EMC理論與實踐第一部分

1、Copyright 杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright 杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所電磁兼容設(shè)計電磁兼容設(shè)計第二章第二章 EMI分類與特征分類與特征第一章第一章 EMI抑制技術(shù)原理與應(yīng)用抑制技術(shù)原理與應(yīng)用第四章第四章 EMI濾波器濾波器第五章第五章 接地與搭接接地與搭接第六章第六章 電路的電路的EMC設(shè)計設(shè)計 第三章第三章 輻射干擾的抑制輻射干擾的抑制 第七章第七章 諧波分析與抑制諧波分析與抑制Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件

2、與應(yīng)用研究所第一章第一章 EMI抑制技術(shù)原理與應(yīng)用抑制技術(shù)原理與應(yīng)用Copyright 杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所 在這種復(fù)雜的電磁環(huán)境中，如何減少相互間的電在這種復(fù)雜的電磁環(huán)境中，如何減少相互間的電磁騷擾：磁騷擾：l 使各種設(shè)備能正常運轉(zhuǎn)。使各種設(shè)備能正常運轉(zhuǎn)。l 減輕惡劣的電磁環(huán)境對人類及生態(tài)產(chǎn)生不良的影減輕惡劣的電磁環(huán)境對人類及生態(tài)產(chǎn)生不良的

3、影響。響。 電磁兼容學(xué)正是為解決這類問題而迅速發(fā)展起電磁兼容學(xué)正是為解決這類問題而迅速發(fā)展起來的一門新興學(xué)科。來的一門新興學(xué)科。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電

4、子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所頻率頻率(MHz) 波長波長(m)頻段名稱頻段名稱用途用途30030GHz 1mm10mm極高頻極高頻雷達，空間通信雷達，空間通信303GHz 10mm100mm超高頻超高頻雷達，空間通信雷達，空間通信3GHz300MHz100mm1m特高頻特高頻視距無線通信與廣播視距無線通信與廣播 300MHz30MHz 1m10m 甚高頻甚高頻視距無限通信與廣播視距無限通信與廣播30MHz3MH

5、z 10m100m 高頻高頻短波通信，廣播短波通信，廣播3MHz300KHz 100m1km 中頻中頻無線通信與廣播無線通信與廣播300KHz30KHz 1km10km 低頻低頻無線電導(dǎo)航無線電導(dǎo)航30KHz3KHz 10km100km甚低頻甚低頻 無線電導(dǎo)航無線電導(dǎo)航 3KHz300Hz 100km1Mm極低頻極低頻海底通信海底通信300Hz30Hz 1Mm10Mm工頻工頻輸電輸電 Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyrigh

6、t杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l 電磁輻射對人體的影響電磁輻射對人體的影響1 1、生物體對電磁輻射能量的吸收、生物體對電磁輻射能量的吸收、電離輻射和非電離輻射、電離輻射和非電離輻射 電磁輻射的量子能量電磁輻射的量子能量 w whfhf h h6.626.

7、621010-34-34JS JS 普朗克常數(shù)。普朗克常數(shù)。f f3 310101515Hz Hz 量子的能量可以使原子和分子電離量子的能量可以使原子和分子電離電電離輻射，例如離輻射，例如X X射線輻射、射線輻射、射線輻射，射線輻射，f f3 310101515Hz Hz 量子的能量不能使原子和分子電離量子的能量不能使原子和分子電離非非電離輻射。電離輻射。 電磁干擾和電磁污染一般屬于非電離輻射。電磁干擾和電磁污染一般屬于非電離輻射。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所定義：生物體單位時間內(nèi)、單位質(zhì)量吸收的電磁輻定義：生物體單位時間內(nèi)

8、、單位質(zhì)量吸收的電磁輻射能量（射能量（W/kgW/kg） ：生物體密度，即單位時間內(nèi)、單位體積吸收的電磁：生物體密度，即單位時間內(nèi)、單位體積吸收的電磁輻射能量，輻射能量， ：電導(dǎo)率：電導(dǎo)率 E E ：電場強度振幅：電場強度振幅 生物體吸收輻射場能量，引起體溫（或局部體溫）升高。生物體吸收輻射場能量，引起體溫（或局部體溫）升高。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所、諧振吸收、諧振吸收當(dāng)輻射頻率與生物體（或某些器官當(dāng)輻射頻率與生物體（或某些器官, ,例如眼睛、大例如眼睛、大腦）的固有頻率諧振時，吸收最強。腦）的固有頻率諧振時，吸收最強。

9、人體固有諧振頻率的范圍大約為人體固有諧振頻率的范圍大約為30M30M3000MHz3000MHz，一，一般成年人的諧振吸收頻率約為般成年人的諧振吸收頻率約為400 MHz400 MHz。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所n2 2、電磁輻射對人體的影響、電磁輻射對人體的影響 一般認為電磁輻射對人體的影響包括三個方面：一般認為電磁輻射對人體的影響包括三個方面：、熱效應(yīng)、熱效應(yīng) 輻射功能密度輻射功能密度S S10mW/cm10mW/cm2 2（E E110V/m110V/m），人體吸收），人體吸收的輻射能轉(zhuǎn)化為熱量，超過人體體溫調(diào)節(jié)能力

