.3°156 土 0.5205220 ± 2016 1390°±208270 ± 250.3°注：圓弧A的圓心應(yīng)與方形的中心冋心，偏離不得大于0.5mm.4、多晶硅片1、多晶硅片常規(guī)技術(shù)參數(shù)表8給出了多晶硅片的常規(guī)技術(shù)參數(shù)。表8多晶硅片常規(guī)技術(shù)

13、參數(shù)摻雜元素導(dǎo)電類型結(jié)晶定向電阻率Q-m電阻率不均勻度%壽命卩sB 硼PL方向0.5 3V 25> 23、多晶硅片的外形尺寸表9給出了多晶硅方片的外形尺寸和公差。表9多晶硅方片外形尺寸和公差對邊寬W伽對角D何厚度m倒角伽方片角 度片內(nèi)厚度變化TTV 呵彎曲度BOW m)125土 0.5175 ± 1220 ±201X 45o90° 土0.5 °< 30w 40270 ±25156 土 0.5218 ± 1220 ±2090°±0.3 °270 ±25單晶硅準(zhǔn)方片和多晶硅方片

14、的外形見圖4和圖5。圖4單晶硅準(zhǔn)方片多晶硅方片5、單晶棒、片中的反型雜質(zhì)濃度表10給出了單晶硅棒、片中的反型雜質(zhì)濃度要求。Q/ZDGF 01-001-2005表10單晶硅棒、片的反型雜質(zhì)濃度單晶類別反型雜質(zhì)濃度原子/ cm -3A級B級C級CZ-P 型0.5W pW 3ND W 1.1 x 1012ND W 1.5X 1013ND W 2.2 x 1013CZ-P 型3W pW 6ND W 1 x 1012ND W 2.2 x 1012ND W 5X 10126、硅晶體棒、片中的金屬雜質(zhì)濃度和氧、碳含量以及外觀質(zhì)量要求 表11給出了晶體硅棒、片中的金屬雜質(zhì)濃度和氧、碳含量。表11晶體硅棒、片中

15、的金屬雜質(zhì)濃度和氧、碳含量雜 質(zhì) 種 類銅ppb鐵ppb鎳(ppb)錳ppb鈉ppb氧原子/cm 3碳原子/cm 3雜質(zhì) 含 量0.15551單晶硅CZ-Si<1 x 1018<5 x 1016多晶硅MC-Si<1 x 1018<8 x 1017外表無明顯刀痕，無凹坑，無穿孔，無沾污，無手印。邊緣無缺口。不超過側(cè)面厚度三分之一，長度小于0.5毫米，向外表內(nèi)的寬度小于0.2毫米的崩邊每片少于兩個。一 、切片1、目前我公司已洽談確定切片加工價格以及出片率6 英寸單晶硅棒7.8 元 /片硅片邊長：125*125mm 厚度 200卩m硅片邊長:125*125mm 厚度 220卩

16、m58 片 /24.3mm54 片 /24.3mm注： 6英寸單晶硅棒8 英寸單晶硅棒24.3 mm 為 1 公斤12.88mm 為 1 公斤邊皮料返還硅棒重量的 14%邊皮料返還硅棒重量的 18%8 英寸單晶硅棒16 元 /片2、切割液的成分為金剛沙，先切方后滾磨，滾磨的損耗少，目前線切割可切 IC 級單晶硅棒。二、相關(guān)核算1 、根據(jù)硅片價格核算硅棒價格計算公式6英寸單晶硅棒價格=硅片價格+X每片加工費用*出片數(shù)8英寸單晶硅棒價格=硅片價格+X每片加工費用*出片數(shù)X = 邊皮料價格元 /公斤 * 邊皮料返還效率 /出片數(shù)注：這里的“出片數(shù)是指每公斤硅棒出片數(shù)。2、太陽能電池的外表積、電池功率

17、125*125 多晶 外表積 156.25 cm2156*156 多晶 外表積 243.36 cm2125*125 單晶 外表積 148.57cm2156*156 單晶 外表積 241.10cm2基數(shù) *0.1* 轉(zhuǎn)換效率 =單片電池功率三、標(biāo)志、包裝、運輸、貯存1 、標(biāo)志 1 包裝盒上至少印有如下標(biāo)志：制造廠名、產(chǎn)品名稱、產(chǎn)品型號或標(biāo)記、產(chǎn)品數(shù)量、制造 日期、生產(chǎn)批號、檢驗標(biāo)記。2外包裝印有正放置、防潮、防曬和防震標(biāo)志。2、包裝 1 硅片內(nèi)包裝硅片用軟質(zhì)海綿分隔放置在小包裝內(nèi)，每個小包裝袋內(nèi)的硅片不多于300 片。再將小包裝放置在瓦楞紙包裝箱內(nèi)。2硅棒內(nèi)包裝 內(nèi)包裝采用塑封袋包裝，袋裝的硅棒

