垂直結構LED技術

1、由于藍寶石基板導熱系數(shù)差，影響LED發(fā)光效率。為了解決LED散熱難題, 未來有可能將主要采用垂直結構LED架構，促進LED產業(yè)技術發(fā)展。關于 垂直結構LED技術相信大家都有所耳聞，下面僅從技術表層進行介紹，謹 供參考。我們知道，LED芯片有兩種基本結構，橫向結構(Lateral)和垂直結構 (Vertical) «橫向結構LED芯片兩個電極在LED芯片同一側，電流在n- 和P-類型限制層中橫向流動不等距離。垂直結構LED芯片兩個電極分別在 LED外延層兩側，由于圖形化電極和全部p-類型限制層作為第二電極，使 得電流幾乎全部垂直流過LED外延層，極少橫向流動電流，可以改善平面 結構電流

2、分布問題，提高發(fā)光效率，也可以解決P極遮光問題，提升LED 發(fā)光面積。n-氮化稅盾金履合金基板我們先來了解下垂直結構LED制造技術與基本方法:多重量子井P-氮化制造垂直結構LED芯片技術主要有三種方法: 一、采用碳化硅基板生長GaN薄膜，優(yōu)點是在相同操作電流條件下，光衰 少、壽命長，不足處是硅基板會吸光。二、利用芯片黏合及剝離技術制造。優(yōu)點是光衰少、壽命長，不足處是須 對LED表面進行處理以提高發(fā)光效率。三、是采用異質基板如硅基板成長氮化錢LED磊晶層，優(yōu)點是散熱好、易 加工。制造垂直結構LED芯片有兩種基本方法：剝離生長襯底和不剝離生長襯 底。其中生長在神化鉉生長襯底上垂直結構GaP基LED

3、芯片有兩種結構: 不剝離導電珅化錢生長襯底：在導電神化像生長襯底上層迭導電DBR反射 層，生長GaP基LED外延層在導電DBR反射層上。剝離神化保生長襯底：層迭反射層在GaP基LED外延層上，鍵合導電支持 襯底，剝離珅化錢襯底。導電支持襯底包括，碑化鉉襯底，磷化鉉襯底， 硅襯底，金屬及合金等。另外，生長在硅片上垂直GaN基LED也有兩種結構：不剝離硅生長襯底：在導電硅生長襯底上層迭金屬反射層或導電DBR反射 層，生長氮化鉉基LED外延層在金屬反射層或導電DBR反射層上。剝離硅生長襯底：層迭金屬反射層在氮化像基LED外延層上，在金屬反射 層上鍵合導電支持襯底，剝離硅生長襯底。再簡單說明制造垂直氮化鐵基LED工藝流程：層迭反射層在氮化鐵基LED外延層上，在反射層上鍵合導電支持襯底，剝離藍寶石生長襯底。導 電支持襯底包括，金屬及合金襯底，硅襯底等。無論是GaP基LED、GaN基LED,還是ZnO基LED這一類通孔垂直結構LED,相比傳統(tǒng)結構LED有著較大優(yōu)勢，具體表現(xiàn)在：1、目前，現(xiàn)有所有顏色垂直結構LED：紅光LED、綠光LED、藍光LED及 紫外光LED,都可以制成通孔垂直結構LED有極大應用市場。2、所有制造工藝都是在芯片（wafer ）水平進行。3