10、時，會引起的輻射能轉(zhuǎn)化為熱量，超過人體體溫調(diào)節(jié)能力時，會引起人體（或局部組織）體溫明顯升高，或引起生理功能紊亂人體（或局部組織）體溫明顯升高，或引起生理功能紊亂（人的體溫每升高一度，基礎(chǔ)代謝增加約（人的體溫每升高一度，基礎(chǔ)代謝增加約514%514%，組織中，組織中的氧的需求量增加的氧的需求量增加50100%50100%）。熱效應(yīng)首先損傷人體上對）。熱效應(yīng)首先損傷人體上對熱比較敏感的器官，例如眼睛、大腦、男性生殖器等，例熱比較敏感的器官，例如眼睛、大腦、男性生殖器等，例如可導(dǎo)致白內(nèi)障（如可導(dǎo)致白內(nèi)障（300 mW/cm300 mW/cm2 2）。）。S S10mW/cm10mW/cm2 2，不會

11、引起體溫明顯的升高，但可能使體內(nèi)，不會引起體溫明顯的升高，但可能使體內(nèi)局部小范圍內(nèi)出現(xiàn)顯著的能量吸收（諧振吸收），引起生局部小范圍內(nèi)出現(xiàn)顯著的能量吸收（諧振吸收），引起生理功能的障礙。理功能的障礙。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所 、非熱效應(yīng)、非熱效應(yīng) S S1mW/cm1mW/cm2 2（E E61.4 V/m61.4 V/m），長時間照射也不會引起），長時間照射也不會引起體溫明顯的升高，但會出現(xiàn)煩躁、頭暈、疲勞、失眠、記體溫明顯的升高，但會出現(xiàn)煩躁、頭暈、疲勞、失眠、記憶力減退、脫發(fā)、白血球升高、植物神經(jīng)功能紊亂、腦電憶力減

12、退、脫發(fā)、白血球升高、植物神經(jīng)功能紊亂、腦電圖和心電圖的變化等癥狀。這些一般稱為電磁輻射的非熱圖和心電圖的變化等癥狀。這些一般稱為電磁輻射的非熱效應(yīng)，這些癥狀在脫離輻射源后一般是可以逐漸恢復(fù)的。效應(yīng)，這些癥狀在脫離輻射源后一般是可以逐漸恢復(fù)的。、三致作用（致癌、致畸、致突變作用）、三致作用（致癌、致畸、致突變作用） 這是電磁輻射的遠期效應(yīng)，在國內(nèi)外已經(jīng)引起了重視，這是電磁輻射的遠期效應(yīng)，在國內(nèi)外已經(jīng)引起了重視，但尚無一致的意見。一些研究者的實驗表明：長時間的電但尚無一致的意見。一些研究者的實驗表明：長時間的電磁輻射可能誘發(fā)癌癥，也可能引起染色體的畸變，具有致磁輻射可能誘發(fā)癌癥，也可能引起染色體

13、的畸變，具有致畸、致突變作用?；?、致突變作用。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所 、決定電磁輻射對生物體影響程度的幾個因素、決定電磁輻射對生物體影響程度的幾個因素a a、場強：場強越大，影響越大。、場強：場強越大，影響越大。b b、頻率：在諧振吸收頻率處，影響最大。一般是頻率升、頻率：在諧振吸收頻率處，影響最大。一般是頻率升 高，影響增大，微波段影響最大。高，影響增大，微波段影響最大。c c、作用時間：電磁輻射對生物體的影響具有積累作用，、作用時間：電磁輻射對生物體的影響具有積累作用， 作用時間越長，影響越大。作用時間越長，影響越

14、大。d d、與輻射源的距離、與輻射源的距離: : 對于偶極子天線，在天線近區(qū)對于偶極子天線，在天線近區(qū)E1/rE1/r3 3，在天線遠區(qū)，在天線遠區(qū)E1/rE1/r。 輻射場強隨距離的增大迅速衰減，影響減小。輻射場強隨距離的增大迅速衰減，影響減小。e e、環(huán)境溫度和濕度：溫度高、濕度大，生物體不易散熱，、環(huán)境溫度和濕度：溫度高、濕度大，生物體不易散熱，影響增大。影響增大。f f、輻射特性：脈沖波比連續(xù)波的影響大、輻射特性：脈沖波比連續(xù)波的影響大。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新

15、型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright 杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l 電磁騷擾電磁騷擾 Electromagnetic DisturbanceEMI“任何可能引起裝置、設(shè)備或系統(tǒng)性能降低或?qū)τ猩魏慰赡芤鹧b置、設(shè)備或系統(tǒng)性能降低或?qū)τ猩驘o生命物質(zhì)產(chǎn)生損害作用的電磁現(xiàn)象。命或無生命物質(zhì)產(chǎn)生損害作用的電磁現(xiàn)象?！眑 電磁

16、干擾電磁干擾 Electromagnetic InterferenceEMI“電磁騷擾引起的設(shè)備、傳輸通道、系統(tǒng)性能的下電磁騷擾引起的設(shè)備、傳輸通道、系統(tǒng)性能的下降。降。”Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所與電磁干擾與電磁干擾l 雖然電磁騷擾與電磁干擾有一定的區(qū)別，但是工雖然電磁騷擾與電磁干擾有一定的區(qū)別，但是工程上往往不以明確劃分，并統(tǒng)一縮寫為程上往往不以明確劃分，并統(tǒng)一縮寫為EMI。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l（電磁）發(fā)射（電磁）發(fā)射 （electroma

17、gnetic）emission“從源向外發(fā)出電磁能的現(xiàn)象。從源向外發(fā)出電磁能的現(xiàn)象?！眑電磁噪聲電磁噪聲 electromagnetic noise“一種明顯不傳送信息的時變電磁現(xiàn)象，它可能與有一種明顯不傳送信息的時變電磁現(xiàn)象，它可能與有用信號疊加或組合。用信號疊加或組合。”l自然噪聲自然噪聲 natural noise“來源于自然現(xiàn)象而不是由機械或其他人造裝置產(chǎn)生來源于自然現(xiàn)象而不是由機械或其他人造裝置產(chǎn)生的噪聲。的噪聲?！盋opyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l人為噪聲人為噪聲 man-made noise“由機械或其它人造裝置所

18、產(chǎn)生的噪聲。由機械或其它人造裝置所產(chǎn)生的噪聲。” l喀嚦聲喀嚦聲 click“持續(xù)時間不大于持續(xù)時間不大于200ms，兩個擾動之間的間隔至少，兩個擾動之間的間隔至少為為200ms的擾動。一個喀嚦聲可以包括幾個脈的擾動。一個喀嚦聲可以包括幾個脈沖。沖。”l 電磁環(huán)境電磁環(huán)境 electromagnetic environment“存在于給定場所的所有電磁現(xiàn)象總和。存在于給定場所的所有電磁現(xiàn)象總和。”Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l 無用信號無用信號 unwanted signal，undesired signal“可能損害有用信

19、號接收的信號?？赡軗p害有用信號接收的信號?！眑 干擾信號干擾信號 interfering signal“損害有用信號接收的信號。損害有用信號接收的信號?！备蓴_信號是任何情況下都是有害的；而無用信號在干擾信號是任何情況下都是有害的；而無用信號在某些條件下還是有用的無害的。某些條件下還是有用的無害的。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l （對騷擾的）抗擾度（對騷擾的）抗擾度 immunity (to a disturbance)“裝置、設(shè)備或系統(tǒng)面臨電磁騷擾不降低運行性能的能裝置、設(shè)備或系統(tǒng)面臨電磁騷擾不降低運行性能的能力。力?！眑

20、（電磁）敏感度（電磁）敏感度 (electromagnetic) susceptibilityEMS“在存在電磁騷擾的情況下，裝置、設(shè)備或系統(tǒng)不能避免在存在電磁騷擾的情況下，裝置、設(shè)備或系統(tǒng)不能避免性能降低的能力。性能降低的能力。” 這里應(yīng)該注意的是敏感性高，抗擾度低。實際上，這里應(yīng)該注意的是敏感性高，抗擾度低。實際上，抗擾度與敏感性都反應(yīng)的是裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的抗干擾抗擾度與敏感性都反應(yīng)的是裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的抗干擾的能力，僅僅是從不同的角度而言。在國際與國內(nèi)，軍的能力，僅僅是從不同的角度而言。在國際與國內(nèi)，軍用標(biāo)準(zhǔn)體系常用敏感性這一術(shù)語；而民用標(biāo)準(zhǔn)體系慣用用標(biāo)準(zhǔn)體系常用敏感性這一術(shù)語；而民用標(biāo)

21、準(zhǔn)體系慣用抗擾度一詞。抗擾度一詞。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l （時變量的）電平（時變量的）電平 level (of time varying quantity) “用規(guī)定方式在規(guī)定時間間隔內(nèi)求得的諸如功率或場參數(shù)等用規(guī)定方式在規(guī)定時間間隔內(nèi)求得的諸如功率或場參數(shù)等時變量的平均值或加權(quán)值。時變量的平均值或加權(quán)值。” 電平可用對數(shù)來表示，例如相對某一參考值的分貝數(shù)。電平可用對數(shù)來表示，例如相對某一參考值的分貝數(shù)。l 騷擾限值（允許值）騷擾限值（允許值） limit of disturbance “對應(yīng)于規(guī)定測量方法的最大電磁

22、騷擾允許電平。對應(yīng)于規(guī)定測量方法的最大電磁騷擾允許電平?！眑 干擾限值（允許值）干擾限值（允許值） limit of interference “電磁騷擾使裝置、設(shè)備或系統(tǒng)最大允許的性能降低。電磁騷擾使裝置、設(shè)備或系統(tǒng)最大允許的性能降低。”Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l （電磁）兼容電平（電磁）兼容電平 (electromagnetic) compatibility level “預(yù)期加在工作于指定條件的裝置、設(shè)備或系統(tǒng)上規(guī)定的預(yù)期加在工作于指定條件的裝置、設(shè)備或系統(tǒng)上規(guī)定的最大電磁騷擾電平。最大電磁騷擾電平?！眑 （騷擾源

23、的）發(fā)射電平（騷擾源的）發(fā)射電平 emission level (of a disturbance source) 用規(guī)定的方法測得的由特定裝置、設(shè)備或系統(tǒng)發(fā)射的某給用規(guī)定的方法測得的由特定裝置、設(shè)備或系統(tǒng)發(fā)射的某給定電磁騷擾電平。定電磁騷擾電平?！眑 （來自騷擾源的）發(fā)射限值（來自騷擾源的）發(fā)射限值 emission limit (from a disturb source) “規(guī)定電磁騷擾源的最大發(fā)射電平。規(guī)定電磁騷擾源的最大發(fā)射電平?！盋opyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所發(fā)射裕量發(fā)射裕量 emission margin “裝置

24、、設(shè)備或系統(tǒng)的電磁兼容電平與發(fā)射限值之間的差裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的電磁兼容電平與發(fā)射限值之間的差值。值?！眑 抗擾度電平抗擾度電平 immunity level “將某給定的電磁騷擾施加于某一裝置、設(shè)備或系統(tǒng)而其將某給定的電磁騷擾施加于某一裝置、設(shè)備或系統(tǒng)而其仍能正常工作并保持所需性能等級時的最大騷擾電平。仍能正常工作并保持所需性能等級時的最大騷擾電平。”Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l 抗擾度限值抗擾度限值 immunity limit“規(guī)定的最小抗擾度電平。規(guī)定的最小抗擾度電平。”l 抗擾度余量抗擾度余量 immunity m

25、argin“裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的抗擾度限值與電磁兼容電平之間的差裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的抗擾度限值與電磁兼容電平之間的差值。值?！眑 （電磁）兼容余量（電磁）兼容余量 (electromagnetic) compatibility margin“裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的抗擾度限值與騷擾源的發(fā)射限值之間裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的抗擾度限值與騷擾源的發(fā)射限值之間的差值。的差值?！盋opyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l 騷擾抑制騷擾抑制 disturbance suppression“削弱或消除電磁騷擾的措施。削弱或消除電磁騷擾的措施。”l干擾抑制干擾抑制 i

26、nterference suppression“削弱或消除電磁干擾的措施。削弱或消除電磁干擾的措施?！盋opyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l 基帶基帶 Baseband“信號在調(diào)制載波（或副載波）頻率構(gòu)成傳輸信號或射頻信信號在調(diào)制載波（或副載波）頻率構(gòu)成傳輸信號或射頻信號之前所占有的頻帶。號之前所占有的頻帶?！眑 寬帶發(fā)射寬帶發(fā)射 broadband emission“頻譜能量分布相當(dāng)均勻而且連續(xù)，以至于當(dāng)測量儀器或接頻譜能量分布相當(dāng)均勻而且連續(xù)，以至于當(dāng)測量儀器或接收機在幾倍接收機帶寬的頻率范圍內(nèi)調(diào)諧時而無明顯變化收機在幾倍接收機

27、帶寬的頻率范圍內(nèi)調(diào)諧時而無明顯變化的一種發(fā)射。的一種發(fā)射?！眑 窄帶發(fā)射窄帶發(fā)射 narrowband emission“比測量儀器或接收機的帶寬窄的一種發(fā)射。比測量儀器或接收機的帶寬窄的一種發(fā)射?！眑 亂真發(fā)射亂真發(fā)射 spurious emission“在需要的帶寬以內(nèi)或以外，與被傳輸信息無關(guān)的一個或多在需要的帶寬以內(nèi)或以外，與被傳輸信息無關(guān)的一個或多個頻率上的發(fā)射。個頻率上的發(fā)射?！盋opyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l 電波暗室電波暗室 anechoic chamber“是用來進行輻射試驗測量的微波（通常高于是用來進行輻射試

28、驗測量的微波（通常高于200MHz）暗）暗室，在高于某些規(guī)定頻率（例如室，在高于某些規(guī)定頻率（例如1GHz）上，暗室墻壁的）上，暗室墻壁的電壓反射系數(shù)通常小于電壓反射系數(shù)通常小于0.01（40dB）。）?！眑 開放式室外試驗場開放式室外試驗場 openspace site“用于測量輻射電磁干擾的試驗場地。用于測量輻射電磁干擾的試驗場地。” 此場地應(yīng)是敞開的，平坦的，并且遠離建筑物、電力此場地應(yīng)是敞開的，平坦的，并且遠離建筑物、電力線、圍墻、地下電纜、地下管道。此場地的環(huán)境電磁場電線、圍墻、地下電纜、地下管道。此場地的環(huán)境電磁場電平應(yīng)該相當(dāng)?shù)?，以便在所選擇的任一試驗頻率上進行輻射平應(yīng)該相當(dāng)?shù)?，?/p>

29、便在所選擇的任一試驗頻率上進行輻射發(fā)射試驗。實際上，這種要求永遠不可能完全實現(xiàn)。發(fā)射試驗。實際上，這種要求永遠不可能完全實現(xiàn)。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所電源濾波器通風(fēng)板電纜接線板通風(fēng)板Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)

30、新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所帶風(fēng)扇的通風(fēng)板 主室輔助室2輔助室1可拆卸的濾波板或觀察窗射頻測試儀器柜電源濾波器屏蔽門刀口結(jié)構(gòu)Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所高度掃描天線桿高度掃描天線桿天線天線金屬地板金屬地板轉(zhuǎn)臺上的受試件轉(zhuǎn)臺上的受試件Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子

31、器件與應(yīng)用研究所長長 軸軸 20 米米橢圓區(qū)內(nèi)無金屬物體橢圓區(qū)內(nèi)無金屬物體 金金 屬屬 地地 平平 面面短短 軸軸 17.32 米米天線與受試件距離天線與受試件距離 10 米米不同的天線在不同的天線在14米高度內(nèi)變化，找出各種極化方向下的最強輻射值米高度內(nèi)變化，找出各種極化方向下的最強輻射值受試件放在受試件放在0.8米高的木桌上米高的木桌上Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所馬達驅(qū)動高度掃描天線桿天 線EUT防雨棚轉(zhuǎn)轉(zhuǎn) 臺臺 和和 桌桌

32、 子子金屬網(wǎng)地面橢 圓 區(qū) 內(nèi) 沒 有 其 它 物 體Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l 天線系數(shù)天線系數(shù) antenna factor“測量儀器或接收機輸入端電壓與場強之比；它包括天線有測量儀器或接收機輸入端電壓與場強之比；它包括天線有效長度、失配以及傳輸損耗等效應(yīng)。效長度、失配以及傳輸損耗等效應(yīng)?！眑 電流探頭電流探頭 current probe“是一種使用時箝在被測導(dǎo)線上的傳感器，借助于環(huán)繞導(dǎo)線是一種使用時箝在被測導(dǎo)線上的傳感器，借助于環(huán)繞導(dǎo)線的磁場而產(chǎn)生電流。的磁場而產(chǎn)生電流?！庇盟梢匝杆俚貙?dǎo)線中傳輸?shù)墓ゎl或射頻電流

33、進行取樣，用它可以迅速地對導(dǎo)線中傳輸?shù)墓ゎl或射頻電流進行取樣，后者，通常是對射頻干擾進行測量，此時，電流探頭的輸后者，通常是對射頻干擾進行測量，此時，電流探頭的輸出端接在接收機的輸入端。出端接在接收機的輸入端。l 人工電源網(wǎng)絡(luò)人工電源網(wǎng)絡(luò) artificial mains network“接入受試設(shè)備電源線中的網(wǎng)絡(luò)，它在射頻頻段為測量擾動接入受試設(shè)備電源線中的網(wǎng)絡(luò)，它在射頻頻段為測量擾動電壓提供規(guī)定的負載阻抗，并在射頻頻段上，使設(shè)備與供電壓提供規(guī)定的負載阻抗，并在射頻頻段上，使設(shè)備與供電電源隔離。電電源隔離?！盋opyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器

34、件與應(yīng)用研究所l 近場區(qū)近場區(qū) nearfield regions“無功近場區(qū)：緊靠著天線的、無功場起主要作用的天線區(qū)。無功近場區(qū)：緊靠著天線的、無功場起主要作用的天線區(qū)。對大多數(shù)天線常取離天線表面距離處。對大多數(shù)天線常取離天線表面距離處?！薄拜椛浣鼒鰠^(qū)：在無功近場和遠場區(qū)之間的天線場區(qū)，該場輻射近場區(qū)：在無功近場和遠場區(qū)之間的天線場區(qū)，該場區(qū)隨角度的分布與離天線的距離有關(guān)。如果天線的最大口區(qū)隨角度的分布與離天線的距離有關(guān)。如果天線的最大口徑尺寸不大于波長，則該場區(qū)可能不存在。徑尺寸不大于波長，則該場區(qū)可能不存在。”l 遠場區(qū)遠場區(qū) farfield region“場隨角度的分布基本上與天線的

35、距離無關(guān)的天線場區(qū)。場隨角度的分布基本上與天線的距離無關(guān)的天線場區(qū)?！弊⒁猓喝绻炀€最大口徑尺寸注意：如果天線最大口徑尺寸D大于基頻波長大于基頻波長，遠場離天線，遠場離天線的距離一般取大于處。的距離一般取大于處。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l 倍頻程倍頻程 octave“高端與低端為高端與低端為2：1的頻率比。的頻率比?！崩纾簭睦纾簭?2MHz、24MHz、5001000MHz的頻的頻率間隔。率間隔。l 十倍頻程十倍頻程 decade “高端與低端為高端與低端為10比比1的頻率比。的頻率比?！盋opyright杭州電子科

36、技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所f/101L101LvLfLk/Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所smv/10380smv/10318000rrvv0010 . 1, 1 . 2rr088069. 0/1007. 211 . 2/103vsmsmvvrrCopyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所101L101L1, 4rrmfvfvrrrr7

37、44. 11449. 300mfvfvrrrr744. 11449. 300Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所 適用于海軍的適用于海軍的RE101極限極限Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所功率功率 ：12lgPPPB12lg10PPPdBCopyright杭州電子科技大學(xué)杭州

38、電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所12PPWP1112PP2PWWdBWPWPPlg101lg10mWmWdBmPmWPPlg101lg10Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所dBWdBm300頻譜分析儀常以分貝毫瓦（頻譜分析儀常以分貝毫瓦（dBm）表示其輸入電平。）表示其輸入電平。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所電壓電壓 ：對于純阻抗負載對于純阻抗負載式中：式中：P功率，功率，W； V降在電阻降在電阻R上的電壓，上的電壓，V； R電阻，電阻

39、，。若以分貝（若以分貝（dB）表示，上式可寫為：）表示，上式可寫為：右端的第一項即為電壓的分貝值右端的第一項即為電壓的分貝值RVP2121212122212lg10lg20/lg10lg10RRVVRVRVPPPdBWCopyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所n在電磁兼容領(lǐng)域，常用在電磁兼容領(lǐng)域，常用V為單位，此時，為單位，此時， 即即 以以1V為為0dB。VV11dBVVdBVVVVVVlg201lg20lg2012dBVVdB12001lg1012030RVPPdBdBmdBWdBVVPdBdBdBm1073099.16120Copy

40、right杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所AIIIIAAdB1lg20lg2012AICopyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所常見數(shù)值的常見數(shù)值的dB值轉(zhuǎn)換值轉(zhuǎn)換比值V或I（dB）P（dB）比值V或I（dB）P（dB）10612060615.567.7810510050513.986.991048040412.046.02103603039.544.77102402026.023.01102010100919.089.5410-1-20-10818.069.0310-2-40-20716.