18、再用軟質(zhì)海綿分隔放置在瓦楞紙包裝箱內(nèi)。每個紙箱包 裝一根硅棒。(3)外包裝對于批量出售和長途運輸?shù)墓杵?、硅棒，要外加木質(zhì)箱包裝，防潮、防曬、防震動，箱內(nèi)有 產(chǎn)品清單。3、運輸在有外包裝的情況下進(jìn)行運輸，汽車運輸應(yīng)有較好的減震裝置。4、貯存儲存條件為通風(fēng)、枯燥、相對濕度小于60%，溫度不高于42 C。要求單放。四、專業(yè)術(shù)語中英文對照(全文翻譯) 中文：參見第2頁內(nèi)容En glish:Data Sheet Monocrystalline Silicon WaferSize6 inch8 inchTypeP-typeP-typeResisitivity(Ohm )0.5-3.0 ()0.5-3.0

19、()Orien tati on (Degree)v 100>± 3°v 100>± 3°Carbon cone. (atoms/ cm 3)v 5*1016v 5*10 16oxygen cone. (atoms/ cm 3)v 1.0*1018v 1.0*10 18Lifetime(卩 s)> 10 (20)> 10 (20)Dime nsions (mm)125*125 ± 0.5156*156 ± 0.5Diameter150 ±.0203.2 ±0Thickness(卩 m)220

20、± 20/270 ± 20220 ± 20/270 ± 20Total Thick ness rangev 30v 30Surfaceclea n,free from sta insclea n,free from sta insVisualno cracksno cracksData Sheet Multicrystalline Silicon WaferSize6 inch8 inchTypeP-typeP-typeResisitivity(Ohm )0.5-3.0 (3.0-6.0)0.5-3.0 (3.0-6.0)Carbon cone. (at

21、oms/ cm 3)< 8*1017< 8*1017oxygen cone. (atoms/ cm 3)v 1.0*1018< 1.0*1018Lifetime(卩 s)> 2 (20)> 2 (20)Dime nsions (mm)125*125 ± 0.5156*156 ± 0.5Thickness(卩 m)220 ±>0/270 ± 20220 ±0/270 ± 20Thickness Toleranee(卩m)<30<30Surfaceclea n,free from sta i

22、nsclea n,free from sta insVisualno cracksno cracks中文：參見第3頁內(nèi)容En glish:Data Sheet Single Crystal Silicon IngotSize8 inch6 inchDiameter Range+3/-1 mm+3/-1 mmTypeP-typeP-typeCrystal qualitydislocatio n freedislocati on freeOrien tati on (Degree)< 100>± 3°< 100>± 3°Resisit

23、ivity(Ohm ) Lifetime(卩 s)> 10 s> 10sRRV< 25%< 25%oxygen cone. (atoms/ cm 3)< 1* 1018at/cm 3< 1* 1018at/cm3Carbon cone. (atoms/ cm 3)< 1*1017at/cm 3< 5*1016at/cm3Dislocati on Den sity< 3000 at/cm2< 3000 at/cm2中文：參見第 4 頁內(nèi)容English:A. Solar grade polysiliconTechnical requir

24、ements:1. Si Purity: > 99.9999%2. Boron<0.20 ppba3. Donor<0.90 ppba4. Carbon<1.00ppba5. Total bulk metals<30.00ppba6. Total surface metals<30.00ppba7. Size:25mm 250mm8. Poly Type:P-type9. Resistivity>0.50ohmcmB. Semi grade scrap silicon chipTechnical requirements:1. Semi grade s

25、crap silicon chips2. Chips should be in ark3. The thickness of the chip is not less than 400 um4. Type:P-type5. Resistivity>0.50ohmcmC. Polysilicon in small piecesTechnical requirements:1. N-type ,Resistivity>50ohmcm,Carbon<5*10 16 /cm3 ,Oxygen<5*10 17/cm3 2.Size=4mm3.Oxidized layers and infusible materials should not be found, best to be cleanD. CZ POLYTechnical requireme