基態(tài)原子的核外電子排布 原子軌道-文檔資料

1、第2課時(shí)基態(tài)原子的核外電子排布原子軌道探究探究1 1 基態(tài)、激發(fā)態(tài)與光譜基態(tài)、激發(fā)態(tài)與光譜研讀教材研讀教材自主認(rèn)知自主認(rèn)知1.1.基態(tài)原子與激發(fā)態(tài)原子基態(tài)原子與激發(fā)態(tài)原子: :吸收吸收發(fā)射發(fā)射2.2.原子光譜原子光譜: :不同元素的原子發(fā)生不同元素的原子發(fā)生_時(shí)會(huì)吸收或釋放不同的光時(shí)會(huì)吸收或釋放不同的光, ,可以用光譜儀攝取各種元素的電子的可以用光譜儀攝取各種元素的電子的_或或_,_,總稱總稱原子光譜。原子光譜。3.3.光譜分析光譜分析: :在現(xiàn)代化學(xué)中在現(xiàn)代化學(xué)中, ,利用利用_上的特征譜線來上的特征譜線來_的分析方法。的分析方法。躍遷躍遷吸收光譜吸收光譜發(fā)射光譜發(fā)射光譜原子光譜原子光譜鑒定

2、元素鑒定元素合作探究合作探究核心歸納核心歸納(1)(1)原子光譜形成的原因是什么原子光譜形成的原因是什么? ?提示提示: :不同元素的原子發(fā)生躍遷時(shí)會(huì)吸收或釋放不同的光不同元素的原子發(fā)生躍遷時(shí)會(huì)吸收或釋放不同的光, ,從而形成原從而形成原子光譜。子光譜。(2)(2)電子躍遷時(shí)只吸收能量嗎電子躍遷時(shí)只吸收能量嗎? ?提示提示: :不是。電子從低能量軌道躍遷到高能量軌道時(shí)吸收能量不是。電子從低能量軌道躍遷到高能量軌道時(shí)吸收能量, ,從高能從高能量軌道躍遷到低能量軌道時(shí)釋放能量。量軌道躍遷到低能量軌道時(shí)釋放能量。(3)(3)霓虹燈的發(fā)光原理與氫原子光譜相同嗎霓虹燈的發(fā)光原理與氫原子光譜相同嗎? ?提

3、示提示: :基本相同基本相同, ,都是氣體在較高的電壓激發(fā)下發(fā)生電子的躍遷產(chǎn)生的。都是氣體在較高的電壓激發(fā)下發(fā)生電子的躍遷產(chǎn)生的。 過關(guān)小練過關(guān)小練即時(shí)應(yīng)用即時(shí)應(yīng)用1.(20151.(2015泰安高二檢測(cè)泰安高二檢測(cè)) )原子光譜是線狀光譜原子光譜是線狀光譜, ,是由不連續(xù)的譜線組是由不連續(xù)的譜線組成的成的, ,這表明這表明( () )A.A.在原子中只有某些電子能夠躍遷產(chǎn)生光譜在原子中只有某些電子能夠躍遷產(chǎn)生光譜B.B.原子中的電子可以處于某些特定的能量狀態(tài)原子中的電子可以處于某些特定的能量狀態(tài), ,即電子的能量是量子即電子的能量是量子化的化的C.C.原子發(fā)射的光是單色光原子發(fā)射的光是單色光