41、98.4510-3-60-30Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所天線的定義：天線的定義：l發(fā)射天線發(fā)射天線 把高頻電磁能量通過各種形狀的金屬導(dǎo)體向空間把高頻電磁能量通過各種形狀的金屬導(dǎo)體向空間輻射出去的裝置。輻射出去的裝置。l接收天線接收天線 把空間的電磁能量，通過各種形狀的金屬導(dǎo)體，把空間的電磁能量，通過各種形狀的金屬導(dǎo)體，轉(zhuǎn)化為高頻能量收集起來。轉(zhuǎn)化為高頻能量收集起來。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件

42、與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所測量電磁干擾的天線測量電磁干擾的天線Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所VEAF/Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所AFG79.29flg20Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所)1/()1 (VSWR01VSWR01VSWRCopyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所 場是電磁兼容中貫穿始終的一個概念，對于場的場是電磁

43、兼容中貫穿始終的一個概念，對于場的理解也就關(guān)系到對電磁兼容的理解。理解也就關(guān)系到對電磁兼容的理解。l 波阻抗波阻抗 ：電場強度與磁場強度的比值：電場強度與磁場強度的比值 電磁輻射空氣阻抗，其值為電磁輻射空氣阻抗，其值為377其計算方法：其計算方法：3771201085. 8/104/12700HEZCopyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所近場與遠場近場與遠場 l 近場近場當(dāng)干擾源到被干擾物的距離小于波長時當(dāng)干擾源到被干擾物的距離小于波長時 l 遠場遠場當(dāng)干擾源到被干擾物的距離小于波長時當(dāng)干擾源到被干擾物的距離小于波長時 遠場中，波被認為

44、是平面波，并且遠場中，波被認為是平面波，并且E場與場與H場以相同場以相同速率隨距離的增加而衰減。所以其阻抗是一常量，并且等速率隨距離的增加而衰減。所以其阻抗是一常量，并且等于自由空間阻抗即電磁輻射空氣阻抗值：于自由空間阻抗即電磁輻射空氣阻抗值：2/d2/d2/d377120/HEZCopyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所近場中，波阻抗決定于源的特性近場中，波阻抗決定于源的特性 小電流，高電壓的輻射體將主要產(chǎn)生高阻抗小電流，高電壓的輻射體將主要產(chǎn)生高阻抗電場，對于頻率電場，對于頻率f，介電常數(shù)為，介電常數(shù)為，在距離，在距離d處的阻處的阻抗

45、絕對值為：抗絕對值為： 大電流，低電壓的輻射體將主要產(chǎn)生低阻抗大電流，低電壓的輻射體將主要產(chǎn)生低阻抗磁場，對于頻率磁場，對于頻率f，磁導(dǎo)率為，磁導(dǎo)率為，在距離，在距離d處的阻抗處的阻抗絕對值為：絕對值為：dZf2/1dZf2Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所附近的區(qū)域，是介于近場與遠場之附近的區(qū)域，是介于近場與遠場之間的過渡區(qū)，這并不是一個精確的判斷標(biāo)間的過渡區(qū)，這并不是一個精確的判斷標(biāo)準(zhǔn)。準(zhǔn)。2/Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所功率密度功率密度 有時用空間的功率密

46、度有時用空間的功率密度S表示電磁場強度，尤表示電磁場強度，尤其是在微波段。因為在微波波段，測量功率比測其是在微波段。因為在微波波段，測量功率比測量電壓容易，而且也具有實際意義。功率密度的量電壓容易，而且也具有實際意義。功率密度的基本單位為基本單位為電磁波傳送能量公式：電磁波傳送能量公式：2/mWZEHES/2)/(HEZ ZESmVmWlog10log20log10/2)377120(ZdBESmVdBmWdB8 .25)/()/(2Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所根據(jù)根據(jù) 可得磁場強度可得磁場強度H為為寫為分貝形式：寫為分貝形

47、式：即：即：當(dāng)當(dāng) 時時HEZ/ZEHmVmA/ZEHmVmA/ZEHmVmAlog20log20log20/ZEHmVdBmAdBlog20)/()/(1200 ZZdBEHmVdBmAdB5 .51)/()/(Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所 磁通密度磁通密度B（Tesla）與磁場強度）與磁場強度H（A/m）的關(guān)）的關(guān)系如下：系如下：式中：式中： 以特斯拉為單位的磁通密度；以特斯拉為單位的磁通密度； 介質(zhì)的絕對磁導(dǎo)率，亨介質(zhì)的絕對磁導(dǎo)率，亨/米（米（H/m）,在在真空中真空中 以安以安/米（米（A/m）為單位的磁場強度。）為單

48、位的磁場強度。若以分貝表示，并且介質(zhì)磁導(dǎo)率取真空中：若以分貝表示，并且介質(zhì)磁導(dǎo)率取真空中：mATHB/TBmH /10470mAH/0dBHHBBmAdBmATdBT118lg20lg20lg20)/(/0dBHBmAdBTdB118)/()10/11 (42gaussmweberTCopyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所屏蔽在屏蔽在EMC中的基本常用公式及單位中的基本常用公式及單位 屏蔽是解決電磁兼容問題的基本方法之一，屏蔽是解決電磁兼容問題的基本方法之一，簡要介紹屏蔽在電磁兼容中的基本公式及單位。簡要介紹屏蔽在電磁兼容中的基本公式及

49、單位。l 材質(zhì)特性阻抗材質(zhì)特性阻抗由于由于式中：式中： 磁導(dǎo)率磁導(dǎo)率 （H/m） 電導(dǎo)率電導(dǎo)率 （S/m） 介電常數(shù)介電常數(shù) （F/m）因空氣：因空氣：)/(/jwjwHEZfw2377120/)/(jwjwjwjwZCopyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l趨膚深度趨膚深度 趨膚深度以表示，說明金屬表面電流滲入金趨膚深度以表示，說明金屬表面電流滲入金屬表面深度的情況，表示屬表面深度的情況，表示63%的表面電流滲入金的表面電流滲入金屬表面時的深度，或者說衰減屬表面時的深度，或者說衰減1/e（37%）f12Copyright杭州電子科技大

50、學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l金屬板的屏蔽效能金屬板的屏蔽效能 對于已知對于已知 ，如何計算低頻磁場、高頻磁，如何計算低頻磁場、高頻磁場、平面波的屏蔽效能：場、平面波的屏蔽效能：對于低頻磁場：對于低頻磁場：對于高頻磁場：對于高頻磁場：對平面波：對平面波： 對超薄型隔離膜：對超薄型隔離膜： ，式中：式中： ：源到金屬隔離物的距離，單位為：源到金屬隔離物的距離，單位為m； ：金屬隔離物的厚度，單位為：金屬隔離物的厚度，單位為mm； ：MHz；、ftr)/log(10741312frftSE)/log(1014113123rfftSE)/log(10108131

51、fftSE) 1/(t)/5001log(20rtSErtfCopyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所濾波器的插入損耗與阻抗濾波器的插入損耗與阻抗l 標(biāo)準(zhǔn)的濾波器幾乎總是在標(biāo)準(zhǔn)的濾波器幾乎總是在50電阻阻抗之間確定電阻阻抗之間確定它的特性。它的特性。l 這種情況與實際的電路不可能匹配。這種情況與實際的電路不可能匹配。l 但是如果能夠知道實際的電路阻抗，且它們也是但是如果能夠知道實際的電路阻抗，且它們也是電阻性的，則可以根據(jù)公開的電阻性的，則可以根據(jù)公開的50值計算出期望值計算出期望的濾波器插入損耗。的濾波器插入損耗。Copyright杭州

52、電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所l 第一步，導(dǎo)出濾波器的轉(zhuǎn)移阻抗：第一步，導(dǎo)出濾波器的轉(zhuǎn)移阻抗： 式中式中ILdB的是的是50公開的插入損耗值。公開的插入損耗值。l 在其他電阻性阻抗在其他電阻性阻抗RS（源阻抗）和（源阻抗）和RL（負載阻抗）（負載阻抗）之間的插入損耗等于：之間的插入損耗等于： 電抗性的源阻抗或負載阻抗會改變?yōu)V波器的性電抗性的源阻抗或負載阻抗會改變?yōu)V波器的性能，這個方程將不在適用。能，這個方程將不在適用。1)20/lg(/25dBTILantiR1)20/lg(/25dBTILantiR)(/()(1lg20LSTLSdBRRRRRI

53、LCopyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所具有三方面的含義：具有三方面的含義：1、電磁環(huán)境應(yīng)該是給定的或可預(yù)期的、電磁環(huán)境應(yīng)該是給定的或可預(yù)期的2、設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)不應(yīng)產(chǎn)生超過標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范所、設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)不應(yīng)產(chǎn)生超過標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范所規(guī)定的電磁騷擾發(fā)射限值的要求；電磁騷擾發(fā)射規(guī)定的電磁騷擾發(fā)射限值的要求；電磁騷擾發(fā)射就是從騷擾源向外發(fā)出騷擾能量

54、的現(xiàn)象，它是引就是從騷擾源向外發(fā)出騷擾能量的現(xiàn)象，它是引起電磁騷擾的原因起電磁騷擾的原因3、設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)應(yīng)滿足標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范所規(guī)定的、設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)應(yīng)滿足標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范所規(guī)定的電磁敏感性電磁敏感性(EMS)限值或抗干擾度限值的要求。限值或抗干擾度限值的要求。Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所實現(xiàn)電磁兼容的途徑實現(xiàn)電磁兼容的途徑形成電磁干擾的基本要素：形成電磁干擾的基本要素：1、電磁騷擾源、電磁騷擾源2、耦合途徑、耦合途徑3、敏感設(shè)備、敏感設(shè)備Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與

55、應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所Copyright 杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所1.4 EMC標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所EMC標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)是一個一般性的導(dǎo)則或預(yù)期要滿足標(biāo)準(zhǔn)是一個一般性的導(dǎo)則或預(yù)期要滿足的準(zhǔn)則的準(zhǔn)則,由它可以導(dǎo)出各種規(guī)范由它可以導(dǎo)出各種規(guī)范;規(guī)范是一個包

56、含某類設(shè)備詳細說明和詳規(guī)范是一個包含某類設(shè)備詳細說明和詳細數(shù)據(jù)細數(shù)據(jù),必須遵守的文件必須遵守的文件.Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所EMC標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范的內(nèi)容標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范的內(nèi)容:規(guī)定名詞術(shù)語規(guī)定名詞術(shù)語;規(guī)定電磁騷擾發(fā)射限值和抗擾度要求規(guī)定電磁騷擾發(fā)射限值和抗擾度要求;規(guī)定統(tǒng)一的試驗方法規(guī)定統(tǒng)一的試驗方法;規(guī)定規(guī)定EMC控制方法或設(shè)計規(guī)范控制方法或設(shè)計規(guī)范.EMC標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范的類型標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范的類型:國際級國際級,例如例如IEC標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn); 分會議級分會議級,例如例如CISPR出版物出版物; CE級級,例如歐洲協(xié)調(diào)標(biāo)準(zhǔn)例如歐洲協(xié)調(diào)標(biāo)準(zhǔn)EN;

57、國家級國家級,例如國標(biāo)例如國標(biāo)GB,FCC等等.軍用標(biāo)準(zhǔn)軍用標(biāo)準(zhǔn),例如國軍標(biāo)例如國軍標(biāo)GJB,美軍標(biāo)美軍標(biāo)MIL.Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所由由IEC (國際電工委員會國際電工委員會), ITU(國際電信聯(lián)盟國際電信聯(lián)盟)和和其他標(biāo)準(zhǔn)化組織制定的其他標(biāo)準(zhǔn)化組織制定的EMC出版物和標(biāo)準(zhǔn)出版物和標(biāo)準(zhǔn): 1. 基礎(chǔ)基礎(chǔ)EMC標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn) 基礎(chǔ)基礎(chǔ)EMC標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)(basic EMC standards)規(guī)定達到規(guī)定達到EMC的一般的一般和基本的條件或規(guī)則，它們與涉及和基本的條件或規(guī)則，它們與涉及EMC問題的所有系列產(chǎn)問題的所有系列產(chǎn)品

58、、系統(tǒng)或設(shè)施有關(guān)，并可適用于這些產(chǎn)品，但不規(guī)定產(chǎn)品、系統(tǒng)或設(shè)施有關(guān)，并可適用于這些產(chǎn)品，但不規(guī)定產(chǎn)品的發(fā)射限值或抗擾度判定準(zhǔn)則。它們是制定其他品的發(fā)射限值或抗擾度判定準(zhǔn)則。它們是制定其他EMC標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)(如通用標(biāo)準(zhǔn)或產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)如通用標(biāo)準(zhǔn)或產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn))的基礎(chǔ)或引用的文件?；A(chǔ)標(biāo)的基礎(chǔ)或引用的文件?；A(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)涉及的內(nèi)容為準(zhǔn)涉及的內(nèi)容為:術(shù)語，電磁現(xiàn)象的描述，兼容性電平的規(guī)術(shù)語，電磁現(xiàn)象的描述，兼容性電平的規(guī)范，騷擾發(fā)射限值的總要求，測量、試驗技術(shù)和方法范，騷擾發(fā)射限值的總要求，測量、試驗技術(shù)和方法(包括包括測試設(shè)備、輔助設(shè)備、基本配置、測量場所等測試設(shè)備、輔助設(shè)備、基本配置、測量場所等)、試驗等級、試驗等

59、級、環(huán)境的描述和分類環(huán)境的描述和分類(包括環(huán)境的范圍和包括環(huán)境的范圍和/或兼容性電平或兼容性電平,它們它們是構(gòu)成發(fā)射限值或抗擾度電平的重要基礎(chǔ)是構(gòu)成發(fā)射限值或抗擾度電平的重要基礎(chǔ))等等. Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研究所2. 通用通用EMC標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)通用通用EMC標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)(generic EMC standards)是關(guān)于特定環(huán)境下的是關(guān)于特定環(huán)境下的EMC標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。它規(guī)定一組最低的基本要求和測量/試驗程序，它可應(yīng)用于該特定環(huán)境下工作的所有產(chǎn)品或系統(tǒng)。如某種產(chǎn)品無系列產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)或?qū)Ｓ卯a(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，如某種產(chǎn)品無系列產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)或?qū)Ｓ卯a(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，

60、可使用通用可使用通用EMC標(biāo)準(zhǔn)。標(biāo)準(zhǔn)。通用標(biāo)準(zhǔn)將特定環(huán)境分為兩大類通用標(biāo)準(zhǔn)將特定環(huán)境分為兩大類;1居住、商業(yè)和輕工業(yè)環(huán)境居住、商業(yè)和輕工業(yè)環(huán)境(1)居住環(huán)境:如住宅、公寓等居住場所。(2)商業(yè)環(huán)境:像商店、超市等零售網(wǎng)點;辦公樓、銀行等商務(wù)樓;電影院、酒吧、舞廳等公共娛樂場所;加油站、停車場、游樂園等室外場所。(3)輕工業(yè)環(huán)境:像工場、實驗室、維修中心等輕工業(yè)場所。2工業(yè)環(huán)境工業(yè)環(huán)境(1)工、科、醫(yī)(lSM)設(shè)備的工作場所。(2)大的感性負載或容性負載頻繁開關(guān)的場所。(3)大電流并伴有強磁場的場所。 Copyright杭州電子科技大學(xué)杭州電子科技大學(xué)新型電子器件與應(yīng)用研究所新型電子器件與應(yīng)用研