智慧樹知到《半導(dǎo)體技術(shù)導(dǎo)論》見面課答案

1、智慧樹知到半導(dǎo)體技術(shù)導(dǎo)論見面課答案 智慧樹知到半導(dǎo)體技術(shù)導(dǎo)論見面課答案 見面課：半導(dǎo)體器件制程工藝1、問題:MBE只能用于III-V族化合物的生長。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【錯(cuò)】2、問題:提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【對(duì)】3、問題:在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是： （ ）選項(xiàng)：A:腐蝕B:離子注入C:光刻D:CVD答案: 【光刻】4、問題:光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（ ）的情況。選項(xiàng)：A:對(duì)光刻精度較高B:光刻圖案密度較高C:光刻的材料易于腐蝕D:光刻的材料難以腐蝕答案: 【光刻的材料難以腐蝕】見面課：半導(dǎo)體器件及材料表征技術(shù)1、問題:

2、通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【對(duì)】2、問題:TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【錯(cuò)】3、問題:AFM通常用來觀測(cè)樣品表面形貌。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【對(duì)】4、問題:XPS只能檢測(cè)元素種類，無法標(biāo)定元素含量。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【錯(cuò)】見面課：半導(dǎo)體器件基本結(jié)構(gòu)1、問題:異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【對(duì)】2、問題:光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【錯(cuò)】3、問題:MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件選項(xiàng)：A:

3、對(duì)B:錯(cuò)答案: 【錯(cuò)】4、問題:所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【錯(cuò)】5、問題:平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【對(duì)】6、問題:一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的_達(dá)到了14nm量級(jí)選項(xiàng)：A:柵極長度B:漏極寬度C:柵極寬度D:以上都不是答案: 【柵極寬度】7、問題:當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其_的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的選項(xiàng)：A:集電極到發(fā)射極B:集電極到基極C:基極到發(fā)射極D:以上都不是答案: 【集電極到基極】8、問題:MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過_極電壓來控制 _ 極和

4、 _極之間的導(dǎo)電溝道的通斷選項(xiàng)：A:柵、源、漏B:漏、源、柵C:源、漏、柵D:以上都不是答案: 【柵、源、漏】9、問題:金屬和n型半導(dǎo)體接觸，如果fmfs，會(huì)形成 肖特基 接觸；其中 接觸具有整流效應(yīng)。選項(xiàng)：A:肖特基、歐姆、歐姆B:歐姆、肖特基、肖特基C:歐姆、肖特基、歐姆D:肖特基、歐姆、肖特基答案: 【歐姆、肖特基、肖特基】見面課：半導(dǎo)體物理基本概念1、問題:AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。保存選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【錯(cuò)】2、問題:半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說法選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【錯(cuò)】3、問題:PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【錯(cuò)】4、問題:半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【對(duì)】5、問題:硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。選項(xiàng)：A:對(duì)B:錯(cuò)答案: 【錯(cuò)】6、問題:GaAs晶體是_結(jié)構(gòu)選項(xiàng)：A:金剛石B:閃鋅礦C:體心D:面心答案: 【閃鋅礦】7、問題:有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4，其帶隙有可能是_eV選項(xiàng)：A:1.4B:1.0C:1.2D: