EMC實(shí)驗(yàn)室培訓(xùn)-陳淑鳳

1、我與我與EMCEMC有幸涉足有幸涉足EMCEMC領(lǐng)域領(lǐng)域, ,實(shí)實(shí)在在做了五件實(shí)實(shí)在在做了五件事。事。參加參加EMCEMC試驗(yàn)；試驗(yàn)；承擔(dān)承擔(dān)EMCEMC預(yù)研課題；預(yù)研課題；建設(shè)建設(shè)EMCEMC試驗(yàn)室；試驗(yàn)室；組織系統(tǒng)級(jí)組織系統(tǒng)級(jí)EMCEMC試驗(yàn)；試驗(yàn)；介入介入EMCEMC分析預(yù)測(cè)與設(shè)計(jì)。分析預(yù)測(cè)與設(shè)計(jì)。培訓(xùn)目的培訓(xùn)目的學(xué)習(xí)有關(guān)學(xué)習(xí)有關(guān)EMCEMC測(cè)試基礎(chǔ)知識(shí)測(cè)試基礎(chǔ)知識(shí)了解了解EMCEMC測(cè)試對(duì)試驗(yàn)室要求測(cè)試對(duì)試驗(yàn)室要求初步掌握初步掌握EMCEMC試驗(yàn)室設(shè)計(jì)原則試驗(yàn)室設(shè)計(jì)原則學(xué)會(huì)對(duì)學(xué)會(huì)對(duì)EMCEMC試驗(yàn)室建設(shè)和設(shè)備選擇提試驗(yàn)室建設(shè)和設(shè)備選擇提出技術(shù)要求出技術(shù)要求初步掌握建設(shè)一個(gè)初步掌握建設(shè)一

2、個(gè)EMCEMC試驗(yàn)室和管理試驗(yàn)室和管理一個(gè)試驗(yàn)室所需要的基本技術(shù)一個(gè)試驗(yàn)室所需要的基本技術(shù)對(duì)講座題目的理解對(duì)講座題目的理解EMCEMC實(shí)驗(yàn)室建設(shè)應(yīng)包含以下內(nèi)容：實(shí)驗(yàn)室建設(shè)應(yīng)包含以下內(nèi)容：建設(shè)一個(gè)實(shí)驗(yàn)室實(shí)體（場(chǎng)地條件）；建設(shè)一個(gè)實(shí)驗(yàn)室實(shí)體（場(chǎng)地條件）；配置相應(yīng)的測(cè)試設(shè)備；配置相應(yīng)的測(cè)試設(shè)備；實(shí)驗(yàn)室運(yùn)營(yíng)完成基本測(cè)試任務(wù)；實(shí)驗(yàn)室運(yùn)營(yíng)完成基本測(cè)試任務(wù)；提高實(shí)驗(yàn)室技術(shù)能力以更好為用戶服務(wù)。提高實(shí)驗(yàn)室技術(shù)能力以更好為用戶服務(wù)。 電磁兼容試驗(yàn)室建設(shè)電磁兼容試驗(yàn)室建設(shè) 概述（概述（1515分）分） 相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)（相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)（3030分）分） EMC EMC試驗(yàn)室（場(chǎng)地）建設(shè)與驗(yàn)收（試驗(yàn)室（場(chǎng)地）建設(shè)與驗(yàn)收（

3、5050分）分） EMC EMC試驗(yàn)室儀器配置（試驗(yàn)室儀器配置（4545分）分） EMC EMC試驗(yàn)室管理與認(rèn)證（試驗(yàn)室管理與認(rèn)證（3030分分) )概述概述EMCEMC試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展階段試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展階段EMCEMC試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展前景試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展前景EMCEMC試驗(yàn)在試驗(yàn)在EMCEMC學(xué)科中的重要位置學(xué)科中的重要位置EMCEMC測(cè)量誤差對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響測(cè)量誤差對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響EMCEMC測(cè)量場(chǎng)地條件要求測(cè)量場(chǎng)地條件要求EMCEMC試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展階段（試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展階段（1) 1)EMCEMC技術(shù)發(fā)展三個(gè)階段：技術(shù)發(fā)展三個(gè)階段：?jiǎn)栴}解決法；問題解決法；標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范法；標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范法；系統(tǒng)設(shè)計(jì)法。系統(tǒng)設(shè)計(jì)法。EM

4、CEMC試驗(yàn)室是試驗(yàn)室是EMCEMC試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展到一定試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展到一定階段的產(chǎn)物階段的產(chǎn)物。EMCEMC試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展階段（試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展階段（2 2）在問題解決法階段，具體操作是在設(shè)備達(dá)在問題解決法階段，具體操作是在設(shè)備達(dá)到電性能指標(biāo)要求后，將其安裝在系統(tǒng)中，到電性能指標(biāo)要求后，將其安裝在系統(tǒng)中，靠聯(lián)機(jī)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)一些不兼容問題。一般經(jīng)靠聯(lián)機(jī)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)一些不兼容問題。一般經(jīng)過分析，找出問題產(chǎn)生原因，采取措施，過分析，找出問題產(chǎn)生原因，采取措施，使問題得以解決，系統(tǒng)恢復(fù)正常工作。此使問題得以解決，系統(tǒng)恢復(fù)正常工作。此時(shí)測(cè)量技術(shù)多半屬于時(shí)測(cè)量技術(shù)多半屬于EMIEMI診斷水平。診斷水平。EMCEMC試驗(yàn)技

5、術(shù)發(fā)展階段（試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展階段（3 3）通過長(zhǎng)期工程實(shí)踐，人們逐步認(rèn)識(shí)到待到通過長(zhǎng)期工程實(shí)踐，人們逐步認(rèn)識(shí)到待到問題暴露后再著手解決，勢(shì)必帶來時(shí)間上問題暴露后再著手解決，勢(shì)必帶來時(shí)間上的延誤和經(jīng)濟(jì)上的損失。要使一些設(shè)備共的延誤和經(jīng)濟(jì)上的損失。要使一些設(shè)備共存于一個(gè)有限空間，必須事先對(duì)設(shè)備進(jìn)行存于一個(gè)有限空間，必須事先對(duì)設(shè)備進(jìn)行某種約定，于是在大量實(shí)踐中編制了各種某種約定，于是在大量實(shí)踐中編制了各種EMCEMC標(biāo)準(zhǔn)。這些標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了各種電磁干擾標(biāo)準(zhǔn)。這些標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了各種電磁干擾必須控制在某些限制線內(nèi)，也規(guī)定了一些必須控制在某些限制線內(nèi)，也規(guī)定了一些敏感設(shè)備必須具備的抗干擾能力，同時(shí)規(guī)敏感設(shè)備必須具備的

6、抗干擾能力，同時(shí)規(guī)定了具體測(cè)試方法和測(cè)試條件定了具體測(cè)試方法和測(cè)試條件。EMCEMC試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展階段試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展階段（4 4）標(biāo)準(zhǔn)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)EMCEMC試驗(yàn)室建設(shè)提出具體要求；試驗(yàn)室建設(shè)提出具體要求；在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范階段，工程需要建立了大量在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范階段，工程需要建立了大量標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)室，并有先進(jìn)的、標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)室，并有先進(jìn)的、標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量設(shè)備投入市場(chǎng)，人們要按設(shè)備投入市場(chǎng)，人們要按EMCEMC標(biāo)準(zhǔn)對(duì)所有標(biāo)準(zhǔn)對(duì)所有產(chǎn)品進(jìn)行規(guī)范的產(chǎn)品進(jìn)行規(guī)范的EMCEMC測(cè)試檢驗(yàn)。測(cè)試檢驗(yàn)。EMCEMC試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展階段（試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展階段（5 5）系統(tǒng)設(shè)計(jì)法主張系統(tǒng)設(shè)計(jì)法主張EMCEMC設(shè)計(jì)與電設(shè)計(jì)同步設(shè)計(jì)與電設(shè)計(jì)同步進(jìn)

7、行，以求系統(tǒng)綜合性能價(jià)格實(shí)現(xiàn)最佳。進(jìn)行，以求系統(tǒng)綜合性能價(jià)格實(shí)現(xiàn)最佳。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)法階段，系統(tǒng)工程實(shí)施規(guī)范在系統(tǒng)設(shè)計(jì)法階段，系統(tǒng)工程實(shí)施規(guī)范的的EMCEMC管理，其中包括：管理，其中包括：人們?cè)谶M(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)，對(duì)自身的人們?cè)谶M(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)，對(duì)自身的和周圍的電磁環(huán)境要進(jìn)行預(yù)估；和周圍的電磁環(huán)境要進(jìn)行預(yù)估；選擇適用的選擇適用的EMCEMC標(biāo)準(zhǔn)，并能對(duì)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)，并能對(duì)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行科學(xué)裁剪以防止欠設(shè)計(jì)和過設(shè)計(jì)；行科學(xué)裁剪以防止欠設(shè)計(jì)和過設(shè)計(jì)；對(duì)系統(tǒng)內(nèi)的所有設(shè)備按規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)對(duì)系統(tǒng)內(nèi)的所有設(shè)備按規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行行EMCEMC設(shè)計(jì)和測(cè)試。設(shè)計(jì)和測(cè)試。 EMCEMC試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展前景（試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展前景（1 1）未來的系