4、D.D.白光可以由多種單色光組成白光可以由多種單色光組成【解析】【解析】選選B B。原子光譜是線狀光譜。原子光譜是線狀光譜, ,也就是由具有特定頻率的光形成也就是由具有特定頻率的光形成的譜線的譜線, ,原子光譜之所以產(chǎn)生這種特定的譜線原子光譜之所以產(chǎn)生這種特定的譜線, ,是由于電子的能量是量是由于電子的能量是量子化的子化的, ,電子躍遷的始態(tài)和終態(tài)的能級(jí)差也是量子化的。電子躍遷的始態(tài)和終態(tài)的能級(jí)差也是量子化的。2.2.對(duì)充有氖氣的霓虹燈管通電對(duì)充有氖氣的霓虹燈管通電, ,燈管發(fā)出紅色光。產(chǎn)生這一現(xiàn)象的主燈管發(fā)出紅色光。產(chǎn)生這一現(xiàn)象的主要原因是要原因是( () )A.A.電子由激發(fā)態(tài)向基態(tài)躍遷時(shí)

5、以光的形式釋放能量電子由激發(fā)態(tài)向基態(tài)躍遷時(shí)以光的形式釋放能量B.B.電子由基態(tài)向激發(fā)態(tài)躍遷時(shí)吸收除紅光以外的光線電子由基態(tài)向激發(fā)態(tài)躍遷時(shí)吸收除紅光以外的光線C.C.氖原子獲得電子后轉(zhuǎn)變成發(fā)出紅光的物質(zhì)氖原子獲得電子后轉(zhuǎn)變成發(fā)出紅光的物質(zhì)D.D.在電流的作用下在電流的作用下, ,氖原子與構(gòu)成燈管的物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)氖原子與構(gòu)成燈管的物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)【解析】【解析】選選A A。氖原子中能量較高軌道上的電子以光的形式向外輻射。氖原子中能量較高軌道上的電子以光的形式向外輻射能量躍遷到能量較低的軌道上能量躍遷到能量較低的軌道上, ,所發(fā)出的光的波長(zhǎng)恰好位于可見光區(qū)所發(fā)出的光的波長(zhǎng)恰好位于可見光區(qū)域中的紅色波段。域

6、中的紅色波段。【補(bǔ)償訓(xùn)練】【補(bǔ)償訓(xùn)練】圖中所發(fā)生的現(xiàn)象與電子的躍遷無關(guān)的是圖中所發(fā)生的現(xiàn)象與電子的躍遷無關(guān)的是( () )【解析】【解析】選選D D。燃放煙火、霓虹燈、燃燒蠟燭等獲得的光能都是電子。燃放煙火、霓虹燈、燃燒蠟燭等獲得的光能都是電子躍遷時(shí)能量以光的形式釋放出來導(dǎo)致的躍遷時(shí)能量以光的形式釋放出來導(dǎo)致的, ,而平面鏡成像則是光線反射而平面鏡成像則是光線反射的結(jié)果。的結(jié)果。探究探究2 2 核外電子排布規(guī)則核外電子排布規(guī)則研讀教材研讀教材自主認(rèn)知自主認(rèn)知1.1.原子核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的描述原子核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的描述: :(1)(1)電子云。電子云。定義定義: :處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原

7、子核外空間的概率密度分處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外空間的概率密度分布的形象化描述。布的形象化描述。含義含義: :用單位體積內(nèi)小黑點(diǎn)的疏密程度表示電子在原子核外出現(xiàn)概用單位體積內(nèi)小黑點(diǎn)的疏密程度表示電子在原子核外出現(xiàn)概率大小。率大小。形狀。形狀。球形球形啞鈴形啞鈴形一一三三(2)(2)原子軌道。原子軌道。定義定義: :電子在原子核外的一個(gè)電子在原子核外的一個(gè)_。意義意義: :表示原子軌道的空間分布。表示原子軌道的空間分布。不同能層所對(duì)應(yīng)的能級(jí)和原子軌道的情況。不同能層所對(duì)應(yīng)的能級(jí)和原子軌道的情況。空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)符號(hào)符號(hào)能級(jí)能級(jí)原子軌道數(shù)原子軌道數(shù)原子軌道名稱原子軌道名稱電子云電

8、子云輪廓形狀輪廓形狀K K1s1s1 11s1s_形形L L2s2s2p2p1 1_2s2s2p2px x、2p2py y、2p2pz z球形球形_形形M M3s3s3p3p3d3d1 1_3s3s3p3px x、3p3py y、3p3pz z球形球形_形形球球3 3啞鈴啞鈴3 35 5啞鈴啞鈴2.2.核外電子排布的規(guī)則核外電子排布的規(guī)則: :最最低低相反相反 優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)自旋狀態(tài)自旋狀態(tài)2 2構(gòu)造原理構(gòu)造原理合作探究合作探究核心歸納核心歸納1.1.原子核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的描述原子核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的描述: :s s能級(jí)的原子軌道圖能級(jí)的原子軌道圖( (球形對(duì)稱球形對(duì)稱) )p p能級(jí)

9、的原子軌道圖能級(jí)的原子軌道圖( (啞鈴形啞鈴形) )(1)(1)怎樣描述一個(gè)電子的核外運(yùn)動(dòng)狀態(tài)怎樣描述一個(gè)電子的核外運(yùn)動(dòng)狀態(tài)? ?提示提示: :從電子層、能級(jí)、原子軌道、自旋狀態(tài)四個(gè)方面描述。從電子層、能級(jí)、原子軌道、自旋狀態(tài)四個(gè)方面描述。(2)s(2)s軌道的電子云圖與軌道的電子云圖與p p軌道的電子云圖有何區(qū)別軌道的電子云圖有何區(qū)別? ?提示提示: :s s軌道的電子云圖為球形軌道的電子云圖為球形, ,在空間只有一個(gè)伸展方向在空間只有一個(gè)伸展方向;p;p軌道的電軌道的電子云圖為啞鈴形子云圖為啞鈴形, ,在空間有在空間有3 3個(gè)伸展方向。個(gè)伸展方向。(3)(3)電子云中小點(diǎn)的疏密程度有何意義

10、電子云中小點(diǎn)的疏密程度有何意義? ?提示提示: :點(diǎn)疏密的程度表示了電子在原子核外出現(xiàn)概率的大小。點(diǎn)疏密的程度表示了電子在原子核外出現(xiàn)概率的大小。 2.2.核外電子排布的規(guī)則核外電子排布的規(guī)則: :(1)(1)原子核外電子在排布時(shí)總是按原子核外電子在排布時(shí)總是按K K、L L、M M、N N的順序填充的嗎的順序填充的嗎? ?提示提示: :不是。原子核外電子的排布遵循構(gòu)造原理不是。原子核外電子的排布遵循構(gòu)造原理, ,按軌道能量由低到高按軌道能量由低到高依次排列依次排列, ,而能層越大而能層越大, ,能級(jí)的能量不一定越高能級(jí)的能量不一定越高, ,存在一些不同能層的存在一些不同能層的能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象能級(jí)

11、交錯(cuò)現(xiàn)象, ,例如例如E(3d)E(4s)E(3d)E(4s)、E(4f)E(5p)E(4f)E(5p)等等, ,核外電子在充滿核外電子在充滿3p3p后后, ,多余電子首先填充多余電子首先填充4s4s而非而非3d,3d,使整個(gè)原子處于能量最低的狀態(tài)。使整個(gè)原子處于能量最低的狀態(tài)。(2)(2)為什么鉀原子的原子結(jié)構(gòu)示意圖不是為什么鉀原子的原子結(jié)構(gòu)示意圖不是 , ,而是而是 呢呢? ?提示提示: :由于出現(xiàn)能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象由于出現(xiàn)能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象, ,鉀原子排滿第一層和第二層后鉀原子排滿第一層和第二層后, ,再排第再排第三層時(shí)三層時(shí), ,先排滿先排滿3s3s能級(jí)、能級(jí)、3p3p能級(jí)能級(jí), ,最后一個(gè)電子進(jìn)

12、入最后一個(gè)電子進(jìn)入4s4s能級(jí)而不是能級(jí)而不是3d3d能級(jí)能級(jí), ,所以它的原子結(jié)構(gòu)示意圖為所以它的原子結(jié)構(gòu)示意圖為 。 (3)(3)為什么原子核外最外層的電子數(shù)不超過為什么原子核外最外層的電子數(shù)不超過8 8個(gè)個(gè)? ?提示提示: :由于能級(jí)交錯(cuò)的原因由于能級(jí)交錯(cuò)的原因,E(nd)E(n+1)s,E(nd)E(n+1)s,當(dāng)當(dāng)nsns和和npnp充滿時(shí)充滿時(shí)( (共共4 4個(gè)軌個(gè)軌道道, ,最多容納最多容納8 8個(gè)電子個(gè)電子),),多余的電子不是填入多余的電子不是填入nd,nd,而是首先形成新電子而是首先形成新電子層層, ,填入填入(n+1)s(n+1)s軌道中軌道中, ,故最外層電子數(shù)不可能超

13、過故最外層電子數(shù)不可能超過8 8個(gè)。個(gè)。(4)(4)為什么原子核外電子的次外層不超過為什么原子核外電子的次外層不超過1818個(gè)個(gè)? ?提示提示: :若最外層是第若最外層是第n n層層, ,次外層就是第次外層就是第(n-1)(n-1)層。由于層。由于E(n-1)fE(n-1)fE(n+1)sE(np),E(n+1)sE(np),在第在第(n+1)(n+1)層出現(xiàn)前層出現(xiàn)前, ,次外層只有次外層只有(n-1)s(n-1)s、(n-1)p(n-1)p、(n-1)d(n-1)d上有電子上有電子, ,這三個(gè)能級(jí)共有這三個(gè)能級(jí)共有9 9個(gè)軌道個(gè)軌道, ,最多可容納最多可容納1818個(gè)電子個(gè)電子, ,因此因

14、此次外層電子數(shù)不超過次外層電子數(shù)不超過1818個(gè)。個(gè)。 【歸納總結(jié)】【歸納總結(jié)】1.1.構(gòu)造原理中的能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象構(gòu)造原理中的能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象: :最常見、最重要的能級(jí)交錯(cuò)順序之最常見、最重要的能級(jí)交錯(cuò)順序之一是一是E(4s)E(3d),E(4s)E(3d),對(duì)于對(duì)于1 13636號(hào)元素來說號(hào)元素來說, ,應(yīng)重點(diǎn)掌握和記憶的是應(yīng)重點(diǎn)掌握和記憶的是“1s2s2p3s3p4s3d4p”1s2s2p3s3p4s3d4p”這一順序。這一順序。2.2.對(duì)核外電子排布的兩點(diǎn)認(rèn)識(shí)對(duì)核外電子排布的兩點(diǎn)認(rèn)識(shí): :(1)(1)基態(tài)原子核外電子在能量相同的各個(gè)軌道上排布時(shí)基態(tài)原子核外電子在能量相同的各個(gè)軌道上排布時(shí), ,

15、電子盡電子盡可能分占不同的原子軌道可能分占不同的原子軌道, ,且自旋狀態(tài)相同且自旋狀態(tài)相同, ,這樣整個(gè)原子的能這樣整個(gè)原子的能量最低。量最低。(2)(2)有少數(shù)元素的基態(tài)原子的電子排布對(duì)于構(gòu)造原理有有少數(shù)元素的基態(tài)原子的電子排布對(duì)于構(gòu)造原理有1 1個(gè)電子個(gè)電子的偏差。因?yàn)槟芰肯嗤脑榆壍涝谌錆M的偏差。因?yàn)槟芰肯嗤脑榆壍涝谌錆M( (如如p p6 6和和d d1010) )、半充、半充滿滿( (如如p p3 3和和d d5 5) )和全空和全空( (如如p p0 0和和d d0 0) )狀態(tài)時(shí)狀態(tài)時(shí), ,體系的能量較低體系的能量較低, ,原子較原子較穩(wěn)定。如穩(wěn)定。如CrCr的電子排布式

16、為的電子排布式為1s1s2 22s2s2 22p2p6 63s3s2 23p3p6 63d3d5 54s4s1 1, ,不能寫成不能寫成1s1s2 22s2s2 22p2p6 63s3s2 23p3p6 63d3d4 44s4s2 2。過關(guān)小練過關(guān)小練即時(shí)應(yīng)用即時(shí)應(yīng)用1.(20151.(2015蘇州高二檢測(cè)蘇州高二檢測(cè)) )下列敘述正確的是下列敘述正確的是( () )A.Ar3dA.Ar3d6 64s4s2 2是基態(tài)原子的電子排布是基態(tài)原子的電子排布B.B.鉻原子的電子排布式鉻原子的電子排布式:1s:1s2 22s2s2 22p2p6 63s3s2 23p3p6 64s4s1 13d3d5 5

17、C.C.銅原子的外圍電子排布式是銅原子的外圍電子排布式是3d3d9 94s4s2 2D.D.氮原子的電子排布圖是氮原子的電子排布圖是【解題指南】【解題指南】解答本題時(shí)要注意以下兩點(diǎn)解答本題時(shí)要注意以下兩點(diǎn): :(1)(1)符合電子排布三原則的是基態(tài)原子。符合電子排布三原則的是基態(tài)原子。(2)(2)注意注意1 13636號(hào)元素中的兩個(gè)特殊元素號(hào)元素中的兩個(gè)特殊元素2424CrCr和和2929CuCu?！窘馕觥俊窘馕觥窟x選A A。B B項(xiàng)項(xiàng), ,在書寫電子排布式時(shí)在書寫電子排布式時(shí), ,不能按填充順序書寫不能按填充順序書寫;C;C項(xiàng)項(xiàng),d,d軌道全充滿時(shí)穩(wěn)定軌道全充滿時(shí)穩(wěn)定, ,應(yīng)為應(yīng)為3d3d1

18、0104s4s1 1;D;D項(xiàng)違反了洪特規(guī)則。項(xiàng)違反了洪特規(guī)則。2.2.在在d d軌道中電子排布成軌道中電子排布成 而不能排布成而不能排布成 , ,其最直接的根據(jù)是其最直接的根據(jù)是( () )A.A.能量最低原理能量最低原理B.B.泡利原理泡利原理C.C.原子軌道構(gòu)造原理原子軌道構(gòu)造原理D.D.洪特規(guī)則洪特規(guī)則【解析】【解析】選選D D。當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)。當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí), ,基態(tài)原子中的電基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道, ,且自旋狀態(tài)相同且自旋狀態(tài)相同, ,稱為洪特規(guī)則稱為洪特規(guī)則, ,根據(jù)根據(jù)題意知題意知,4,4個(gè)電子占據(jù)

19、不同的軌道且自旋方向相同個(gè)電子占據(jù)不同的軌道且自旋方向相同, ,所以其根據(jù)是洪特所以其根據(jù)是洪特規(guī)則。規(guī)則?！痉椒ㄒ?guī)律】【方法規(guī)律】(1)(1)對(duì)于復(fù)雜的原子或離子對(duì)于復(fù)雜的原子或離子, ,若直接書寫電子排布式有困若直接書寫電子排布式有困難難, ,可先寫出原子的原子結(jié)構(gòu)示意圖可先寫出原子的原子結(jié)構(gòu)示意圖, ,再據(jù)此寫出電子排布式再據(jù)此寫出電子排布式, ,如如(2)(2)離子的電子排布式的書寫方法。離子的電子排布式的書寫方法。先寫出原子的電子排布式先寫出原子的電子排布式, ,再根據(jù)電子的情況進(jìn)行調(diào)整。如再根據(jù)電子的情況進(jìn)行調(diào)整。如【補(bǔ)償訓(xùn)練】【補(bǔ)償訓(xùn)練】(2015(2015三亞高二檢測(cè)三亞高二檢

20、測(cè)) )下列原子的外圍電子排布式不正下列原子的外圍電子排布式不正確的是確的是( () )A.Fe:3dA.Fe:3d6 64s4s2 2 B.Cr:3d B.Cr:3d4 44s4s2 2C.Ar:3sC.Ar:3s2 23p3p6 6 D.Ni:3d D.Ni:3d8 84s4s2 2【解析】【解析】選選B B。根據(jù)洪特規(guī)則。根據(jù)洪特規(guī)則: :能量相同的軌道在全充滿、半充滿、全能量相同的軌道在全充滿、半充滿、全空時(shí)空時(shí), ,體系能量最低體系能量最低, ,原子比較穩(wěn)定原子比較穩(wěn)定,B,B項(xiàng)應(yīng)該為項(xiàng)應(yīng)該為3d3d5 54s4s1 1。探究探究3 3 核外電子排布的表示方法核外電子排布的表示方法研

21、讀教材研讀教材自主認(rèn)知自主認(rèn)知電子排布式電子排布式: :(1)(1)概念概念: :將將_上所排布的電子數(shù)標(biāo)注在該能級(jí)符號(hào)上所排布的電子數(shù)標(biāo)注在該能級(jí)符號(hào)_,_,并按并按照能層從左到右的順序排列的式子。如鈉原子的電子排布式可表示為照能層從左到右的順序排列的式子。如鈉原子的電子排布式可表示為_,_,也可簡(jiǎn)化為也可簡(jiǎn)化為_。能級(jí)能級(jí)右上角右上角1s1s2 22s2s2 22p2p6 63s3s1 1Ne3sNe3s1 1(2)(2)電子排布圖電子排布圖: :用方框表示原子軌道用方框表示原子軌道, ,用不同方向的箭頭表示自旋狀用不同方向的箭頭表示自旋狀態(tài)不同的電子的式子。態(tài)不同的電子的式子。如氮原子的

22、電子排布圖是如氮原子的電子排布圖是 。合作探究合作探究核心歸納核心歸納(1)(1)電子排布的表示形式中最能形象表示電子排布的是哪一種電子排布的表示形式中最能形象表示電子排布的是哪一種? ?提示提示: :電子排布圖。它不僅表示各個(gè)能級(jí)的電子數(shù)目電子排布圖。它不僅表示各個(gè)能級(jí)的電子數(shù)目, ,還表示出在各個(gè)還表示出在各個(gè)能級(jí)的分布。能級(jí)的分布。(2)(2)下列原子的最外層電子的表示形式中下列原子的最外層電子的表示形式中, ,哪一種狀態(tài)的能量較低哪一種狀態(tài)的能量較低? ?氮原子氮原子鈉原子鈉原子A.3sA.3s1 1B.3pB.3p1 1鉻原子鉻原子A.3dA.3d5 54s4s1 1B.3dB.3d

23、4 44s4s2 2碳原子碳原子提示提示: :據(jù)洪特規(guī)則據(jù)洪特規(guī)則, ,電子在能量相同的各個(gè)軌道上排布時(shí)盡可能分占不電子在能量相同的各個(gè)軌道上排布時(shí)盡可能分占不同的原子軌道同的原子軌道, ,且自旋狀態(tài)相同且自旋狀態(tài)相同, ,故故選選B,B,選選A;A;據(jù)能量最低原理據(jù)能量最低原理, ,核核外電子先占有能量低的軌道外電子先占有能量低的軌道, ,再占有能量高的軌道再占有能量高的軌道, ,中由于中由于s s軌道能軌道能量低于量低于p p軌道軌道, ,故選故選A;A;中中d d5 5為半充滿狀態(tài)為半充滿狀態(tài), ,為相對(duì)穩(wěn)定的狀態(tài)為相對(duì)穩(wěn)定的狀態(tài), ,所以選所以選A A。(3)(3)判斷下列元素原子的電

24、子排布式是否正確判斷下列元素原子的電子排布式是否正確, ,若錯(cuò)誤若錯(cuò)誤, ,請(qǐng)說明違反的請(qǐng)說明違反的原則原則, ,并寫出正確的電子排布式。并寫出正確的電子排布式。6 6C;1sC;1s2 22s2s2 22p2px x2 22121Sc:1sSc:1s2 22s2s2 22p2p6 63s3s2 23p3p6 63d3d3 32222Ti:1sTi:1s2 22s2s2 22p2p6 63s3s2 23p3p1010 提示提示: :錯(cuò)誤錯(cuò)誤, ,違反了洪特規(guī)則違反了洪特規(guī)則, ,正確的電子排布式為正確的電子排布式為1s1s2 22s2s2 22p2p2 2。錯(cuò)誤錯(cuò)誤, ,違反了能量最低原理違反

25、了能量最低原理, ,正確的電子排布式為正確的電子排布式為1s1s2 22s2s2 22p2p6 63s3s2 23p3p6 63d3d1 14s4s2 2。錯(cuò)誤錯(cuò)誤, ,違反了泡利原理違反了泡利原理, ,正確的電子排布式為正確的電子排布式為1s1s2 22s2s2 22p2p6 63s3s2 23p3p6 63d3d2 24s4s2 2。(4)(4)基態(tài)銅原子的核外電子排布式為基態(tài)銅原子的核外電子排布式為1s1s2 22s2s2 22p2p6 63s3s2 23p3p6 63d3d9 94s4s2 2, ,這種這種表示方法正確嗎表示方法正確嗎? ?為什么為什么? ?提示提示: :不正確。能量相

26、同的原子軌道在全充滿、半充滿和全空狀不正確。能量相同的原子軌道在全充滿、半充滿和全空狀態(tài)時(shí)態(tài)時(shí), ,體系能量較低體系能量較低, ,原子較穩(wěn)定原子較穩(wěn)定, ,故銅原子的電子排布式應(yīng)為故銅原子的電子排布式應(yīng)為1s1s2 22s2s2 22p2p6 63s3s2 23p3p6 63d3d10104s4s1 1。 【歸納總結(jié)】【歸納總結(jié)】1.1.核外電子排布的書寫方法總結(jié)核外電子排布的書寫方法總結(jié): :原子原子結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)示意示意圖圖含義含義將每個(gè)能層上的電子總數(shù)表示在原子核外的式子將每個(gè)能層上的電子總數(shù)表示在原子核外的式子實(shí)例實(shí)例電子電子排布排布式式含義含義用數(shù)字在能級(jí)符號(hào)右上角標(biāo)明該能級(jí)上排布的電子用

27、數(shù)字在能級(jí)符號(hào)右上角標(biāo)明該能級(jí)上排布的電子數(shù)的式子數(shù)的式子實(shí)例實(shí)例K:1sK:1s2 22s2s2 22p2p6 63s3s2 23p3p6 64s4s1 1簡(jiǎn)化簡(jiǎn)化電子電子排布排布式式含義含義為了避免電子排布式書寫過于繁瑣為了避免電子排布式書寫過于繁瑣, ,把內(nèi)層電子把內(nèi)層電子達(dá)到稀有氣體結(jié)構(gòu)的部分以相應(yīng)稀有氣體的元達(dá)到稀有氣體結(jié)構(gòu)的部分以相應(yīng)稀有氣體的元素符號(hào)外加方括號(hào)表示素符號(hào)外加方括號(hào)表示實(shí)例實(shí)例K:Ar4sK:Ar4s1 1電子電子排布排布圖圖含義含義每個(gè)方框代表一個(gè)原子軌道每個(gè)方框代表一個(gè)原子軌道, ,每個(gè)箭頭代表一個(gè)每個(gè)箭頭代表一個(gè)電子電子實(shí)例實(shí)例Al:Al:2.2.電子排布式書

