如何向LTspice正確導(dǎo)入Spice模型

1、如何向LTspice正確導(dǎo)入Spice模型如何正確導(dǎo)入Spice模型方法一、將模型文件粘在當(dāng)前的圖紙上，方法見(jiàn)圖:步驟1:復(fù)制模型文件（來(lái)源于OrCAD PSpice Model ）步驟2:將復(fù)制的文件復(fù)制到下圖所示位置 丘葉“-呼辿田 .步驟3:點(diǎn)擊上面框圖中的OK將文件粘貼在紙面上，然后從文件中Z7 Lfspke IV -3 flic J拖一個(gè)三極管出來(lái)，將名字改成一樣即可。仿真效果見(jiàn)下圖:點(diǎn)擊OK后，效果如下所示:仿真效果圖如下:Q2sc1907相頻特性（30MHz截止頻率）方法三：將模型文件直接粘貼到 LTCLTspicelVlib cmp 中的相應(yīng) 文件中。如要將 PSPICE的di

2、ode.lib的模型全導(dǎo)入到 cmp中的standard.dio 中。先用記事本打開(kāi)diode.lib,全選，復(fù)制。而后用記事本打開(kāi)standard.dio,在其適當(dāng)?shù)奈恢谜迟N，關(guān)閉。發(fā)現(xiàn)二極管 庫(kù)里多了很多元件（見(jiàn)下圖）。三極管同理。 Select DiodeI 旅 CaiLcelPsrt Wo.VbrkdnVTavekSPICE ModelJlHT914OnSeniaildcon.T5.00.20.model 1M514 E1K4148QnStiMsilicon75. D0 20m«dtl 1M414B IMSD41-48Onsemisiliccn100 00.20.MWSD41

3、4E1H5B17OiiSeihiSchottky20.01 00.m*del 1M5017 I11818OnStroi呂the七tky3Q.01.00mod«l lH58ia I1U5S19OnSemiSchottky40.01. oo.nvdtil 115319 IBAT54VishiyS«h<ttky30.00.30.£W54 1'MBM520LOnSaniiiSchottky20.00.50mod«l NBfE0520IHBS0530LOnSerniSchottky30 00. 50model MftRl05301MBXSllOOOn

4、SeniSchflttk'iao.c1.00.rnodtl M»ES110CMBES13OLOxiSerniSchottky30 i. ao.mvdvl MBfESl301MB1S14OOnSeniSchottky40. a1. no.tnod«l NKES140MBK340OnSeniEchcttky40. D3.00mdtl M&RS340QnSemiSchottky60.03.00.model M5RS3&0CMDS1C-3CentralSchottky3D. aC 20.m*del CLIDSH-DFLS22OLDi od.frs Inc.S

5、chttky20.02.00modtl LKLS2201II11E12COnSi&niisilicon200 01. oo.model MHR21MMUTS32ODnSEmisilicon200. C3 00.modtl MHES320HETSEOxiSamiSchottky35.07.50mvdtl NSRT35 II1BK745OnSeniSchottXF45.07.50model MBR745 IfiZIS4C6VZLQiiSenkizeMre.2.modtl BZ3B4C6>瑰舫電田V2LOxtSemizencr.8*1BZIB4C10LOiiSemizeiterio.a

6、model EH84C1CmstciLOnSemizener12.0BZIS4C15LOxiSenhiEen«ei"15.0.mdel BnSClERE10L-40BehmSchottky40. a1.00.m4d«l RB1OL-4CmsoOrSami4. Tmcdtl 1M750 V I< L _invAFr f nrnWBTM T*原來(lái)二極管很少ox多了很多二極管模型A_A Select DiodePuri Ho.性typgVbrkJnVSPICE IJk11T914：OmSeimi5iliconT5.00.20.model11HL48OnSemisi

7、licon75.00.20.modtl1X149 IMMSD414®OnEirhisilicon100.00.20.MHSD41451N5B17OmSemuSchjottky20 01.00.model1M5S17 I1N5S18OxtS«n>iSchottky30 01.00.1H5818 I19501flDuSemiSchottky40 a1. oo.model1H5S19 IBAT54Vi shaySclwtlky30,0C. 30t nvdtlBKT54 DiMBTO52DLOinSimiSchottky20 C. 50modfrlMBB05201fflBK0

8、530LOnSmiSchottky30 aC. 50.modelMBUD530IHBXS1100OzE皿Schfltlky100. c1.00.modtlM&ES110CMB吒130LOmSemiiSchcttky30 l.UO modelMERS1301MBBS140OnSeniSchottky40.0i.ao.modelMHRS140B1S340Scbottlxy40.03 00.mods!M&ES340MBJIS36001遲電miSchcttly60 3.00.M5ES3&0CMHSH2-3CentralSchcttky30 0(1.20.modelDFLS22D

9、LDioias Inc.Schottky20 02. JO.modtlBFLS2201OS 120OhnSmisilicon200 O1. OO.m心業(yè)1NURS120MITRS320DnS&misilicon200 03 00.modtlMURS320HKF3SEch©七tly35 07.50rnodtlMBRT35 IfflBK745OiiSgmiSchottky45.07.50.modelMBR745 1ezieicsvzLQnSmiEtlMf.mdel眈旅BZIS4C3V2LQnSnti8 2 mdtlHH8CHVBZIB4C10LOiiSemizener10.0.modelBZX04C1CHZ3B4C1EL0血曲zer12.0” modelBEXQ4C1EB2IS1C15LDitSi