8、統(tǒng)設(shè)計(jì)將會(huì)更新觀念，具體表現(xiàn)：未來的系統(tǒng)設(shè)計(jì)將會(huì)更新觀念，具體表現(xiàn)：不僅重視系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)，更要關(guān)心相不僅重視系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)，更要關(guān)心相關(guān)機(jī)構(gòu)及滿足系統(tǒng)運(yùn)行條件的操作人員關(guān)機(jī)構(gòu)及滿足系統(tǒng)運(yùn)行條件的操作人員等統(tǒng)籌考慮的戰(zhàn)斗能力；等統(tǒng)籌考慮的戰(zhàn)斗能力；不僅重視系統(tǒng)的功能性指標(biāo)，還要重視不僅重視系統(tǒng)的功能性指標(biāo)，還要重視電磁兼容性指標(biāo)（非功能指標(biāo)）；電磁兼容性指標(biāo)（非功能指標(biāo)）；計(jì)算系統(tǒng)的投入產(chǎn)出比；計(jì)算系統(tǒng)的投入產(chǎn)出比；未來的未來的EMCEMC測(cè)量技術(shù)必將發(fā)揮更重要的測(cè)量技術(shù)必將發(fā)揮更重要的作用。作用。 EMCEMC試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展前景（試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展前景（2 2）歐共體于己于歐共體于己于1989198

9、9年年5 5月頒布了月頒布了EMCEMC指令指令（89/336/EEC89/336/EEC）。）。近十年來在國(guó)際上掀起了近十年來在國(guó)際上掀起了EMCEMC法規(guī)化、法規(guī)化、EMCEMC標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際化的新高潮。標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際化的新高潮。我國(guó)在質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督部門、出入境檢驗(yàn)檢疫我國(guó)在質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督部門、出入境檢驗(yàn)檢疫部門、環(huán)境保護(hù)部門等不斷推出一些部門、環(huán)境保護(hù)部門等不斷推出一些EMCEMC法規(guī)法規(guī)性文件或技術(shù)規(guī)范，加強(qiáng)了性文件或技術(shù)規(guī)范，加強(qiáng)了EMCEMC管理。管理。面對(duì)今日的技術(shù)進(jìn)步和現(xiàn)代市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的現(xiàn)實(shí)，面對(duì)今日的技術(shù)進(jìn)步和現(xiàn)代市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的現(xiàn)實(shí)，EMCEMC技術(shù)已形成一種產(chǎn)業(yè)，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)各部技術(shù)已形成一種產(chǎn)業(yè)，

10、在國(guó)民經(jīng)濟(jì)各部門發(fā)揮著重要作用，創(chuàng)造著巨大經(jīng)濟(jì)效益和門發(fā)揮著重要作用，創(chuàng)造著巨大經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益，其重要性正在受到越來越多的關(guān)社會(huì)效益，其重要性正在受到越來越多的關(guān)注注。展望未來，電子產(chǎn)品直至整個(gè)系統(tǒng)會(huì)實(shí)展望未來，電子產(chǎn)品直至整個(gè)系統(tǒng)會(huì)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)全方位的一體化設(shè)計(jì)；全方位的一體化設(shè)計(jì)；未來的測(cè)試技術(shù)的發(fā)展和測(cè)試對(duì)象的細(xì)未來的測(cè)試技術(shù)的發(fā)展和測(cè)試對(duì)象的細(xì)分，分，EMCEMC測(cè)試有與產(chǎn)品的功能測(cè)試融為測(cè)試有與產(chǎn)品的功能測(cè)試融為一體的趨勢(shì)；一體的趨勢(shì)；一種一種新的測(cè)試體系新的測(cè)試體系會(huì)逐步建立起來，到會(huì)逐步建立起來，到那時(shí)那時(shí)對(duì)產(chǎn)品的檢驗(yàn)，也將是全方位、全對(duì)產(chǎn)品的檢驗(yàn)，也將是全方位、全自動(dòng)化的。自動(dòng)化

11、的。 EMCEMC試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展前景（試驗(yàn)技術(shù)發(fā)展前景（3 3）測(cè)量誤差對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響測(cè)量誤差對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響眾所周知，不給出測(cè)量誤差的測(cè)量結(jié)果是沒有眾所周知，不給出測(cè)量誤差的測(cè)量結(jié)果是沒有意義的，測(cè)量誤差給出的是測(cè)量結(jié)果的可能范意義的，測(cè)量誤差給出的是測(cè)量結(jié)果的可能范圍，或者說表明測(cè)量結(jié)果的分散性。圍，或者說表明測(cè)量結(jié)果的分散性。 因?yàn)槿我驗(yàn)槿魏螠y(cè)量都受時(shí)間何測(cè)量都受時(shí)間, ,地點(diǎn)和條件多方制約。比如地點(diǎn)和條件多方制約。比如測(cè)量天線增益實(shí)測(cè)值是測(cè)量天線增益實(shí)測(cè)值是3.5dB3.5dB；其實(shí)真實(shí)值有；其實(shí)真實(shí)值有可能是可能是3.4-3.6dB3.4-3.6dB；也有可能是；也有可能是3.3-3

12、.7dB3.3-3.7dB。EMCEMC試驗(yàn)場(chǎng)地條件試驗(yàn)場(chǎng)地條件所有規(guī)范的所有規(guī)范的EMCEMC測(cè)量都需要嚴(yán)格的場(chǎng)地條測(cè)量都需要嚴(yán)格的場(chǎng)地條件：件：開闊場(chǎng)開闊場(chǎng)GTEMGTEM小室小室EMCEMC試驗(yàn)室建設(shè)試驗(yàn)室建設(shè)混響試驗(yàn)室混響試驗(yàn)室開闊場(chǎng)簡(jiǎn)介（開闊場(chǎng)簡(jiǎn)介（1 1）開闊試驗(yàn)場(chǎng)是電磁兼容測(cè)試中非常重要的試驗(yàn)開闊試驗(yàn)場(chǎng)是電磁兼容測(cè)試中非常重要的試驗(yàn)場(chǎng)地，通常作為標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試場(chǎng)地。在電磁輻射干場(chǎng)地，通常作為標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試場(chǎng)地。在電磁輻射干擾測(cè)量中，場(chǎng)地對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響非常明顯，擾測(cè)量中，場(chǎng)地對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響非常明顯，常出現(xiàn)在不同的測(cè)試場(chǎng)地用相同的儀器儀表測(cè)常出現(xiàn)在不同的測(cè)試場(chǎng)地用相同的儀器儀表測(cè)量卻得到不同

13、結(jié)果量卻得到不同結(jié)果, ,此時(shí)國(guó)際和國(guó)內(nèi)電磁兼容此時(shí)國(guó)際和國(guó)內(nèi)電磁兼容相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中均明確規(guī)定，不同測(cè)試場(chǎng)地造成的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中均明確規(guī)定，不同測(cè)試場(chǎng)地造成的試驗(yàn)測(cè)試結(jié)果差異，應(yīng)以開闊試驗(yàn)場(chǎng)的測(cè)試結(jié)試驗(yàn)測(cè)試結(jié)果差異，應(yīng)以開闊試驗(yàn)場(chǎng)的測(cè)試結(jié)果為準(zhǔn)。果為準(zhǔn)。開闊場(chǎng)簡(jiǎn)介（開闊場(chǎng)簡(jiǎn)介（2 2）開闊試驗(yàn)場(chǎng)主要用于開闊試驗(yàn)場(chǎng)主要用于30MHz-1000MHz30MHz-1000MHz頻率頻率范圍，在大于范圍，在大于1GHz1GHz頻率范圍的應(yīng)用及其歸頻率范圍的應(yīng)用及其歸一化場(chǎng)地衰減理論值的計(jì)算及測(cè)試。一化場(chǎng)地衰減理論值的計(jì)算及測(cè)試。由于由于隨著科學(xué)技術(shù)的高度發(fā)展，空間電磁環(huán)境隨著科學(xué)技術(shù)的高度發(fā)展，空間電磁環(huán)境變

14、得十分惡劣，具有理論意義的工程開闊變得十分惡劣，具有理論意義的工程開闊場(chǎng)已不復(fù)存在。場(chǎng)已不復(fù)存在。GTEMGTEM小室（小室（1 1） GTEM GTEM（橫電磁波）小室采用同軸及非對(duì)稱矩（橫電磁波）小室采用同軸及非對(duì)稱矩形傳輸線設(shè)計(jì)原理，總體設(shè)計(jì)為尖劈形；形傳輸線設(shè)計(jì)原理，總體設(shè)計(jì)為尖劈形；輸入端口采用輸入端口采用N N型同軸接頭，而后漸變至非對(duì)型同軸接頭，而后漸變至非對(duì)稱矩形傳輸以減少結(jié)構(gòu)突變所引起的電波反射稱矩形傳輸以減少結(jié)構(gòu)突變所引起的電波反射; ;選取并調(diào)測(cè)了合適的角度、芯板寬度和非對(duì)稱選取并調(diào)測(cè)了合適的角度、芯板寬度和非對(duì)稱性；性；終端采用電阻式匹配網(wǎng)絡(luò)與高性能吸波材料組終端采用電

15、阻式匹配網(wǎng)絡(luò)與高性能吸波材料組合成的復(fù)合負(fù)載結(jié)構(gòu)。合成的復(fù)合負(fù)載結(jié)構(gòu)。GTEMGTEM小室小室(2(2）測(cè)試時(shí)域阻抗要求在放置測(cè)試時(shí)域阻抗要求在放置EUTEUT矩形傳輸主段處的特矩形傳輸主段處的特性阻抗在性阻抗在505055范圍之內(nèi)；范圍之內(nèi)；測(cè)試電壓駐波比測(cè)試電壓駐波比(VSWR)(VSWR)以便對(duì)輸入端口參考面阻抗以便對(duì)輸入端口參考面阻抗和電波反射狀況進(jìn)行評(píng)定；和電波反射狀況進(jìn)行評(píng)定；測(cè)量小室的電磁場(chǎng)分布，將電場(chǎng)探頭置于不同的部測(cè)量小室的電磁場(chǎng)分布，將電場(chǎng)探頭置于不同的部位，讀取場(chǎng)強(qiáng)值并進(jìn)行歸一化數(shù)據(jù)處理；位，讀取場(chǎng)強(qiáng)值并進(jìn)行歸一化數(shù)據(jù)處理； 小室主要用于電磁敏感度測(cè)試，也用于電磁輻射小室