28、寫方法的兩點(diǎn)認(rèn)識(shí)電子排布式書寫方法的兩點(diǎn)認(rèn)識(shí): :(1)(1)簡(jiǎn)單原子的核外電子排布式簡(jiǎn)單原子的核外電子排布式: :按照構(gòu)造原理將電子依次填充按照構(gòu)造原理將電子依次填充到能量逐漸升高的原子軌道中。到能量逐漸升高的原子軌道中。例如例如7 7N:1sN:1s2 22s2s2 22p2p3 3。(2)(2)復(fù)雜原子的核外電子排布式復(fù)雜原子的核外電子排布式: :先按能量從高到低排列先按能量從高到低排列, ,然后然后再把同一層的電子排在一起。如再把同一層的電子排在一起。如2626Fe,Fe,先按能量從高到低排列為先按能量從高到低排列為1s1s2 22s2s2 22p2p6 63s3s2 23p3p6 6

29、4s4s2 23d3d6 6, ,然后將同一層的電子移到一起即然后將同一層的電子移到一起即可可:1s:1s2 22s2s2 22p2p6 63s3s2 23p3p6 63d3d6 64s4s2 2。過關(guān)小練過關(guān)小練即時(shí)應(yīng)用即時(shí)應(yīng)用1.1.寫出下列粒子的電子排布式或電子排布圖。寫出下列粒子的電子排布式或電子排布圖。(1)(1)電子排布式。電子排布式。1717Cl:Cl: ; ;CaCa2+2+: : ; ;S S2-2-: : ; ;2424Cr:Cr: 。(2)(2)電子排布圖。電子排布圖。O O2-2-的電子排布圖的電子排布圖: : ; ;F F的最外層電子排布圖的最外層電子排布圖: : 。

30、(3)(3)寫出寫出AlAl、C C的最外層電子排布式的最外層電子排布式: : 、 。 【解題指南】【解題指南】解答本題時(shí)應(yīng)注意以下解答本題時(shí)應(yīng)注意以下3 3點(diǎn)點(diǎn): :(1)(1)明確微粒核外電子數(shù)明確微粒核外電子數(shù); ;(2)(2)書寫時(shí)必須遵循核外電子排布的三原則書寫時(shí)必須遵循核外電子排布的三原則; ;(3)(3)注意電子排布圖和外圍電子排布圖的區(qū)別。注意電子排布圖和外圍電子排布圖的區(qū)別?！窘馕觥俊窘馕觥?1)(1)根據(jù)核外電子排布的三個(gè)原則進(jìn)行書寫即可。注意離子根據(jù)核外電子排布的三個(gè)原則進(jìn)行書寫即可。注意離子的電子排布式的最外層電子的變化的電子排布式的最外層電子的變化, ,如如CaCa2

31、+2+要失去最外層電子要失去最外層電子, ,而而S S2-2-要要得到得到2 2個(gè)電子。個(gè)電子。(2)O(2)O2-2-的電子排布式為的電子排布式為1s1s2 22s2s2 22p2p6 6, ,故其電子排布圖為故其電子排布圖為 。F F的最外層電子排布式為的最外層電子排布式為2s2s2 22p2p5 5, ,故其電子排布圖為故其電子排布圖為 。(3)Al(3)Al的最外層為的最外層為M M層層, ,有有3 3個(gè)電子個(gè)電子, ,故其電子排布式為故其電子排布式為3s3s2 23p3p1 1。C C的最外的最外層為層為L(zhǎng) L層層, ,有有4 4個(gè)電子個(gè)電子, ,最外層電子排布式為最外層電子排布式為2