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1會(huì)計(jì)學(xué)pecvd質(zhì)量檢驗(yàn)員培訓(xùn)質(zhì)量檢驗(yàn)員培訓(xùn) 由于在擴(kuò)散過(guò)程中，硅片的所有表面（包括邊緣）都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路，所以要通過(guò)刻蝕去除邊緣的擴(kuò)散層。反應(yīng)室的氣體被等離子體分離成可化學(xué)反應(yīng)的元素 2、這些元素?cái)U(kuò)散并吸附擴(kuò)散并吸附在硅片表面 3、這些元素在硅表面上進(jìn)行表面擴(kuò)散表面擴(kuò)散，直到發(fā)生反應(yīng)反應(yīng) 4、反應(yīng)生成物解吸解吸，離開(kāi)硅片并排放 ocscpmpmVIVIFF inocscinmPVIFFPPEff 252236ClO2P3O4POClPSiOSiOP4552252 O2HSiF4HFSiO242SiFH2HFSiF624O2HSiFH6HFSiO2622 cos21cos2212221212221rrrrrrrrRnnnnr001sisinnnnr002nd04202020)(sisinnnnnnRsinnn0 sinnn035. 29 . 34 . 1 ocscpmpmVIVIFF inocscinmPVIFFPPEff

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