16、主要用于電磁敏感度測(cè)試，也用于電磁輻射發(fā)射測(cè)試。發(fā)射測(cè)試。 混響室簡(jiǎn)介混響室簡(jiǎn)介混響室與上述實(shí)驗(yàn)場(chǎng)地相比優(yōu)點(diǎn)是能在大體積混響室與上述實(shí)驗(yàn)場(chǎng)地相比優(yōu)點(diǎn)是能在大體積下獲得高電平、寬頻帶特性。下獲得高電平、寬頻帶特性。混響室已在上個(gè)世紀(jì)混響室已在上個(gè)世紀(jì)8080年代被有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)接受，年代被有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)接受，例如例如IECIEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定有些產(chǎn)品在混響室測(cè)試。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定有些產(chǎn)品在混響室測(cè)試。混響室的性能指標(biāo)主要是攪拌效率和耦合衰減，混響室的性能指標(biāo)主要是攪拌效率和耦合衰減，難度在于需要調(diào)整測(cè)試軟件以求得場(chǎng)均勻性穩(wěn)難度在于需要調(diào)整測(cè)試軟件以求得場(chǎng)均勻性穩(wěn)定。定。相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí) EMCEMC試驗(yàn)特點(diǎn)試驗(yàn)特

17、點(diǎn) EMCEMC術(shù)語術(shù)語 EMCEMC測(cè)量相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)測(cè)量相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí) EMCEMC測(cè)量誤差分析測(cè)量誤差分析 EMCEMC測(cè)量相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)EMCEMC試驗(yàn)特點(diǎn)（試驗(yàn)特點(diǎn)（1 1）對(duì)于最后的成功驗(yàn)證，沒有任何其他領(lǐng)域像對(duì)于最后的成功驗(yàn)證，沒有任何其他領(lǐng)域像電磁兼容那樣強(qiáng)烈地依賴于測(cè)量。電磁兼容那樣強(qiáng)烈地依賴于測(cè)量。EMCEMC試驗(yàn)試驗(yàn)在電子工程中有著特殊地位。在電子工程中有著特殊地位。試驗(yàn)不單單承擔(dān)對(duì)產(chǎn)品性能最終檢驗(yàn)的任務(wù)，試驗(yàn)不單單承擔(dān)對(duì)產(chǎn)品性能最終檢驗(yàn)的任務(wù)，在產(chǎn)品研制過程中，各個(gè)階段都需要有實(shí)驗(yàn)在產(chǎn)品研制過程中，各個(gè)階段都需要有實(shí)驗(yàn)手段來檢驗(yàn)每一個(gè)設(shè)計(jì)思想，每一項(xiàng)設(shè)計(jì)措手段來檢驗(yàn)每

18、一個(gè)設(shè)計(jì)思想，每一項(xiàng)設(shè)計(jì)措施是否正確。試驗(yàn)永遠(yuǎn)伴隨著產(chǎn)品的研制過施是否正確。試驗(yàn)永遠(yuǎn)伴隨著產(chǎn)品的研制過程，直到最終達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。程，直到最終達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。 EMC EMC試驗(yàn)特點(diǎn)（試驗(yàn)特點(diǎn)（2 2）因?yàn)殡姶鸥蓴_有時(shí)是隨機(jī)的，多變的，電磁干因?yàn)殡姶鸥蓴_有時(shí)是隨機(jī)的，多變的，電磁干擾的時(shí)域波形不太規(guī)則，電磁干擾的頻譜也比擾的時(shí)域波形不太規(guī)則，電磁干擾的頻譜也比較復(fù)雜。較復(fù)雜。電路分析中的許多分布參數(shù)不容忽視，同時(shí)電電路分析中的許多分布參數(shù)不容忽視，同時(shí)電磁干擾與結(jié)構(gòu)、工藝、布局等諸多因素相關(guān)的磁干擾與結(jié)構(gòu)、工藝、布局等諸多因素相關(guān)的電磁現(xiàn)象。電磁現(xiàn)象。EMCEMC測(cè)試條件要求比較苛刻，要求專門實(shí)驗(yàn)室，測(cè)試

19、條件要求比較苛刻，要求專門實(shí)驗(yàn)室，測(cè)試設(shè)備要求穩(wěn)定性好、靈敏度高、頻譜寬、測(cè)試設(shè)備要求穩(wěn)定性好、靈敏度高、頻譜寬、動(dòng)態(tài)范圍大等特點(diǎn)。動(dòng)態(tài)范圍大等特點(diǎn)。 EMC EMC試驗(yàn)特點(diǎn)（試驗(yàn)特點(diǎn)（3 3）EMCEMC試驗(yàn)結(jié)果給出試驗(yàn)結(jié)果給出EUTEUT是否通過某是否通過某EMCEMC標(biāo)準(zhǔn)。標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于未達(dá)標(biāo)的產(chǎn)品給出超標(biāo)頻點(diǎn)和超標(biāo)量對(duì)于未達(dá)標(biāo)的產(chǎn)品給出超標(biāo)頻點(diǎn)和超標(biāo)量值。值。給出可能分析無意發(fā)射的類型、傳播渠道給出可能分析無意發(fā)射的類型、傳播渠道等有關(guān)信息。等有關(guān)信息。給出敏感設(shè)備的受影響狀況。給出敏感設(shè)備的受影響狀況。EMCEMC試驗(yàn)特點(diǎn)（試驗(yàn)特點(diǎn)（4 4）EMCEMC試驗(yàn)分類：試驗(yàn)分類：從目的分規(guī)范的

20、從目的分規(guī)范的EMCEMC測(cè)試和測(cè)試和EMIEMI診斷；診斷；從對(duì)象分設(shè)備、分系統(tǒng)試驗(yàn)和系統(tǒng)級(jí)試從對(duì)象分設(shè)備、分系統(tǒng)試驗(yàn)和系統(tǒng)級(jí)試驗(yàn)；驗(yàn)；從內(nèi)容分屏蔽效能測(cè)試、濾波性能測(cè)試、從內(nèi)容分屏蔽效能測(cè)試、濾波性能測(cè)試、接地、搭接測(cè)試、接地、搭接測(cè)試、EMIEMI、EMSEMS測(cè)試、電磁測(cè)試、電磁環(huán)境測(cè)試等等。環(huán)境測(cè)試等等。EMCEMC術(shù)語術(shù)語(1)(1) 電磁干擾測(cè)量值是指按規(guī)定測(cè)量方法測(cè)得的電磁干擾測(cè)量值是指按規(guī)定測(cè)量方法測(cè)得的電磁發(fā)射值。電磁發(fā)射值。電磁干擾限值一般由標(biāo)準(zhǔn)或?qū)Ｓ眉夹g(shù)文件規(guī)電磁干擾限值一般由標(biāo)準(zhǔn)或?qū)Ｓ眉夹g(shù)文件規(guī)定，在定，在EMCEMC標(biāo)準(zhǔn)中用限制線給出，它對(duì)應(yīng)于設(shè)標(biāo)準(zhǔn)中用限制線給出，

21、它對(duì)應(yīng)于設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)兼容工作條件下能夠備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)兼容工作條件下能夠允許的電磁發(fā)射最高電平（允許值）允許的電磁發(fā)射最高電平（允許值） ?？箶_性是民用標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)面臨電抗擾性是民用標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)面臨電磁騷擾不降低運(yùn)行性能的能力的描述。磁騷擾不降低運(yùn)行性能的能力的描述。抗擾性電平是指將一個(gè)給定的電磁騷擾施加于某抗擾性電平是指將一個(gè)給定的電磁騷擾施加于某一裝置、設(shè)備或系統(tǒng)而其仍能正常工作，并保持一裝置、設(shè)備或系統(tǒng)而其仍能正常工作，并保持所需性能等級(jí)時(shí)施加的最大騷擾電平。所需性能等級(jí)時(shí)施加的最大騷擾電平?？箶_性限值是指抗擾性限值是指EMCEMC標(biāo)準(zhǔn)或?qū)Ｓ眉夹g(shù)條件

22、中規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)或?qū)Ｓ眉夹g(shù)條件中規(guī)定的最小抗擾性電平。最小抗擾性電平。EMCEMC術(shù)語術(shù)語(2)(2)EMCEMC術(shù)語術(shù)語(3)(3)敏感度是軍用標(biāo)準(zhǔn)中用來衡量裝置、設(shè)備或系敏感度是軍用標(biāo)準(zhǔn)中用來衡量裝置、設(shè)備或系統(tǒng)在存在電磁干擾的情況下不能避免性能降低統(tǒng)在存在電磁干擾的情況下不能避免性能降低的能力。的能力。敏感度閾值是軍用標(biāo)準(zhǔn)中設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)敏感度閾值是軍用標(biāo)準(zhǔn)中設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)呈現(xiàn)最小可辨別的不希望有的響應(yīng)的信號(hào)電平，呈現(xiàn)最小可辨別的不希望有的響應(yīng)的信號(hào)電平，也稱敏感度門限。也稱敏感度門限。不希望有的電平響應(yīng)是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)參考輸出的偏不希望有的電平響應(yīng)是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)參考輸出的偏離值超出設(shè)備技術(shù)要

23、求中規(guī)定容差的一種響應(yīng)。離值超出設(shè)備技術(shù)要求中規(guī)定容差的一種響應(yīng)。EMCEMC術(shù)語術(shù)語(4)(4) 故障響應(yīng)電平是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)參考輸出的偏離故障響應(yīng)電平是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)參考輸出的偏離值會(huì)引起設(shè)備值會(huì)引起設(shè)備EMCEMC故障的一種響應(yīng)。故障的一種響應(yīng)。輻射敏感度是對(duì)造成設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)輻射敏感度是對(duì)造成設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)降級(jí)的輻射干擾場(chǎng)的度量。降級(jí)的輻射干擾場(chǎng)的度量。傳導(dǎo)敏感度是對(duì)在電源、控制或信號(hào)線上傳導(dǎo)敏感度是對(duì)在電源、控制或信號(hào)線上的干擾電流或電壓的度量。的干擾電流或電壓的度量。EMCEMC術(shù)語術(shù)語(5)(5)電磁兼容性是指設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)在其電電磁兼容性是指設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正

24、常工作，并且不對(duì)該環(huán)境中任磁環(huán)境中能正常工作，并且不對(duì)該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁干擾。何事物構(gòu)成不能承受的電磁干擾。電磁環(huán)境實(shí)際上包括空間、時(shí)間和頻譜三個(gè)電磁環(huán)境實(shí)際上包括空間、時(shí)間和頻譜三個(gè)要素。要素。EMCEMC術(shù)語術(shù)語(6)(6) 降級(jí)是指在做降級(jí)是指在做EMCEMC測(cè)試時(shí)設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)測(cè)試時(shí)設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)的工作性能偏離預(yù)期的指標(biāo)，使工作性能出的工作性能偏離預(yù)期的指標(biāo)，使工作性能出現(xiàn)不希望有的偏差?，F(xiàn)不希望有的偏差。性能判據(jù)是指在作性能判據(jù)是指在作EMCEMC測(cè)試之前應(yīng)該在技術(shù)文測(cè)試之前應(yīng)該在技術(shù)文件中標(biāo)明用來判斷件中標(biāo)明用來判斷EMCEMC測(cè)試結(jié)果是否達(dá)標(biāo)的被測(cè)試結(jié)果是

25、否達(dá)標(biāo)的被測(cè)設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)的性能指標(biāo)。測(cè)設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)的性能指標(biāo)。EMCEMC術(shù)語（術(shù)語（7 7） 工作性能閾值是用來描述設(shè)備、分系統(tǒng)或工作性能閾值是用來描述設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)某一技術(shù)性能特征實(shí)現(xiàn)或失效的界限，系統(tǒng)某一技術(shù)性能特征實(shí)現(xiàn)或失效的界限，理論上是一個(gè)特定常數(shù)，而實(shí)際上工作性理論上是一個(gè)特定常數(shù)，而實(shí)際上工作性能閾值通常是一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)；對(duì)于一個(gè)具體能閾值通常是一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)；對(duì)于一個(gè)具體被測(cè)系統(tǒng)來說，工作性能閾值的表述應(yīng)該被測(cè)系統(tǒng)來說，工作性能閾值的表述應(yīng)該是明確的；高于這個(gè)區(qū)域上限，被測(cè)系統(tǒng)是明確的；高于這個(gè)區(qū)域上限，被測(cè)系統(tǒng)能正常工作；低于這個(gè)區(qū)域下限，則被測(cè)能正常工作；低于這個(gè)

26、區(qū)域下限，則被測(cè)系統(tǒng)成為不可接受狀態(tài)；上、下限中間區(qū)系統(tǒng)成為不可接受狀態(tài)；上、下限中間區(qū)域是個(gè)逐漸過渡區(qū)稱臨界區(qū)域是個(gè)逐漸過渡區(qū)稱臨界區(qū)。EMCEMC術(shù)語術(shù)語(8)(8) 電磁兼容裕量的設(shè)計(jì)值或稱理論值是指設(shè)電磁兼容裕量的設(shè)計(jì)值或稱理論值是指設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)的抗擾性限值與發(fā)射限備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)的抗擾性限值與發(fā)射限值之間的差值。值之間的差值。工程上的電磁兼容裕量是指設(shè)備、分系統(tǒng)工程上的電磁兼容裕量是指設(shè)備、分系統(tǒng)或系統(tǒng)的實(shí)測(cè)電磁敏感度閾值和電磁干擾或系統(tǒng)的實(shí)測(cè)電磁敏感度閾值和電磁干擾發(fā)射的測(cè)量值之差，也稱作電磁干擾安全發(fā)射的測(cè)量值之差，也稱作電磁干擾安全裕量。裕量。電磁發(fā)射、敏感度裕量示意圖電

27、磁發(fā)射、敏感度裕量示意圖EMCEMC測(cè)量基礎(chǔ)知識(shí)測(cè)量基礎(chǔ)知識(shí)(1)(1)電磁環(huán)境電平：在規(guī)定的試驗(yàn)場(chǎng)地和時(shí)間電磁環(huán)境電平：在規(guī)定的試驗(yàn)場(chǎng)地和時(shí)間內(nèi)，當(dāng)試驗(yàn)樣品尚未通電，已存在的輻射內(nèi)，當(dāng)試驗(yàn)樣品尚未通電，已存在的輻射及傳導(dǎo)的信號(hào)和噪聲電平。及傳導(dǎo)的信號(hào)和噪聲電平。某試驗(yàn)室傳導(dǎo)電磁環(huán)境電平某試驗(yàn)室傳導(dǎo)電磁環(huán)境電平某試驗(yàn)室輻射電磁環(huán)境電平某試驗(yàn)室輻射電磁環(huán)境電平EMCEMC測(cè)量基礎(chǔ)知識(shí)（測(cè)量基礎(chǔ)知識(shí)（2 2）電磁干擾幅度測(cè)量值單位：電磁干擾幅電磁干擾幅度測(cè)量值單位：電磁干擾幅度可用功率表述，也可用干擾電壓表示。度可用功率表述，也可用干擾電壓表示。前者通常用前者通常用dBmdBm表示，后者用表示，后

28、者用dBVdBV表示。表示。一般以一般以0dBm(1mw)0dBm(1mw)作為基準(zhǔn)參考電平，在作為基準(zhǔn)參考電平，在遇到與測(cè)試帶寬相關(guān)的干擾測(cè)量中，用遇到與測(cè)試帶寬相關(guān)的干擾測(cè)量中，用干擾電壓表示更合適，一般以干擾電壓表示更合適，一般以0dBV(1V)0dBV(1V)作為電壓基準(zhǔn)參考電平。作為電壓基準(zhǔn)參考電平。EMCEMC測(cè)量基礎(chǔ)知識(shí)（測(cè)量基礎(chǔ)知識(shí)（3 3）干擾功率與干擾電壓間的單位轉(zhuǎn)換關(guān)系，在干擾功率與干擾電壓間的單位轉(zhuǎn)換關(guān)系，在50 50 歐姆系統(tǒng)中歐姆系統(tǒng)中0 dBm0 dBm相當(dāng)于相當(dāng)于107dBV107dBV。在用電流鉗作傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量時(shí)，測(cè)量結(jié)果用干在用電流鉗作傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量時(shí)，測(cè)量結(jié)

29、果用干擾電流表示，測(cè)量單位為擾電流表示，測(cè)量單位為dBAdBA。在規(guī)定條件下，測(cè)得給定位置上的電磁干擾產(chǎn)在規(guī)定條件下，測(cè)得給定位置上的電磁干擾產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)，電場(chǎng)強(qiáng)度用生的場(chǎng)強(qiáng)，電場(chǎng)強(qiáng)度用dBV/mdBV/m表示，磁場(chǎng)強(qiáng)表示，磁場(chǎng)強(qiáng)度用度用dBA/mdBA/m表示。表示。EMCEMC測(cè)試誤差分析測(cè)試誤差分析測(cè)量誤差基本概念測(cè)量誤差基本概念測(cè)量誤差評(píng)估測(cè)量誤差評(píng)估EMCEMC測(cè)量誤差來源測(cè)量誤差來源減少測(cè)量誤差的措施減少測(cè)量誤差的措施測(cè)量誤差基本概念測(cè)量誤差基本概念(1)(1)真值：被測(cè)對(duì)象量值的真實(shí)大小。真值：被測(cè)對(duì)象量值的真實(shí)大小。測(cè)量誤差：受測(cè)量條件限制，測(cè)量結(jié)果與真測(cè)量誤差：受測(cè)量條件限制，

30、測(cè)量結(jié)果與真值間有所差別，測(cè)量誤差描述測(cè)量結(jié)果與真值間有所差別，測(cè)量誤差描述測(cè)量結(jié)果與真值之差。測(cè)量誤差可以分類如下：系統(tǒng)誤差，值之差。測(cè)量誤差可以分類如下：系統(tǒng)誤差，隨機(jī)誤差。隨機(jī)誤差。測(cè)量誤差基本概念測(cè)量誤差基本概念(2)(2) 測(cè)量結(jié)果可能存在隨機(jī)誤差、系統(tǒng)誤差和差測(cè)量結(jié)果可能存在隨機(jī)誤差、系統(tǒng)誤差和差錯(cuò)。錯(cuò)。 首先要學(xué)會(huì)排除差錯(cuò)，依據(jù)物理概念及工程首先要學(xué)會(huì)排除差錯(cuò)，依據(jù)物理概念及工程經(jīng)驗(yàn)。通常檢查經(jīng)驗(yàn)。通常檢查EUTEUT連接技術(shù)狀態(tài)，檢查測(cè)量連接技術(shù)狀態(tài)，檢查測(cè)量設(shè)備及輔助設(shè)備的技術(shù)狀態(tài)，檢查測(cè)量過程中設(shè)備及輔助設(shè)備的技術(shù)狀態(tài)，檢查測(cè)量過程中環(huán)境變化情況等等，判斷出現(xiàn)差錯(cuò)原因。環(huán)境

31、變化情況等等，判斷出現(xiàn)差錯(cuò)原因。 自動(dòng)測(cè)量系統(tǒng)一般有能力消除系統(tǒng)誤差，關(guān)自動(dòng)測(cè)量系統(tǒng)一般有能力消除系統(tǒng)誤差，關(guān)鍵要討論隨機(jī)誤差。鍵要討論隨機(jī)誤差。測(cè)量誤差基本概念測(cè)量誤差基本概念(3)(3)系統(tǒng)誤差描述的是在同一條件下，多次測(cè)量，系統(tǒng)誤差描述的是在同一條件下，多次測(cè)量，誤差的絕對(duì)值和符號(hào)保持恒定，或在條件改變誤差的絕對(duì)值和符號(hào)保持恒定，或在條件改變時(shí)按照某種確定規(guī)律而變化的誤差。時(shí)按照某種確定規(guī)律而變化的誤差。隨機(jī)誤差描述的是同一條件下，多次測(cè)量，誤隨機(jī)誤差描述的是同一條件下，多次測(cè)量，誤差的絕對(duì)值和符號(hào)以不可預(yù)定的方式變化的誤差的絕對(duì)值和符號(hào)以不可預(yù)定的方式變化的誤差。差。正確度：表述測(cè)量結(jié)

32、果中系統(tǒng)誤差大小的程正確度：表述測(cè)量結(jié)果中系統(tǒng)誤差大小的程度。度。精度：表述測(cè)量結(jié)果中隨機(jī)誤差大小的程度。精度：表述測(cè)量結(jié)果中隨機(jī)誤差大小的程度。測(cè)量準(zhǔn)確度：表述測(cè)量結(jié)果與真值之間的接測(cè)量準(zhǔn)確度：表述測(cè)量結(jié)果與真值之間的接近程度，當(dāng)正確度和精度均高，則稱為測(cè)量近程度，當(dāng)正確度和精度均高，則稱為測(cè)量的準(zhǔn)確度高。的準(zhǔn)確度高。測(cè)量誤差基本概念測(cè)量誤差基本概念(4)(4)實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)偏差：對(duì)同一被測(cè)量作實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)偏差：對(duì)同一被測(cè)量作N N次測(cè)量，次測(cè)量，表征測(cè)量結(jié)果分散性的量。表征測(cè)量結(jié)果分散性的量。不確定度是測(cè)量結(jié)果帶有的參數(shù)，用以表征不確定度是測(cè)量結(jié)果帶有的參數(shù)，用以表征合理賦予被測(cè)量值的分散性。合理賦

33、予被測(cè)量值的分散性。標(biāo)準(zhǔn)不確定度：以標(biāo)準(zhǔn)差表示的測(cè)量不確定標(biāo)準(zhǔn)不確定度：以標(biāo)準(zhǔn)差表示的測(cè)量不確定度。度。測(cè)量誤差基本概念測(cè)量誤差基本概念(5)(5)測(cè)量誤差基本概念測(cè)量誤差基本概念(6)(6) 合成標(biāo)準(zhǔn)不確定度定義：合成標(biāo)準(zhǔn)不確定度定義： 當(dāng)測(cè)量結(jié)果包含有若干個(gè)獨(dú)立的不確定當(dāng)測(cè)量結(jié)果包含有若干個(gè)獨(dú)立的不確定度分量時(shí)，合成標(biāo)準(zhǔn)不確定度為單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)度分量時(shí)，合成標(biāo)準(zhǔn)不確定度為單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)不確定度平方和的根。不確定度平方和的根。2)(icuyu測(cè)量誤差基本概念測(cè)量誤差基本概念(7)(7)確定測(cè)量結(jié)果區(qū)間的量，被測(cè)量值以較高的確定測(cè)量結(jié)果區(qū)間的量，被測(cè)量值以較高的置信概率落在此區(qū)間。擴(kuò)展不確定度是在合置信概

34、率落在此區(qū)間。擴(kuò)展不確定度是在合成標(biāo)準(zhǔn)不確定度成標(biāo)準(zhǔn)不確定度u uc c(y)(y)確定后，乘以一個(gè)包含確定后，乘以一個(gè)包含因子因子k k得到的。得到的。測(cè)量誤差基本概念測(cè)量誤差基本概念(8)(8)；均方根誤差測(cè)量次數(shù)；測(cè)量值的算術(shù)平均數(shù)；時(shí)信概率為不特別注明時(shí)一般用置包含因子1)(n12k0.95, 21nxxxnxxkkxxixxniiixi關(guān)于關(guān)于EMCEMC測(cè)量結(jié)果的研究分析表明相同條件多次測(cè)量結(jié)果的研究分析表明相同條件多次測(cè)量結(jié)果用下式表示：測(cè)量結(jié)果用下式表示：-x1x1)(X正態(tài)分布圖正態(tài)分布圖dtexxt2221)(95. 002|1111xyPxyxPxyP975. 0475.

35、 05 . 000)(475. 001111xyPyPxyPxxyP查表得 x1=1.96正態(tài)分布正態(tài)分布測(cè)量誤差基本概念測(cè)量誤差基本概念(9)(9)系統(tǒng)不確定度的合成當(dāng)系統(tǒng)中組成部分的系統(tǒng)不確定度的合成當(dāng)系統(tǒng)中組成部分的不確定度已知的情況下，系統(tǒng)不確定度可不確定度已知的情況下，系統(tǒng)不確定度可以表述為：以表述為：niiixuxfyu122)()()(測(cè)量誤差基本概念測(cè)量誤差基本概念(10)(10) 系統(tǒng)擴(kuò)展不確定度可以表述為：系統(tǒng)擴(kuò)展不確定度可以表述為：niiiiykxuxfkU122)()(測(cè)量誤差標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量誤差標(biāo)準(zhǔn)GJB2715GJB2715和和GJB3796GJB3796關(guān)于測(cè)量誤差或測(cè)量

36、準(zhǔn)確度的關(guān)于測(cè)量誤差或測(cè)量準(zhǔn)確度的有標(biāo)準(zhǔn)描述。使用不確定度表述測(cè)量結(jié)果的質(zhì)量有標(biāo)準(zhǔn)描述。使用不確定度表述測(cè)量結(jié)果的質(zhì)量或準(zhǔn)確度。或準(zhǔn)確度。由于不確定度是由隨機(jī)影響和對(duì)系統(tǒng)不完善帶來由于不確定度是由隨機(jī)影響和對(duì)系統(tǒng)不完善帶來的，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定有兩種評(píng)定辦法，分為的，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定有兩種評(píng)定辦法，分為A A類和類和B B類。類。A A類估算對(duì)多次測(cè)量而言，用統(tǒng)計(jì)方法得到類估算對(duì)多次測(cè)量而言，用統(tǒng)計(jì)方法得到A A類標(biāo)類標(biāo)準(zhǔn)不確定度。準(zhǔn)不確定度。B B類估算方法用不同于類估算方法用不同于A A類的其它方類的其它方法，它包括系統(tǒng)影響引起的不確定度。法，它包括系統(tǒng)影響引起的不確定度。電磁兼容測(cè)量誤差要求電磁兼容測(cè)量誤

37、差要求標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)GJB152AGJB152A明確電磁發(fā)射測(cè)量誤差控制明確電磁發(fā)射測(cè)量誤差控制在士在士3dB;3dB;距離：士距離：士5%5%幅度幅度, ,測(cè)量接收機(jī)：測(cè)量接收機(jī)：2dB2dB傳感器傳感器, ,電纜等附件：電纜等附件：1dB1dB時(shí)間時(shí)間( (波形波形) )：5%5%EMCEMC測(cè)量誤差來源（測(cè)量誤差來源（1 1） 電磁發(fā)射測(cè)量特點(diǎn)是屬弱信號(hào)、頻帶寬，與電磁發(fā)射測(cè)量特點(diǎn)是屬弱信號(hào)、頻帶寬，與環(huán)境條件依賴性強(qiáng)?？梢哉f沒有一個(gè)領(lǐng)域象電環(huán)境條件依賴性強(qiáng)?？梢哉f沒有一個(gè)領(lǐng)域象電磁領(lǐng)域這樣強(qiáng)烈地依賴于測(cè)量，也可以沒有一磁領(lǐng)域這樣強(qiáng)烈地依賴于測(cè)量，也可以沒有一個(gè)測(cè)量領(lǐng)域像電磁兼容測(cè)量這樣強(qiáng)烈地

38、依賴于個(gè)測(cè)量領(lǐng)域像電磁兼容測(cè)量這樣強(qiáng)烈地依賴于測(cè)量條件。測(cè)量條件。EMCEMC測(cè)量誤差來源（測(cè)量誤差來源（2 2） 電磁兼容測(cè)量誤差主要來源于測(cè)量?jī)x器、電磁兼容測(cè)量誤差主要來源于測(cè)量?jī)x器、測(cè)量方法及試驗(yàn)室條件。對(duì)電磁發(fā)射測(cè)測(cè)量方法及試驗(yàn)室條件。對(duì)電磁發(fā)射測(cè)量?jī)x器設(shè)備引起的誤差基本上可以控制量?jī)x器設(shè)備引起的誤差基本上可以控制在在3.33.3節(jié)中標(biāo)準(zhǔn)給出的誤差之內(nèi)節(jié)中標(biāo)準(zhǔn)給出的誤差之內(nèi)。舉例：舉例：天線系統(tǒng)校準(zhǔn)不確定度為天線系統(tǒng)校準(zhǔn)不確定度為1.5dB(1.5dB(含遠(yuǎn)近場(chǎng)含遠(yuǎn)近場(chǎng)) )實(shí)驗(yàn)配置包括實(shí)驗(yàn)配置包括EUTEUT的布局，連線狀況以及被的布局，連線狀況以及被測(cè)面的選擇等電磁環(huán)境電平滿足低于

39、限制線測(cè)面的選擇等電磁環(huán)境電平滿足低于限制線6dB6dB時(shí)引起測(cè)量誤差時(shí)引起測(cè)量誤差1 dB1 dB。EMCEMC測(cè)量誤差來源（測(cè)量誤差來源（3 3）對(duì)電磁敏感度測(cè)量主要取決于模擬干擾場(chǎng)強(qiáng)度，對(duì)電磁敏感度測(cè)量主要取決于模擬干擾場(chǎng)強(qiáng)度，特別是特別是EUTEUT敏感度值測(cè)量誤差主要來源于信號(hào)敏感度值測(cè)量誤差主要來源于信號(hào)源、功率放大器、場(chǎng)強(qiáng)探頭、場(chǎng)強(qiáng)計(jì)、功率計(jì)源、功率放大器、場(chǎng)強(qiáng)探頭、場(chǎng)強(qiáng)計(jì)、功率計(jì)等儀器設(shè)備，也與等儀器設(shè)備，也與EUTEUT的布局及實(shí)驗(yàn)的的布局及實(shí)驗(yàn)的 場(chǎng)均場(chǎng)均勻度等各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)相關(guān)。勻度等各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)相關(guān)。EMCEMC測(cè)量誤差來源（測(cè)量誤差來源（4 4）對(duì)選定標(biāo)準(zhǔn)的選擇項(xiàng)目進(jìn)行

40、實(shí)驗(yàn)室比對(duì)對(duì)于評(píng)對(duì)選定標(biāo)準(zhǔn)的選擇項(xiàng)目進(jìn)行實(shí)驗(yàn)室比對(duì)對(duì)于評(píng)定參試試驗(yàn)室的技術(shù)能力，探討測(cè)量方法對(duì)準(zhǔn)定參試試驗(yàn)室的技術(shù)能力，探討測(cè)量方法對(duì)準(zhǔn)確度影響有重要意義。確度影響有重要意義。定期測(cè)試實(shí)驗(yàn)室的背景噪聲并記錄，為試驗(yàn)室定期測(cè)試實(shí)驗(yàn)室的背景噪聲并記錄，為試驗(yàn)室性能檢測(cè)提供數(shù)據(jù)依據(jù)。性能檢測(cè)提供數(shù)據(jù)依據(jù)。測(cè)試試驗(yàn)室的諧振頻率并記錄在案，對(duì)測(cè)量結(jié)測(cè)試試驗(yàn)室的諧振頻率并記錄在案，對(duì)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行誤差分析時(shí)參考果進(jìn)行誤差分析時(shí)參考。減小測(cè)量誤差的措施（減小測(cè)量誤差的措施（1 1）對(duì)試驗(yàn)室儀器設(shè)備作定期校準(zhǔn)（單臺(tái)儀器校準(zhǔn)對(duì)試驗(yàn)室儀器設(shè)備作定期校準(zhǔn)（單臺(tái)儀器校準(zhǔn)和系統(tǒng)校準(zhǔn)）和系統(tǒng)校準(zhǔn)）, ,及時(shí)更換測(cè)量軟件中的

41、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，及時(shí)更換測(cè)量軟件中的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，可以減少測(cè)量?jī)x器引入的誤差?？梢詼p少測(cè)量?jī)x器引入的誤差。提高測(cè)試人員的技術(shù)水平，加強(qiáng)測(cè)試人員的職提高測(cè)試人員的技術(shù)水平，加強(qiáng)測(cè)試人員的職業(yè)修養(yǎng)對(duì)提高實(shí)驗(yàn)室的置信度也是至關(guān)重要的。業(yè)修養(yǎng)對(duì)提高實(shí)驗(yàn)室的置信度也是至關(guān)重要的。減小測(cè)量誤差的措施（減小測(cè)量誤差的措施（2 2）EMCEMC測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)（測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)（1) 1)二戰(zhàn)以后，美國(guó)軍方最早開始編寫有關(guān)二戰(zhàn)以后，美國(guó)軍方最早開始編寫有關(guān)EMCEMC文文件，制訂統(tǒng)一管理規(guī)范，逐步升級(jí)為標(biāo)準(zhǔn)。件，制訂統(tǒng)一管理規(guī)范，逐步升級(jí)為標(biāo)準(zhǔn)。MIL-STD-285MIL-STD-285公布于公布于19561956年年6 6月，其內(nèi)

42、容關(guān)于月，其內(nèi)容關(guān)于100kHz10GHz100kHz10GHz電磁屏蔽室衰減特性測(cè)量方法。電磁屏蔽室衰減特性測(cè)量方法。19671967年正式發(fā)布美軍標(biāo)年正式發(fā)布美軍標(biāo)461A461A，經(jīng)過實(shí)踐，經(jīng)過實(shí)踐461A461A標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)有個(gè)修改完善的演變過程。（準(zhǔn)有個(gè)修改完善的演變過程。（461B461B、461C461C、461D461D、461E461E）所有電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)中，測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)占相當(dāng)比所有電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)中，測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)占相當(dāng)比重。重。EMCEMC測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)（測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)（2 2）制定制定EMCEMC標(biāo)準(zhǔn)是為了統(tǒng)一協(xié)調(diào)電子系統(tǒng)、分系標(biāo)準(zhǔn)是為了統(tǒng)一協(xié)調(diào)電子系統(tǒng)、分系統(tǒng)和設(shè)備的各種技術(shù)狀態(tài)。統(tǒng)和設(shè)備的各

43、種技術(shù)狀態(tài)。EMCEMC標(biāo)準(zhǔn)是人們?cè)跇?biāo)準(zhǔn)是人們?cè)贓MCEMC工程實(shí)踐活動(dòng)中的經(jīng)驗(yàn)工程實(shí)踐活動(dòng)中的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)，它是科學(xué)的、合理的、實(shí)用的?？偨Y(jié)，它是科學(xué)的、合理的、實(shí)用的。在應(yīng)用工程研制、生產(chǎn)和使用過程中，在應(yīng)用工程研制、生產(chǎn)和使用過程中，EMCEMC標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)是準(zhǔn)是EMCEMC設(shè)計(jì)的準(zhǔn)繩，設(shè)計(jì)的準(zhǔn)繩，EMCEMC管理的指南，管理的指南，EMCEMC測(cè)量的依據(jù)，檢驗(yàn)產(chǎn)品是否合格的準(zhǔn)繩。測(cè)量的依據(jù)，檢驗(yàn)產(chǎn)品是否合格的準(zhǔn)繩。 EMCEMC測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)（測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)（3 3）執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)可以減少設(shè)計(jì)、試驗(yàn)和管理中的重執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)可以減少設(shè)計(jì)、試驗(yàn)和管理中的重復(fù)工作，收到提高經(jīng)濟(jì)效益的效果。復(fù)工作，收到提高經(jīng)濟(jì)效益的效果。標(biāo)

44、準(zhǔn)權(quán)威性，標(biāo)準(zhǔn)權(quán)威性，EMCEMC標(biāo)準(zhǔn)有法律效力。標(biāo)準(zhǔn)有法律效力。標(biāo)準(zhǔn)可裁剪性標(biāo)準(zhǔn)可裁剪性, ,考慮系統(tǒng)的具體要求，附加考慮系統(tǒng)的具體要求，附加專業(yè)技術(shù)條件，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行適當(dāng)剪裁。專業(yè)技術(shù)條件，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行適當(dāng)剪裁。隨著科學(xué)技術(shù)迅猛發(fā)展，與國(guó)際接軌，向國(guó)隨著科學(xué)技術(shù)迅猛發(fā)展，與國(guó)際接軌，向國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)靠攏已是大勢(shì)所趨。際標(biāo)準(zhǔn)靠攏已是大勢(shì)所趨。EMCEMC試驗(yàn)室（場(chǎng)地）建設(shè)與驗(yàn)試驗(yàn)室（場(chǎng)地）建設(shè)與驗(yàn)收收 EMCEMC試驗(yàn)室試驗(yàn)室技術(shù)要求；技術(shù)要求；實(shí)驗(yàn)室屏蔽效能、規(guī)一化場(chǎng)地衰減、場(chǎng)均勻度實(shí)驗(yàn)室屏蔽效能、規(guī)一化場(chǎng)地衰減、場(chǎng)均勻度的物理含義以及定量要求；的物理含義以及定量要求；實(shí)驗(yàn)室屏蔽效能、規(guī)一化場(chǎng)地衰減

45、、場(chǎng)均勻度實(shí)驗(yàn)室屏蔽效能、規(guī)一化場(chǎng)地衰減、場(chǎng)均勻度的測(cè)試；的測(cè)試； EMCEMC試驗(yàn)室驗(yàn)收與評(píng)估。試驗(yàn)室驗(yàn)收與評(píng)估。EMCEMC試驗(yàn)室試驗(yàn)室技術(shù)要求技術(shù)要求(1)(1) 試驗(yàn)室規(guī)劃應(yīng)遵循用戶需求分析，測(cè)試設(shè)試驗(yàn)室規(guī)劃應(yīng)遵循用戶需求分析，測(cè)試設(shè)備選型，屏蔽暗室設(shè)計(jì)，土建設(shè)計(jì)。備選型，屏蔽暗室設(shè)計(jì)，土建設(shè)計(jì)。試驗(yàn)室施工應(yīng)遵循土建，屏蔽暗室建設(shè)，試驗(yàn)室施工應(yīng)遵循土建，屏蔽暗室建設(shè)，試驗(yàn)室用接口板設(shè)計(jì)，測(cè)試設(shè)備安裝，試試驗(yàn)室用接口板設(shè)計(jì)，測(cè)試設(shè)備安裝，試驗(yàn)室試運(yùn)行程序進(jìn)行。驗(yàn)室試運(yùn)行程序進(jìn)行。試驗(yàn)室主要電性能指標(biāo)：試驗(yàn)室主要電性能指標(biāo)：接地接地電阻，絕緣電阻，絕緣電阻，電阻，濾波器漏電流濾波器漏電流，

46、屏蔽效能，規(guī)一化，屏蔽效能，規(guī)一化場(chǎng)地衰減，場(chǎng)均勻度。場(chǎng)地衰減，場(chǎng)均勻度。EMCEMC試驗(yàn)室試驗(yàn)室技術(shù)要求技術(shù)要求（2 2）用戶需要了解建設(shè)用戶需要了解建設(shè)EMCEMC實(shí)驗(yàn)室的有關(guān)技術(shù)內(nèi)實(shí)驗(yàn)室的有關(guān)技術(shù)內(nèi)容，如屏蔽、吸波性能設(shè)計(jì)，電源濾波器容，如屏蔽、吸波性能設(shè)計(jì)，電源濾波器選型，選型，供電供電、通風(fēng)、通風(fēng)、消防消防、取暖及、取暖及空調(diào)空調(diào)系系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)收測(cè)試方法等。統(tǒng)設(shè)計(jì)以及實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)收測(cè)試方法等。試驗(yàn)室用接口板設(shè)計(jì)：試驗(yàn)室用接口板設(shè)計(jì)：用戶接口板設(shè)計(jì)；用戶接口板設(shè)計(jì)；信號(hào)接口板設(shè)計(jì)。信號(hào)接口板設(shè)計(jì)。EMCEMC試驗(yàn)室試驗(yàn)室技術(shù)要求技術(shù)要求（3 3）試驗(yàn)室驗(yàn)收應(yīng)具備以下知識(shí)：試驗(yàn)室接地

47、試驗(yàn)室驗(yàn)收應(yīng)具備以下知識(shí)：試驗(yàn)室接地電阻的物理含義以及定量要求；影響試驗(yàn)電阻的物理含義以及定量要求；影響試驗(yàn)室屏蔽效能的主要因素，它的物理含義以室屏蔽效能的主要因素，它的物理含義以及定量要求；試驗(yàn)室規(guī)一化場(chǎng)地衰減對(duì)及定量要求；試驗(yàn)室規(guī)一化場(chǎng)地衰減對(duì)EMCEMC指標(biāo)的影響，它的物理含義以及定量要求；指標(biāo)的影響，它的物理含義以及定量要求；試驗(yàn)室場(chǎng)均勻度對(duì)試驗(yàn)室場(chǎng)均勻度對(duì)EMCEMC指標(biāo)的影響，它的物指標(biāo)的影響，它的物理含義以及定量要求。理含義以及定量要求。屏蔽效能要求（屏蔽效能要求（1 1） 14100KHz 14100KHz 優(yōu)于優(yōu)于80dB (70dB)80dB (70dB) 0.11MHz

48、0.11MHz 優(yōu)于優(yōu)于100dB (90dB)100dB (90dB) 301000MHz 301000MHz 優(yōu)于優(yōu)于110dB (90dB)110dB (90dB) 110GHz 110GHz 優(yōu)于優(yōu)于100dB (80dB)100dB (80dB) 1018GHz 1018GHz 優(yōu)于優(yōu)于85dB (80dB)85dB (80dB)屏蔽效能要求屏蔽效能要求(2(2）影響屏蔽效能的主要因素：影響屏蔽效能的主要因素：屏蔽材料選擇，屏蔽板材接縫的工藝設(shè)計(jì)與屏蔽材料選擇，屏蔽板材接縫的工藝設(shè)計(jì)與施工；施工；屏蔽門的設(shè)計(jì)與施工；屏蔽門的設(shè)計(jì)與施工； 通風(fēng)波導(dǎo)窗設(shè)計(jì)與施工；通風(fēng)波導(dǎo)窗設(shè)計(jì)與施工；設(shè)

49、備接口板的設(shè)計(jì)與施工；設(shè)備接口板的設(shè)計(jì)與施工；用戶接口板的設(shè)計(jì)與施工。用戶接口板的設(shè)計(jì)與施工。屏蔽效能要求屏蔽效能要求(3(3）影響屏蔽效能的主要因素還有：影響屏蔽效能的主要因素還有：電源濾波器的選擇與安裝；電源濾波器的選擇與安裝；監(jiān)控設(shè)備進(jìn)線的設(shè)計(jì)與施工；監(jiān)控設(shè)備進(jìn)線的設(shè)計(jì)與施工；電話進(jìn)線設(shè)計(jì)與施工；電話進(jìn)線設(shè)計(jì)與施工；轉(zhuǎn)臺(tái)接口的設(shè)計(jì)與施工；轉(zhuǎn)臺(tái)接口的設(shè)計(jì)與施工；空調(diào)接口的設(shè)計(jì)與施工。空調(diào)接口的設(shè)計(jì)與施工。 歸一化場(chǎng)地衰減要求（歸一化場(chǎng)地衰減要求（1 1）歸一化場(chǎng)地衰減，英文歸一化場(chǎng)地衰減，英文Normalized Site Normalized Site Attenuation Atten

50、uation ，縮寫字母，縮寫字母(NSA)(NSA)，在國(guó)際無，在國(guó)際無線電干擾特別委員會(huì)（線電干擾特別委員會(huì)（CISPRCISPR）No.16No.16標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)中是用來評(píng)定金屬接地平板試驗(yàn)場(chǎng)的質(zhì)量，中是用來評(píng)定金屬接地平板試驗(yàn)場(chǎng)的質(zhì)量，亦即亦即NSANSA是衡量開闊試驗(yàn)場(chǎng)能否作為合格場(chǎng)是衡量開闊試驗(yàn)場(chǎng)能否作為合格場(chǎng)地進(jìn)行地進(jìn)行 EMCEMC測(cè)試的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)，五面鋪測(cè)試的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)，五面鋪設(shè)吸波材料地面金屬材料的試驗(yàn)室性能，設(shè)吸波材料地面金屬材料的試驗(yàn)室性能，可借用它描述。可借用它描述。歸一化場(chǎng)地衰減要求（歸一化場(chǎng)地衰減要求（2 2）美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)ANSI C63.4ANSI

51、C63.419921992和和CISPR22CISPR2219971997對(duì)屏蔽暗室中對(duì)屏蔽暗室中NSANSA的定義作了如下說明：的定義作了如下說明：NSANSA用來評(píng)定金屬接地平板試驗(yàn)場(chǎng)的質(zhì)量；用來評(píng)定金屬接地平板試驗(yàn)場(chǎng)的質(zhì)量；NSANSA用來衡量開闊試驗(yàn)場(chǎng)能否作為合格場(chǎng)地用來衡量開闊試驗(yàn)場(chǎng)能否作為合格場(chǎng)地進(jìn)行電磁兼容測(cè)量的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。進(jìn)行電磁兼容測(cè)量的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。歸一化場(chǎng)地衰減要求（歸一化場(chǎng)地衰減要求（3 3）屏蔽暗室的歸一化場(chǎng)地衰減的物理意義：屏蔽暗室的歸一化場(chǎng)地衰減的物理意義：兩副天線（分別平行和垂直）放置地面兩副天線（分別平行和垂直）放置地面一定距離，發(fā)射天線源電壓（用一定距離，

52、發(fā)射天線源電壓（用dBdB表示）表示）與接收天線端電壓（用與接收天線端電壓（用dBdB表示）之差，表示）之差，稱該天線測(cè)試場(chǎng)地的場(chǎng)地衰減；稱該天線測(cè)試場(chǎng)地的場(chǎng)地衰減；歸一化場(chǎng)地衰減是用場(chǎng)地衰減減去收發(fā)歸一化場(chǎng)地衰減是用場(chǎng)地衰減減去收發(fā)天線的天線系數(shù)，所得結(jié)果稱該天線測(cè)天線的天線系數(shù)，所得結(jié)果稱該天線測(cè)試場(chǎng)地的歸一化場(chǎng)地衰減。試場(chǎng)地的歸一化場(chǎng)地衰減。歸一化場(chǎng)地衰減要求（歸一化場(chǎng)地衰減要求（4 4）理想開闊場(chǎng)地是指在自由空間放置一個(gè)平直的理想開闊場(chǎng)地是指在自由空間放置一個(gè)平直的無限延伸的金屬導(dǎo)電平面所形成的空間。無限延伸的金屬導(dǎo)電平面所形成的空間。理想開闊場(chǎng)地的歸一化場(chǎng)地衰減可以用公式計(jì)理想開闊場(chǎng)

53、地的歸一化場(chǎng)地衰減可以用公式計(jì)算；算；屏蔽暗室的歸一化場(chǎng)地衰減用來表示屏蔽暗室屏蔽暗室的歸一化場(chǎng)地衰減用來表示屏蔽暗室模擬開闊試驗(yàn)場(chǎng)的相似程度。模擬開闊試驗(yàn)場(chǎng)的相似程度。歸一化場(chǎng)地衰減要求（歸一化場(chǎng)地衰減要求（5 5）屏蔽暗室的場(chǎng)地衰減與場(chǎng)地地面材料、平坦屏蔽暗室的場(chǎng)地衰減與場(chǎng)地地面材料、平坦度、結(jié)構(gòu)、布局相關(guān)；與收發(fā)天線距離、高度、結(jié)構(gòu)、布局相關(guān)；與收發(fā)天線距離、高度相關(guān)；與收發(fā)天線性能相關(guān)。度相關(guān)；與收發(fā)天線性能相關(guān)。屏蔽暗室的歸一化場(chǎng)地衰減與場(chǎng)地地面材料、屏蔽暗室的歸一化場(chǎng)地衰減與場(chǎng)地地面材料、平坦度、結(jié)構(gòu)、布局有關(guān)；與收發(fā)天線距離、平坦度、結(jié)構(gòu)、布局有關(guān)；與收發(fā)天線距離、高度無關(guān)與收發(fā)

54、天線性能無關(guān)。高度無關(guān)與收發(fā)天線性能無關(guān)。歸一化場(chǎng)地衰減歸一化場(chǎng)地衰減測(cè)試測(cè)試（6 6）EMCEMC試驗(yàn)室指標(biāo)要求試驗(yàn)室指標(biāo)要求在在3 3米測(cè)試距離，靜區(qū)為直米測(cè)試距離，靜區(qū)為直徑徑2 2米（米（30MHz18GHz)30MHz18GHz)，在，在5 5米測(cè)試距離，靜區(qū)米測(cè)試距離，靜區(qū)為直徑為直徑3 3米（米（30MHz18GHz)30MHz18GHz)規(guī)一化場(chǎng)地衰減滿規(guī)一化場(chǎng)地衰減滿足足4dB4dB準(zhǔn)則。準(zhǔn)則。所謂所謂4dB4dB準(zhǔn)則是指全部測(cè)量結(jié)果與基準(zhǔn)數(shù)據(jù)相準(zhǔn)則是指全部測(cè)量結(jié)果與基準(zhǔn)數(shù)據(jù)相比較，如果偏差值不超過士比較，如果偏差值不超過士4dB4dB。基準(zhǔn)數(shù)據(jù)為開闊場(chǎng)測(cè)試數(shù)據(jù)或計(jì)算數(shù)據(jù)，計(jì)

55、算基準(zhǔn)數(shù)據(jù)為開闊場(chǎng)測(cè)試數(shù)據(jù)或計(jì)算數(shù)據(jù)，計(jì)算數(shù)據(jù)根據(jù)規(guī)定的寬帶天線和標(biāo)準(zhǔn)推薦的試驗(yàn)室數(shù)據(jù)根據(jù)規(guī)定的寬帶天線和標(biāo)準(zhǔn)推薦的試驗(yàn)室尺寸得來。尺寸得來。場(chǎng)均勻性要求場(chǎng)均勻性要求按按IEC61000-4-3“IEC61000-4-3“射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)驗(yàn)”標(biāo)準(zhǔn)要求，在進(jìn)行電磁輻射敏感度測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)要求，在進(jìn)行電磁輻射敏感度測(cè)量時(shí)，為保證試驗(yàn)結(jié)果的有效性，要求發(fā)射天時(shí)，為保證試驗(yàn)結(jié)果的有效性，要求發(fā)射天線在屏蔽暗室中線在屏蔽暗室中EUTEUT周圍產(chǎn)生一個(gè)規(guī)定的充周圍產(chǎn)生一個(gè)規(guī)定的充分均勻場(chǎng)強(qiáng)分均勻場(chǎng)強(qiáng)( (如如1V/m20V/m1V/m20V/m或更高或更高) )。屏蔽暗室場(chǎng)均勻性性

56、能指標(biāo)是在屏蔽暗室場(chǎng)均勻性性能指標(biāo)是在80MHz18GHz80MHz18GHz范圍內(nèi)滿足范圍內(nèi)滿足6dB6dB準(zhǔn)則。準(zhǔn)則。 EMC EMC試驗(yàn)室驗(yàn)收與評(píng)估試驗(yàn)室驗(yàn)收與評(píng)估工程實(shí)施中要重視技術(shù)監(jiān)理作用，試驗(yàn)室驗(yàn)工程實(shí)施中要重視技術(shù)監(jiān)理作用，試驗(yàn)室驗(yàn)收重點(diǎn)應(yīng)考查安全性和具體技術(shù)指標(biāo)的落實(shí)收重點(diǎn)應(yīng)考查安全性和具體技術(shù)指標(biāo)的落實(shí)情況。情況。重視接地、濾波特性的檢查。重視接地、濾波特性的檢查。加強(qiáng)對(duì)屏蔽效能、加強(qiáng)對(duì)屏蔽效能、歸一化歸一化場(chǎng)地衰減、場(chǎng)均場(chǎng)地衰減、場(chǎng)均勻度性能指標(biāo)的測(cè)試驗(yàn)收。勻度性能指標(biāo)的測(cè)試驗(yàn)收。電磁干擾濾波器電磁干擾濾波器(1)(1)EMIEMI濾波器使用功能與一般濾波器有差異，濾波器使

57、用功能與一般濾波器有差異，EMIEMI濾波器測(cè)量應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：濾波器測(cè)量應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：（1 1）注意安全性能參數(shù)如漏電流、試驗(yàn)電）注意安全性能參數(shù)如漏電流、試驗(yàn)電壓、絕緣電阻和放電電阻等的測(cè)量；壓、絕緣電阻和放電電阻等的測(cè)量；（2 2）在電流加載情況下測(cè)量插入損耗特性，）在電流加載情況下測(cè)量插入損耗特性，因?yàn)檫@樣才能真正反映因?yàn)檫@樣才能真正反映EMIEMI濾波器的真實(shí)性濾波器的真實(shí)性能；能；電磁干擾濾波器（電磁干擾濾波器（2 2）(3)(3)因插入損耗特性與濾波器端接源阻抗和因插入損耗特性與濾波器端接源阻抗和負(fù)載阻抗相關(guān)，檢測(cè)時(shí)按規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置；負(fù)載阻抗相關(guān)，檢測(cè)時(shí)按規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置；（4 4）

58、電源濾波器漏電流是電源）電源濾波器漏電流是電源EMIEMI濾波器的濾波器的一個(gè)重要安全性能參數(shù)。由于漏電流的大小一個(gè)重要安全性能參數(shù)。由于漏電流的大小涉及到人身安全，各國(guó)有關(guān)安全標(biāo)準(zhǔn)有嚴(yán)格涉及到人身安全，各國(guó)有關(guān)安全標(biāo)準(zhǔn)有嚴(yán)格規(guī)定。漏電流的安全值與濾波器的額定電壓規(guī)定。漏電流的安全值與濾波器的額定電壓相關(guān)，一般在相關(guān)，一般在0.55mA0.55mA范圍內(nèi)。范圍內(nèi)。屏蔽效能測(cè)試（屏蔽效能測(cè)試（1 1）屏蔽效能是指模擬干擾源置于屏蔽體外時(shí)，屏蔽屏蔽效能是指模擬干擾源置于屏蔽體外時(shí)，屏蔽體安放前后的電場(chǎng)強(qiáng)度（或磁場(chǎng)強(qiáng)度）的比值，體安放前后的電場(chǎng)強(qiáng)度（或磁場(chǎng)強(qiáng)度）的比值，用公式表示為：用公式表示為：

59、（3-13-1）式中式中 E E0 0一無屏蔽體情況下的模擬電場(chǎng)強(qiáng)度一無屏蔽體情況下的模擬電場(chǎng)強(qiáng)度 E E1 1 一屏蔽體內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度一屏蔽體內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度 H H0 0 一無屏蔽體情況下的模擬磁場(chǎng)強(qiáng)度一無屏蔽體情況下的模擬磁場(chǎng)強(qiáng)度 H H1 1一屏蔽體內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度。一屏蔽體內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度。1010HHEESE測(cè)試室是個(gè)矩形波導(dǎo)諧振腔測(cè)試室是個(gè)矩形波導(dǎo)諧振腔, ,屏蔽室諧振頻屏蔽室諧振頻率可以用下式計(jì)算率可以用下式計(jì)算: : 222021hnwmlpf屏蔽效能測(cè)試（屏蔽效能測(cè)試（2 2） 式中式中f f0 0振頻率，振頻率，HzHz； 空 氣 介 質(zhì) 磁 導(dǎo) 率 ， 一 般 按 空 氣 介 質(zhì) 磁

60、 導(dǎo) 率 ， 一 般 按 0 0=4=41010-7-7H/mH/m； 介電常數(shù)，一般按介電常數(shù)，一般按8.858.851010-12-12F/mF/m考慮；考慮； l l、w w、h h測(cè)試室的長(zhǎng)、寬、高，測(cè)試室的長(zhǎng)、寬、高，m m； p p、m m、n n與波導(dǎo)激勵(lì)模的階數(shù)相關(guān)，與波導(dǎo)激勵(lì)模的階數(shù)相關(guān)，一般取一般取0 09 9，波導(dǎo)激勵(lì)模存在的條件是，波導(dǎo)激勵(lì)模存在的條件是p p、m m、n n最多只能一個(gè)為零。最多只能一個(gè)為零。 屏蔽效能測(cè)試（屏蔽效能測(cè)試（3 3）屏蔽效能測(cè)試（屏蔽效能測(cè)試（4 4）檢漏法是工程進(jìn)行過程中常用的簡(jiǎn)單易行的檢漏法是工程進(jìn)行過程中常用的簡(jiǎn)單易行的方法，一般在